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GeneSiC Semiconductor Adafruit Advanced Linear Devices Advanced Semiconductor, Inc. Altech Analog Devices Inc. AVX Belden Wire & Cable Bourns Central Semiconductor Comchip Technology Cree, Inc. D3 Semiconductor Diodes Incorporated GaN Systems Honeywell Infineon InterFET IXYS Kyocera Littelfuse MACOM Maxim Integrated MaxLinear MEAN WELL Micro Commercial Components (MCC) Microchip Monolithic Power Systems (MPS) Nexperia NJR NXP Omron ON Semiconductor Panasonic Parallax Power Integrations Rectron Renesas Electronics ROHM Semiconductor Semitec Semtech Sensata Shindengen Silicon Laboratories Skyworks Souriau SparkFun Electronics STMicroelectronics Taiwan Semiconductor TDK-Lambda TE Connectivity Texas Instruments THAT Corporation Torex Semiconductor Toshiba Transphorm TT Electronics UnitedSiC Vishay WeEn Semiconductors Wurth Elektronik

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型号/料号	品牌/制造商	类目	参数	说明
GB2X100MPS12-227	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:10; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:1088 W; Ifsm - 正向浪涌电流:1000 A; If - 正向电流:200 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:SiC; 配置:Dual; 封装:Tube; 系列:SiC Schottky MPS; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:SOT-227; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :1200 V; Vf - 正向电压:1.5 V; 类型:Silicon Carbide Schottky Diode Module; 产品:Schottky Diode Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	分立半导体模块 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
GB2X50MPS12-227	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:10; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:554 W; Ifsm - 正向浪涌电流:500 A; If - 正向电流:100 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:SiC; 配置:Dual; 封装:Tube; 系列:SiC Schottky MPS; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:SOT-227; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :1200 V; Vf - 正向电压:1.5 V; 类型:Silicon Carbide Schottky Diode Module; 产品:Schottky Diode Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	分立半导体模块 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
GB2X50MPS17-227	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:10; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:1154 W; Ifsm - 正向浪涌电流:540 A; If - 正向电流:100 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:SiC; 配置:Dual; 封装:Tube; 系列:SiC Schottky MPS; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:SOT-227; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :1700 V; Vf - 正向电压:1.5 V; 类型:Silicon Carbide Schottky Diode Module; 产品:Schottky Diode Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	分立半导体模块 1700V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
MBRH240100R	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:50; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Ifsm - 正向浪涌电流:3300 A; If - 正向电流:240 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 工作温度范围:- 40 C to + 175 C; 配置:Single; 封装:Bulk; 系列:MBRH240; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:Three Tower; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :100 V; Vf - 正向电压:0.84 V; 类型:Schottky Rectifier Module; 产品:Schottky Rectifier Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	分立半导体模块 100V 240A Three Tower Silicon Schottky Rectifier Module
MBRH240100	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:50; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Ifsm - 正向浪涌电流:3300 A; If - 正向电流:240 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 工作温度范围:- 40 C to + 175 C; 配置:Single; 封装:Bulk; 系列:MBRH240; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:Three Tower; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :100 V; Vf - 正向电压:0.84 V; 类型:Schottky Rectifier Module; 产品:Schottky Rectifier Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	分立半导体模块 100V 240A Three Tower Silicon Schottky Rectifier Module
KBU406	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:300; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :4:00 AM; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 产品:Bridge Rectifier; 封装:Bulk; 系列:KBU; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 峰值反向电压:600 V; If - 正向电流:4 A; 封装 / 箱体:KBU; 安装风格:Through Hole; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	桥式整流器 600V 4A KBU Silicon Bridge Rectifer
GBJ35M	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:200; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :35 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 产品:Bridge Rectifier; 封装:Bulk; 系列:GBJ; 高度:20 mm; 宽度:4.6 mm; 长度:30 mm; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 50 C; 最大浪涌电流:500 A; Vf - 正向电压:1.05 V; 峰值反向电压:1000 V; If - 正向电流:6.8 A; 封装 / 箱体:GBJ; 安装风格:Through Hole; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	桥式整流器 1000V 35A GBJ Silicon Bridge Rectifer
KBJ1510	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:250; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :15 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 产品:Bridge Rectifier; 封装:Bulk; 系列:KBJ; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 峰值反向电压:1000 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:KBJ; 安装风格:Through Hole; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	桥式整流器 1000V 15A KBJ Silicon Bridge Rectifer
GBJ25M	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:200; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :25 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 产品:Bridge Rectifier; 封装:Bulk; 系列:GBJ; 高度:20 mm; 宽度:4.6 mm; 长度:30 mm; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 50 C; 最大浪涌电流:350 A; Vf - 正向电压:1.05 V; 峰值反向电压:1000 V; If - 正向电流:4.5 A; 封装 / 箱体:GBJ; 安装风格:Through Hole; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	桥式整流器 1000V 25A GBJ Silicon Bridge Rectifer
KBJ1506	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:250; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :15 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 产品:Bridge Rectifier; 封装:Bulk; 系列:KBJ; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 峰值反向电压:600 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:KBJ; 安装风格:Through Hole; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	桥式整流器 600V 15A KBJ Silicon Bridge Rectifer
GBJ25G	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:200; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :25 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 产品:Bridge Rectifier; 封装:Bulk; 系列:GBJ; 高度:20 mm; 宽度:4.6 mm; 长度:30 mm; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 50 C; 最大浪涌电流:350 A; Vf - 正向电压:1.05 V; 峰值反向电压:400 V; If - 正向电流:4.5 A; 封装 / 箱体:GBJ; 安装风格:Through Hole; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	桥式整流器 400V 25A GBJ Silicon Bridge Rectifer
GB10MPS17-247	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	Vr - 反向电压 :1.7 kV; trr - 反向恢复时间 :10 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:30; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:190 W; 商标:GeneSiC Semiconductor; 封装:Tube; 系列:SiC Schottky MPS; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:65 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1700 V; If - 正向电流:10:00 AM; 封装 / 箱体:TO-247-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	肖特基二极管与整流器 1700V 25A SiC Power Schottky Diode
GC2X15MPS12-247	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	Vr - 反向电压 :1200 V; trr - 反向恢复时间 :10 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:30; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:1024 W; 商标:GeneSiC Semiconductor; 封装:Tube; 系列:SiC Schottky MPS; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1.4 uA; 技术:SiC; 配置:Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:30 A; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	肖特基二极管与整流器 1200V 30A TO-247-3 SiC Schottky MPS
GC2X20MPS12-247	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	Vr - 反向电压 :1200 V; trr - 反向恢复时间 :10 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:30; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:1098 W; 商标:GeneSiC Semiconductor; 封装:Tube; 系列:SiC Schottky MPS; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1.8 uA; 技术:SiC; 配置:Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:120 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:40 A; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	肖特基二极管与整流器 1200V 40A TO-247-3 SiC Schottky MPS
MBRH12045R	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:50; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Ifsm - 正向浪涌电流:2000 A; If - 正向电流:120 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 工作温度范围:- 40 C to + 175 C; 封装:Bulk; 系列:MBRH120; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:D-67 (HALF PAK); 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :45 V; Vf - 正向电压:0.75 V; 类型:Schottky Rectifier Module; 产品:Schottky Rectifier Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	分立半导体模块 SI PWR SCHOTTKY D67 20-100V 120A 45P/32R
FST10030	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:40; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:-; Ifsm - 正向浪涌电流:1000 A; If - 正向电流:100 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 工作温度范围:- 55 C to + 150 C; 配置:Single Dual Anode; 封装:Bulk; 系列:FST100; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:TO-249AB; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :30 V; Vf - 正向电压:700 mV; 类型:Schottky Rectifier Module; 产品:Schottky Rectifier Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	分立半导体模块 30V - 100A Schottky Rectifier
MBR20020CT	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:25; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Ifsm - 正向浪涌电流:1500 A; If - 正向电流:200 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 工作温度范围:- 40 C to + 175 C; 封装:Bulk; 系列:MBR200; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:Twin Tower; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :20 V; Vf - 正向电压:0.7 V; 类型:Schottky Rectifier Module; 产品:Schottky Rectifier Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	分立半导体模块 SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A 20P/14R
MUR10020CT	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:25; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Ifsm - 正向浪涌电流:400 A; If - 正向电流:100 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 封装:Bulk; 系列:MUR100; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:Twin Tower; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :200 V; Vf - 正向电压:1.3 V; 类型:Super Fast Recovery Rectifier Module; 产品:Rectifier Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	分立半导体模块 SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A200P/140R
MBRT400100	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:25; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:-; Ifsm - 正向浪涌电流:3000 A; If - 正向电流:400 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 工作温度范围:- 55 C to + 150 C; 配置:Common Cathode; 封装:Bulk; 系列:MBRT400; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:Three Tower; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :100 V; Vf - 正向电压:840 mV; 类型:Schottky Rectifier Module; 产品:Schottky Rectifier Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	分立半导体模块 100V 400A Schottky Recovery
KBU1506	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:300; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :15 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 产品:Bridge Rectifier; 封装:Bulk; 系列:KBU; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 峰值反向电压:600 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:KBU; 安装风格:Through Hole; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	桥式整流器 600V 15A KBU Silicon Bridge Rectifer
GBJ15K	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:200; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :15 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 产品:Bridge Rectifier; 封装:Bulk; 系列:GBJ; 高度:20 mm; 宽度:4.6 mm; 长度:30 mm; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 50 C; 最大浪涌电流:250 A; Vf - 正向电压:1.05 V; 峰值反向电压:800 V; If - 正向电流:3.5 A; 封装 / 箱体:GBJ; 安装风格:Through Hole; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	桥式整流器 800V 15A GBJ Silicon Bridge Rectifer
GBP308	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:700; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :3:00 AM; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 产品:Bridge Rectifier; 封装:Bulk; 系列:GBP; 峰值反向电压:800 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:GBP; 安装风格:Through Hole; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	桥式整流器 800V 3A GBP Silicon Bridge Rectifer
MBRT60040	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:25; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Ifsm - 正向浪涌电流:4000 A; If - 正向电流:600 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 工作温度范围:- 40 C to + 150 C; 封装:Bulk; 系列:MBRT600; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:Three Tower; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :40 V; Vf - 正向电压:0.75 V; 类型:Schottky Rectifier Module; 产品:Schottky Rectifier Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	分立半导体模块 40V 600A Schottky Recovery
MBRT20045	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:25; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Ifsm - 正向浪涌电流:1500 A; If - 正向电流:200 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 工作温度范围:- 40 C to + 150 C; 封装:Bulk; 系列:MBRT200; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:Three Tower; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :45 V; Vf - 正向电压:0.75 V; 类型:Schottky Rectifier Module; 产品:Schottky Rectifier Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	分立半导体模块 45V 200A Schottky Recovery
MBRT30060	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:25; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:-; Ifsm - 正向浪涌电流:2000 A; If - 正向电流:300 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 工作温度范围:- 55 C to + 150 C; 配置:Common Cathode; 封装:Bulk; 系列:MBRT300; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:Three Tower; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :60 V; Vf - 正向电压:750 mV; 类型:Schottky Rectifier Module; 产品:Schottky Rectifier Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	分立半导体模块 60V 300A Schottky Recovery
MBRT60040R	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:25; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:-; Ifsm - 正向浪涌电流:4000 A; If - 正向电流:600 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 工作温度范围:- 55 C to + 150 C; 配置:Quad; 封装:Bulk; 系列:MBRT600; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:Three Tower; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :40 V; Vf - 正向电压:750 mV; 类型:Schottky Rectifier Module; 产品:Schottky Rectifier Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	分立半导体模块 40V 600A Schottky Recovery
GB05MPS17-247	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	Vr - 反向电压 :1700 V; trr - 反向恢复时间 :10 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:30; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:224 W; 商标:GeneSiC Semiconductor; 封装:Tube; 系列:SiC Schottky MPS; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:34 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1700 V; If - 正向电流:5:00 AM; 封装 / 箱体:TO-247-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	肖特基二极管与整流器 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
MUR2X060A06	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:13; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Ifsm - 正向浪涌电流:900 A; If - 正向电流:120 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 配置:Dual Parallel; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:SOT-227; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :600 V; Vf - 正向电压:1.5 V; 类型:Super Fast Recovery Rectifier Module; 产品:Rectifier Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	分立半导体模块 600V 120A Fwd Super Fast Recovery
MBRT600200R	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:25; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Ifsm - 正向浪涌电流:4000 A; If - 正向电流:600 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:Three Tower; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :200 V; 类型:Schottky Rectifier Module; 产品:Schottky Rectifier Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	分立半导体模块 200V 600A Reverse
MBR20060CT	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:25; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Ifsm - 正向浪涌电流:1500 A; If - 正向电流:200 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 工作温度范围:- 40 C to + 175 C; 封装:Bulk; 系列:MBR200; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:Twin Tower; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :60 V; Vf - 正向电压:0.8 V; 类型:Schottky Rectifier Module; 产品:Schottky Rectifier Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	分立半导体模块 60V 200A Schottky Recovery
GC20MPS12-247	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	Vr - 反向电压 :1200 V; trr - 反向恢复时间 :10 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:30; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:549 W; 商标:GeneSiC Semiconductor; 封装:Tube; 系列:SiC Schottky MPS; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1.8 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:120 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-247-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	肖特基二极管与整流器 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
MBR200100CT	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:25; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Ifsm - 正向浪涌电流:1500 A; If - 正向电流:200 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 工作温度范围:- 40 C to + 175 C; 封装:Bulk; 系列:MBR200; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:Twin Tower; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :100 V; Vf - 正向电压:0.88 V; 类型:Schottky Rectifier Module; 产品:Schottky Rectifier Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	分立半导体模块 SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A100P/70R
KBP301	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:500; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :3:00 AM; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 产品:Bridge Rectifier; 封装:Bulk; 系列:KBP; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 峰值反向电压:100 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:KBP; 安装风格:Through Hole; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	桥式整流器 100V 3A KBP Silicon Bridge Rectifer
GBJ25J	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:200; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :25 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 产品:Bridge Rectifier; 封装:Bulk; 系列:GBJ; 高度:20 mm; 宽度:4.6 mm; 长度:30 mm; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 50 C; 最大浪涌电流:350 A; Vf - 正向电压:1.05 V; 峰值反向电压:600 V; If - 正向电流:4.5 A; 封装 / 箱体:GBJ; 安装风格:Through Hole; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	桥式整流器 600V 25A GBJ Silicon Bridge Rectifer
MBR400100CT	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:25; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Ifsm - 正向浪涌电流:3000 A; If - 正向电流:400 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 工作温度范围:- 40 C to + 175 C; 封装:Bulk; 系列:MBR400; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:Twin Tower; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :100 V; Vf - 正向电压:0.88 V; 类型:Schottky Rectifier Module; 产品:Schottky Rectifier Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	分立半导体模块 SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A100P/70R
MBR30045CT	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:25; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Ifsm - 正向浪涌电流:2000 A; If - 正向电流:300 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 工作温度范围:- 40 C to + 175 C; 封装:Bulk; 系列:MBR300; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:Twin Tower; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :45 V; Vf - 正向电压:0.75 V; 类型:Schottky Rectifier Module; 产品:Schottky Rectifier Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	分立半导体模块 45V 300A Schottky Recovery
MUR2X100A02	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:10; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Ifsm - 正向浪涌电流:1600 A; If - 正向电流:200 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 配置:Dual Parallel; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:SOT-227; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :200 V; Vf - 正向电压:1 V; 类型:Super Fast Recovery Rectifier Module; 产品:Rectifier Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	分立半导体模块 200V 200A Fwd Super Fast Recovery
GC15MPS12-247	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	Vr - 反向电压 :1200 V; trr - 反向恢复时间 :10 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:30; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:512 W; 商标:GeneSiC Semiconductor; 封装:Tube; 系列:SiC Schottky MPS; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1.4 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:TO-247-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	肖特基二极管与整流器 1200V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
GC2X8MPS12-247	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	Vr - 反向电压 :1200 V; trr - 反向恢复时间 :10 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:30; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:538 W; 商标:GeneSiC Semiconductor; 封装:Tube; 系列:SiC Schottky MPS; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.7 uA; 技术:SiC; 配置:Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:65 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	肖特基二极管与整流器 1200V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
MBRH200150R	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:50; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Ifsm - 正向浪涌电流:3000 A; If - 正向电流:200 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 配置:Single; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:D-67 (HALF PAK); 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :150 V; Vf - 正向电压:0.88 V; 类型:Schottky Rectifier Module; 产品:Schottky Rectifier Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	分立半导体模块 150V 200A Reverse
MBR12045CT	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:25; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Ifsm - 正向浪涌电流:800 A; If - 正向电流:120 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 工作温度范围:- 40 C to + 175 C; 封装:Bulk; 系列:MBR120; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:Twin Tower; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :45 V; Vf - 正向电压:0.75 V; 类型:Schottky Rectifier Module; 产品:Schottky Rectifier Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	分立半导体模块 45V 120A Schottky Recovery
GB50MPS17-247	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	Vr - 反向电压 :1700 V; trr - 反向恢复时间 :10 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:30; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:1625 W; 商标:GeneSiC Semiconductor; 封装:Tube; 系列:SiC Schottky MPS; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :10 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:230 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1700 V; If - 正向电流:50 A; 封装 / 箱体:TO-247-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	肖特基二极管与整流器 1700V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
FST16060	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:40; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:-; Ifsm - 正向浪涌电流:1200 A; If - 正向电流:160 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 工作温度范围:- 55 C to + 150 C; 配置:Single Dual Anode; 封装:Bulk; 系列:FST160; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:TO-249AB; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :60 V; Vf - 正向电压:800 mV; 类型:Schottky Rectifier Module; 产品:Schottky Rectifier Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	分立半导体模块 60V 160A Schottky Recovery
MBR300100CTR	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:25; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Ifsm - 正向浪涌电流:2000 A; If - 正向电流:300 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 工作温度范围:- 40 C to + 175 C; 封装:Bulk; 系列:MBR300; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:Twin Tower; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :100 V; Vf - 正向电压:0.88 V; 类型:Schottky Rectifier Module; 产品:Schottky Rectifier Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	分立半导体模块 SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 300A100P/70R
MBRT200100	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:25; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Ifsm - 正向浪涌电流:1500 A; If - 正向电流:200 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 工作温度范围:- 40 C to + 150 C; 封装:Bulk; 系列:MBRT200; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:Three Tower; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :100 V; Vf - 正向电压:0.88 V; 类型:Schottky Rectifier Module; 产品:Schottky Rectifier Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	分立半导体模块 SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A100P/70R
MBR300100CT	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:25; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Ifsm - 正向浪涌电流:2000 A; If - 正向电流:300 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 工作温度范围:- 40 C to + 175 C; 封装:Bulk; 系列:MBR300; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:Twin Tower; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :100 V; Vf - 正向电压:0.88 V; 类型:Schottky Rectifier Module; 产品:Schottky Rectifier Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	分立半导体模块 SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 300A100P/70R
GC2X5MPS12-247	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	Vr - 反向电压 :1200 V; trr - 反向恢复时间 :10 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:30; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:398 W; 商标:GeneSiC Semiconductor; 封装:Tube; 系列:SiC Schottky MPS; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.4 uA; 技术:SiC; 配置:Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:48 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:10:00 AM; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	肖特基二极管与整流器 1200V 10A TO-247-3 SiC Schottky MPS
GC15MPS12-220	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	Vr - 反向电压 :1200 V; trr - 反向恢复时间 :10 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:598 W; 商标:GeneSiC Semiconductor; 封装:Tube; 系列:SiC Schottky MPS; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1.4 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	肖特基二极管与整流器 1200V 15A TO-220-2 SiC Schottky MPS
MBR20045CT	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:25; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Ifsm - 正向浪涌电流:1500 A; If - 正向电流:200 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 工作温度范围:- 40 C to + 175 C; 封装:Bulk; 系列:MBR200; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:Twin Tower; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :45 V; Vf - 正向电压:0.75 V; 类型:Schottky Rectifier Module; 产品:Schottky Rectifier Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	分立半导体模块 45V 200A Schottky Recovery
MBR200100CTS	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:10; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Ifsm - 正向浪涌电流:1500 A; If - 正向电流:200 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:Si; 工作温度范围:- 40 C to + 175 C; 封装:Bulk; 系列:MBR200; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:SOT-227; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :100 V; 类型:Schottky Rectifier Module; 产品:Schottky Rectifier Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor;	分立半导体模块 100V 200A

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