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类目:
分立半导体
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品牌:
Littelfuse
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器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
SLD8S48A 分立半导体 SLD8S48A Littelfuse 分立半导体 子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:500; Pd-功率耗散:8 W; 商标:Littelfuse; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:SLD8S; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ipp - 峰值脉冲电流:89.7 A; Vesd - 静电放电电压气隙:-; Vesd - 静电放电电压触点:-; 峰值脉冲功耗 (Pppm):7 kW; 钳位电压:77.4 V; 击穿电压:58.9 V; 封装 / 箱体:SMTO-263-2; 端接类型:SMD/SMT; 工作电压:48 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; ESD 抑制器/TVS 二极管 48V 7kW UNI-DIR SLD8S AEC-Q101
DCG17P1200HR 分立半导体 DCG17P1200HR Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :1200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:30; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:IXYS; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :35 uA; 技术:SiC; 配置:Phase Leg; Ifsm - 正向浪涌电流:1000 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:31.7 A; 封装 / 箱体:ISO247-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 PWRDIODE -SCHOTTKY ISOPLUS247
DCG10P1200HR 分立半导体 DCG10P1200HR Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :1200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:30; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:IXYS; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :30 uA; 技术:SiC; 配置:Phase Leg; Ifsm - 正向浪涌电流:750 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:22 A; 封装 / 箱体:ISO247-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 PWRDIODE -SCHOTTKY ISOPLUS247
SLD8S24A 分立半导体 SLD8S24A Littelfuse 分立半导体 子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:500; Pd-功率耗散:8 W; 商标:Littelfuse; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:SLD8S; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ipp - 峰值脉冲电流:180 A; Vesd - 静电放电电压气隙:-; Vesd - 静电放电电压触点:-; 峰值脉冲功耗 (Pppm):7 kW; 钳位电压:38.9 V; 击穿电压:29.5 V; 封装 / 箱体:SMTO-263-2; 端接类型:SMD/SMT; 工作电压:24 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; ESD 抑制器/TVS 二极管 24V 7kW UNI-DIR SLD8S AEC-Q101
AQ4021-01FTG-C 分立半导体 AQ4021-01FTG-C Littelfuse 分立半导体 商标名:SPA; 子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:3000; 商标:Littelfuse; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:AQ4021; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Ipp - 峰值脉冲电流:25 A; Cd - 二极管电容 :2.5 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):500 W; 钳位电压:20.5 V; 击穿电压:6.3 V; 封装 / 箱体:SOD-323; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 极性:Bidirectional; 产品类型:ESD Suppressors; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; ESD 抑制器/TVS 二极管 25A 2.5pF AEC-Q101
LSIC2SD065E40CCA 分立半导体 LSIC2SD065E40CCA Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:450; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:270 W; 商标:Littelfuse; 封装:Tube; 系列:LSIC2SD; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :50 uA; 技术:SiC; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:90 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:40 A; 封装 / 箱体:TO-247-3L; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 GEN2 SiC Schottky Diode 650 V, 2*20 A, TO-247-3L, AEC-Q101
LSIC2SD065C16A 分立半导体 LSIC2SD065C16A Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:125 W; 商标:Littelfuse; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:LSIC2SD; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:70 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:38 A; 封装 / 箱体:TO-252-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 650V 16A TO-252-2L SiC Schottky Diode
LSIC2SD120E40CC 分立半导体 LSIC2SD120E40CC Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :1200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:450; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:500 W; 商标:Littelfuse; 封装:Tube; 系列:LSIC2SD; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:SiC; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:140 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:109 A; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 1200V 40A TO-247-3L SiC Schottky Diode
LSIC2SD120A20 分立半导体 LSIC2SD120A20 Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :1.2 kV; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:250 W; 商标:Littelfuse; 封装:Tube; 系列:LSIC2SD; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:140 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1.2 kV; If - 正向电流:54.5 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 1200V 20A TO-220-2L SiC Schottky Diode
LSIC2SD120D10 分立半导体 LSIC2SD120D10 Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :1200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:136 W; 商标:Littelfuse; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:LSIC2SD; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:80 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:28 A; 封装 / 箱体:TO-263-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 1200V 10A TO-263-2L SiC Schottky Diode
LSIC2SD120A08 分立半导体 LSIC2SD120A08 Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :1.2 kV; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:125 W; 商标:Littelfuse; 封装:Tube; 系列:LSIC2SD; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:65 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1.2 kV; If - 正向电流:24.5 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 1200V 8A TO-220-2L SiC Schottky Diode
DCG100X1200NA 分立半导体 DCG100X1200NA Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :1200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:IXYS; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :100 uA; 技术:SiC; 配置:Dual; Vf - 正向电压:1.25 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:82 A; 封装 / 箱体:SOT-227B-4; 安装风格:Screw Mount; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 PWR DIODE -SCHOTTKY SOT-227B M
DCG85X1200NA 分立半导体 DCG85X1200NA Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :1200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:IXYS; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :70 uA; 技术:SiC; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:1150 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:73 A; 封装 / 箱体:SOT-227B-4; 安装风格:Screw Mount; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 PWR DIODE -SCHOTTKY SOT-227B M
TPSMB26CA-VR 分立半导体 TPSMB26CA-VR Littelfuse 分立半导体 Vf - 正向电压:3.5 V; 子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:3000; Pd-功率耗散:5 W; 商标:Littelfuse; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:TPSMB-VR; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Ipp - 峰值脉冲电流:14.3 A; Cd - 二极管电容 :-; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):600 W; 钳位电压:42.1 V; 击穿电压:31.9 V; 封装 / 箱体:DO-214AA-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:26 V; 极性:Bidirectional; 产品类型:ESD Suppressors; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; ESD 抑制器/TVS 二极管 600W 26V AEC-Q101 5% Bi-Directional
LSIC2SD065C06A 分立半导体 LSIC2SD065C06A Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:75 W; 商标:Littelfuse; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:LSIC2SD; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:32 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:18.5 A; 封装 / 箱体:TO-252-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 650V 6A TO-252-2L SiC Schottky Diode
LSIC2SD120C05 分立半导体 LSIC2SD120C05 Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :1.2 kV; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:100 W; 商标:Littelfuse; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:LSIC2SD; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:40 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1.2 kV; If - 正向电流:18.1 A; 封装 / 箱体:TO-252-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 1200V 5A 2-lead GEN2 SiC
LSIC2SD065D10A 分立半导体 LSIC2SD065D10A Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:100 W; 商标:Littelfuse; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:LSIC2SD; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :50 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:48 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-263-2L; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 GEN2 SiC Schottky Diode 650 V, 10 A, TO-263-2L, AEC-Q101
DST560S-A 分立半导体 DST560S-A Littelfuse 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Littelfuse; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:DST; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :-; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:-; Vf - 正向电压:-; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:5 A; 封装 / 箱体:TO-277B-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 5A 60V TO-277B
LSIC1MO170E1000 分立半导体 LSIC1MO170E1000 Littelfuse 分立半导体 典型接通延迟时间:9 ns; 典型关闭延迟时间:17 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:450; 上升时间:15 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:50 ns; 商标:Littelfuse; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:LSIC1MO; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:54 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:15 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V, - 5 V; Rds On-漏源导通电阻:1 Ohms; Id-连续漏极电流:5 A; Vds-漏源极击穿电压:1.7 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; MOSFET 1700V 1000mOhm SiC MOSFET
LSIC1MO120E0120 分立半导体 LSIC1MO120E0120 Littelfuse 分立半导体 典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:16 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:450; 上升时间:7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 商标:Littelfuse; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:LSIC1MO; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:139 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:80 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V, - 5 V; Rds On-漏源导通电阻:150 mOhms; Id-连续漏极电流:27 A; Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet
LSIC1MO120E0160 分立半导体 LSIC1MO120E0160 Littelfuse 分立半导体 典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:19 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:450; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:14 ns; 商标:Littelfuse; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:LSIC1MO; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:125 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:57 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V, - 5 V; Rds On-漏源导通电阻:200 mOhms; Id-连续漏极电流:22 A; Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; MOSFET 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
DST560S 分立半导体 DST560S Littelfuse 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Littelfuse; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:DST; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :-; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:-; Vf - 正向电压:-; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:5 A; 封装 / 箱体:TO-277B-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 5A 60V TO-277B
DST8100S 分立半导体 DST8100S Littelfuse 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Littelfuse; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:DST; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :-; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:-; Vf - 正向电压:-; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:8 A; 封装 / 箱体:TO-277B-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 8A 100V TO-277B
DST5100S-A 分立半导体 DST5100S-A Littelfuse 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Littelfuse; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:DST; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :60 uA; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:120 A; Vf - 正向电压:690 mV; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:5 A; 封装 / 箱体:TO-277B-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 5A 100V TO-277B
DST1040S-A 分立半导体 DST1040S-A Littelfuse 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Littelfuse; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:DST; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :17 uA; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:150 A; Vf - 正向电压:490 mV; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-277B-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 10A 40V TO-277B
DST860S-A 分立半导体 DST860S-A Littelfuse 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Littelfuse; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:DST; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :20 uA; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:140 A; Vf - 正向电压:440 mV; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:8 A; 封装 / 箱体:TO-277B-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 8A 60V TO-277B
DST8100S-A 分立半导体 DST8100S-A Littelfuse 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Littelfuse; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:DST; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :13.5 uA; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:150 A; Vf - 正向电压:660 mV; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:8 A; 封装 / 箱体:TO-277B-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 8A 100V TO-277B
LSIC2SD120C10 分立半导体 LSIC2SD120C10 Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :1.2 kV; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:100 W; 商标:Littelfuse; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:LSIC2SD; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:80 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1.2 kV; If - 正向电流:33 A; 封装 / 箱体:TO-252-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 1200V 10A 2-lead GEN2 SiC
LSIC2SD065E12CCA 分立半导体 LSIC2SD065E12CCA Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:450; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:150 W; 商标:Littelfuse; 封装:Tube; 系列:LSIC2SD; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :50 uA; 技术:SiC; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:32 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:12 A; 封装 / 箱体:TO-247-3L; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 GEN2 SiC Schottky Diode 650 V, 2*6 A, TO-247-3L, AEC-Q101
LSIC2SD120A10 分立半导体 LSIC2SD120A10 Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :1.2 kV; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:136 W; 商标:Littelfuse; 封装:Tube; 系列:LSIC2SD; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:80 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1.2 kV; If - 正向电流:28 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 1200V 10A 2-lead GEN2 SiC
LSIC2SD065D16A 分立半导体 LSIC2SD065D16A Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:125 W; 商标:Littelfuse; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:LSIC2SD; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :50 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:70 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:16 A; 封装 / 箱体:TO-263-2L; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 GEN2 SiC Schottky Diode 650 V, 16 A, TO-263-2L, AEC-Q101
LSIC2SD065A16A 分立半导体 LSIC2SD065A16A Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:75 W; 商标:Littelfuse; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 系列:LSIC2SD; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:70 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:38 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 650V 16A TO-220-2L SiC Schottky Diode
LSIC2SD065E16CCA 分立半导体 LSIC2SD065E16CCA Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:450; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:176 W; 商标:Littelfuse; 封装:Tube; 系列:LSIC2SD; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :50 uA; 技术:SiC; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:40 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:16 A; 封装 / 箱体:TO-247-3L; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 GEN2 SiC Schottky Diode 650 V, 2*8 A, TO-247-3L, AEC-Q101
LSIC2SD120E10CC 分立半导体 LSIC2SD120E10CC Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :1200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:450; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:200 W; 商标:Littelfuse; 封装:Tube; 系列:LSIC2SD; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:SiC; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:40 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:35 A; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 1200V 10A TO-247-3L SiC Schottky Diode
LSIC2SD065A20A 分立半导体 LSIC2SD065A20A Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:135 W; 商标:Littelfuse; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 系列:LSIC2SD; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:95 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:45 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 650V 20A TO-220-2L SiC Schottky Diode
LSIC2SD120D15 分立半导体 LSIC2SD120D15 Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :1200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:214 W; 商标:Littelfuse; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:LSIC2SD; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:120 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:44 A; 封装 / 箱体:TO-263-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 1200V 15A TO-263-2L SiC Schottky Diode
LSIC2SD120E15CC 分立半导体 LSIC2SD120E15CC Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :1200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:450; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:250 W; 商标:Littelfuse; 封装:Tube; 系列:LSIC2SD; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:SiC; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:65 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:49 A; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 1200V 15A TO-247-3L SiC Schottky Diode
LSIC2SD120E20CC 分立半导体 LSIC2SD120E20CC Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :1200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:450; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:272 W; 商标:Littelfuse; 封装:Tube; 系列:LSIC2SD; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:SiC; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:80 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:56 A; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 1200V 20A TO-247-3L SiC Schottky Diode
LSIC2SD120E30CC 分立半导体 LSIC2SD120E30CC Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :1200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:450; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:428 W; 商标:Littelfuse; 封装:Tube; 系列:LSIC2SD; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:SiC; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:120 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:88 A; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 1200V 30A TO-247-3L SiC Schottky Diode
MG12600WB-BR2MM 分立半导体 MG12600WB-BR2MM Littelfuse 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:1; 产品类型:IGBT Modules; 栅极/发射极最大电压:20 V; 安装风格:Chassis Mount; 商标:Littelfuse; 技术:Si; 系列:MG12600WB; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 封装 / 箱体:Package WB; Pd-功率耗散:2500 W; 栅极—射极漏泄电流:400 nA; 在25 C的连续集电极电流:750 A; 集电极—射极饱和电压:2 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V; 配置:Dual; 产品:IGBT Silicon Modules; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; IGBT 模块 1200 V 600 A IGBT
D4015L56TP 分立半导体 D4015L56TP Littelfuse 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:500; 产品类型:Rectifiers; 商标:Littelfuse; 产品:Rectifiers; 封装:Tube; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 整流器 Rect 400V 15A TO220 Iso
LSIC2SD065A06A 分立半导体 LSIC2SD065A06A Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:75 W; 商标:Littelfuse; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 系列:LSIC2SD; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:32 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:18.5 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 650V 6A TO-220-2L SiC Schottky Diode
LSIC2SD120C08 分立半导体 LSIC2SD120C08 Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :1.2 kV; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:125 W; 商标:Littelfuse; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:LSIC2SD; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:65 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1.2 kV; If - 正向电流:24.5 A; 封装 / 箱体:TO-252-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 1200V 8A TO-252-2L SiC Schottky Diode
LSIC2SD065E20CCA 分立半导体 LSIC2SD065E20CCA Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:450; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:200 W; 商标:Littelfuse; 封装:Tube; 系列:LSIC2SD; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :50 uA; 技术:SiC; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-247-3L; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 GEN2 SiC Schottky Diode 650 V, 2*10 A, TO-247-3L, AEC-Q101
LSIC2SD120A15 分立半导体 LSIC2SD120A15 Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :1.2 kV; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:214 W; 商标:Littelfuse; 封装:Tube; 系列:LSIC2SD; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:120 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1.2 kV; If - 正向电流:44 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 1200V 15A TO-220-2L SiC Schottky Diode
LSIC2SD065A08A 分立半导体 LSIC2SD065A08A Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:88 W; 商标:Littelfuse; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 系列:LSIC2SD; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:40 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:23 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 650V 8A TO-220-2L SiC Schottky Diode
LSIC2SD065A10A 分立半导体 LSIC2SD065A10A Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:100 W; 商标:Littelfuse; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 系列:LSIC2SD; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:48 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:27 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 650V 10A TO-220-2L SiC Schottky Diode
DST10100S-A 分立半导体 DST10100S-A Littelfuse 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Littelfuse; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:DST; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :250 uA; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:150 A; Vf - 正向电压:700 mV; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-277B-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 10A 100V TO-277B
LSIC2SD065C20A 分立半导体 LSIC2SD065C20A Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:135 W; 商标:Littelfuse; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:LSIC2SD; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:90 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:45 A; 封装 / 箱体:TO-252-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 650V 20A TO-252-2L SiC Schottky Diode
LSIC2SD120A05 分立半导体 LSIC2SD120A05 Littelfuse 分立半导体 Vr - 反向电压 :1.2 kV; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:100 W; 商标:Littelfuse; 封装:Tube; 系列:LSIC2SD; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:40 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1.2 kV; If - 正向电流:17.5 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; 肖特基二极管与整流器 1200V 5A 2-lead GEN2 SiC
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