InterFET分立半导体价格_批发_代理商

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分立半导体界面模块控制器输入设备旋钮和转盘硬件开关继电器气体放电管 - GDT 压敏电阻浪涌抑制器罩类、盒类及壳类产品端子白炽灯和支架电容器电阻器电感器、扼流圈与线圈音频信号变压器电池电池充电器函数发生器与合成器示波器环境检测设备面板表万用表与电压表温度保险丝散热片防静电控制产品工具扁平电缆同轴电缆连接线电线与电缆管理 ESD 抑制器 TVS 二极管电机与驱动器未分类连接器模块式连接器/以太网连接器化学物质胶带线性位移传感器流量传感器液位传感器传感器硬件与配件存储箱与外壳 EMI 滤波器 EMI 抑制电容触摸传感器汽车连接器 I O 连接器 IC 与器件插座编码器存储器 IC 无线与射频模块台式电源交流电源线电源管理 IC 直流电源连接器交流电源输入模块压敏电阻热敏电阻 - NTC 热敏电阻器断路器编码器磁性传感器运动与定位传感器光学传感器压力传感器激光背光元器件开发软件显示器集成电路 - IC 光学探测器和传感器显示模块光纤红外线数据通信超级电容器以太网和通信模块光耦合器光电耦合器频率控制器和定时装置导热接口产品照明连接器圆形连接器音频与视频连接器热敏电阻 - PTC 太阳能连接器光伏连接器温度保险丝电流传感器温度传感器近程传感器 LED保护设备接线端子测试设备配件音频视频测试设备校验设备数据记录与采集光纤测试频率计数器 LAN 电信电缆测试 RF 测试设备电池测试机十进盒元件测试仪绝缘测试器兆欧计驱动器晶闸管 USB连接器 IEEE 1394连接器射频互连信号调节工程工具音频模块 LED 照明开发工具视频模块传感器模块传感器开发工具能量采集模块电源管理IC开发工具电源管理模块变压器 LED发射器散热排 - LED 热基质 - MCPCB 天线射频无线开发工具模块配件衰减器 -互连测试设备电源线无线和射频半导体音频传感器数据转换模块其他模块电源排插 D-Sub连接器热成像摄像机多芯电缆存储器模块和存储卡电位器、微调器和变阻器液体分配器和瓶子嵌入式处理器和控制器交流电源插头和插座数据总线元器件接线系统温度传感器光学开关 FFC FPC跳线电缆编码器计算电路保护套件音频设备环境传感器保险丝座断路器与附件热敏电阻器风扇与鼓风机电源功率调节光纤标准电气架类及柜类产品热电组件 Peltier热电模块电源连接器背板连接器卡缘连接器存储器连接器 FFC FPC 板对板与夹层连接器集管和线壳管脚和插座连接器 I O 模块打印机原型产品焊接工业继电器与电磁阀工业电源工业传感器工业开关工业接线端子块 LED灯泡与模块 LED照明电子器件 LED照明机械器件 LED照明光学器件 LED指示元件分析仪保险丝源测量单元—SMU 校准、保修与服务计划电缆组件自恢复保险丝—PPTC 逆变器 DC/DC转换器光纤连接器计时器计数器和转速计计数器和转速计计时器生物计量传感器标签和工业警告标志军用规格/军用类型电池座、卡扣和接头模拟与数字IC开发工具通信开发工具显示开发工具存储器 IC 开发工具可编程逻辑 IC 开发工具安全/ 验证开发工具嵌入式处理器开发套件嵌入式工具与配件光电开发工具传感器开发工具光纤开发工具力传感器与测压元件配件 LED发射器照明连接器铁氧体软件太阳能板和太阳能电池存储器存储器 IC 相机和配件滤波器直流电源线操纵杆

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品牌:

InterFET Adafruit Advanced Linear Devices Advanced Semiconductor, Inc. Altech Analog Devices Inc. AVX Belden Wire & Cable Bourns Central Semiconductor Comchip Technology Cree, Inc. D3 Semiconductor Diodes Incorporated GaN Systems GeneSiC Semiconductor Honeywell Infineon IXYS Kyocera Littelfuse MACOM Maxim Integrated MaxLinear MEAN WELL Micro Commercial Components (MCC) Microchip Monolithic Power Systems (MPS) Nexperia NJR NXP Omron ON Semiconductor Panasonic Parallax Power Integrations Rectron Renesas Electronics ROHM Semiconductor Semitec Semtech Sensata Shindengen Silicon Laboratories Skyworks Souriau SparkFun Electronics STMicroelectronics Taiwan Semiconductor TDK-Lambda TE Connectivity Texas Instruments THAT Corporation Torex Semiconductor Toshiba Transphorm TT Electronics UnitedSiC Vishay WeEn Semiconductors Wurth Elektronik

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型号/料号	品牌/制造商	类目	参数	说明
IFN5911	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 5 V; 正向跨导 - 最小值:3000 uS; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:IFN591; Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W); Id-连续漏极电流:5 mA; Vgs=0时的漏-源电流:40 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 25 V; Vds-漏源极击穿电压:10 V; 配置:Dual; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-78-8; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET Dual N-Ch JFET -25V 50mA 500mW 4mW
SMP5484-TR	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1000; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 0.3 V; 正向跨导 - 最小值:3 mS; 商标:InterFET; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; Pd-功率耗散:360 mW; Id-连续漏极电流:10 nA; Vgs=0时的漏-源电流:5 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 25 V; Vds-漏源极击穿电压:15 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET N-Ch JFET -25V 3.0Vgs 15Vds 5.0mA
IFN411	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 3.5 V; 正向跨导 - 最小值:0.6 mS; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:IFN411; Pd-功率耗散:375 mW; Id-连续漏极电流:200 uA; Vgs=0时的漏-源电流:5 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 40 V; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 配置:Dual; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-71-6; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET Dual JFET N-CH -40V 50mA 375mW 3.0mW
2N4091	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 10 V; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:2N409; Pd-功率耗散:300 mW; Rds On-漏源导通电阻:30 Ohms; Id-连续漏极电流:5 mA; Vgs=0时的漏-源电流:30 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 40 V; Vds-漏源极击穿电压:10 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-18-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET N-Channel -40V 10mA 300mW 1.7mW
VCR4N	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:7 V; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:VCR4N; Pd-功率耗散:300 mW; Rds On-漏源导通电阻:600 Ohms; Vgs-栅源极击穿电压 :15 V; Vds-漏源极击穿电压:10 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-18-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET N-Channel -15V 10mA 300mW 2.4mW
2N2609	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:4 V; 正向跨导 - 最小值:25 mS; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:2N26; Pd-功率耗散:300 mW; Id-连续漏极电流:5 mA; Vgs=0时的漏-源电流:- 10 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 30 V; Vds-漏源极击穿电压:- 10 V; 配置:Single; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:TO-18-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET P-Channel -30V 50mA 300mW 2mW
IFN401	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 2.5 V; 正向跨导 - 最小值:0.5 mS; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:IFN40; Pd-功率耗散:300 mW; Id-连续漏极电流:200 uA; Vgs=0时的漏-源电流:10 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 50 V; Vds-漏源极击穿电压:15 V; 配置:Dual; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-71-6; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET Dual JFET N-CH -50V 10mA 300mW 4.3mW
P1087	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:5 V; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:P108; Pd-功率耗散:360 mW; Rds On-漏源导通电阻:150 Ohms; Id-连续漏极电流:- 3 mA; Vgs=0时的漏-源电流:- 5 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :30 V; Vds-漏源极击穿电压:- 15 V; 配置:Single; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET P-Channel 30V 50mA 360mW 3.27mW
2N4416A	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 6 V; 正向跨导 - 最小值:4000 uS; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:2N4416; Pd-功率耗散:300 mW; Id-连续漏极电流:1 nA; Vgs=0时的漏-源电流:15 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 35 V; Vds-漏源极击穿电压:15 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-72-4; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET N-Channel -30V 10mA 300mW 2mW
2N4339	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 1.8 V; 正向跨导 - 最小值:800 uS; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:2N43; Pd-功率耗散:300 mW; Rds On-漏源导通电阻:1.7 kOhms; Id-连续漏极电流:100 pA; Vgs=0时的漏-源电流:1.5 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 50 V; Vds-漏源极击穿电压:15 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-18-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET N-Channel -50V 50mA 300mW 2mW
IFN5565	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 3 V; 正向跨导 - 最小值:6 mS; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; Pd-功率耗散:650 mW; Rds On-漏源导通电阻:100 Ohms; Vgs=0时的漏-源电流:30 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 40 V; 配置:Dual; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-71-6; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET N-Ch Dual JFET -40V 50mA 250mW 2.6mW
J270	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:2 V; 正向跨导 - 最小值:6 mS; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:J270; Pd-功率耗散:360 mW; Id-连续漏极电流:5 mA; Vgs=0时的漏-源电流:- 15 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 30 V; Vds-漏源极击穿电压:- 10 V; 配置:Single; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET P-Channel -30V 50mA 360mW 2.8mW
J271	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:4.5 V; 正向跨导 - 最小值:8 mS; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:J271; Pd-功率耗散:360 mW; Id-连续漏极电流:5 mA; Vgs=0时的漏-源电流:- 50 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 30 V; Vds-漏源极击穿电压:- 10 V; 配置:Single; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET P-Channel -30V 50mA 360mW 2.8mW
J110	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 4 V; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:J110; Pd-功率耗散:360 mW; Rds On-漏源导通电阻:18 Ohms; Id-连续漏极电流:1 uA; Vgs=0时的漏-源电流:10 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 25 V; Vds-漏源极击穿电压:15 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET N-Channel -25V 50mA 360mW 3.27mW
IF1331	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 1.5 V; 正向跨导 - 最小值:10 mS; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:IF1331; Pd-功率耗散:225 mW; Id-连续漏极电流:5 mA; Vgs=0时的漏-源电流:20 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 20 V; Vds-漏源极击穿电压:10 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-72-4; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET N-Channel -20V 10mA 225mW 1.8mW
IFND89	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 900 mV; 正向跨导 - 最小值:600 uS; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:IFND89; Pd-功率耗散:250 mW; Rds On-漏源导通电阻:3 kOhms; Id-连续漏极电流:1 uA; Vgs=0时的漏-源电流:1 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 15 V; Vds-漏源极击穿电压:3.3 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SC-70-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET Dual JFET N-Ch -20V 50mA 400mW 2.3mW
VCR2N	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:3.5 V; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:VCR2N; Pd-功率耗散:300 mW; Rds On-漏源导通电阻:60 Ohms; Vgs-栅源极击穿电压 :15 V; Vds-漏源极击穿电压:10 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-18-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET N-Channel -15V 10mA 300mW 2.4mW
PN4117	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:1.8 V; 正向跨导 - 最小值:210 uS; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:PN4117; Pd-功率耗散:300 mW; Vgs=0时的漏-源电流:0.09 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :40 V; Vds-漏源极击穿电压:10 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET N-Channel -40V 50mA 300mW 2mW
J305	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 3 V; 正向跨导 - 最小值:3000 uS; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:J305; Pd-功率耗散:360 mW; Id-连续漏极电流:1 nA; Vgs=0时的漏-源电流:8 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 30 V; Vds-漏源极击穿电压:15 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET N-Channel -30V 10mA 360mW 3.27mW
P1086	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:10 V; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:P108; Pd-功率耗散:360 mW; Rds On-漏源导通电阻:75 Ohms; Id-连续漏极电流:- 6 mA; Vgs=0时的漏-源电流:- 10 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :30 V; Vds-漏源极击穿电压:- 15 V; 配置:Single; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET P-Channel 30V 50mA 360mW 3.27mW
J304	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 6 V; 正向跨导 - 最小值:4500 uS; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:J304; Pd-功率耗散:360 mW; Id-连续漏极电流:1 nA; Vgs=0时的漏-源电流:15 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 30 V; Vds-漏源极击穿电压:15 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET N-Channel -30V 10mA 360mW 3.27mW
J112	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 5 V; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; Pd-功率耗散:360 mW; Rds On-漏源导通电阻:50 Ohms; Vgs=0时的漏-源电流:5 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 35 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET N-Ch JFET -35V -5Vds 50mA 360mW 3.27mW
J231	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 5 V; 正向跨导 - 最小值:1500 uS; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; Pd-功率耗散:360 mW; Vgs=0时的漏-源电流:6 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 40 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET N-Ch JFET -40V -5Vgs 50mA 360mW -250pA
J201	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 1.5 V; 正向跨导 - 最小值:500 uS; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:J201; Pd-功率耗散:360 mW; Id-连续漏极电流:10 nA; Vgs=0时的漏-源电流:1 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 40 V; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET N-Channel -40V 50mA 360mW 3.27mW
J175	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:6 V; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:J175; Pd-功率耗散:360 mW; Rds On-漏源导通电阻:85 Ohms; Id-连续漏极电流:- 10 nA; Vgs=0时的漏-源电流:- 70 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :30 V; Vds-漏源极击穿电压:- 15 V; 配置:Single; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET P-Channel -30V 50mA 360mW 3.27mW
J310	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 6.5 V; 正向跨导 - 最小值:8000 uS; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:J310; Pd-功率耗散:360 mW; Id-连续漏极电流:1 nA; Vgs=0时的漏-源电流:60 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 25 V; Vds-漏源极击穿电压:10 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET N-Channel -25V 10mA 360mW
J309	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 4 V; 正向跨导 - 最小值:10000 uS; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:J309; Pd-功率耗散:360 mW; Id-连续漏极电流:1 nA; Vgs=0时的漏-源电流:30 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 25 V; Vds-漏源极击穿电压:10 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET N-Channel -25V 10mA 360mW 3.27mW
J177	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:2.25 V; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:J177; Pd-功率耗散:360 mW; Rds On-漏源导通电阻:250 Ohms; Id-连续漏极电流:- 10 nA; Vgs=0时的漏-源电流:- 20 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :30 V; Vds-漏源极击穿电压:- 15 V; 配置:Single; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET P-Channel -30V 50mA 360mW 3.27mW
J108	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 10 V; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:J108; Pd-功率耗散:360 mW; Rds On-漏源导通电阻:8 Ohms; Id-连续漏极电流:1 uA; Vgs=0时的漏-源电流:80 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 25 V; Vds-漏源极击穿电压:15 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET N-Channel -25V 50mA 360mW 3.27mW
2N4416	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 6 V; 正向跨导 - 最小值:4000 uS; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:2N4416; Pd-功率耗散:300 mW; Id-连续漏极电流:1 nA; Vgs=0时的漏-源电流:15 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 30 V; Vds-漏源极击穿电压:15 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-72-4; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET N-Channel -30V 10mA 300mW 2mW
2N3823	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 8 V; 正向跨导 - 最小值:3500 uS; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; Pd-功率耗散:300 mW; Vgs=0时的漏-源电流:20 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 30 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-72-4; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET N-Ch -30V FET 10mA 300mW 2mW VHF SS Amp
2N3821	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 4 V; 正向跨导 - 最小值:1500 uS; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:2N3821; Pd-功率耗散:300 mW; Id-连续漏极电流:400 uA; Vgs=0时的漏-源电流:2.5 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 50 V; Vds-漏源极击穿电压:15 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-72-4; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET N-Channel -50V 10mA 300mW 2mW
2N4222	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 8 V; 正向跨导 - 最小值:2500 uS; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:2N422; Pd-功率耗散:300 mW; Id-连续漏极电流:100 pA; Vgs=0时的漏-源电流:15 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 30 V; Vds-漏源极击穿电压:15 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-72-4; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET N-Channel -30V 10mA 300mW 2mW
2N4093	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 5 V; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:2N409; Pd-功率耗散:300 mW; Rds On-漏源导通电阻:80 Ohms; Id-连续漏极电流:5 mA; Vgs=0时的漏-源电流:5 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 40 V; Vds-漏源极击穿电压:10 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-18-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET N-Channel -40V 10mA 300mW 1.7mW
2N4861	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 4 V; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:2N486; Pd-功率耗散:1.8 W; Rds On-漏源导通电阻:60 Ohms; Id-连续漏极电流:500 pA; Vgs=0时的漏-源电流:80 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 30 V; Vds-漏源极击穿电压:15 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-18-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET N-Channel -30V 1.8W 10mW 50mA
2N4392	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 5 V; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; Pd-功率耗散:1.8 W; Rds On-漏源导通电阻:60 Ohms; Vgs=0时的漏-源电流:75 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 40 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-18-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET N-Ch -40V JFET 50mA 1.8W 12mW -100V Igss
2N4858	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 4 V; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:2N485; Pd-功率耗散:1.8 W; Rds On-漏源导通电阻:60 Ohms; Id-连续漏极电流:500 pA; Vgs=0时的漏-源电流:80 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 40 V; Vds-漏源极击穿电压:15 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-18-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET N-Channel -30V 1.8W 10mW 50mA
2N4340	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 3 V; 正向跨导 - 最小值:1300 uS; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:2N43; Pd-功率耗散:300 mW; Rds On-漏源导通电阻:1.5 kOhms; Id-连续漏极电流:100 pA; Vgs=0时的漏-源电流:3.6 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 50 V; Vds-漏源极击穿电压:15 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-18-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET N-Channel 50mA
2N2608	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:4 V; 正向跨导 - 最小值:1 mS; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:2N26; Pd-功率耗散:300 mW; Id-连续漏极电流:5 mA; Vgs=0时的漏-源电流:- 4.5 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 30 V; Vds-漏源极击穿电压:- 10 V; 配置:Single; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:TO-18-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET P-Channel -30V 50mA 300mW 2mW
J204	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 2 V; 正向跨导 - 最小值:500 uS; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:J204; Pd-功率耗散:360 mW; Id-连续漏极电流:10 nA; Vgs=0时的漏-源电流:3 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 25 V; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET N-Channel -40V 50mA 360mW 3.27mW
IFN146	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 1.2 V; 正向跨导 - 最小值:40 mS; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:IFN14; Pd-功率耗散:375 mW; Id-连续漏极电流:1 uA; Vgs=0时的漏-源电流:30 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 40 V; Vds-漏源极击穿电压:10 V; 配置:Dual; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-71-6; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET Dual JFET N-Ch -40V 10mA 375mW 3mW
IF9030	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 2 V; 正向跨导 - 最小值:80 mS; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:IF9030; Pd-功率耗散:300 mW; Id-连续漏极电流:500 pA; Vgs=0时的漏-源电流:300 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 20 V; Vds-漏源极击穿电压:10 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-52-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET N-Channel -20V 10mA 300mW 2.4mW
2N5114	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:10 V; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:2N51; Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W); Rds On-漏源导通电阻:75 Ohms; Id-连续漏极电流:- 15 mA; Vgs=0时的漏-源电流:- 90 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :30 V; Vds-漏源极击穿电压:- 15 V; 配置:Single; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:TO-18-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET P-Channel -40V 50mA 500mW 3mW
2N5115	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:6 V; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:2N51; Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W); Rds On-漏源导通电阻:100 Ohms; Id-连续漏极电流:- 15 mA; Vgs=0时的漏-源电流:- 60 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :30 V; Vds-漏源极击穿电压:- 15 V; 配置:Single; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:TO-18-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET P-Channel -40V 50mA 500mW 3mW
2N3958	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 4.5 V; 正向跨导 - 最小值:1000 uS; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:2N39; Pd-功率耗散:250 mW; Id-连续漏极电流:200 uA; Vgs=0时的漏-源电流:5 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 50 V; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 配置:Dual; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-71-6; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET N-Channel Dual
2N3954	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 4.5 V; 正向跨导 - 最小值:1000 uS; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:2N39; Pd-功率耗散:250 mW; Id-连续漏极电流:200 uA; Vgs=0时的漏-源电流:5 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 50 V; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 配置:Dual; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-71-6; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET Dual N-CH -50V 50mA 250mW 500mW
2N3972	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 3 V; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:2N397; Pd-功率耗散:300 mW; Rds On-漏源导通电阻:100 Ohms; Id-连续漏极电流:5 mA; Vgs=0时的漏-源电流:30 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 40 V; Vds-漏源极击穿电压:10 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-18-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET N-Channel -40V 50mA 300mW 1.7mW
2N4857	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 6 V; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:2N485; Pd-功率耗散:1.8 W; Rds On-漏源导通电阻:40 Ohms; Id-连续漏极电流:500 pA; Vgs=0时的漏-源电流:100 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 40 V; Vds-漏源极击穿电压:15 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-18-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET N-Channel -30V 1.8W 10mW 50mA
2N4856	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 10 V; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:2N485; Pd-功率耗散:1.8 W; Rds On-漏源导通电阻:25 Ohms; Id-连续漏极电流:500 pA; Vgs=0时的漏-源电流:50 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 40 V; Vds-漏源极击穿电压:15 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-18-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET N-Channel -40V 1.8W 10mW 50mA
2N4221	InterFET	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:JFETs; 闸/源截止电压:- 6 V; 正向跨导 - 最小值:2000 uS; 商标:InterFET; 类型:JFET; 封装:Bulk; 系列:2N422; Pd-功率耗散:300 mW; Id-连续漏极电流:100 pA; Vgs=0时的漏-源电流:6 mA; Vgs-栅源极击穿电压 :- 30 V; Vds-漏源极击穿电压:15 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-72-4; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:InterFET;	JFET JFET N-Channel -30V 10mA 300mW 2mW

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