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类目:
分立半导体
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品牌:
Texas Instruments
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器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
CSD23285F5 分立半导体 CSD23285F5 Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:30 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:8.9 S; 商标:Texas Instruments; 宽度:0.77 mm; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:CSD23285F5; 长度:1.53 mm; 高度:0.35 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:PicoStar; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.4 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:4.2 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:950 mV; Vgs - 栅极-源极电压:6 V; Rds On-漏源导通电阻:80 mOhms; Id-连续漏极电流:- 3.3 A; Vds-漏源极击穿电压:12 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:PICOSTAR-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD25402Q3AT 分立半导体 CSD25402Q3AT Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:25 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 上升时间:7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:12 ns; 正向跨导 - 最小值:59 S; 商标:Texas Instruments; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:CSD25402Q3A; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:69 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:9.7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 1.15 V; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:300 mOhms; Id-连续漏极电流:76 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SON-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; MOSFET -20V, P ch NexFET MOSFET , single SON 3x3, 8.9mOhm 8-VSONP -55 to 150
CSD22205L 分立半导体 CSD22205L Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:30 ns; 典型关闭延迟时间:70 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:14 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:32 ns; 正向跨导 - 最小值:10.4 S; 商标:Texas Instruments; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:CSD22205L; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:800 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:8.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.05 V; Vgs - 栅极-源极电压:6 V; Rds On-漏源导通电阻:40 mOhms; Id-连续漏极电流:- 7.4 A; Vds-漏源极击穿电压:8 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:PICOSTAR-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD18511KTT 分立半导体 CSD18511KTT Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:8 ns; 典型关闭延迟时间:17 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:500; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:3 ns; 正向跨导 - 最小值:249 S; 商标:Texas Instruments; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:CSD18511KTT; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:188 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:64 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:3.2 mOhms; Id-连续漏极电流:194 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD87503Q3E 分立半导体 CSD87503Q3E Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:25 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:40 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8 ns; 正向跨导 - 最小值:24 S; 商标:Texas Instruments; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:CSD87503Q3E; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:15.6 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:42.8 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:17.3 mOhms; Id-连续漏极电流:10 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:VSON-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; MOSFET 30-V Dual N-Channel MOSFET
CSD17585F5T 分立半导体 CSD17585F5T Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:4 ns; 典型关闭延迟时间:31 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 上升时间:4 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 正向跨导 - 最小值:7 S; 商标:Texas Instruments; 宽度:0.77 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:CSD17585F5; 长度:1.53 mm; 高度:0.35 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.4 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:5.1 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:900 mV; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:27 mOhms; Id-连续漏极电流:5.9 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PICOSTAR-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD18514Q5AT 分立半导体 CSD18514Q5AT Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:13 ns; 典型关闭延迟时间:14 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 上升时间:22 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 正向跨导 - 最小值:59 S; 商标:Texas Instruments; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:CSD18514Q5A; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:74 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:38 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:6 mOhms; Id-连续漏极电流:50 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:VSONP-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Texas Instruments; MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET
CSD18510KCS 分立半导体 CSD18510KCS Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:29 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8 ns; 正向跨导 - 最小值:330 S; 商标:Texas Instruments; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:CSD18510KCS; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:250 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:153 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:2 mOhms; Id-连续漏极电流:100 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Texas Instruments; MOSFET 40V, N ch NexFET MOSFETG , single TO-220, 1.7mOhm 3-TO-220 -55 to 175
CSD86336Q3DT 分立半导体 CSD86336Q3DT Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:5 ns; 典型关闭延迟时间:7 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 上升时间:10 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:2 ns; 正向跨导 - 最小值:40 S; 商标:Texas Instruments; 晶体管类型:Power MOSFET; 系列:CSD86336Q3D; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:6 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:3.8 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:9.1 mOhms; Id-连续漏极电流:20 A; Vds-漏源极击穿电压:25 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:VSON-CLIP-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD18511KTTT 分立半导体 CSD18511KTTT Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:8 ns; 典型关闭延迟时间:17 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:3 ns; 正向跨导 - 最小值:249 S; 商标:Texas Instruments; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:CSD18511KTT; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:188 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:64 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:3.2 mOhms; Id-连续漏极电流:194 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD86356Q5DT 分立半导体 CSD86356Q5DT Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:7 ns; 典型关闭延迟时间:12 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 上升时间:26 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:3 ns; 正向跨导 - 最小值:70 S; 商标:Texas Instruments; 晶体管类型:PowerBlock; 系列:CSD86356Q5D; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:12 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:7.9 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:950 mV; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:4.5 mOhms; Id-连续漏极电流:40 A; Vds-漏源极击穿电压:25 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SON-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD25480F3 分立半导体 CSD25480F3 Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:9 ns; 典型关闭延迟时间:13 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7 ns; 正向跨导 - 最小值:8 S; 商标:Texas Instruments; 宽度:0.64 mm; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:CSD25480F3; 长度:0.73 mm; 高度:0.35 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:PicoStar; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:700 pC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:840 mOhms; Id-连续漏极电流:- 1.7 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:PICOSTAR-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD18512Q5B 分立半导体 CSD18512Q5B Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:7 ns; 典型关闭延迟时间:31 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:16 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7 ns; 正向跨导 - 最小值:136 S; 商标:Texas Instruments; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:CSD18512Q5B; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:139 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:98 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.8 mOhms; Id-连续漏极电流:100 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:VSON-CLIP-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD25310Q2T 分立半导体 CSD25310Q2T Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:8 ns; 典型关闭延迟时间:15 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 上升时间:15 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 正向跨导 - 最小值:34 S; 商标:Texas Instruments; 宽度:2 mm; 系列:CSD25310Q2; 长度:2 mm; 高度:0.75 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2.9 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:4.7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:19.9 mOhms; Id-连续漏极电流:- 20 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:WSON-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD17581Q5A 分立半导体 CSD17581Q5A Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:25 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:21 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:85 S; 商标:Texas Instruments; 宽度:4.9 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:CSD17581Q5A; 长度:6 mm; 高度:1 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:83 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:54 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:3.5 mOhms; Id-连续漏极电流:60 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:VSONP-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD18511Q5AT 分立半导体 CSD18511Q5AT Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:6 ns; 典型关闭延迟时间:24 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 上升时间:15 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 正向跨导 - 最小值:5.2 S; 商标:Texas Instruments; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:CSD18511Q5A; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:104 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:82 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:2.7 mOhms; Id-连续漏极电流:100 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:VSONP-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Texas Instruments; MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET
CSD18510Q5BT 分立半导体 CSD18510Q5BT Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:8 ns; 典型关闭延迟时间:44 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 上升时间:17 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:15 ns; 正向跨导 - 最小值:147 S; 商标:Texas Instruments; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:CSD18510Q5B; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:156 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:153 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.2 mOhms; Id-连续漏极电流:100 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:VSON-CLIP-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD18510KTTT 分立半导体 CSD18510KTTT Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:29 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:8 ns; 正向跨导 - 最小值:330 S; 商标:Texas Instruments; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:CSD18510KTT; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:250 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:153 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:2 mOhms; Id-连续漏极电流:200 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Texas Instruments; MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET
CSD13380F3 分立半导体 CSD13380F3 Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:4 ns; 典型关闭延迟时间:11 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:4 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:3 ns; 正向跨导 - 最小值:4.3 S; 商标:Texas Instruments; 宽度:0.64 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:CSD13380F3; 长度:0.73 mm; 高度:0.35 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.4 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:1.2 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:550 mV; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:76 mOhms; Id-连续漏极电流:3.6 A; Vds-漏源极击穿电压:12 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PICOSTAR-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD13306W 分立半导体 CSD13306W Texas Instruments 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:Texas Instruments; 宽度:1 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:CSD13306W; 长度:1.5 mm; 高度:0.62 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.9 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:11.2 nC; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:10.2 mOhms; Id-连续漏极电流:3.5 A; Vds-漏源极击穿电压:12 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DSBGA-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD22205LT 分立半导体 CSD22205LT Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:30 ns; 典型关闭延迟时间:70 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 上升时间:14 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:32 ns; 正向跨导 - 最小值:10.4 S; 商标:Texas Instruments; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:CSD22205L; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:600 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:8.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.05 V; Vgs - 栅极-源极电压:6 V; Rds On-漏源导通电阻:40 mOhms; Id-连续漏极电流:- 7.4 A; Vds-漏源极击穿电压:8 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:PICOSTAR-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD17581Q3AT 分立半导体 CSD17581Q3AT Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:23 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 上升时间:23 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:78 S; 商标:Texas Instruments; 宽度:3 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:CSD17581Q3A; 长度:3.15 mm; 高度:0.9 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:63 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:54 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:3.9 mOhms; Id-连续漏极电流:60 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:VSONP-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; MOSFET 30V N-Channel NexFET
CSD25485F5T 分立半导体 CSD25485F5T Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:14 ns; 典型关闭延迟时间:27 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:14 ns; 正向跨导 - 最小值:7 S; 商标:Texas Instruments; 宽度:0.77 mm; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:CSD25485F5; 长度:1.53 mm; 高度:0.35 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:PicoStar; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.4 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:3.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:250 mOhms; Id-连续漏极电流:- 3.2 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:PICOSTAR-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD87313DMST 分立半导体 CSD87313DMST Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:9 ns, 9 ns; 典型关闭延迟时间:41 ns, 41 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 上升时间:27 ns, 27 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns, 13 ns; 正向跨导 - 最小值:149 S, 149 S; 商标:Texas Instruments; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:CSD87313DMS; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2.7 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:28 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:5.5 mOhms; Id-连续漏极电流:17 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD86350Q5DT 分立半导体 CSD86350Q5DT Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:8 ns, 9 ns; 典型关闭延迟时间:9 ns, 24 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 上升时间:21 ns, 23 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:2.3 ns, 21 ns; 正向跨导 - 最小值:103 S, 132 S; 商标:Texas Instruments; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:CSD86350Q5D; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:13 W; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:10.7 nC, 25 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:0.9 V; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Vds-漏源极击穿电压:25 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:E; 制造商:Texas Instruments; MOSFET 25V, Nch synchronous buck NexFET MOSFET , SON5x6 PowerBlock, 40A 8-LSON-CLIP -55 to 150
CSD18511KCS 分立半导体 CSD18511KCS Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:8 ns; 典型关闭延迟时间:17 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:3 ns; 正向跨导 - 最小值:249 S; 商标:Texas Instruments; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:CSD18511KCS; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:188 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:64 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:3.2 mOhms; Id-连续漏极电流:194 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Texas Instruments; MOSFET 40V, N ch NexFET MOSFETG , single TO-220, 2.6mOhm 3-TO-220 -55 to 175
CSD22206WT 分立半导体 CSD22206WT Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:37 ns; 典型关闭延迟时间:118 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 上升时间:17 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:45 ns; 正向跨导 - 最小值:20 S; 商标:Texas Instruments; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:CSD22206W; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.7 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:14.6 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:700 mV; Vgs - 栅极-源极电压:6 V; Rds On-漏源导通电阻:9.1 mOhms; Id-连续漏极电流:- 2 A; Vds-漏源极击穿电压:8 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:DSBGA-9; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD88599Q5DCT 分立半导体 CSD88599Q5DCT Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:9 ns; 典型关闭延迟时间:23 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 上升时间:20 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:3 ns; 商标:Texas Instruments; 系列:CSD88599Q5DC; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:12 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:43 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.7 mOhms; Id-连续漏极电流:40 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:VSON-CLIP-22; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD18510KTT 分立半导体 CSD18510KTT Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:29 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:500; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:8 ns; 正向跨导 - 最小值:330 S; 商标:Texas Instruments; 宽度:10.26 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:CSD18510KTT; 长度:9.25 mm; 高度:19.7 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:250 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:153 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:2 mOhms; Id-连续漏极电流:200 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD18543Q3A 分立半导体 CSD18543Q3A Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:9 ns; 典型关闭延迟时间:8 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:18 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:4 ns; 正向跨导 - 最小值:40 S; 商标:Texas Instruments; 宽度:3 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:CSD18543Q3A; 长度:3.15 mm; 高度:0.9 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:66 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:11.1 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:12 mOhms; Id-连续漏极电流:12 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:VSONP-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD18514Q5A 分立半导体 CSD18514Q5A Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:13 ns; 典型关闭延迟时间:14 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:22 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 正向跨导 - 最小值:59 S; 商标:Texas Instruments; 宽度:4.9 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:CSD18514Q5A; 长度:6 mm; 高度:1 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:74 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:38 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:6 mOhms; Id-连续漏极电流:100 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:VSONP-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD19538Q2T 分立半导体 CSD19538Q2T Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:5 ns; 典型关闭延迟时间:7 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 上升时间:3 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:2 ns; 商标:Texas Instruments; 宽度:2 mm; 系列:CSD19538Q2; 长度:2 mm; 高度:0.75 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2.5 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:4.3 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:59 mOhms; Id-连续漏极电流:14.4 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:WSON-FET-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; MOSFET 100V, 49mOhm NexFET Power MOSFET
CSD25501F3 分立半导体 CSD25501F3 Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:474 ns; 典型关闭延迟时间:1154 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:428 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:945 ns; 正向跨导 - 最小值:3.4 S; 商标:Texas Instruments; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:CSD25501F3; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:1.02 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.05 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:260 mOhms; Id-连续漏极电流:- 3.6 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:PICOSTAR-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD25501F3T 分立半导体 CSD25501F3T Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:474 ns; 典型关闭延迟时间:1154 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 上升时间:428 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:945 ns; 正向跨导 - 最小值:3.4 S; 商标:Texas Instruments; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:CSD25501F3; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:1.02 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.05 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:260 mOhms; Id-连续漏极电流:- 3.6 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:PICOSTAR-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; MOSFET -20V, P ch NexFET MOSFETG , single LGA 0.6x0.7, 76mOhm 3-PICOSTAR -55 to 150
CSD18513Q5AT 分立半导体 CSD18513Q5AT Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:6 ns; 典型关闭延迟时间:21 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 上升时间:12 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:4 ns; 正向跨导 - 最小值:89 S; 商标:Texas Instruments; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:CSD18513Q5A; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:96 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:59 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:4.1 mOhms; Id-连续漏极电流:100 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:VSONP-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Texas Instruments; MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET
CSD88584Q5DCT 分立半导体 CSD88584Q5DCT Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:11 ns; 典型关闭延迟时间:53 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 上升时间:24 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:17 ns; 正向跨导 - 最小值:149 S; 商标:Texas Instruments; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:CSD88584Q5DC; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:12 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:137 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:680 uOhms; Id-连续漏极电流:50 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:VSON-CLIP-22; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD86356Q5D 分立半导体 CSD86356Q5D Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:7 ns; 典型关闭延迟时间:12 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:26 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:3 ns; 正向跨导 - 最小值:70 S; 商标:Texas Instruments; 晶体管类型:PowerBlock; 系列:CSD86356Q5D; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:12 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:7.9 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:950 mV; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:4.5 mOhms; Id-连续漏极电流:40 A; Vds-漏源极击穿电压:25 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SON-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD86336Q3D 分立半导体 CSD86336Q3D Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:5 ns; 典型关闭延迟时间:7 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:10 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:2 ns; 正向跨导 - 最小值:40 S; 商标:Texas Instruments; 晶体管类型:Power MOSFET; 系列:CSD86336Q3D; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:6 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:3.8 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:9.1 mOhms; Id-连续漏极电流:20 A; Vds-漏源极击穿电压:25 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:VSON-CLIP-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD17585F5 分立半导体 CSD17585F5 Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:4 ns; 典型关闭延迟时间:31 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:4 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 正向跨导 - 最小值:7 S; 商标:Texas Instruments; 宽度:0.77 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:CSD17585F5; 长度:1.53 mm; 高度:0.35 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.4 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:5.1 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:900 mV; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:27 mOhms; Id-连续漏极电流:5.9 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PICOSTAR-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD19538Q2 分立半导体 CSD19538Q2 Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:5 ns; 典型关闭延迟时间:7 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:3 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:2 ns; 正向跨导 - 最小值:19 S; 商标:Texas Instruments; 宽度:2 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:CSD19538Q2; 长度:2 mm; 高度:0.75 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:20.2 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:5.6 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.8 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:59 mOhms; Id-连续漏极电流:50 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:WSON-FET-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD22206W 分立半导体 CSD22206W Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:37 ns; 典型关闭延迟时间:118 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:17 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:45 ns; 正向跨导 - 最小值:20 S; 商标:Texas Instruments; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:CSD22206W; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.7 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:14.6 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.05 V; Vgs - 栅极-源极电压:6 V; Rds On-漏源导通电阻:9.1 mOhms; Id-连续漏极电流:- 5 A; Vds-漏源极击穿电压:8 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:DSBGA-9; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD18543Q3AT 分立半导体 CSD18543Q3AT Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:9 ns; 典型关闭延迟时间:8 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 上升时间:18 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:4 ns; 正向跨导 - 最小值:40 S; 商标:Texas Instruments; 宽度:3 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:CSD18543Q3A; 长度:3.15 mm; 高度:0.9 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:66 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:11.1 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:12 mOhms; Id-连续漏极电流:12 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:VSONP-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD88599Q5DC 分立半导体 CSD88599Q5DC Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:9 ns; 典型关闭延迟时间:23 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:20 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:3 ns; 商标:Texas Instruments; 系列:CSD88599Q5DC; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:12 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:43 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.7 mOhms; Id-连续漏极电流:40 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:VSON-CLIP-22; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD18510Q5B 分立半导体 CSD18510Q5B Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:8 ns; 典型关闭延迟时间:44 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:17 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:15 ns; 正向跨导 - 最小值:147 S; 商标:Texas Instruments; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:CSD18510Q5B; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:156 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:153 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.2 mOhms; Id-连续漏极电流:200 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:VSON-CLIP-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD17318Q2 分立半导体 CSD17318Q2 Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:5 ns; 典型关闭延迟时间:13 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:16 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:4 ns; 正向跨导 - 最小值:42 S; 商标:Texas Instruments; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:CSD17318Q2; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:16 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:6 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:16.9 mOhms; Id-连续漏极电流:25 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:WSON-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD88584Q5DC 分立半导体 CSD88584Q5DC Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:11 ns; 典型关闭延迟时间:53 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:24 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:17 ns; 正向跨导 - 最小值:149 S; 商标:Texas Instruments; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:CSD88584Q5DC; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:12 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:137 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:680 uOhms; Id-连续漏极电流:50 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:VSON-CLIP-22; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD13385F5 分立半导体 CSD13385F5 Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:7 ns; 典型关闭延迟时间:33 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:10 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:11.3 S; 商标:Texas Instruments; 宽度:0.77 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:CSD13385F5; 长度:1.53 mm; 高度:0.35 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.4 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:19 mOhms; Id-连续漏极电流:7.1 A; Vds-漏源极击穿电压:12 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PICOSTAR-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD18511Q5A 分立半导体 CSD18511Q5A Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:6 ns; 典型关闭延迟时间:24 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:15 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 正向跨导 - 最小值:5.2 S; 商标:Texas Instruments; 宽度:4.9 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:CSD18511Q5A; 长度:6 mm; 高度:1 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:104 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:82 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:2.7 mOhms; Id-连续漏极电流:100 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:VSONP-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD87313DMS 分立半导体 CSD87313DMS Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:9 ns, 9 ns; 典型关闭延迟时间:41 ns, 41 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:27 ns, 27 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns, 13 ns; 正向跨导 - 最小值:149 S, 149 S; 商标:Texas Instruments; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:CSD87313DMS; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:NexFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2.7 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:28 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:5.5 mOhms; Id-连续漏极电流:17 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
CSD13380F3T 分立半导体 CSD13380F3T Texas Instruments 分立半导体 典型接通延迟时间:4 ns; 典型关闭延迟时间:11 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 上升时间:4 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:3 ns; 正向跨导 - 最小值:4.3 S; 商标:Texas Instruments; 宽度:0.64 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:CSD13380F3; 长度:0.73 mm; 高度:0.35 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.4 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:1.2 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:550 mV; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:76 mOhms; Id-连续漏极电流:3.6 A; Vds-漏源极击穿电压:12 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PICOSTAR-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; MOSFET
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