| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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AS4C256M16D3LB-10BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 系列:AS4C256M16D3LB-10; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:80 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.575 V; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 4G, DDR3, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 1866MHZ, INDUSTRIAL TEMP |
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THGAMRG8T13BAIL |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Kioxia America; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-153; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 配置:SLC; 存储容量:32 GB; 系列:THGAM; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
eMMC 32GB eMMC 5.1 3D BiCS -25C to 85C |
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AS4C256M16D3LB-10BCN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 系列:AS4C256M16D3LB-10; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:80 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.575 V; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 4G, DDR3, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 1866MHZ, COMMERCIAL TEMP |
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AS4C16M32SC-7TIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:108; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C16M32SC; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 最大时钟频率:143 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:16 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:TSOP-86; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 512Mb 16Mx32 3.3V 143MHz S动态随机存取存储器 I-Temp |
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24FC04T-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:24FC04; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 4Kb I2C 电可擦除可编程只读存储器, 1MHz 1.7-5.5V, 8-SOIC |
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24CW640T-I/MUY |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:24CW640; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.6-5.5V, 1MHz, Ind Tmp, 8-UDFN |
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IS43TR16128DL-125KBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43TR16128DL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1600MT/s 1.35V DDR3L |
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IS43TR16256BL-107MBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR16256BL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:308 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 4G, 1.35V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS |
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NV25020DWHFT3G |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:SPI; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 2KB SPI SER CMOS EE PROM S |
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NV25040DWHFT3G |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:SPI; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 4KB SPI SER CMOS EE PROM S |
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SST25WF080B-40E/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 速度:40 MHz; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:1 M x 8; 最大时钟频率:40 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:15 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:8 Mbit; 系列:SST25WF; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 1.8V, 8Mbit SPI Flash |
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SST26VF032BEUI-104I/SM |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:NOR Flash; 商标:Microchip Technology; 封装:Tube; 接口类型:SPI, SQI; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 32Mb 2.3V TO 3.6V SQI Flash Memory w/EUI |
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24CW160T-I/MUY |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:24CW160; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.6-5.5V, 1MHz, Ind Tmp, 8-UDFN |
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NV25010DWHFT3G |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:SPI; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 1KB SPI SER CMOS EE PROM |
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IS43TR16128DL-107MBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43TR16128DL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L |
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24CW320T-I/MUY |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:24CW320; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial; 组织:4 k x 8; 存储容量:32 kbit; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.6-5.5V, 1MHz, Ind Tmp, 8-UDFN |
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AS1C512K16PL-70BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:364; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS1C512K16PL-70; 存储类型:SRAM; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FPBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:70 ns; 组织:512 k x 16; 存储容量:8 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 8M 512Kx16 1.8V LP Pseudo 静态随机存取存储器 IT |
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AS1C1M16PL-70BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:364; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS1C1M16PL-70; 存储类型:SRAM; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FPBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:70 ns; 组织:1 M x 16; 存储容量:16 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 16M 1Mx16 1.8V LP Pseudo 静态随机存取存储器 IT |
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AS4C64M8SC-7TIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:108; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C64M8SC; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 最大时钟频率:143 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:64 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 512Mb 64Mx8 3.3V 143MHz S动态随机存取存储器 I-Temp |
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24FC02T-E/OT |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:24FC02; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:SOT-23-5; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2Kb I2C 电可擦除可编程只读存储器, 1MHz 1.7-5.5V, 5-SOT23 |
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SST25PF040C-40E/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Tube; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 2.3V TO 3.6V 4Mbit SPI FLASH, 125C Industrial |
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BR24T16-WZ |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:50; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:I2C; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:DIP-8K; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 SERIAL 电可擦除可编程只读存储器 SERIES |
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S25FS128SAGNFV100 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:490; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:S25FS128S; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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AS1C512K16P-70BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:364; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS1C512K16P-70; 存储类型:SRAM; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FPBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最小:2.6 V; 电源电压-最大:3.3 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:70 ns; 组织:512 k x 16; 存储容量:8 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 8M 512Kx16 3V 70ns Pseudo 静态随机存取存储器 IT |
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24FC04-E/P |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 商标:Microchip Technology; 封装:Tube; 系列:24FC04; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 4Kb I2C 电可擦除可编程只读存储器, 1MHz 1.7-5.5V, 8-PDIP |
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AS1C1M16P-70BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:364; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS1C1M16P-70; 存储类型:SRAM; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FPBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最小:2.6 V; 电源电压-最大:3.3 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:70 ns; 组织:1 M x 16; 存储容量:16 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 16M 1Mx16 3V 70ns Pseudo 静态随机存取存储器 IT |
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IS43TR16128D-107MBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43TR16128D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3 I-Temp |
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SST25PF040C-40E/MF |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:98; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Tube; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 2.3V TO 3.6V 4Mbit SPI FLASH, 125C Industrial |
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SST26VF016B-80E/MF |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:98; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Tube; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 16Mbit SPI/SQI flash, 125C Industrial, 2.3V-3.6V |
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48LM01T-I/SM |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2100; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 类型:Serial EERAM; 系列:48LM01; 存储类型:SRAM; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOIJ-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:5 mA; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:SPI; 最大时钟频率:66 MHz; 组织:131 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
静态随机存取存储器 Serial 静态随机存取存储器 with Nonvolatile bits, 1M bit SPI |
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S25HL512TDPBHI010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:SEMPER; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:Quad SPI; 电源电流—最大值:53 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 封装 / 箱体:BGA-24; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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48L256T-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 类型:Serial EERAM; 存储类型:SRAM; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:5 mA; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:SPI; 最大时钟频率:66 MHz; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
静态随机存取存储器 Serial 静态随机存取存储器 with Nonvolatile bits, 256K bit SPI |
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S25HS512TDPBHI010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:SEMPER; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:Quad SPI; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:512 Mbit; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S25HS512TDPMHI010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:SEMPER; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:Quad SPI; 电源电流—最大值:53 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:512 Mbit; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S25HL512TFABHI010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:SEMPER; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:Quad SPI; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S25HS512TFABHI010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:SEMPER; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:Quad SPI; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:512 Mbit; 封装 / 箱体:BGA-24; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S25HL512TFAMHI010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:SEMPER; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:Quad SPI; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S26HL512TFPBHI010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:SEMPER; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大时钟频率:166 MHz; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 封装 / 箱体:BGA-24; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S28HL512TFPBHI010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:SEMPER; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:166 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:75 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 封装 / 箱体:BGA-24; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S26HL512TFPBHI000 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:SEMPER; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:75 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 封装 / 箱体:BGA-24; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S28HS512TGABHI010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:SEMPER; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:200 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:200 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:156 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:512 Mbit; 封装 / 箱体:BGA-24; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S26HS512TGABHI010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:SEMPER; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大时钟频率:166 MHz; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:512 Mbit; 封装 / 箱体:BGA-24; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S26HS512TGABHI000 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:SEMPER; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大时钟频率:166 MHz; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:512 Mbit; 封装 / 箱体:BGA-24; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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AT24C01C-XPD-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 系列:AT24C01C; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 400kHz, Auto Temp, 8-TSSOP |
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M24128-BFMN6TP |
STMicroelectronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:M24128-BF; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:2.5 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:40 Year; 访问时间:450 ns; 接口类型:I2C; 组织:16 k x 8; 存储容量:125 kbit; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
电可擦除可编程只读存储器 MEMORY |
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CAT93C46BYI-GT3 |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 uA; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:4000 kHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial; 组织:128 x 8, 64 x 16; 存储容量:1 kB; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 1KB MICROWIRE SER 电可擦除可编程只读存储器 |
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CAT93C46BVI-GT3 |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 uA; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:4000 kHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial; 组织:128 x 8, 64 x 16; 存储容量:1 kB; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 1KB MICROWIRE SER 电可擦除可编程只读存储器 |
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W25X10CLSNIGS |
Winbond |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 封装:Tray; 制造商:Winbond; |
NOR闪存 |
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W25Q16JWSNIM TR |
Winbond |
存储器 IC |
商标名:spiflash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:NOR Flash; 商标:Winbond; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:2 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:18 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:W25Q16JW; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Winbond; |
NOR闪存 spiFlash, 1.8V, 16M-bit, 4Kb Uniform Sector |
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W25Q16JWZPIQ |
Winbond |
存储器 IC |
商标名:spiflash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:570; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:2 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:18 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:W25Q16JW; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Winbond; |
NOR闪存 spiFlash, 1.8V, 16M-bit, 4Kb Uniform Sector |
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