| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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SCTH100N65G2-7AG |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:MOSFET; 商标:STMicroelectronics; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:360 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:162 nC; Vgs - 栅极-源极电压:- 5 V to 18 V; Id-连续漏极电流:95 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:H2PAK-7; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
MOSFET PTD NEW MAT & PWR SOLUTION |
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STPS5L60UFN |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS5L60; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STPSC2H12B2Y-TR |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:STPSC2H12-Y; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STPSC2H065B-TR |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 系列:STPSC2H065; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:140 A; Vf - 正向电压:1.38 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STH13N120K5-2AG |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:23 ns; 典型关闭延迟时间:68.5 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:11 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:18.5 ns; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:250 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:44.2 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:0.69 Ohms; Id-连续漏极电流:12 A; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:H2PAK-2; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
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STPS5H100UFN |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STH2N120K5-2AG |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:MOSFET; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
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STPSC10065DLF |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STPS2150AFN |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :150 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:170 W; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS2150; 最大工作温度:+ 175 C; Ir - 反向电流 :1.5 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:75 A; Vf - 正向电压:0.62 V; Vrrm - 重复反向电压:150 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:SMA-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STPS2L30AFN |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:108 W; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS2L30; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :200 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:75 A; Vf - 正向电压:0.325 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:SMA-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STGWA40H65DFB2 |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:600; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:250 nA; 商标:STMicroelectronics; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:230 W; 在25 C的连续集电极电流:72 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:1.55 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247-3; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package |
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STPS2L40AFN |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:158 W; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS2L40; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :220 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:75 A; Vf - 正向电压:0.31 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:SMB- 2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STGWA60V60DWFAG |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:600; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:250 nA; 商标:STMicroelectronics; 集电极最大连续电流 Ic:240 A; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 V; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:375 W; 在25 C的连续集电极电流:80 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:1.85 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247-3; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
IGBT 晶体管 Automotive-grade trench field-stop 600 V, 60 A very high speed V series IGBT featuring free-wheeling SiC diode |
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STPS1L30AFN |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:110 W; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS1L30; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :200 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:90 A; Vf - 正向电压:0.26 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:SMA-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STPS2L60AFN |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:115 W; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS2L60; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :100 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:75 A; Vf - 正向电压:0.51 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:SMA-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STPS160AFN |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :0.49 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:180 W; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS160; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :4 uA; 技术:Si; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:0.49 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:SMA-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STWA70N65DM6 |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:30.4 ns; 典型关闭延迟时间:107 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:600; 上升时间:52 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10.8 ns; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:450 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:125 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.75 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:40 mOhms; Id-连续漏极电流:68 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
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STPS1L40AFN |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS1L40; 最大工作温度:+ 175 C; Ir - 反向电流 :35 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:60 A; Vf - 正向电压:0.37 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:SMA Flat Notch-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STPS130AFN |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:85 W; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS130; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :10 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:60 A; Vf - 正向电压:0.37 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:SMA-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STGWA30HP65FB2 |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:600; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:250 nA; 商标:STMicroelectronics; 集电极最大连续电流 Ic:50 A; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:167 W; 在25 C的连续集电极电流:50 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:1.65 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247-3; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT |
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STPSC10H065DLF |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :9 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:850 A; Vf - 正向电压:1.38 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:PowerFLAT 8x8; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STPS2H100AFN |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :100 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:173 W; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS2H100; 最大工作温度:+ 175 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:75 A; Vf - 正向电压:0.65 V; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:SMA-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STPS340AFN |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :100 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:1900 W; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS340; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :16 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:80 A; Vf - 正向电压:0.52 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:TO-247-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STPS1H100AFN |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :100 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS1H100; 最大工作温度:+ 175 C; Ir - 反向电流 :4 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.62 V; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:SMA -2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STPS140AFN |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:65 W; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS140; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :12 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:1 A; Vf - 正向电压:0.43 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:SMA-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STPS1L60AFN |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:85 W; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS1L60; 最大工作温度:+ 175 C; Ir - 反向电流 :50 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:60 A; Vf - 正向电压:0.5 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:SMA Flat Notch-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STPS2170AFN |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :170 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:165 W; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS2170; 最大工作温度:+ 175 C; Ir - 反向电流 :2.8 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:15 A; Vf - 正向电压:0.62 V; Vrrm - 重复反向电压:170 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:SMA-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STPS3L60UFN |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS3L60; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STPS4S200UFN |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS4S200; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STPS2L25AFN |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :25 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:108 W; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS2L25; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :90 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:75 A; Vf - 正向电压:0.325 V; Vrrm - 重复反向电压:25 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:SMB-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STPS3H100UFN |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STPS3L40UFN |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS3L40; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STF16N90K5 |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:28.8 ns; 典型关闭延迟时间:46 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:36 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9.8 ns; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:30 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:29.7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:330 mOhms; Id-连续漏极电流:15 A; Vds-漏源极击穿电压:900 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
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STPS3170AFN |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :170 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:210 W; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS3170; 最大工作温度:+ 175 C; Ir - 反向电流 :4 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:80 A; Vf - 正向电压:0.63 V; Vrrm - 重复反向电压:170 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:SMA Flat- 2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STF46N60M6 |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:20 ns; 典型关闭延迟时间:48.4 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:15.5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8.5 ns; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:42 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:53.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.75 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:80 mOhms; Id-连续漏极电流:36 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220FP-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
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STPS3150AFN |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :150 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:210 W; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS3150; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:0 C; Ir - 反向电流 :2 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:75 A; Vf - 正向电压:0.63 V; Vrrm - 重复反向电压:150 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:SMA Flat Notch- 2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STWA30N65DM6AG |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:18 ns; 典型关闭延迟时间:46 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:600; 上升时间:21 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7 ns; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N - Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:284 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:46 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.75 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:110 mOhms; Id-连续漏极电流:28 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 90 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long leads package |
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STW70N60DM6-4 |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:27 ns; 典型关闭延迟时间:100 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:600; 上升时间:15 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:STW70N60DM2; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:MDmesh; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:390 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:99 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.75 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:42 mOhms; Id-连续漏极电流:62 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-4; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
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STB30N65M2AG |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:58 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N - Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:190 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:30.8 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:0.18 Ohms; Id-连续漏极电流:20 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:D2PAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET |
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STO47N60M6 |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:21.5 ns; 典型关闭延迟时间:54.6 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1800; 上升时间:18.7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8.1 ns; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:255 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:52.2 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.25 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:80 mOhms; Id-连续漏极电流:36 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-LL-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
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STP50N65DM6 |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:19.2 ns; 典型关闭延迟时间:59.6 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:12 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9.6 ns; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N - Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:250 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:52.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.75 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:91 mOhms; Id-连续漏极电流:33 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
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STPSC4H065DLF |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:STPSC4H065DLF; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :3 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:38 A; Vf - 正向电压:1.38 V at 4 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:4 A; 封装 / 箱体:PowerFLAT-5; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STF33N60M6 |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:19.5 ns; 典型关闭延迟时间:38.5 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:33 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7.5 ns; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:STF33N60M6; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:MDmesh; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:35 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:33.4 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.25 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:125 mOhms; Id-连续漏极电流:25 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
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STB35N65DM2 |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:MOSFET; 商标:STMicroelectronics; 系列:DM2; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:250 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:56.3 nC; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:94 mOhms; Id-连续漏极电流:28 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
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STPS10H100SFY |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:6000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :8 uA; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:230 A; Vf - 正向电压:0.845 V at 10 A; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-277A-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STTH802SF |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:6000; 产品类型:Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 产品:Rectifiers; 系列:STTH802SF; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; 恢复时间:17 ns; Ir - 反向电流 :6 uA; 最大浪涌电流:150 A; Vf - 正向电压:0.94 V; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:8 A; Vr - 反向电压 :200 V; 封装 / 箱体:TO-277A; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STPS560SFY |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:6000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :50 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:230 A; Vf - 正向电压:0.56 V at 5 A; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:5 A; 封装 / 箱体:TO-277A-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STPSC8H065DLF |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPSC8H065DLF; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :7 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:75 A; Vf - 正向电压:1.38 V at 8 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:8 A; 封装 / 箱体:PowerFLAT-5; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STPS10M120SF |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:6000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 系列:STPS10M120SF; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :25 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:340 A; Vf - 正向电压:0.82 V; Vrrm - 重复反向电压:120 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-277A-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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STD12N60DM2AG |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:30 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9.5 ns; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:STD12N60DM2AG; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:110 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:14.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:440 mOhms; Id-连续漏极电流:10 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
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