| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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SSM2212CPZ-R7 |
Analog Devices Inc. |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:1500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 湿度敏感性:Yes; 直流集电极/Base Gain hfe Min:300 at 1 mA, 15 V, 300 at 1 mA, 15 V; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:2400 at 1 mA, 15 V, 2400 at 1 mA, 15 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SSM2212; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 增益带宽产品fT:200 MHz; 最大直流电集电极电流:20 mA; 集电极—射极饱和电压:50 mV; 集电极—基极电压 VCBO:40 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V; 配置:Dual; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:LFCSP-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Low Noise,Matched Dual NPN Transistor |
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MAT12AHZ |
Analog Devices Inc. |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:100; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:200; 集电极连续电流:20 mA; 商标:Analog Devices; 宽度:9.4 mm; 技术:Si; 长度:9.4 mm; 高度:4.7 mm; 直流电流增益 hFE 最大值:605; 封装:Bulk; 系列:MAT12; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 增益带宽产品fT:200 MHz; 最大直流电集电极电流:20 mA; 集电极—射极饱和电压:0.05 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:40 V; 集电极—基极电压 VCBO:40 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V; 配置:Dual; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:TO-78-6; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Low Noise,Matched Dual Transistor |
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MAT01GHZ |
Analog Devices Inc. |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:100; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:250; 集电极连续电流:25 mA; 商标:Analog Devices; 宽度:9.4 mm; 技术:Si; 长度:9.4 mm; 高度:4.7 mm; 直流电流增益 hFE 最大值:610; 封装:Bulk; 系列:MAT01; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:450 MHz; Pd-功率耗散:500 mW; 最大直流电集电极电流:25 mA; 集电极—射极饱和电压:0.12 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:45 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:45 V; 配置:Dual; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:TO-78-6; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MATCHED MONOLITHIC DUAL N |
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SSM2212RZ-R7 |
Analog Devices Inc. |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:1000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:300 at 1 mA, 200 at 10 uA; 商标:Analog Devices; 宽度:4 mm; 技术:Si; 长度:5 mm; 高度:1.5 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SSM2212; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大直流电集电极电流:0.02 A; 集电极—基极电压 VCBO:40 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V; 配置:Dual; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOIC-8; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Low Noise,Matched Dual NPN Transistor |
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SSM2212RZ |
Analog Devices Inc. |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:98; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 at 10 uA, 15 V; 商标:Analog Devices; 宽度:4 mm; 技术:Si; 长度:5 mm; 高度:1.5 mm; 封装:Tube; 系列:SSM2212; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 增益带宽产品fT:200 MHz; 最大直流电集电极电流:20 mA; 集电极—射极饱和电压:200 mV; 集电极—基极电压 VCBO:40 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V; 配置:Dual; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Low Noise,Matched Dual NPN Transistor |
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MAT01AHZ |
Analog Devices Inc. |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:100; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:500; 集电极连续电流:25 mA; 商标:Analog Devices; 宽度:9.4 mm; 技术:Si; 长度:9.4 mm; 高度:4.7 mm; 直流电流增益 hFE 最大值:840; 封装:Bulk; 系列:MAT01; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:450 MHz; Pd-功率耗散:500 mW; 最大直流电集电极电流:25 mA; 集电极—射极饱和电压:0.12 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:45 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:45 V; 配置:Dual; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:TO-78-6; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MATCHED MONOLITHIC DUAL N |
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LT8311IFE#PBF |
Analog Devices Inc. |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:74; 产品类型:Rectifiers; 商标:Analog Devices / Linear Technology; 产品:Rectifiers; 工作温度范围:- 40 C to + 125 C; 高度:1.2 mm; 封装:Tube; 系列:LT8311; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 配置:Single; 类型:Standard Recovery Rectifiers; 封装 / 箱体:TSSOP-20; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
整流器 Preactive Secondary Synchronous and Opto Control for Forward Converters |
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MAT14ARZ |
Analog Devices Inc. |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:56; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 at 1 mA; 商标:Analog Devices; 宽度:4 mm; 技术:Si; 长度:8.75 mm; 高度:1.5 mm; 封装:Tube; 系列:MAT14; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 增益带宽产品fT:300 MHz; 最大直流电集电极电流:30 mA; 集电极—射极饱和电压:60 mV; 集电极—基极电压 VCBO:40 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V; 配置:Quad; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOIC-14; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Matched Monolithic Quad Transistor |
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MAT14ARZ-R7 |
Analog Devices Inc. |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:1000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:300 at 1 mA, 200 at 1 mA; 商标:Analog Devices; 宽度:4 mm; 技术:Si; 长度:8.75 mm; 高度:1.5 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MAT14; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 最大直流电集电极电流:0.03 A; 集电极—基极电压 VCBO:40 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V; 配置:Quad; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOIC-14; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Matched Monolithic Quad Transistor |
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MAT01GH |
Analog Devices Inc. |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:100; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:250 at 10 uA, 15 V; 商标:Analog Devices; 宽度:9.4 mm; 技术:Si; 长度:9.4 mm; 高度:4.7 mm; 封装:Bulk; 系列:MAT01; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:450 MHz; Pd-功率耗散:500 mW; 最大直流电集电极电流:25 mA; 集电极—射极饱和电压:800 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:45 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:45 V; 配置:Dual; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:TO-78-6; RoHS:N; 制造商:Analog Devices Inc.; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MATCHED MONOLITHIC DUAL N |
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MAT01AH |
Analog Devices Inc. |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:100; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:500 at 10 uA, 15 V; 商标:Analog Devices; 宽度:9.4 mm; 技术:Si; 长度:9.4 mm; 高度:4.7 mm; 封装:Bulk; 系列:MAT01; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:500 mW; 最大直流电集电极电流:0.025 A; 集电极—发射极最大电压 VCEO:45 V; 配置:Dual; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:TO-78-6; RoHS:N; 制造商:Analog Devices Inc.; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MATCHED MONOLITHIC DUAL N |
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LT8311HFE#PBF |
Analog Devices Inc. |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:74; 产品类型:Rectifiers; 商标:Analog Devices / Linear Technology; 产品:Rectifiers; 高度:1.2 mm; 封装:Tube; 系列:LT8311; 封装 / 箱体:TSSOP-20; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
整流器 Preactive Secondary Synchronous and Opto Control for Forward Converters |
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LT8311EFE#PBF |
Analog Devices Inc. |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:74; 产品类型:Rectifiers; 商标:Analog Devices / Linear Technology; 产品:Rectifiers; 高度:1.2 mm; 封装:Tube; 系列:LT8311; 封装 / 箱体:TSSOP-20; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
整流器 Preactive Secondary Synchronous and Opto Control for Forward Converters |
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SSM2212RZ-RL |
Analog Devices Inc. |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:2500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:300 at 1 mA, 200 at 10 uA; 商标:Analog Devices; 宽度:4 mm; 技术:Si; 长度:5 mm; 高度:1.5 mm; 封装:Reel; 系列:SSM2212; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大直流电集电极电流:0.02 A; 集电极—基极电压 VCBO:40 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V; 配置:Dual; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOIC-8; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Low Noise,Matched Dual NPN Transistor |
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SSM2212CPZ-RL |
Analog Devices Inc. |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:5000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 封装:Reel; 系列:SSM2212; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Low Noise,Matched Dual NPN Transistor |
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MAT14ARZ-RL |
Analog Devices Inc. |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:2500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:300 at 1 mA, 200 at 1 mA; 商标:Analog Devices; 宽度:4 mm; 技术:Si; 长度:8.75 mm; 高度:1.5 mm; 封装:Reel; 系列:MAT14; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 最大直流电集电极电流:0.03 A; 集电极—基极电压 VCBO:40 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V; 配置:Quad; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOIC-14; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Matched Monolithic Quad Transistor |
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LT8311MPFE#PBF |
Analog Devices Inc. |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:74; 产品类型:Rectifiers; 商标:Analog Devices / Linear Technology; 产品:Rectifiers; 高度:1.2 mm; 封装:Tube; 系列:LT8311; 封装 / 箱体:TSSOP-20; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
整流器 Preactive Secondary Synchronous and Opto Control for Forward Converters |
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LT8311EFE#TRPBF |
Analog Devices Inc. |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Rectifiers; 商标:Analog Devices / Linear Technology; 产品:Rectifiers; 高度:1.2 mm; 封装:Reel; 系列:LT8311; 封装 / 箱体:TSSOP-20; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
整流器 Preactive Secondary Synchronous and Opto Control for Forward Converters |
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LT8311IFE#TRPBF |
Analog Devices Inc. |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Rectifiers; 商标:Analog Devices / Linear Technology; 产品:Rectifiers; 高度:1.2 mm; 封装:Reel; 系列:LT8311; 封装 / 箱体:TSSOP-20; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
整流器 Preactive Secondary Synchronous and Opto Control for Forward Converters |
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LT8311HFE#TRPBF |
Analog Devices Inc. |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Rectifiers; 商标:Analog Devices / Linear Technology; 产品:Rectifiers; 高度:1.2 mm; 封装:Reel; 系列:LT8311; 封装 / 箱体:TSSOP-20; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
整流器 Preactive Secondary Synchronous and Opto Control for Forward Converters |
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LT8311MPFE#TRPBF |
Analog Devices Inc. |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Rectifiers; 商标:Analog Devices / Linear Technology; 产品:Rectifiers; 高度:1.2 mm; 封装:Reel; 系列:LT8311; 封装 / 箱体:TSSOP-20; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
整流器 Preactive Secondary Synchronous and Opto Control for Forward Converters |
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