| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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RN1701,LF |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:10 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:30; 封装 / 箱体:USV-5; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:NPN; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 NPN x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
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RN2701,LF |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 10 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:30; 封装 / 箱体:USV-5; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A |
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RN4903,LF(CT |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA, 100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 10 V, 10 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V, 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN4903; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V, 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:70; 封装 / 箱体:US-6; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:NPN, PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP + NPN BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A |
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RN2406,LF |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN2406; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 封装 / 箱体:SC-59-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package |
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RN2105,LF(CT |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN2105; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:100 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 封装 / 箱体:SSM-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package |
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RN2425(TE85L,F) |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 800 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN2425; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:90; 封装 / 箱体:SC-59-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR PNP BRT, Q1BSR=0.47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.8A, inSOT-346 (S-Mini) package |
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RN2108,LF(CT |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 7 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN2108; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:100 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 封装 / 箱体:SMD-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package |
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RN1904FE,LF(CT |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:4000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:10 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN1904; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:100 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 封装 / 箱体:ES-6; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:NPN; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
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RN1702,LF |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:10 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN1702; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:50; 封装 / 箱体:USV-5; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:NPN; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
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RN2901,LF(CT |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 10 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN2901; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:30; 封装 / 箱体:US-6; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A |
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RN1909,LF(CT |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:15 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:70; 封装 / 箱体:US-6; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:NPN; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
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RN2104,LF(CT |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 10 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN2104; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:100 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 封装 / 箱体:SSM-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package |
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RN1303,LF |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:10 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN1303; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:100 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:70; 封装 / 箱体:USM-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:NPN; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR NPN BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-323 (USM) package |
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RN1418,LF |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:25 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:50; 封装 / 箱体:SC-59-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:NPN; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 NPN BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package |
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RN1902FE,LF(CT |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:4000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:10 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN1902; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:100 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:50; 封装 / 箱体:ES-6; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:NPN; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
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RN2706,LF |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN2706; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 封装 / 箱体:USV-5; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A |
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RN1417,LF |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:15 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:30; 封装 / 箱体:SC-59-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:NPN; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 NPN BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package |
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RN2418,LF |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 25 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:50; 封装 / 箱体:SC-59-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package |
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RN2416,LF |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 7 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:50; 封装 / 箱体:SC-59-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package |
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RN1415,LF |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:50; 封装 / 箱体:SC-59-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:NPN; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 NPN BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package |
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RN2109,LF(CT |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 15 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN2109; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:100 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:70; 封装 / 箱体:SMD-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package |
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RN2103,LF(CT |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 10 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN2103; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:100 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:70; 封装 / 箱体:SSM-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package |
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RN2113,LF(CT |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 直流电流增益 hFE 最大值:400; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN2113; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:100 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:120; 封装 / 箱体:SSM-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=InfinitykOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package |
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RN2411,LF |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 直流电流增益 hFE 最大值:400; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN2411; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:120; 封装 / 箱体:SC-59-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=InfinitykOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package |
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RN2303,LF |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 10 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN2303; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:100 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:70; 封装 / 箱体:USM-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-323 (USM) package |
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RN1705,LF |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN1705; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 封装 / 箱体:USV-5; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:NPN; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 NPN x 2 BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
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RN1706,LF |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN1706; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 封装 / 箱体:USV-5; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:NPN; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 NPN x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
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RN2426(TE85L,F) |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 800 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:90; 封装 / 箱体:SC-59-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR PNP BRT, Q1BSR=1kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.8A, inSOT-346 (S-Mini) package |
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RN1711JE(TE85L,F) |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:4000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 直流电流增益 hFE 最大值:700; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:100 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:120; 封装 / 箱体:ESV-5; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:NPN; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR NPN x2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
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RN2114(TE85L,F) |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 通道模式:Enhancement; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:150 mW; 峰值直流集电极电流:- 100 mA; 集电极连续电流:- 100 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:50; 封装 / 箱体:VESM-3; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:1; 典型输入电阻器:1 kOhms; 晶体管极性:PNP; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 SSM (HF) TRANSISTOR Pd 100mW F 1MHz |
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RN1703JE(TE85L,F) |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:4000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:100 mA; 通道模式:Enhancement; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:10 V; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:100 mW; 峰值直流集电极电流:100 mA; 集电极连续电流:100 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:70; 封装 / 箱体:ESV-5; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:1; 典型输入电阻器:22 kOhms; 晶体管极性:NPN; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz |
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RN1705JE(TE85L,F) |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:4000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:100 mA; 通道模式:Enhancement; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:RN1705; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:100 mW; 峰值直流集电极电流:100 mA; 集电极连续电流:100 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 封装 / 箱体:ESV-5; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:0.0468; 典型输入电阻器:2.2 kOhms; 晶体管极性:NPN; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz |
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TPH1400ANH,L1Q |
Toshiba |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:17 ns; 典型关闭延迟时间:22 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 上升时间:5.6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6.5 ns; 商标:Toshiba; 宽度:5 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:TPH1400ANH; 长度:5 mm; 高度:0.95 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:U-MOSVIII-H; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:48 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:22 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:11.3 mOhms; Id-连续漏极电流:42 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC |
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TPW2900ENH,L1Q |
Toshiba |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:20 ns; 典型关闭延迟时间:36 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:12 ns; 商标:Toshiba; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:TPW2900ENH; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:U-MOSVIII-H; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:142 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:22 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:29 mOhms; Id-连续漏极电流:36 A; Vds-漏源极击穿电压:200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSOP-ADV PD=142W F=1MHZ |
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TK14V65W,LQ |
Toshiba |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:60 ns; 典型关闭延迟时间:110 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:20 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7 ns; 商标:Toshiba; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:TK14V65W; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:DTMOSIV; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:139 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:35 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:280 mOhms; Id-连续漏极电流:13.7 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DFN8x8-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
MOSFET PWR MOSFET DTMOS PD=139W F=1 |
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TK16V60W5,LVQ |
Toshiba |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:75 ns; 典型关闭延迟时间:100 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:40 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 商标:Toshiba; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:TK16G60W; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:DTMOSIV; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:139 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:43 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:245 mOhms; Id-连续漏极电流:15.8 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DFN8x8-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
MOSFET PWR MOSFET DTMOS PD=139W F=1 |
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RN2712JE(TE85L,F) |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:4000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 通道模式:Enhancement; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:100 mW; 峰值直流集电极电流:- 100 mA; 集电极连续电流:- 100 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 最大工作频率:200 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:120; 封装 / 箱体:ESV-5; 安装风格:SMD/SMT; 典型输入电阻器:22 kOhms; 晶体管极性:PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz |
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TPH2900ENH,L1Q |
Toshiba |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:20 ns; 典型关闭延迟时间:36 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:12 ns; 商标:Toshiba; 宽度:5 mm; 系列:TPH2900ENH; 长度:5 mm; 高度:0.95 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:U-MOSVIII-H; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:78 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:22 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:24 mOhms; Id-连续漏极电流:33 A; Vds-漏源极击穿电压:200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
MOSFET Power MOSFET N-Channel |
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TPWR6003PL,L1Q |
Toshiba |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:36 ns; 典型关闭延迟时间:100 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 上升时间:12 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 商标:Toshiba; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:U-MOSIX-H; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:170 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:110 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:840 uOhms; Id-连续漏极电流:150 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
MOSFET DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS |
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TK2P90E,RQ |
Toshiba |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:50 ns; 典型关闭延迟时间:70 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:25 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:22 ns; 商标:Toshiba; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:TK2P90E; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:MOSVIII; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:80 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:12 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:5.9 Ohms; Id-连续漏极电流:2 A; Vds-漏源极击穿电压:900 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
MOSFET PWR MOSFET PD=80 F=1MHZ |
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TPH7R506NH,L1Q |
Toshiba |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:21 ns; 典型关闭延迟时间:25 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 上升时间:9.4 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7.3 ns; 商标:Toshiba; 宽度:5 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:TPH7R506NH; 长度:5 mm; 高度:0.95 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:U-MOSVIII-H; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:45 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:31 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:6.1 mOhms; Id-连续漏极电流:55 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
MOSFET U-MOSVIII-H 60V 55A 31nC MOSFET |
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TPCC8105,L1Q |
Toshiba |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:14 ns; 典型关闭延迟时间:330 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:110 ns; 商标:Toshiba; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:TPCC8105; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:U-MOSVI; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:30 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:76 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 0.8 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:7.8 mOhms; Id-连续漏极电流:- 23 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:TSON-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
MOSFET PWR MOSFET PD=30W F=1MHZ |
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TK10P50W,RQ |
Toshiba |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:45 ns; 典型关闭延迟时间:75 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:22 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5.5 ns; 商标:Toshiba; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:TK10P50W; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:DTMOSVI; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:80 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:20 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:430 mOhms; Id-连续漏极电流:9.7 A; Vds-漏源极击穿电压:500 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
MOSFET PWR MOSFETPD=80W F=1MHZ |
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TPH2R903PL,L1Q |
Toshiba |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:30 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 上升时间:4.7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8.2 ns; 商标:Toshiba; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:TPH2R903PL; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:U-MOSIX-H; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:81 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:26 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:2.9 mOhms; Id-连续漏极电流:124 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV PD=81W F=1MHZ |
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TPCA8045-H(T2L1,VM |
Toshiba |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:67 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 上升时间:4.6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 商标:Toshiba; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:TPCA8045-H; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:U-MOSVI-H; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:45 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:90 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:3.6 mOhms; Id-连续漏极电流:46 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
MOSFET PWR MOSFET V=40 PD=45 F=1MHZ |
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TK8P65W,RQ |
Toshiba |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:40 ns; 典型关闭延迟时间:60 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:20 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:4 ns; 商标:Toshiba; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:TK8P65W; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:DTMOSIV; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:80 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:16 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:670 mOhms; Id-连续漏极电流:7.8 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
MOSFET PWR MOSFET PD=80W F=1MHZ |
|
TK12P50W,RQ |
Toshiba |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:45 ns; 典型关闭延迟时间:85 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:23 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5.5 ns; 商标:Toshiba; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:TK12P50W; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:DTMOSIV; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:100 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:25 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:340 mOhms; Id-连续漏极电流:11.5 A; Vds-漏源极击穿电压:500 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
MOSFET PWR MOSFET PD=100W F=1MHZ |
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TJ90S04M3L,LQ |
Toshiba |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:94 ns; 典型关闭延迟时间:1305 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:76 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:426 ns; 商标:Toshiba; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:TJ20A10M3; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:U-MOSVI; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:180 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:172 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 1 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:4.3 mOhms; Id-连续漏极电流:- 90 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
MOSFET PWR MOSFET PD=180W F=1MHZ |
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TPH1R306PL,L1Q |
Toshiba |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:20 ns; 典型关闭延迟时间:70 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 上升时间:8.3 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:14.7 ns; 商标:Toshiba; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:TPH1R306PL; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:U-MOSIX-H; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:170 W; 最大工作温度:+ 175 C; Qg-栅极电荷:91 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.34 mOhms; Id-连续漏极电流:260 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-8-ADV PD=170W F=1MHZ |
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TPH1500CNH,L1Q |
Toshiba |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:20 ns; 典型关闭延迟时间:36 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:12 ns; 商标:Toshiba; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:U-MOSVIII-H; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:78 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:22 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:15.4 mOhms; Id-连续漏极电流:38 A; Vds-漏源极击穿电压:150 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
MOSFET TSON-ADV 00 PD=78W 1MHz PWR MOSFET TRNS |
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