| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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TGA2222 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:60 W; 输入返回损失:17 dB; 开发套件:TGA2222EVB1; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 系列:TGA2222; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:640 mA; 测试频率:38 GHz; 工作电源电压:26 V; 增益:21.6 dB; 工作频率:32 GHz to 38 GHz; 技术:GaN; 类型:Wide Band; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 GaN Amplifier |
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ADRF5047BCCZN |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Switch ICs; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices / Linear Technology; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC Low-loss reflective, SP4T, 40GHz, low |
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AWR1843ABGABLRQ1 |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:AWR1843; ADC通道数量:6 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; ADC分辨率:10 bit; 输入/输出端数量:47 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:CAN, GPIO, I2C, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:2048 kB; 商标:Texas Instruments; 宽度:10.5 mm; 技术:Si; 长度:10.5 mm; 高度:0.8 mm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 封装 / 箱体:FCBGA-161; 程序存储器大小:2 MB; 工作电源电压:1.2 V; 输出功率:12 dBm; 最大数据速率:65 Mb/s; 工作频率:76 GHz to 81 GHz; 核心:ARM Cortex R4F; 类型:Radar; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
RF片上系统 - SoC AWR1843 TAPE AND REEL ES2 |
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IWR1843AQGABLR |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; ADC通道数量:6; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 最大时钟频率:200 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:GPIO, I2C, SPI, UART; 商标:Texas Instruments; 宽度:10.4 mm; 技术:Si; 系列:mmWave; 长度:10.4 mm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:FCBGA-161; 工作电源电压:1.2 V; 输出功率:12 dBm; 最大数据速率:900 Mb/s; 工作频率:60 GHz to 64 GHz; 核心:ARM Cortex R4F; 类型:Radar; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
RF片上系统 - SoC IWR1843 TAPE AND REEL ES2 |
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MAAP-011289-TR0500 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:3 W; 湿度敏感性:Yes; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:650 mA; OIP3 - 三阶截点:35 dBm; 测试频率:28 GHz to 30 GHz; 工作电源电压:5 V; 增益:24 dB; P1dB - 压缩点:34 dBm; 工作频率:20 GHz to 30 GHz; 技术:GaAs; 类型:Power Amplifier; 封装 / 箱体:AQFN-32; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 Ka-Band 3W Power Amp |
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QPC4270TR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:78 uA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:5 V; 开发套件:QPC4270PCK; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:DFN-6; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 关闭隔离—典型值:48 dB; 介入损耗:0.79 dB; 工作频率:1 MHz to 3300 MHz; 开关配置:SPST; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
RF 开关 IC SPST 5-3GHz HIGH ISOLATION |
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QPF4230TR13-5K |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Front End; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:QPF4230EVB-01; 增益:33 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:3 mm x 3 mm; 安装风格:SMD/SMT; 工作电源电压:3.3 V; NF—噪声系数:2.1 dB; 工作频率:2412 MHz to 2484 MHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频前端 2.4GHz Wi-Fi 6 FEM |
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EFR32BG22C224F512IM40-CR |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 x 16 bit, 1 x 32 bit; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 最大时钟频率:76.8 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:26 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:EUART, I2C, PDM, USART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:5 mm; 技术:Si; 程序存储器类型:Flash; 长度:5 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-40; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:8.5 mA; 接收供电电流:4.4 mA, 4.5 mA; 工作电源电压:1.71 V to 3.8 V; 灵敏度:- 96.2 dBm, - 98.9 dBm, - 106.7 dBm; 输出功率:6 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M33; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Blue Gecko, QFN40, (RTSL), 76.8 MHz, 2.4G, 6dB, AoA/AOD or BLE Long Range PHY Rates , PLFRCO, BLE, 512kB, 32kB(RAM), 26 GPIO |
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EFR32BG22C224F512IM32-CR |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 x 16 bit, 1 x 32 bit; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 最大时钟频率:76.8 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:18 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:EUART, I2C, PDM, USART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Silicon Labs; 宽度:4 mm; 技术:Si; 程序存储器类型:Flash; 长度:4 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-32; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:8.5 mA; 接收供电电流:4.4 mA, 4.5 mA; 工作电源电压:1.71 V to 3.8 V; 灵敏度:- 96.2 dBm, - 98.9 dBm, - 106.7 dBm; 输出功率:6 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M33; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
RF片上系统 - SoC Blue Gecko, QFN32, (RTSL), 76.8 MHz, 2.4G, 6dB, AoA/AOD or BLE Long Range PHY Rates , PLFRCO, BLE, 512kB, 32kB(RAM), 18 GPIO |
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QPF4800TR13-5K |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF Front End; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:QPF4800EVB-01; 增益:29 dB, 33 dB; 商标:Qorvo; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LGA-28; 安装风格:SMD/SMT; 工作电源电压:5 V; NF—噪声系数:2.6 dB, 2.5 dB; 工作频率:2.4 GHz, 5 GHz; 类型:RF Front End; RoHS:E; 制造商:Qorvo; |
射频前端 DualBand WiFi FEM 11ax 5V |
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RFPA5542BTR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:RFPA5542; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 5GHZ Discrete PA |
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ADL5506WACBZ-R7 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Detector; Pd-功率耗散:75 mW; 开发套件:ADL5506-EVALZ; 商标:Analog Devices; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 封装 / 箱体:WLCSP-6; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 技术:Si; 最大二极管电容:5 pF; 工作电源电压:3 V; 配置:Single; 动态范围 dB:45 dB; 频率范围:30 MHz to 4.5 GHz; 类型:RF Detector; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频检测器 Next Gen Mobile Term Log Det |
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QPA9143TR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.7 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:8.5 dB; 开发套件:QPA9143EVB-01; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:70 mA; OIP3 - 三阶截点:35 dBm; 测试频率:2600 MHz; NF—噪声系数:1.9 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:18 dB; P1dB - 压缩点:19.5 dBm; 工作频率:2.3 GHz to 3.8 GHz; 技术:Si; 类型:Differential Input; 封装 / 箱体:SMT-12; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 2.3-3.8 GHz Tx GAIN BLOCK |
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QPA9154TR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:13 dB; 开发套件:QPA9154EVB-01; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:70 mA; OIP3 - 三阶截点:34 dBm; 测试频率:2600 MHz; NF—噪声系数:1.5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:19 dB; P1dB - 压缩点:19 dBm; 工作频率:2.3 GHz to 3.8 GHz; 技术:Si; 类型:Differential Output; 封装 / 箱体:SMT-12; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 2.3-3.8 GHz Rx GAIN BLOCK |
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QPA9124TR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.7 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:14 dB; 开发套件:QPA9124EVB-01; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:70 mA; OIP3 - 三阶截点:34.5 dBm; 测试频率:3500 MHz; NF—噪声系数:1.5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:20.5 dB; P1dB - 压缩点:18 dBm; 工作频率:3 GHz to 5 GHz; 技术:Si; 类型:Differential Output; 封装 / 箱体:SMT-12; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 3.3-5 GHz Rx GAIN BLOCK |
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QPA9133TR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:0.7 W; 输入返回损失:10 dB; 开发套件:QPA9133EVB01; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:70 mA; OIP3 - 三阶截点:34 dBm; 测试频率:3500 MHz; NF—噪声系数:1.8 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:18 dB; P1dB - 压缩点:19 dBm; 工作频率:3.3 GHz to 5 GHz; 技术:GaAs; 类型:Differential Input; 封装 / 箱体:SMT-12; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 3.3-5 GHz Tx GAIN BLOCK |
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EZR32LG330F256R60G-C0 |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.98 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:260; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:EZR32LG; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:38 I/O; 接口类型:I2C, SPI, UART, USB; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 系列:EZR32LG330; 程序存储器类型:Flash; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.98 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:32 kB; 程序存储器大小:256 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:142 MHz to 1050 MHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
射频微控制器 - MCU Sub-GHz Wireless USB Gecko SoC MCU 256KB |
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EZR32LG330F256R60G-C0R |
Silicon Laboratories |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.98 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:EZR32LG; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:38 I/O; 接口类型:I2C, SPI, UART, USB; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 系列:EZR32LG330; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.98 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:32 kB; 程序存储器大小:256 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:142 MHz to 1050 MHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
射频微控制器 - MCU Sub-GHz Wireless USB Gecko SoC MCU 256KB |
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QPA9126TR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:9 dB; 开发套件:QPA9126 EVB-01; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 系列:QPA9126; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:68 mA; OIP3 - 三阶截点:35.5 dBm; 测试频率:3500 MHz; NF—噪声系数:1.4 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:16 dB; P1dB - 压缩点:20 dBm; 工作频率:1 GHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Linearity Gain Block; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 3-5 GHz Gain Block Medium Gain |
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nRF52840-CKAA-R7 |
Nordic Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1500; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; ADC通道数量:8 Channel; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:64 MHz; 开发套件:nRF52840-DK; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:48 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SPI, UART, USB; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:256 kB; 商标:Nordic Semiconductor; 宽度:3.544 mm; 技术:Si; 系列:nRF52840; 程序存储器类型:Flash; 长度:3.607 mm; 封装 / 箱体:WLCSP-93; 程序存储器大小:1 MB; 传输供电电流:4.8 mA; 接收供电电流:4.6 mA; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 灵敏度:- 95 dBm; 输出功率:8 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; 制造商:Nordic Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC Quark Graviton WLCSP 7" reel |
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KC2-19+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 55 C; 最小输入频率:1100 MHz; 最大工作温度:+ 100 C; 最大输入频率:1900 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Frequency Multiplier; 技术:Si; 系列:KC2; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:7.62 mm x 6.35 mm x 2.16 mm; 工作频率:2200 MHz to 3800 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频无线杂项 FREQ DBLR / SURF MOUNT / RoHS |
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KC2-11+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 55 C; 最小输入频率:500 MHz; 最大工作温度:+ 100 C; 最大输入频率:1100 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Frequency Multiplier; 技术:Si; 系列:KC2; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:7.62 mm x 6.35 mm x 2.16 mm; 工作频率:1000 MHz to 2200 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频无线杂项 FREQ DBLR / SURF MOUNT / RoHS |
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CYW20721B1KUMLG |
Cypress Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:490; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 商标:Cypress Semiconductor; 技术:Si; 系列:CYW20721; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-40; 制造商:Cypress Semiconductor; |
射频微控制器 - MCU /BLE/IEEE 802.15.4 |
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KSX2-722+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:1300 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:3600 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Frequency Multiplier; 技术:Si; 系列:KSX2; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:5.08 mm x 4.57 mm x 2.2098 mm; 工作频率:2600 MHz to 7200 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频无线杂项 FREQ DBLR / SURF MOUNT / RoHS |
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KSX2-442+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:600 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:2200 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Frequency Multiplier; 技术:Si; 系列:KSX2; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:5.08 mm x 4.57 mm x 2.2098 mm; 工作频率:1200 MHz to 4400 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频无线杂项 FREQ DBLR / SURF MOUNT / RoHS |
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KC2-36+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 55 C; 最小输入频率:1700 MHz; 最大工作温度:+ 100 C; 最大输入频率:3600 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Frequency Multiplier; 技术:Si; 系列:KC2; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:7.62 mm x 6.35 mm x 2.16 mm; 工作频率:3400 MHz to 7200 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频无线杂项 FREQ DBLR / SURF MOUNT / RoHS |
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KSX2-14+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:2500 MHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:5000 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Frequency Multiplier; 技术:Si; 系列:KSX2; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:5.08 mm x 4.57 mm x 2.2098 mm; 工作频率:5000 MHz to 10000 MHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频无线杂项 FREQ DBLR / SURF MOUNT / RoHS |
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KSX2-24+ |
Mini-Circuits |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Wireless Misc; 最小工作温度:- 40 C; 最小输入频率:5 GHz; 最大工作温度:+ 85 C; 最大输入频率:10 GHz; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Mini-Circuits; 类型:Frequency Multiplier; 技术:Si; 系列:KSX2; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:5.08 mm x 4.57 mm x 2.2098 mm; 工作频率:10 GHz to 20 GHz; RoHS:Y; 制造商:Mini-Circuits; |
射频无线杂项 FREQ DBLR / SURF MOUNT / RoHS |
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GTVA126001EC-V1-R0 |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:50; 产品类型:RF JFET Transistors; 商标:Wolfspeed / Cree; 工作频率:1.2 GHz to 1.4 GHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:H-36248-2; 安装风格:Screw Mount; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:600 W; Id-连续漏极电流:10 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V; Vds-漏源极击穿电压:150 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:18 dB; 技术:GaN SiC; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W |
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GTVA107001EC-V1-R0 |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:50; 产品类型:RF JFET Transistors; 商标:Wolfspeed / Cree; 工作频率:960 MHz to 1.215 GHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:H-36248-2; 安装风格:Screw Mount; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:890 W; Id-连续漏极电流:10 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V; Vds-漏源极击穿电压:150 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:18 dB; 技术:GaN SiC; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W |
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TGA2224 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:30 W; 输入返回损失:10 dB, 13 dB; 开发套件:TGA2224EVB1; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:320 mA; 工作电源电压:24 V, 26 V; 增益:16 dB, 23.5 dB, 27.9 dB, 30.2 dB; 工作频率:32 GHz to 38 GHz; 技术:GaN; 类型:Wide Band MMIC Power Amplifier; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 32-38 GHz 5W GaN Amplifier |
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QPA2211D |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:40 W; 输入返回损失:12 dB; 开发套件:QPA2211DEVB03; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 系列:QPA2211D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:280 mA; 测试频率:31 GHz; 工作电源电压:22 V; 增益:26 dB; 工作频率:27 GHz to 31 GHz; 技术:GaN; 类型:Ka-Band; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 GaN Amplifier |
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QPA1006D |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:118.9 W; 输入返回损失:17 dB; 开发套件:1138267; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 系列:QPA1006D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:1.2 A; 测试频率:12.7 GHz; 工作电源电压:20 V; 增益:21.5 dB; 工作频率:10.7 GHz to 12.7 GHz; 技术:GaN; 类型:Wide Band; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 QPA1006D Die sales |
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OPS-0002 |
API Technologies |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:Phase Detectors / Shifters; 安装风格:Panel Mount; 商标:API Technologies - Spectrum Control; 技术:Si; 最大输入频率:50 GHz; 类型:Phase Shifter; RoHS:Y; 制造商:API Technologies; |
相位探测器 / 移相器 API Technologies |
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CC2652R1FRGZR |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:31 I/O; 接口类型:I2C, I2S, SSI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC2652R; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-48; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:80 kB; 程序存储器大小:352 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4F; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU |
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CC1312R1F3RGZR |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:30 I/O; 接口类型:I2C, I2S, SSI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC1312R; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-48; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:80 kB; 程序存储器大小:352 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:431 MHz to 527 MHz, 861 MHz to 1054 MHz, 1069 MHz to 1329 MHz; 核心:ARM Cortex M4F; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU |
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CC1352P1F3RGZR |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 定时器数量:8 x 16 bit, 4 x 32 bit; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:26 I/O; 接口类型:I2C, I2S, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:SimpleLink; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-48; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:80 kB; 程序存储器大小:352 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4F; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU |
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CC1352R1F3RGZR |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
商标名:SimpleLink; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 定时器数量:12 Timer; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:28 I/O; 接口类型:I2C, I2S, SSI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC1352R; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-48; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:80 kB; 程序存储器大小:352 kB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz, Sub-1 GHz; 核心:ARM Cortex M4F; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU |
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IWR1443FQAGABL |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
商标名:mmWave; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:176; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 最大时钟频率:200 MHz; 数据总线宽度:32 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:CAN, I2C, SPI; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:576 kB; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:IWR1443; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FCBGA-161; 工作温度范围:- 40 C to + 105 C; 工作电源电压:1.2 V; 输出功率:12 dBm; 工作频率:76 GHz to 81 GHz; 核心:ARM Cortex R4F; 类型:Radar; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
RF片上系统 - SoC |
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HMC8411LP2FE |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:1.098 W; 输入返回损失:15 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 产品:Operational Amplifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:HMC8411; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:55 mA; OIP3 - 三阶截点:33 dBm; 测试频率:6 GHz to 10 GHz; NF—噪声系数:2 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:14 dB; P1dB - 压缩点:17 dBm; 工作频率:0.01 GHz to 10 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:LFCSP-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 DC - 8 GHz 15 dB Gain |
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ADMV1013ACCZ |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:Up-Down Converters; Pd-功率耗散:2.9 W; OIP3 - 三阶截点:22 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:ADMV1013; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LGA-40; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:3 mA, 550 mA; 工作电源电压:1.8 V, 3.3 V; NF—噪声系数:19 dB; P1dB - 压缩点:12 dBm; 增益:19 dB; LO频率:5.4 GHz to 10.25 GHz; 中频:0.8 GHz to 6 GHz; 射频:24 GHz to 44 GHz; 产品:Up Converters; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
上下转换器 High Band Point-to-Point Upconverter |
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ADMV1014ACCZ |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:Up-Down Converters; Pd-功率耗散:2.9 W; OIP3 - 三阶截点:- 1 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Analog Devices; 技术:SiGe; 系列:ADMV1014; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LGA-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:437 mA; 工作电源电压:3.3 V; NF—噪声系数:6 dB; P1dB - 压缩点:- 11 dBm; 增益:17 dB; LO频率:5.4 GHz to 10.25 GHz; 中频:0.8 GHz to 6 GHz; 射频:24 GHz to 44 GHz; 产品:Down Converters; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
上下转换器 High Band Point-to-Point Downconverter |
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nRF9160-SICA-R7 |
Nordic Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:64 MHz; 开发套件:nRF9160-DK; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:32 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:256 kB; 商标:Nordic Semiconductor; 宽度:10 mm; 技术:Si; 系列:NRF9160; 程序存储器类型:Flash; 长度:16 mm; 高度:1.2 mm; 封装 / 箱体:LGA-127; 程序存储器大小:1 MB; 传输供电电流:365 mA; 接收供电电流:140 mA; 工作电源电压:3 V to 5.5 V; 灵敏度:- 108 dBm; 输出功率:23 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2200 MHz; 核心:ARM Cortex M33; 类型:LTE-M; RoHS:Y; 制造商:Nordic Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC SIP Module LTE-M and NB-IOT |
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nRF9160-SICA-R |
Nordic Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:64 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:32 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:256 kB; 商标:Nordic Semiconductor; 宽度:10 mm; 技术:Si; 系列:NRF9160; 程序存储器类型:Flash; 长度:16 mm; 高度:1 mm; 封装 / 箱体:LGA-127; 程序存储器大小:1 MB; 传输供电电流:365 mA; 工作电源电压:3 V to 5.5 V; 灵敏度:- 108 dBm; 输出功率:23 dBm; 最大数据速率:360 kb/s; 工作频率:700 MHz to 2.2 GHz; 核心:ARM Cortex M33; 类型:LTE-M; 制造商:Nordic Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC SIP Module LTE-M-NBIOT-GPS |
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ADMV1014-EVALZ |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1; 产品类型:Up-Down Converters; Pd-功率耗散:2.9 W; OIP3 - 三阶截点:- 1 dBm; 最小工作温度:- 40 C; 商标:Analog Devices; 技术:SiGe; 系列:ADMV1014; 封装 / 箱体:LGA-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:437 mA; 工作电源电压:3.3 V; NF—噪声系数:6 dB; P1dB - 压缩点:- 11 dBm; 增益:17 dB; LO频率:5.4 GHz to 10.25 GHz; 中频:0.8 GHz to 6 GHz; 射频:24 GHz to 44 GHz; 产品:Down Converters; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
上下转换器 EVAL BOARD |
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CC3235SF12RGKR |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
商标名:SimpleLink; 电源电压-最小:2.1 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 接口类型:I2C, I2S, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC3235; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-64; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:3.3 V; 最大时钟频率:80 MHz; 数据 RAM 大小:256 kB; 程序存储器大小:1 MB; 数据总线宽度:32 bit; 工作频率:2.4 GHz, 5 GHz; 核心:Arm Cortex M4; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU SimpleLinkG Wi-Fi- , dual-band single-chip wireless MCU solution 64-VQFN -40 to 85 |
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AWR1243FBIGABLQ1 |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
商标名:mmWave; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:176; 产品类型:RF Transceiver; 工作电源电压:1.2 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:AWR1243; 工作温度范围:- 40 C to + 125 C; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 封装 / 箱体:FCBGA-161; 接口类型:SPI; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:12 dBm; 最大数据速率:600 Mb/s; 类型:Radar; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频收发器 |
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SKY68020-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:RF Front End; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:SKY68020-11EK1; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY68020; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MCM-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:400 nA; 工作电源电压:2.85 V to 4.5 V; 工作频率:663 MH to 915 MHz, 1695 MHz to 1980 MHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频前端 LTE Cat-M1/NB-1 Multi-Band FEM for IoT |
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SKY65933-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10000; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:- 13 dBm; OIP3 - 三阶截点:- 8 dBm; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:SKY65933-11EK1; 增益:14.5 dB; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY65933; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MCM-16; 安装风格:SMD/SMT; 工作电源电流:2.9 mA; 工作电源电压:1.5 V to 2.85 V; NF—噪声系数:1.8 dB; 工作频率:1559 MHz to 1606 MHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频前端 GPS LNA Module |
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DA14697-00000HR2 |
Dialog Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:5000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:16 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:96 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:10 bit, 14 bit; 输入/输出端数量:55 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SPI, UART, USB; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:512 kB; 商标:Dialog Semiconductor; 宽度:5 mm; 技术:Si; 系列:DA1469; 程序存储器类型:OTP; 长度:5 mm; 高度:0.9 mm; 封装 / 箱体:VFBGA-100; 程序存储器大小:4 kB; 传输供电电流:3.5 mA; 接收供电电流:2.2 mA; 工作电源电压:2.4 V to 4.75 V; 灵敏度:- 97 dBm; 输出功率:6 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M33F, ARM Cortex M0+; 类型:Bluetooth; 制造商:Dialog Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC Multi-core wireless MCU for Bluetooth 5.0 and prop 2G4 protocols |
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