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分立半导体
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器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
IDK05G120C5XTMA1 分立半导体 IDK05G120C5XTMA1 Infineon 分立半导体 商标名:CoolSiC; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:IDK05G120C5; RoHS:Y; 制造商:Infineon; 肖特基二极管与整流器 SIC DISCRETE
IXFH150N25X3 分立半导体 IXFH150N25X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:30 ns; 典型关闭延迟时间:115 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:30 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:60 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:735 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:150 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:9 mOhms; Id-连续漏极电流:150 A; Vds-漏源极击穿电压:250 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
IXFH180N20X3 分立半导体 IXFH180N20X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:30 ns; 典型关闭延迟时间:100 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:28 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:12 ns; 正向跨导 - 最小值:70 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:735 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:154 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:7.5 mOhms; Id-连续漏极电流:180 A; Vds-漏源极击穿电压:200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:To-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
FS50R12W2T7B11BOMA1 分立半导体 FS50R12W2T7B11BOMA1 Infineon 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:15; 产品类型:IGBT Modules; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tray; 制造商:Infineon; IGBT 模块 LOW POWER EASY
APT60GT60JRD 分立半导体 APT60GT60JRD Microchip 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:1; 产品类型:IGBT Modules; 栅极/发射极最大电压:20 V; 安装风格:Screw Mount; 商标:Microchip / Microsemi; 技术:Si; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:SOT-227-4; Pd-功率耗散:378 W; 栅极—射极漏泄电流:100 nA; 在25 C的连续集电极电流:93 A; 集电极—射极饱和电压:2 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V; 配置:Single; 产品:IGBT Silicon Modules; 制造商:Microchip; IGBT 模块 FG, IGBT-COMBI, 600V, 60A, SOT-227
RN2406,LF 分立半导体 RN2406,LF Toshiba 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN2406; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 封装 / 箱体:SC-59-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; 双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package
RN2105,LF(CT 分立半导体 RN2105,LF(CT Toshiba 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN2105; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:100 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 封装 / 箱体:SSM-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; 双极晶体管 - 预偏置 PNP BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
DTC043XEBTL 分立半导体 DTC043XEBTL ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:50 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:150 mW; 峰值直流集电极电流:100 mA; 集电极连续电流:100 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:35; 封装 / 箱体:SOT-416FL-3; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:2.1; 典型输入电阻器:4.7 kOhms; 晶体管极性:NPN; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR
BZX584C3V9-G3-08 分立半导体 BZX584C3V9-G3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :3 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:400 Ohms; 齐纳电流:3 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:3.9 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 3.9V Small Signal
EMB59T2R 分立半导体 EMB59T2R ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:8000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:- 70 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:150 mW; 峰值直流集电极电流:-; 集电极连续电流:- 100 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 封装 / 箱体:EMT-6; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:4.7; 典型输入电阻器:10 kOhms; 晶体管极性:PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 预偏置 PNP+PNP Digital Tran EMT6
BZX584C5V6-HG3-08 分立半导体 BZX584C5V6-HG3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :1 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:80 Ohms; 齐纳电流:1 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:5.6 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 5.6V Small Signal
BZX584C3V0-HG3-08 分立半导体 BZX584C3V0-HG3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :10 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:325 Ohms; 齐纳电流:10 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:3 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 3V Small Signal
BZX584C22-HG3-08 分立半导体 BZX584C22-HG3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.05 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:60 Ohms; 齐纳电流:0.05 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:22 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 22V Small Signal
BCX51-10TF 分立半导体 BCX51-10TF Nexperia 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:4000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:63 at - 5 mA, - 2 V; 集电极连续电流:- 1 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:160 at - 150 mA, - 2 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:500 mW; 最大直流电集电极电流:- 2 A; 集电极—射极饱和电压:- 500 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 45 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 45 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SC-62-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS
VS-2EQH02HM3/H 分立半导体 VS-2EQH02HM3/H Vishay 分立半导体 商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:4500; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:VS-2EQH0xHM3; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 恢复时间:33 ns; Ir - 反向电流 :1 uA; 最大浪涌电流:30 A; Vf - 正向电压:1.05 V; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:2 A; Vr - 反向电压 :200 V; 封装 / 箱体:DO-219AD; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 整流器 200V 2A Fred Pt MicroSMP (DO-219AD)
RN2425(TE85L,F) 分立半导体 RN2425(TE85L,F) Toshiba 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 800 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN2425; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:90; 封装 / 箱体:SC-59-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; 双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR PNP BRT, Q1BSR=0.47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.8A, inSOT-346 (S-Mini) package
STPS2L25AFN 分立半导体 STPS2L25AFN STMicroelectronics 分立半导体 Vr - 反向电压 :25 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:108 W; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS2L25; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :90 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:75 A; Vf - 正向电压:0.325 V; Vrrm - 重复反向电压:25 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:SMB-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
BCX54Z 分立半导体 BCX54Z Nexperia 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:1000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:63 at 150 mA, 2 V; 集电极连续电流:1 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:250 at 150 mA, 2 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:180 MHz; Pd-功率耗散:0.5 W; 最大直流电集电极电流:2 A; 集电极—射极饱和电压:0.5 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:45 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:45 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BCX54/SOT89/MPT3
STPS3H100UFN 分立半导体 STPS3H100UFN STMicroelectronics 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
V3PM6HM3/H 分立半导体 V3PM6HM3/H Vishay 分立半导体 商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:V3PM6; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :200 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:80 A; Vf - 正向电压:630 mV; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:DO-220AA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 60V 3A TMBS SMP (DO-220AA)
V2P6LHM3/H 分立半导体 V2P6LHM3/H Vishay 分立半导体 商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:V2P6L; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :480 uA; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:600 mV; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-220AA-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 2A 60V SMP TMBS SMP (DO-220AA)
BYS10-45HE3_A/H 分立半导体 BYS10-45HE3_A/H Vishay 分立半导体 Vr - 反向电压 :45 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BYS10; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :500 µA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:40 A; Vf - 正向电压:500 mV; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:1.5 A; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 45V Sctky Bar Rectfr SMA (DO-214AC)
NVMFD6H852NLT1G 分立半导体 NVMFD6H852NLT1G ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:7 ns; 典型关闭延迟时间:19 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:23 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:16 ns; 正向跨导 - 最小值:138 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:38 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:10 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:25.5 mOhms; Id-连续漏极电流:25 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET T8 80V LL SO8FL DS
1N5278B/TR 分立半导体 1N5278B/TR Microchip 分立半导体 Vf - 正向电压:1.5 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; If - 正向电流:200 mA; 商标:Microchip / Microsemi; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:0.74 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:1900 Ohms; 齐纳电流:-; 电压温度系数:0.11 %/C; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:0.5 W; 封装 / 箱体:DO-35-2; 安装风格:Through Hole; Vz - 齐纳电压:170 V; 制造商:Microchip; 稳压二极管 稳压二极管
2N2905Ae3 分立半导体 2N2905Ae3 Microchip 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:75; 集电极连续电流:600 mA; 商标:Microchip / Microsemi; 技术:Si; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 65 C; 增益带宽产品fT:-; Pd-功率耗散:0.8 W; 集电极—射极饱和电压:1.6 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:TO-39-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTs
BZX584C2V7-G3-08 分立半导体 BZX584C2V7-G3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :20 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:300 Ohms; 齐纳电流:20 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:2.7 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 2.7V Small Signal
BZX584C18-HG3-08 分立半导体 BZX584C18-HG3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.05 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:50 Ohms; 齐纳电流:0.05 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:18 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 18V Small Signal
BZX584C15-HG3-08 分立半导体 BZX584C15-HG3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:50 Ohms; 齐纳电流:0.1 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:15 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 15V Small Signal
STPS3L40UFN 分立半导体 STPS3L40UFN STMicroelectronics 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS3L40; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
PMV30XPAR 分立半导体 PMV30XPAR Nexperia 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:Nexperia; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; MOSFET PMV30XPA/SOT23/TO-236AB
VS-2EQH02-M3/H 分立半导体 VS-2EQH02-M3/H Vishay 分立半导体 商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:4500; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:VS-2EQH0x-M3; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 恢复时间:33 ns; Ir - 反向电流 :1 uA; 最大浪涌电流:30 A; Vf - 正向电压:1.05 V; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:2 A; Vr - 反向电压 :200 V; 封装 / 箱体:DO-219AD; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 整流器 200V 2A Fred Pt MicroSMP (DO-219AD)
VS-1EQH02-M3/H 分立半导体 VS-1EQH02-M3/H Vishay 分立半导体 商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:4500; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:VS-1EQH0x-M3; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 恢复时间:33 ns; Ir - 反向电流 :1 uA; 最大浪涌电流:30 A; Vf - 正向电压:970 mV; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:1 A; Vr - 反向电压 :200 V; 封装 / 箱体:DO-219AD; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 整流器 200V 1A Fred Pt MicroSMP (DO-219AD)
DMP2045UQ-7 分立半导体 DMP2045UQ-7 Diodes Incorporated 分立半导体 典型接通延迟时间:4.2 ns; 典型关闭延迟时间:23 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:3.4 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9.6 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.2 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:6.8 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 1 V; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:45 mOhms; Id-连续漏极电流:- 4.3 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOT23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
ZLLS1000QTA 分立半导体 ZLLS1000QTA Diodes Incorporated 分立半导体 Vr - 反向电压 :40 V; trr - 反向恢复时间 :5 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:0.8 W; 湿度敏感性:Yes; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :5 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:22 A; Vf - 正向电压:530 mV; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:1.5 A; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; 肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
SQS484CENW-T1_GE3 分立半导体 SQS484CENW-T1_GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:7.8 ns; 典型关闭延迟时间:38 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:2.4 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7.2 ns; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N - Channel; 系列:SQ; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:62.5 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:27 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:9.5 mOhms; Id-连续漏极电流:16 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK 1212-8W; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET N-CHANNEL 40V PowerPAK 1212-8W
SQS423ENW-T1_GE3 分立半导体 SQS423ENW-T1_GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:65 ns; 典型关闭延迟时间:23 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:43 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:15 ns; 正向跨导 - 最小值:18 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:62.5 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:17 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:21 mOhms; Id-连续漏极电流:- 16 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8W; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 30-V(D-S)175C MOSFET P-CHANNEL PowerPAK
STF16N90K5 分立半导体 STF16N90K5 STMicroelectronics 分立半导体 典型接通延迟时间:28.8 ns; 典型关闭延迟时间:46 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:36 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9.8 ns; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:30 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:29.7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:330 mOhms; Id-连续漏极电流:15 A; Vds-漏源极击穿电压:900 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
IXTH62N65X2 分立半导体 IXTH62N65X2 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:28 ns; 典型关闭延迟时间:56 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:11 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 商标:IXYS; 类型:X2-Class; 产品:Power MOSFET Modules; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:780 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:100 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:50 mOhms; Id-连续漏极电流:62 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRAJNCTN X2CLASS
IXFT120N30X3HV 分立半导体 IXFT120N30X3HV IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:30 ns; 典型关闭延迟时间:130 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:30 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:14 ns; 正向跨导 - 最小值:60 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:735 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:170 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:11 mOhms; Id-连续漏极电流:120 A; Vds-漏源极击穿电压:300 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-268-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
IXFN220N20X3 分立半导体 IXFN220N20X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:37 ns; 典型关闭延迟时间:155 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10; 上升时间:27 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:17 ns; 正向跨导 - 最小值:204 nC; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:390 W; 最大工作温度:+ 155 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:204 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:6.2 mOhms; Id-连续漏极电流:220 A; Vds-漏源极击穿电压:200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-227-4; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTX3CLAS (MI
IXTX6N200P3HV 分立半导体 IXTX6N200P3HV IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:28 ns; 典型关闭延迟时间:80 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:22 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:46 ns; 商标:IXYS; 类型:High Voltage; 产品:Power MOSFET Modules; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:Polar3; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:960 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:143 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:4 Ohms; Id-连续漏极电流:6 A; Vds-漏源极击穿电压:2000 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISC MOSFET N-CH STD-POLAR3
BZX584C9V1-G3-08 分立半导体 BZX584C9V1-G3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:40 Ohms; 齐纳电流:0.5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:9.1 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 9.1V Small Signal
BZX584C18-G3-08 分立半导体 BZX584C18-G3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.05 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:50 Ohms; 齐纳电流:0.05 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:18 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 18V Small Signal
BZX584C13-HG3-08 分立半导体 BZX584C13-HG3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:50 Ohms; 齐纳电流:0.1 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:13 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 13V Small Signal
BZX584C8V2-HG3-08 分立半导体 BZX584C8V2-HG3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.7 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:40 Ohms; 齐纳电流:0.7 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:8.2 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 8.2V Small Signal
BZX584C2V7-HG3-08 分立半导体 BZX584C2V7-HG3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :20 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:300 Ohms; 齐纳电流:20 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:2.7 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 2.7V Small Signal
V3P6L-M3/H 分立半导体 V3P6L-M3/H Vishay 分立半导体 商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:V3P6L; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :900 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:80 A; Vf - 正向电压:590 mV; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:DO-220AA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 60V 3A TMBS SMP (DO-220AA)
2SC4102U3T106S 分立半导体 2SC4102U3T106S ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:180; 集电极连续电流:50 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:560; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:200 mW; 最大直流电集电极电流:50 mA; 集电极—射极饱和电压:500 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:120 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:120 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor H. Volt Amplifier
RN2108,LF(CT 分立半导体 RN2108,LF(CT Toshiba 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 7 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN2108; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:100 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 封装 / 箱体:SMD-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; 双极晶体管 - 预偏置 PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
DTA013ZMT2L 分立半导体 DTA013ZMT2L ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:8000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:- 70 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极连续电流:- 100 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:30; 封装 / 箱体:SOT-723-3; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:10; 典型输入电阻器:1 kOhms; 晶体管极性:PNP; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 预偏置 PNP DIGITAL TRANSISTOR
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