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分立半导体界面模块控制器输入设备旋钮和转盘硬件开关继电器气体放电管 - GDT 压敏电阻浪涌抑制器罩类、盒类及壳类产品端子白炽灯和支架电容器电阻器电感器、扼流圈与线圈音频信号变压器电池电池充电器函数发生器与合成器示波器环境检测设备面板表万用表与电压表温度保险丝散热片防静电控制产品工具扁平电缆同轴电缆连接线电线与电缆管理 ESD 抑制器 TVS 二极管电机与驱动器未分类连接器模块式连接器/以太网连接器化学物质胶带线性位移传感器流量传感器液位传感器传感器硬件与配件存储箱与外壳 EMI 滤波器 EMI 抑制电容触摸传感器汽车连接器 I O 连接器 IC 与器件插座编码器存储器 IC 无线与射频模块台式电源交流电源线电源管理 IC 直流电源连接器交流电源输入模块压敏电阻热敏电阻 - NTC 热敏电阻器断路器编码器磁性传感器运动与定位传感器光学传感器压力传感器激光背光元器件开发软件显示器集成电路 - IC 光学探测器和传感器显示模块光纤红外线数据通信超级电容器以太网和通信模块光耦合器光电耦合器频率控制器和定时装置导热接口产品照明连接器圆形连接器音频与视频连接器热敏电阻 - PTC 太阳能连接器光伏连接器温度保险丝电流传感器温度传感器近程传感器 LED保护设备接线端子测试设备配件音频视频测试设备校验设备数据记录与采集光纤测试频率计数器 LAN 电信电缆测试 RF 测试设备电池测试机十进盒元件测试仪绝缘测试器兆欧计驱动器晶闸管 USB连接器 IEEE 1394连接器射频互连信号调节工程工具音频模块 LED 照明开发工具视频模块传感器模块传感器开发工具能量采集模块电源管理IC开发工具电源管理模块变压器 LED发射器散热排 - LED 热基质 - MCPCB 天线射频无线开发工具模块配件衰减器 -互连测试设备电源线无线和射频半导体音频传感器数据转换模块其他模块电源排插 D-Sub连接器热成像摄像机多芯电缆存储器模块和存储卡电位器、微调器和变阻器液体分配器和瓶子嵌入式处理器和控制器交流电源插头和插座数据总线元器件接线系统温度传感器光学开关 FFC FPC跳线电缆编码器计算电路保护套件音频设备环境传感器保险丝座断路器与附件热敏电阻器风扇与鼓风机电源功率调节光纤标准电气架类及柜类产品热电组件 Peltier热电模块电源连接器背板连接器卡缘连接器存储器连接器 FFC FPC 板对板与夹层连接器集管和线壳管脚和插座连接器 I O 模块打印机原型产品焊接工业继电器与电磁阀工业电源工业传感器工业开关工业接线端子块 LED灯泡与模块 LED照明电子器件 LED照明机械器件 LED照明光学器件 LED指示元件分析仪保险丝源测量单元—SMU 校准、保修与服务计划电缆组件自恢复保险丝—PPTC 逆变器 DC/DC转换器光纤连接器计时器计数器和转速计计数器和转速计计时器生物计量传感器标签和工业警告标志军用规格/军用类型电池座、卡扣和接头模拟与数字IC开发工具通信开发工具显示开发工具存储器 IC 开发工具可编程逻辑 IC 开发工具安全/ 验证开发工具嵌入式处理器开发套件嵌入式工具与配件光电开发工具传感器开发工具光纤开发工具力传感器与测压元件配件 LED发射器照明连接器铁氧体软件太阳能板和太阳能电池存储器存储器 IC 相机和配件滤波器直流电源线操纵杆

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品牌:

Transphorm Adafruit Advanced Linear Devices Advanced Semiconductor, Inc. Altech Analog Devices Inc. AVX Belden Wire & Cable Bourns Central Semiconductor Comchip Technology Cree, Inc. D3 Semiconductor Diodes Incorporated GaN Systems GeneSiC Semiconductor Honeywell Infineon InterFET IXYS Kyocera Littelfuse MACOM Maxim Integrated MaxLinear MEAN WELL Micro Commercial Components (MCC) Microchip Monolithic Power Systems (MPS) Nexperia NJR NXP Omron ON Semiconductor Panasonic Parallax Power Integrations Rectron Renesas Electronics ROHM Semiconductor Semitec Semtech Sensata Shindengen Silicon Laboratories Skyworks Souriau SparkFun Electronics STMicroelectronics Taiwan Semiconductor TDK-Lambda TE Connectivity Texas Instruments THAT Corporation Torex Semiconductor Toshiba TT Electronics UnitedSiC Vishay WeEn Semiconductors Wurth Elektronik

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型号/料号	品牌/制造商	类目	参数	说明
TP65H070LDG	Transphorm	分立半导体	典型接通延迟时间:29 ns; 典型关闭延迟时间:45 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:600; 上升时间:7.5 ns; 产品类型:GAN FET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:8.2 ns; 商标:Transphorm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:PQFN; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:96 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:9.3 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.8 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:85 mOhms; Id-连续漏极电流:25 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PQFN-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:Transphorm;	MOSFET 650V, 72mO
TP65H070LSG	Transphorm	分立半导体	典型接通延迟时间:29 ns; 典型关闭延迟时间:45 ns; 子类别:MOSFETs; 上升时间:7.5 ns; 产品类型:GAN FET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:8.2 ns; 商标:Transphorm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:PQFN; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:96 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:9.3 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.8 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:85 mOhms; Id-连续漏极电流:25 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PQFN-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:Transphorm;	MOSFET 650V, 72mO
TP65H050WSQA	Transphorm	分立半导体	典型接通延迟时间:57 ns; 典型关闭延迟时间:88 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:10 ns; 产品类型:GAN FET; 下降时间:11 ns; 商标:Transphorm; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:150 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:15 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.8 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:60 mOhms; Id-连续漏极电流:36 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:Transphorm;	MOSFET 650V, 50mO
TP65H035WSQA	Transphorm	分立半导体	典型接通延迟时间:69 ns; 典型关闭延迟时间:98 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:14 ns; 产品类型:GAN FET; 下降时间:12 ns; 商标:Transphorm; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:187 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:24 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:41 mOhms; Id-连续漏极电流:47.2 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:Transphorm;	MOSFET 650V, 35mO
TPH3208PS	Transphorm	分立半导体	典型接通延迟时间:33 ns; 典型关闭延迟时间:46 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:8 ns; 产品类型:GAN FET; 下降时间:7 ns; 商标:Transphorm; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:96 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:15 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.6 V; Vgs - 栅极-源极电压:18 V; Rds On-漏源导通电阻:130 mOhms; Id-连续漏极电流:20 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:Transphorm;	MOSFET 650V, 110mO
TP65H050WS	Transphorm	分立半导体	典型接通延迟时间:51 ns; 典型关闭延迟时间:86 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:11 ns; 产品类型:GAN FET; 下降时间:11 ns; 商标:Transphorm; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:119 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:24 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:60 mOhms; Id-连续漏极电流:36 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:Transphorm;	MOSFET 650V, 50mO
TP90H180PS	Transphorm	分立半导体	典型接通延迟时间:26 ns; 典型关闭延迟时间:40 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:5 ns; 产品类型:GAN FET; 下降时间:7.4 ns; 商标:Transphorm; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:78 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:10 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.6 V; Vgs - 栅极-源极电压:18 V; Rds On-漏源导通电阻:205 mOhms; Id-连续漏极电流:15 A; Vds-漏源极击穿电压:900 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:Transphorm;	MOSFET 650V, 170mO
TP65H035WS	Transphorm	分立半导体	典型接通延迟时间:69 ns; 典型关闭延迟时间:98.5 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:13.5 ns; 产品类型:GAN FET; 下降时间:11.5 ns; 商标:Transphorm; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:156 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:36 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:41 mOhms; Id-连续漏极电流:46.5 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:Transphorm;	MOSFET 650V, 35mO
TPH3206PSB	Transphorm	分立半导体	典型接通延迟时间:6 ns; 典型关闭延迟时间:9.7 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:4.5 ns; 产品类型:GAN FET; 下降时间:4 ns; 商标:Transphorm; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:81 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:6.2 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.65 V; Vgs - 栅极-源极电压:18 V; Rds On-漏源导通电阻:180 mOhms; Id-连续漏极电流:16 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:Transphorm;	MOSFET 650V, 150mO
TPH3212PS	Transphorm	分立半导体	典型接通延迟时间:24 ns; 典型关闭延迟时间:55.5 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:7.5 ns; 产品类型:GAN FET; 下降时间:5 ns; 商标:Transphorm; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:104 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:14.6 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.6 V; Vgs - 栅极-源极电压:18 V; Rds On-漏源导通电阻:85 mOhms; Id-连续漏极电流:27 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:Transphorm;	MOSFET 650V, 72mO
TPH3205WSBQA	Transphorm	分立半导体	典型接通延迟时间:36 ns; 典型关闭延迟时间:40 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:7.6 ns; 产品类型:GAN FET; 下降时间:8.6 ns; 商标:Transphorm; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:125 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:42 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.6 V; Vgs - 栅极-源极电压:18 V; Rds On-漏源导通电阻:62 mOhms; Id-连续漏极电流:35 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:Transphorm;	MOSFET 650V, 49mO
TP65H300G4LSG	Transphorm	分立半导体	典型接通延迟时间:19.4 ns; 典型关闭延迟时间:53 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:3.4 ns; 产品类型:GAN FET; 下降时间:10 ns; 商标:Transphorm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:TP65H; 商标名:SuperGaN; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:21 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:9.6 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.6 V; Vgs - 栅极-源极电压:18 V; Rds On-漏源导通电阻:312 mOhms; Id-连续漏极电流:6.5 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PQFN-88-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:Transphorm;	MOSFET Gen IV 650V, 240 mOhm
TP65H035G4WS	Transphorm	分立半导体	典型接通延迟时间:60 ns; 典型关闭延迟时间:94 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:10 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 商标:Transphorm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:TP65H; 商标名:SuperGaN; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:156 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:22 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.8 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:41 mOhms; Id-连续漏极电流:46.5 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:Transphorm;	MOSFET Gen IV 650 V, 35 mOhm
TP90H050WS	Transphorm	分立半导体	典型接通延迟时间:62 ns; 典型关闭延迟时间:60 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:11 ns; 产品类型:GAN FET; 下降时间:10 ns; 商标:Transphorm; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:119 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:17.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:63 mOhms; Id-连续漏极电流:34 A; Vds-漏源极击穿电压:900 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:Transphorm;	MOSFET GAN FET 900V 34A TO247

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