| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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LN60A01ES-LF |
Monolithic Power Systems (MPS) |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:100; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Monolithic Power Systems (MPS); 晶体管类型:3 N-Channel; 系列:LN60A01; 配置:Triple; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.3 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 20 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs - 栅极-源极电压:15 V; Rds On-漏源导通电阻:190 Ohms; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:3 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Monolithic Power Systems (MPS); |
MOSFET 600V, 3 N-Channel FET |
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LN60A01ES-LF-P |
Monolithic Power Systems (MPS) |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:50 ns; 典型关闭延迟时间:3000 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Monolithic Power Systems (MPS); 晶体管类型:3 N-Channel; 配置:Triple; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.3 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 20 C; Vgs th-栅源极阈值电压:0.8 V; Vgs - 栅极-源极电压:15 V; Rds On-漏源导通电阻:190 Ohms; Id-连续漏极电流:0.08 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:3 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Monolithic Power Systems (MPS); |
MOSFET 600V, 3 N-Channel FETs |
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LN60A01EP-LF |
Monolithic Power Systems (MPS) |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 产品类型:MOSFET; 商标:Monolithic Power Systems (MPS); 晶体管类型:3 N-Channel; 系列:LN60A01; 配置:Triple; 封装:Tube; Rds On-漏源导通电阻:190 Ohms; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:3 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Monolithic Power Systems (MPS); |
MOSFET 600V, 3 N-Channel FET |
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LN60A01ES-LF-Z |
Monolithic Power Systems (MPS) |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Monolithic Power Systems (MPS); 晶体管类型:3 N-Channel; 系列:LN60A01; 配置:Triple; 封装:Reel; Rds On-漏源导通电阻:190 Ohms; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:3 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Monolithic Power Systems (MPS); |
MOSFET 600V, 3 N-Channel FET |
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