| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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2N7002NXAKR |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:6 ns; 典型关闭延迟时间:11 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:325 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:0.33 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:4.5 Ohms; Id-连续漏极电流:300 mA; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET 60V SGL N-CH TRENCHMOS |
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PMEG050T150EIPDAZ |
Nexperia |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :50 V; trr - 反向恢复时间 :49 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:1.66 W; 商标:Nexperia; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:-; Ir - 反向电流 :14 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:130 A; Vf - 正向电压:510 mV; Vrrm - 重复反向电压:50 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:CFP15-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
肖特基二极管与整流器 PMEG050T150EIPD/SOT1289/CFP15 |
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BC816-16HVL |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:10000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 集电极连续电流:500 mA; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:250; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:-; 增益带宽产品fT:100 MHz; Pd-功率耗散:415 mW; 最大直流电集电极电流:1 A; 集电极—射极饱和电压:400 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:7 V; 集电极—基极电压 VCBO:80 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC816-16H/SOT23/TO-236AB |
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BC806-16HVL |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:10000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 集电极连续电流:- 500 mA; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:250; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:-; 增益带宽产品fT:80 MHz; Pd-功率耗散:415 mW; 最大直流电集电极电流:- 1 A; 集电极—射极饱和电压:- 400 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 8 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 80 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 80 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC806-16H/SOT23/TO-236AB |
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BC806-25HVL |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:10000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:160; 集电极连续电流:- 500 mA; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:400; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:-; 增益带宽产品fT:80 MHz; Pd-功率耗散:415 mW; 最大直流电集电极电流:- 1 A; 集电极—射极饱和电压:- 400 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 8 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 80 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 80 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC806-25H/SOT23/TO-236AB |
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BC816-25HVL |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:10000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:160; 集电极连续电流:500 mA; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:400; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:-; 增益带宽产品fT:100 MHz; Pd-功率耗散:415 mW; 最大直流电集电极电流:1 A; 集电极—射极饱和电压:400 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:7 V; 集电极—基极电压 VCBO:80 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC816-25H/SOT23/TO-236AB |
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PSMN3R3-40MLHX |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 产品类型:MOSFET; 商标:Nexperia; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET PSMN3R3-40MLH/SOT1210/mLFPAK |
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2N7002NXBKR |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:4.7 ns; 典型关闭延迟时间:6.9 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:4.3 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:2.9 ns; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:400 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:1 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:2.8 Ohms; Id-连续漏极电流:270 mA; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET 60V N-CH TRENCHMOS |
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PMV37ENEAR |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:5 ns; 典型关闭延迟时间:13 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:4 ns; 正向跨导 - 最小值:18.2 S; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.3 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:8.8 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:49 mOhms; Id-连续漏极电流:3.5 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET 60V N-CH TRENCHMOS |
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PMV15ENEAR |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:4 ns; 典型关闭延迟时间:15 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:18 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7 ns; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.3 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:9.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:20 mOhms; Id-连续漏极电流:6.2 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET 30V N-CH TRENCHMOS |
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BCP52-16TF |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:4000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 集电极连续电流:- 1 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:250; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:0.6 W; 最大直流电集电极电流:- 2 A; 集电极—射极饱和电压:- 500 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 60 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SC-73-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS |
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PMV19XNEAR |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:8 ns; 典型关闭延迟时间:33 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:17 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:32 ns; 正向跨导 - 最小值:30 S; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:610 mW; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:12.4 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:0.9 V; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:24 mOhms; Id-连续漏极电流:6 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263AB-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET 30V N-CH TRENCHMOS |
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PMPB13UPX |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:7 ns; 典型关闭延迟时间:69 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:30 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:60 ns; 正向跨导 - 最小值:25 S; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:26 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 0.9 V; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:16 mOhms; Id-连续漏极电流:- 13 A; Vds-漏源极击穿电压:12 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:DFN-2020-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET 12V P-CH TRENCHMOS |
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MJD44H11J |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:2500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:60; 集电极连续电流:8 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:160 MHz; Pd-功率耗散:20 W; 最大直流电集电极电流:16 A; 集电极—射极饱和电压:1 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V; 集电极—基极电压 VCBO:80 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS |
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BCX53-16TF |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:4000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 集电极连续电流:- 1 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:250; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:500 mW; 最大直流电集电极电流:- 2 A; 集电极—射极饱和电压:- 500 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 100 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 80 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-89-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS |
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PMV15UNEAR |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:32 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:24 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:34 ns; 正向跨导 - 最小值:50 S; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:610 mW; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:11 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:0.9 V; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:15 mOhms; Id-连续漏极电流:7 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET 20V N-CH TRENCHMOS |
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MJD45H11J |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:2500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:60; 集电极连续电流:- 8 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:80 MHz; Pd-功率耗散:20 W; 最大直流电集电极电流:- 16 A; 集电极—射极饱和电压:- 1 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 80 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 80 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS |
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PMPB16EPX |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:3 ns; 典型关闭延迟时间:60 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:25 ns; 正向跨导 - 最小值:33 S; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:29 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:20 mOhms; Id-连续漏极电流:- 10.6 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:DFN-2020-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET 30V P-CH TRENCHMOS |
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MJD31CJ |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:2500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:10; 集电极连续电流:3 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:50; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:3 MHz; Pd-功率耗散:15 W; 最大直流电集电极电流:5 A; 集电极—射极饱和电压:1.2 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V; 集电极—基极电压 VCBO:100 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS |
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PMDPB30XNZ |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:4 ns; 典型关闭延迟时间:40 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:15 ns; 产品类型:MOSFET; 正向跨导 - 最小值:12 S; 商标:Nexperia; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:490 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:14.4 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:0.9 V; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:40 mOhms; Id-连续漏极电流:5.3 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DFN-2020-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET 20V DUAL N-CH TRENCHMOS |
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BCX51TF |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:4000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:63 at - 5 mA, - 2 V; 集电极连续电流:- 1 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:250 at - 150 mA, -2 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:500 mW; 最大直流电集电极电流:- 2 A; 集电极—射极饱和电压:- 500 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 45 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 45 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SC-62-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS |
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BCX52-10TF |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:4000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:63 at - 5 mA, - 2 V; 集电极连续电流:- 1 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:160 at - 150 mA, -2 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:500 mW; 最大直流电集电极电流:- 2 A; 集电极—射极饱和电压:- 500 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 60 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SC-62-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS |
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PMV48XPA2R |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:Nexperia; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET PMV48XPA2/SOT23/TO-236AB |
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PSMN6R7-40MLDX |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:14 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:21 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:22 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.15 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:6.7 mOhms; Id-连续漏极电流:50 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-1210-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET N-CH 40 V LOGIC LEVEL IN LFPAK |
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BCX51-10TF |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:4000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:63 at - 5 mA, - 2 V; 集电极连续电流:- 1 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:160 at - 150 mA, - 2 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:500 mW; 最大直流电集电极电流:- 2 A; 集电极—射极饱和电压:- 500 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 45 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 45 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SC-62-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS |
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BCX54Z |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:1000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:63 at 150 mA, 2 V; 集电极连续电流:1 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:250 at 150 mA, 2 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:180 MHz; Pd-功率耗散:0.5 W; 最大直流电集电极电流:2 A; 集电极—射极饱和电压:0.5 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:45 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:45 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-89-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BCX54/SOT89/MPT3 |
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PMV30XPAR |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:Nexperia; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET PMV30XPA/SOT23/TO-236AB |
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PMN30XPAX |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:8 ns; 典型关闭延迟时间:40 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:30 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:23 ns; 正向跨导 - 最小值:18 S; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.7 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:11 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:33 mOhms; Id-连续漏极电流:5.2 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOT-457-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET PMN30XPA/SOT457/SC-74 |
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PMN48XPA2X |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:7 ns; 典型关闭延迟时间:26 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:19 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:54 S; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:660 mW; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:55 mOhms; Id-连续漏极电流:4.4 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOT-457-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET PMN48XPA2/SOT457/SC-74 |
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PMPB8XNX |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:5 ns; 典型关闭延迟时间:31 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:12 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:15 ns; 正向跨导 - 最小值:24 S; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.9 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:20 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:0.9 V; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:12 mOhms; Id-连续漏极电流:14.3 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DFN-2020-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET 20V N-CH TRENCHMOS |
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PSMN3R2-40YLDX |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:18 ns; 典型关闭延迟时间:18 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:20 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:115 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:18 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.35 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:3.3 mOhms; Id-连续漏极电流:120 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK56-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET N-CH 40 V 120 A LOGIC LEVEL IN |
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BCX53-10TF |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:4000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:63; 集电极连续电流:- 1 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:160; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:500 mW; 最大直流电集电极电流:- 2 A; 集电极—射极饱和电压:- 500 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 100 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 80 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-89-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS |
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MJD44H11AJ |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:2500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:60; 集电极连续电流:8 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:160 MHz; Pd-功率耗散:20 W; 最大直流电集电极电流:16 A; 集电极—射极饱和电压:1 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V; 集电极—基极电压 VCBO:80 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS |
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MJD32CAJ |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:2500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:10; 集电极连续电流:- 3 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:50; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:3 MHz; Pd-功率耗散:15 W; 最大直流电集电极电流:- 5 A; 集电极—射极饱和电压:- 1.2 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 100 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 100 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS |
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MJD31CAJ |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:2500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:10; 集电极连续电流:3 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:50; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:3 MHz; Pd-功率耗散:15 W; 最大直流电集电极电流:5 A; 集电极—射极饱和电压:1.2 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V; 集电极—基极电压 VCBO:100 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS |
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PSMN6R7-40MSDX |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 产品类型:MOSFET; 商标:Nexperia; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:22 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:50 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK33-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET PSMN6R7-40MSD/SOT1210/mLFPAK |
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PSMN3R3-40MSHX |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 产品类型:MOSFET; 商标:Nexperia; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:101 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:42 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:118 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK33-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET PSMN3R3-40MSH/SOT1210/mLFPAK |
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PMEG050T150EIPDZ |
Nexperia |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :50 V; trr - 反向恢复时间 :49 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:1.66 W; 商标:Nexperia; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:-; Ir - 反向电流 :14 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:130 A; Vf - 正向电压:510 mV; Vrrm - 重复反向电压:50 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:CFP15-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
肖特基二极管与整流器 PMEG050T150EIPD/SOT1289/CFP15 |
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PSMN2R8-40YSDX |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:23 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:7.7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8.7 ns; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:147 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:44 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.4 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:2.8 mOhms; Id-连续漏极电流:160 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK56-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET N-CH 40 V STD LEVEL IN LFPAK56 |
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PSMN1R8-30MLHX |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:14 ns; 典型关闭延迟时间:20 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:23 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:14 ns; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:106 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:17 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:2.1 mOhms; Id-连续漏极电流:150 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK33-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET N-CH 30V LOGIC LEVEL IN LFPAK3 |
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PSMNR60-25YLHX |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:32 ns; 典型关闭延迟时间:50 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:61 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:44 ns; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:268 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:43 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:700 uOhms; Id-连续漏极电流:300 A; Vds-漏源极击穿电压:25 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK56-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET N-CH 25 V LOGIC LEVEL IN LFPAK |
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BUK7S1R0-40HJ |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:23 ns; 典型关闭延迟时间:59 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:19 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:26 ns; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:375 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:98 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.6 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1 mOhms; Id-连续漏极电流:325 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK88-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET N-CH 40V 1.0 STD LEVEL |
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BUK7Y3R5-40HX |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:19 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9 ns; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:115 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:53 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:3.5 mOhms; Id-连续漏极电流:120 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK56-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET N-CH 40V 3.5 STD LEVEL |
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PMEG045T100EPDAZ |
Nexperia |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :45 V; trr - 反向恢复时间 :40 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:2.15 W; 商标:Nexperia; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :22 uA; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:130 A; Vf - 正向电压:480 mV; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:14 A; 封装 / 箱体:CFP-15-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODES |
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PSMNR90-40YLHX |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:45 ns; 典型关闭延迟时间:59 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:46 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:33 ns; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:333 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:120 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.35 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:940 uOhms; Id-连续漏极电流:300 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK56-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET N-CH 40 V LOGIC LEVEL |
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GAN063-650WSAQ |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 产品类型:MOSFET; 商标:Nexperia; 配置:Single; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:143 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:15 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:34.5 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 制造商:Nexperia; |
MOSFET 650V 50MO GALLIUM NITRIDE |
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PMN70EPEX |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:5 ns; 典型关闭延迟时间:19 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7.5 ns; 正向跨导 - 最小值:12.6 S; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.4 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:11.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:80 mOhms; Id-连续漏极电流:- 4.4 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:TSOP-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET 30V P-CH TRENCHMOS |
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PBHV8115TLHR |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:50; 集电极连续电流:1 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:300; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:30 MHz; Pd-功率耗散:300 mW; 最大直流电集电极电流:1 A; 集电极—射极饱和电压:50 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V; 集电极—基极电压 VCBO:400 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:150 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS |
|
PBHV9115TLHR |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:70; 集电极连续电流:- 1 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:300; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:55 MHz; Pd-功率耗散:300 mW; 最大直流电集电极电流:- 1 A; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 200 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 150 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS |
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PMPB24EPX |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:3 ns; 典型关闭延迟时间:28 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:14 ns; 正向跨导 - 最小值:24 S; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:28 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms; Id-连续漏极电流:- 9.5 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:DFN-2020-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
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