| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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BSM400D12P2G003 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:1.6 V; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 典型接通延迟时间:60 ns; 典型关闭延迟时间:240 ns; 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:4; 上升时间:50 ns; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:2450 W; Id-连续漏极电流:400 A; 下降时间:75 ns; 晶体管极性:N-Channel; 商标:ROHM Semiconductor; 配置:Half-Bridge; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:Screw Mount; Vgs - 栅极-源极电压:22 V; 类型:SiC Power Module; 产品:Power MOSFET Modules; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
分立半导体模块 SIC Pwr Module Half Bridge |
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RB218BM200FHTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :10 uA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:0.88 V; Vrrm - 重复反向电压:200 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 200V, 20A SBD Super Low IR Type |
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BSM300D12P3E005 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:2.7 V; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 典型接通延迟时间:30 ns; 典型关闭延迟时间:210 ns; 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:4; 上升时间:35 ns; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:1260 W; Id-连续漏极电流:300 A; 下降时间:50 ns; 晶体管极性:N-Channel; 商标:ROHM Semiconductor; 配置:Half-Bridge; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:Screw Mount; Vgs - 栅极-源极电压:22 V; Vr - 反向电压 :1200 V; Vf - 正向电压:1.6 V; 类型:SiC Power Module; 产品:Power MOSFET Modules; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
分立半导体模块 SIC Pwr Module Half Bridge |
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QDZT18R5.6 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:18000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:0.6 mm; 长度:1 mm; 高度:0.22 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:10 mA; Pd-功率耗散:200 mW; 封装 / 箱体:0402 (1006 metric); 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:5.6 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
稳压二极管 0402 1006 Pkg RASMID Series |
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BSM300C12P3E301 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:2.7 V; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 典型接通延迟时间:40 ns; 典型关闭延迟时间:170 ns; 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:4; 上升时间:35 ns; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:1360 W; Id-连续漏极电流:300 A; 下降时间:30 ns; 晶体管极性:N-Channel; 商标:ROHM Semiconductor; 配置:Single; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:Screw Mount; Vgs - 栅极-源极电压:22 V; Vr - 反向电压 :1200 V; Vf - 正向电压:1.6 V; 类型:SiC Power Module; 产品:Power MOSFET Modules; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
分立半导体模块 SIC Pwr Module Chopper |
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UMD12NFHATR |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 资格:AEC-Q101; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:100 mV, -100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极连续电流:- 100 mA, 100 mA; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:68; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:1; 典型输入电阻器:47 kOhms; 晶体管极性:NPN, PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR |
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1SS400CMT2R |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; 最大二极管电容:3 pF; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :100 nA; Vf - 正向电压:1.2 V; 恢复时间:4 ns; 配置:Single; If - 正向电流:100 mA; 最大浪涌电流:500 mA; 峰值反向电压:90 V; 封装 / 箱体:SOD-923-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
二极管 - 通用，功率，开关 High Speed Switching Diode |
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1SS380VMTE-17 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; 最大二极管电容:5 pF; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :10 nA; Vf - 正向电压:1.2 V; 恢复时间:-; 配置:Single; If - 正向电流:100 mA; 最大浪涌电流:400 mA; 峰值反向电压:80 V; 封装 / 箱体:SC-90A-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SWITCHING 80V UMD2 |
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KDZVTR3.0B |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :100 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:40 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:-; 齐纳电流:-; 电压温度系数:-; 电压容差:-; Pd-功率耗散:1000 mW; 封装 / 箱体:SOC-123FL-3; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:3 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
稳压二极管 Zener 2-Pin Mold PMDU |
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KDZVTR2.0B |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :200 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.6 mm; 长度:2.6 mm; 高度:0.8 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:40 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 齐纳电流:200 uA; Pd-功率耗散:1000 mW; 封装 / 箱体:SOD-123FL-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:2 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
稳压二极管 ZENER DIODES 2-PIN MOLD |
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UMD3NFHATR |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 资格:AEC-Q101; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:- 0.1 V, 0.1 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极连续电流:- 100 mA, 100 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V, 50 V; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:30; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:1; 典型输入电阻器:10 kOhms; 晶体管极性:NPN, PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR |
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2SCR502U3T106 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:200; 集电极连续电流:0.5 A; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:500; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:360 MHz; Pd-功率耗散:200 mW; 最大直流电集电极电流:1 A; 集电极—射极饱和电压:100 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V; 集电极—基极电压 VCBO:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:UMT-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Purpse Trans UMT3 |
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RB550VM-30TE-17 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :35 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:1 A; Vf - 正向电压:0.59 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:0.5 A; 封装 / 箱体:SC-90A-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SBD for Gen Rectfctn UMD2 |
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RB068MM100TR |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :100 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.4 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:40 A; Vf - 正向电压:0.87 V; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:SC-109B-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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UMD9NFHATR |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 资格:AEC-Q101; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极连续电流:- 100 mA, 100 mA; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:68; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:4.7; 典型输入电阻器:10 kOhms; 晶体管极性:NPN, PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR |
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UMZ1NFHATR |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:120; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:560; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:150 mW; 最大直流电集电极电流:- 150 mA, 150 mA; 集电极—射极饱和电压:- 500 mV, 400 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V, 7 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 60 V, 60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V, 50 V; 配置:Dual; 晶体管极性:NPN, PNP; 封装 / 箱体:SOT-563-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANSISTOR HIGH RELIABILITY |
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RB511SM-30T2R |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; Ir - 反向电流 :7 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:0.5 A; Vf - 正向电压:0.37 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:10 mA; 封装 / 箱体:SC-79-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SBD Low VF H.Relblty EMD2 |
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2SA1576U3HZGT106R |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:120; 集电极连续电流:- 150 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:560; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:200 mW; 最大直流电集电极电流:- 200 mA; 集电极—射极饱和电压:- 500 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-323-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GP Transistor -50V; -150mA |
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RB168MM-30TR |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :0.6 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:30 A; Vf - 正向电压:0.69 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:SC-109B-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SBD for Gen Rectfctn PMDU |
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BC857BU3HZGT106 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:210; 集电极连续电流:- 100 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:480; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:250 MHz; Pd-功率耗散:200 mW; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 集电极—射极饱和电压:- 300 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 45 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-323-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP GENERAL PURPOSE TRANS |
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DTD123YCHZGT116 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 资格:AEC-Q101; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 峰值直流集电极电流:500 mA; 集电极连续电流:500 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 最大工作频率:200 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:56; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:4.5; 典型输入电阻器:2.2 kOhms; 晶体管极性:NPN; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 预偏置 HIGH RELIABILITY AUTOMOTIVE TR |
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KDZLVTR100 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.6 mm; 长度:2.6 mm; 高度:0.8 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:2 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:220 Ohms; 齐纳电流:5 uA; Pd-功率耗散:500 mW; 封装 / 箱体:SOD-123FL-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:100 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
稳压二极管 ZENER DIODE FOR VOLTAGE REG |
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EMD3FHAT2R |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:8000; 资格:AEC-Q101; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:- 100 V, 100 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极连续电流:- 100 mA, 100 mA; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:30; 封装 / 箱体:SOT-563-6; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:1; 典型输入电阻器:10 kOhms; 晶体管极性:NPN, PNP; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 预偏置 DTA114E/DTC114E CHIP-EMT6 PKG |
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RB558VAM150TR |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :150 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:3 A; Vf - 正向电压:0.95 V; Vrrm - 重复反向电压:150 V; If - 正向电流:0.5 A; 封装 / 箱体:SC-108B-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKEY BARRIER DIODE |
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RFN5TF8SC9 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.05 uA; Vf - 正向电压:1.6 V; 恢复时间:20 ns; 配置:Single; If - 正向电流:5 A; 最大浪涌电流:60 A; 峰值反向电压:800 V; 封装 / 箱体:TO-220NFM-2; 安装风格:Through Hole; 产品:General Purpose Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
二极管 - 通用，功率，开关 ULTRA HIGH-SPEED, LOW VF |
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UMH9NFHATN |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 资格:AEC-Q101; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极连续电流:100 mA; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:68; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:4.7; 典型输入电阻器:10 kOhms; 晶体管极性:NPN; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 预偏置 NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR |
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RFU01SM4ST2R |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; 最大二极管电容:1.5 pF; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :10 uA; Vf - 正向电压:1.15 V; 恢复时间:25 ns; 配置:Single; If - 正向电流:100 mA; 最大浪涌电流:1 A; 峰值反向电压:450 V; 封装 / 箱体:SOT-523-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
二极管 - 通用，功率，开关 SUPER FAST RECOVERY DIODE |
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RB050LAM-30TR |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :150 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:0.45 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:SOD-128-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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DTC043XUBTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:50 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 峰值直流集电极电流:100 mA; 集电极连续电流:100 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:35; 封装 / 箱体:SOT-323FL-3; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:2.1; 典型输入电阻器:4.7 kOhms; 晶体管极性:NPN; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR |
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RB530CM-30T2R |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.3 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:0.5 A; Vf - 正向电压:0.46 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:10 mA; 封装 / 箱体:SOD-923-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SUPER LOW VF HIGH REL |
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BZX84C12VLT116 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.3 mm; 长度:2.9 mm; 高度:0.95 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:25 Ohms; 齐纳电流:0.1 uA; 电压温度系数:8.3 mV/C; Pd-功率耗散:250 mW; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:12 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
稳压二极管 ZENER DIODE FOR VOLT REG |
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2SA2029FHAT2LR |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:8000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:120; 集电极连续电流:- 150 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:390; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:150 MHz; Pd-功率耗散:150 mW; 最大直流电集电极电流:- 200 mA; 集电极—射极饱和电压:- 500 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-723-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP AMPLIFICATION TRANSISTOR |
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UMX1NFHATN |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:120; 集电极连续电流:150 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:560; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:180 MHz; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极—射极饱和电压:400 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:7 V; 集电极—基极电压 VCBO:60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 配置:Dual; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR |
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UMH11NFHATN |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 资格:AEC-Q101; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极连续电流:100 mA; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:30; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:1; 典型输入电阻器:10 kOhms; 晶体管极性:NPN; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 预偏置 NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR |
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DAN217FHT146 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; Pd-功率耗散:200 mW; 最大二极管电容:3.5 pF; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.1 uA; Vf - 正向电压:1.2 V; 恢复时间:4 ns; 配置:Single; If - 正向电流:100 mA; 最大浪涌电流:4000 mA; 峰值反向电压:80 V; 封装 / 箱体:SC-59-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
二极管 - 通用，功率，开关 80V 0.3A 3-PIN |
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CDZVT2R13B |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:0.86 mm; 长度:0.6 mm; 高度:0.37 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:80 Ohms; 齐纳电流:0.1 uA; Pd-功率耗散:100 mW; 封装 / 箱体:SOD-923-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:12 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
稳压二极管 100MW TYPE COMPACT |
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KDZVTR2.4B |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :200 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.6 mm; 长度:2.6 mm; 高度:0.8 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:40 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 齐纳电流:200 uA; Pd-功率耗散:1000 mW; 封装 / 箱体:SOD-123FL-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:2.4 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
稳压二极管 ZENER DIODES 2-PIN MOLD |
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RB168VAM-60TR |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:5 A; Vf - 正向电压:0.82 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:SC-108B-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKEY BARRIER DIODE |
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BSS64AHZGT116 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:30; 集电极连续电流:100 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:200 mW; 最大直流电集电极电流:200 mA; 集电极—射极饱和电压:80 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V; 集电极—基极电压 VCBO:120 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANSISTOR FOR HIGH VOLT AMP |
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2SC4102U3HZGT106R |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:180; 集电极连续电流:50 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:390; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:200 mW; 最大直流电集电极电流:-; 集电极—射极饱和电压:500 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:120 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:120 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-323-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) H. Volt 120V, 50mA UMT3 |
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UMD22NFHATR |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 资格:AEC-Q101; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:100 mV, -100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极连续电流:- 100 mA, 100 mA; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:10; 典型输入电阻器:4.7 kOhms; 晶体管极性:NPN, PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR |
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BAT54AHMT116 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :30 V; trr - 反向恢复时间 :50 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :2 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:600 mA; Vf - 正向电压:800 mV; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:100 mA; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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RB510VM-30TE-17 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.3 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:0.5 A; Vf - 正向电压:0.46 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:10 mA; 封装 / 箱体:SC-90A-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 LOW VF HIGH RELIABILITY |
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RB085T-40NZC9 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :200 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:0.55 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:5 A; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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DTC043XMT2L |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:8000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:50 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:150 mW; 峰值直流集电极电流:100 mA; 集电极连续电流:100 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:35; 封装 / 箱体:SOT-723-3; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:2.1; 典型输入电阻器:4.7 kOhms; 晶体管极性:NPN; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR |
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RB886CMT2R |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :5 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; Ir - 反向电流 :120 uA; 技术:Si; 配置:Single; Vf - 正向电压:350 mV; Vrrm - 重复反向电压:15 V; If - 正向电流:10 mA; 封装 / 箱体:SOD-923-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 Detection SBD for H. Frequency Det |
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RB510SM-40T2R |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :0.4 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:0.5 A; Vf - 正向电压:0.48 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:10 mA; 封装 / 箱体:SC-79-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SBD for Gen Rectfctn EMD2 |
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DAN202KFHT146 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; Pd-功率耗散:200 mW; 最大二极管电容:3.5 pF; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :100 nA; Vf - 正向电压:1.2 V; 恢复时间:4 ns; 配置:Common Cathode; If - 正向电流:100 mA; 最大浪涌电流:4 A; 峰值反向电压:80 V; 封装 / 箱体:SOT-346-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
二极管 - 通用，功率，开关 SWITCHING DIODE |
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KDZLVTR82 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.6 mm; 长度:2.6 mm; 高度:0.8 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:2 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:220 Ohms; 齐纳电流:5 uA; Pd-功率耗散:500 mW; 封装 / 箱体:SOD-123FL-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:82 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
稳压二极管 ZENER DIODE FOR VOLTAGE REG |
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EMZ1FHAT2R |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:8000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:120; 集电极连续电流:- 150 mA, 150 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:560; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:140 MHz, 180 MHz; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极—射极饱和电压:- 500 V, 400 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V, 7 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 60 V, 60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V, 50 V; 配置:Dual; 晶体管极性:NPN, PNP; 封装 / 箱体:SOT-563-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP+NPN AMPLIFICATION TRANSIST |
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