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分立半导体
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器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
STPS340AFN 分立半导体 STPS340AFN STMicroelectronics 分立半导体 Vr - 反向电压 :100 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:1900 W; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS340; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :16 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:80 A; Vf - 正向电压:0.52 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:TO-247-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
DAN202KFHT146 分立半导体 DAN202KFHT146 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; Pd-功率耗散:200 mW; 最大二极管电容:3.5 pF; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :100 nA; Vf - 正向电压:1.2 V; 恢复时间:4 ns; 配置:Common Cathode; If - 正向电流:100 mA; 最大浪涌电流:4 A; 峰值反向电压:80 V; 封装 / 箱体:SOT-346-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 二极管 - 通用，功率，开关 SWITCHING DIODE
V3PM10-M3/H 分立半导体 V3PM10-M3/H Vishay 分立半导体 商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:V3PM10; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:80 A; Vf - 正向电压:750 mV; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:DO-220AA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 100V 3A TMBS SMP (DO-220AA)
FMMT459QTA 分立半导体 FMMT459QTA Diodes Incorporated 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:50 at 30 mA, 10 V; 集电极连续电流:150 mA; 商标:Diodes Incorporated; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:120 at 30 mA, 10 V; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:50 MHz; Pd-功率耗散:625 mW; 最大直流电集电极电流:500 mA; 集电极—射极饱和电压:70 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:7 V; 集电极—基极电压 VCBO:500 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:450 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Diodes Incorporated; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Hi Voltage Trans
NTTFS010N10MCLTAG 分立半导体 NTTFS010N10MCLTAG ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:9 ns; 典型关闭延迟时间:28 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:3 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 正向跨导 - 最小值:54 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:52 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:22 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:10.6 mOhms; Id-连续漏极电流:50 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:WDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET PTNG 100V LL IN
FFSB0665B-F085 分立半导体 FFSB0665B-F085 ON Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:61 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:45 A; Vf - 正向电压:1.38 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:6 A; 封装 / 箱体:D2PAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 650V 6A SIC SBD GEN1.5
IXYX50N170C 分立半导体 IXYX50N170C IXYS 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:30; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:100 nA; 商标:IXYS; 集电极最大连续电流 Ic:50 A; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:1500 W; 在25 C的连续集电极电流:178 A; 栅极/发射极最大电压:5 V; 集电极—射极饱和电压:3.7 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247-3; RoHS:Y; 制造商:IXYS; IGBT 晶体管
BZX584C36-G3-08 分立半导体 BZX584C36-G3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.05 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:2 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:80 Ohms; 齐纳电流:0.05 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:36 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 36V Small Signal
BZX584C3V6-G3-08 分立半导体 BZX584C3V6-G3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:375 Ohms; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:3.6 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 3.6V Small Signal
VS-1EQH01-M3/H 分立半导体 VS-1EQH01-M3/H Vishay 分立半导体 商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:4500; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:VS-1EQH0x-M3; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 恢复时间:33 ns; Ir - 反向电流 :1 uA; 最大浪涌电流:30 A; Vf - 正向电压:970 mV; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:1 A; Vr - 反向电压 :100 V; 封装 / 箱体:DO-219AD; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 整流器 100V 1A Fred Pt MicroSMP (DO-219AD)
BCX51TF 分立半导体 BCX51TF Nexperia 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:4000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:63 at - 5 mA, - 2 V; 集电极连续电流:- 1 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:250 at - 150 mA, -2 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:500 mW; 最大直流电集电极电流:- 2 A; 集电极—射极饱和电压:- 500 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 45 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 45 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SC-62-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS
KDZLVTR82 分立半导体 KDZLVTR82 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.6 mm; 长度:2.6 mm; 高度:0.8 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:2 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:220 Ohms; 齐纳电流:5 uA; Pd-功率耗散:500 mW; 封装 / 箱体:SOD-123FL-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:82 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 稳压二极管 ZENER DIODE FOR VOLTAGE REG
BCX52-10TF 分立半导体 BCX52-10TF Nexperia 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:4000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:63 at - 5 mA, - 2 V; 集电极连续电流:- 1 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:160 at - 150 mA, -2 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:500 mW; 最大直流电集电极电流:- 2 A; 集电极—射极饱和电压:- 500 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 60 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SC-62-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS
STPS1H100AFN 分立半导体 STPS1H100AFN STMicroelectronics 分立半导体 Vr - 反向电压 :100 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS1H100; 最大工作温度:+ 175 C; Ir - 反向电流 :4 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.62 V; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:SMA -2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
EMZ1FHAT2R 分立半导体 EMZ1FHAT2R ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:8000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:120; 集电极连续电流:- 150 mA, 150 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:560; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:140 MHz, 180 MHz; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极—射极饱和电压:- 500 V, 400 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V, 7 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 60 V, 60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V, 50 V; 配置:Dual; 晶体管极性:NPN, PNP; 封装 / 箱体:SOT-563-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP+NPN AMPLIFICATION TRANSIST
STPS140AFN 分立半导体 STPS140AFN STMicroelectronics 分立半导体 Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:65 W; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS140; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :12 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:1 A; Vf - 正向电压:0.43 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:SMA-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
STPS1L60AFN 分立半导体 STPS1L60AFN STMicroelectronics 分立半导体 Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:85 W; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS1L60; 最大工作温度:+ 175 C; Ir - 反向电流 :50 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:60 A; Vf - 正向电压:0.5 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:SMA Flat Notch-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
IDK10G120C5XTMA1 分立半导体 IDK10G120C5XTMA1 Infineon 分立半导体 商标名:CoolSiC; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:IDK10G120C5; RoHS:Y; 制造商:Infineon; 肖特基二极管与整流器 SIC DISCRETE
IXFH56N30X3 分立半导体 IXFH56N30X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:21 ns; 典型关闭延迟时间:64 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:26 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:26 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:HiPerFET; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:320 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:56 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:27 mOhms; Id-连续漏极电流:56 A; Vds-漏源极击穿电压:300 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
IXFK150N30X3 分立半导体 IXFK150N30X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:40 ns; 典型关闭延迟时间:187 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 上升时间:32 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:14 ns; 正向跨导 - 最小值:70 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:890 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:254 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:8.3 mOhms; Id-连续漏极电流:150 A; Vds-漏源极击穿电压:300 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-264-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
IXTX120N65X2 分立半导体 IXTX120N65X2 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:32 ns; 典型关闭延迟时间:87 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:24 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 商标:IXYS; 类型:X2-Class; 产品:Power MOSFET Modules; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1250 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:230 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:23 mOhms; Id-连续漏极电流:120 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRAJNCTN X2CLASS
IXTK120N65X2 分立半导体 IXTK120N65X2 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:32 ns; 典型关闭延迟时间:87 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 上升时间:24 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 商标:IXYS; 类型:X2-Class; 产品:Power MOSFET Modules; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1250 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:230 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:23 mOhms; Id-连续漏极电流:120 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRAJNCTN X2CLASS
IXTH04N300P3HV 分立半导体 IXTH04N300P3HV IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:35 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:20 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:26 ns; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:104 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:13 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:190 Ohms; Id-连续漏极电流:400 mA; Vds-漏源极击穿电压:3 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISC MOSFET N-CH STD-POLAR3
RN2701,LF 分立半导体 RN2701,LF Toshiba 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 10 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:30; 封装 / 箱体:USV-5; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; 双极晶体管 - 预偏置 PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
BZX584C6V2-G3-08 分立半导体 BZX584C6V2-G3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :3 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:40 Ohms; 齐纳电流:3 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:6.2 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 6.2V Small Signal
BZX584C8V2-G3-08 分立半导体 BZX584C8V2-G3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.7 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:40 Ohms; 齐纳电流:0.7 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:8.2 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 8.2V Small Signal
BZX584C5V6-G3-08 分立半导体 BZX584C5V6-G3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :1 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:80 Ohms; 齐纳电流:1 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:5.6 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 5.6V Small Signal
DAP202KFHT146 分立半导体 DAP202KFHT146 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; Pd-功率耗散:200 mW; 最大二极管电容:3.5 pF; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :100 nA; Vf - 正向电压:1.2 V; 恢复时间:4 ns; 配置:Common Anode; If - 正向电流:100 mA; 最大浪涌电流:4 A; 峰值反向电压:80 V; 封装 / 箱体:SOT-346-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 二极管 - 通用，功率，开关 SWITCHING DIODE
DMN2991UDA-7B 分立半导体 DMN2991UDA-7B Diodes Incorporated 分立半导体 典型接通延迟时间:5.6 ns; 典型关闭延迟时间:60.6 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10000; 上升时间:4.9 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:27.6 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:310 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:0.35 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:0.99 Ohms; Id-连续漏极电流:0.45 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:X2-DFN0806-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0806-6 T&R 10K
UMD25NTR 分立半导体 UMD25NTR ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:100 mV, -100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极连续电流:- 100 mA, 100 mA; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:21; 典型输入电阻器:2.2 kOhms; 晶体管极性:NPN, PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 预偏置 DTA123J/DTC123J INUMT PKG
1SS390SMFHT2R 分立半导体 1SS390SMFHT2R ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; 最大二极管电容:1.2 pF; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :10 nA; Vf - 正向电压:1 V; 配置:Single; If - 正向电流:10 mA; 最大浪涌电流:-; 峰值反向电压:35 V; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 二极管 - 通用，功率，开关 Band Switching Diode EMD2
PMV48XPA2R 分立半导体 PMV48XPA2R Nexperia 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:Nexperia; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; MOSFET PMV48XPA2/SOT23/TO-236AB
SQD50034EL_GE3 分立半导体 SQD50034EL_GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:33 ns; 子类别:MOSFETs; 上升时间:7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7 ns; 商标:Vishay / Siliconix; 配置:Single; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:107 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:60 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:3.3 mOhms; Id-连续漏极电流:100 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; MOSFET Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175C MOSFET
FFSB0865B 分立半导体 FFSB0865B ON Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:73 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:56 A; Vf - 正向电压:1.39 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:8 A; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 650V 8A SIC SBD GEN1.5
IXYA20N120A4HV 分立半导体 IXYA20N120A4HV IXYS 分立半导体 商标名:XPT; 子类别:IGBTs; 标准包装数量:50; 产品类型:IGBT Transistors; 商标:IXYS; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:375 W; 配置:Single; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:TO-263HV-3; RoHS:Y; 制造商:IXYS; IGBT 晶体管 DISC IGBT XPT-GENX4
IXFX240N25X3 分立半导体 IXFX240N25X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:36 ns; 典型关闭延迟时间:180 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:32 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:14 ns; 正向跨导 - 最小值:80 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1250 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:345 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:5 mOhms; Id-连续漏极电流:240 A; Vds-漏源极击穿电压:250 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PLUS-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
SDM02L30CP3-7 分立半导体 SDM02L30CP3-7 Diodes Incorporated 分立半导体 Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Diodes Incorporated; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :120 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:6 A; Vf - 正向电压:0.44 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:200 mA; 封装 / 箱体:X3-WLB0603-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; 肖特基二极管与整流器 Schottky Diode X3-WLB0603-2 T&R 10K
RB511VM-40TE-17 分立半导体 RB511VM-40TE-17 ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; Ir - 反向电流 :4 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:0.5 A; Vf - 正向电压:0.41 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:10 mA; 封装 / 箱体:SOD-323-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 SBD Low VF H.Relblty UMD2
RN4903,LF(CT 分立半导体 RN4903,LF(CT Toshiba 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA, 100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 10 V, 10 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V, 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN4903; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V, 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:70; 封装 / 箱体:US-6; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:NPN, PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; 双极晶体管 - 预偏置 PNP + NPN BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
BZX584C27-G3-08 分立半导体 BZX584C27-G3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.05 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:2 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:65 Ohms; 齐纳电流:0.05 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:27 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 27V Small Signal
BZX584C11-G3-08 分立半导体 BZX584C11-G3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:50 Ohms; 齐纳电流:0.1 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:11 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 11V Small Signal
BZX584C4V3-HG3-08 分立半导体 BZX584C4V3-HG3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :3 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:410 Ohms; 齐纳电流:3 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:4.3 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 4.3V Small Signal
STPS2170AFN 分立半导体 STPS2170AFN STMicroelectronics 分立半导体 Vr - 反向电压 :170 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:165 W; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS2170; 最大工作温度:+ 175 C; Ir - 反向电流 :2.8 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:15 A; Vf - 正向电压:0.62 V; Vrrm - 重复反向电压:170 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:SMA-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
STPS3L60UFN 分立半导体 STPS3L60UFN STMicroelectronics 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS3L60; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
STPS4S200UFN 分立半导体 STPS4S200UFN STMicroelectronics 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS4S200; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
V3PM10HM3/H 分立半导体 V3PM10HM3/H Vishay 分立半导体 商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:V3PM10; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:80 A; Vf - 正向电压:750 mV; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:DO-220AA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 100V 3A TMBS SMP (DO-220AA)
BSS5130AHZGT116 分立半导体 BSS5130AHZGT116 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:270; 集电极连续电流:- 1 A; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:680; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:320 MHz; Pd-功率耗散:200 mW; 最大直流电集电极电流:- 2 A; 集电极—射极饱和电压:- 100 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 30 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANSISTOR FOR LOW FREQ AMP,
SIA483ADJ-T1-GE3 分立半导体 SIA483ADJ-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:26 ns; 典型关闭延迟时间:24 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:95 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:16 ns; 正向跨导 - 最小值:25 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:17.9 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:17 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, 16 V; Rds On-漏源导通电阻:16 mOhms; Id-连续漏极电流:- 12 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SC-70-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
RB706D-40FHT146 分立半导体 RB706D-40FHT146 ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:0.2 A; Vf - 正向电压:0.37 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:1 mA; 封装 / 箱体:SC-59-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 0.03A-IO 0.2A-IFSM DUAL MOD
PSMN6R7-40MLDX 分立半导体 PSMN6R7-40MLDX Nexperia 分立半导体 典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:14 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:21 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:22 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.15 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:6.7 mOhms; Id-连续漏极电流:50 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-1210-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; MOSFET N-CH 40 V LOGIC LEVEL IN LFPAK
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