| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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FJ4B01120L1 |
Panasonic |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:6 ns; 典型关闭延迟时间:63 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:4 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:46 ns; 商标:Panasonic; 晶体管类型:Single P-Channel MOSFET; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.5 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:10.7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:300 mV; Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V; Rds On-漏源导通电阻:51 mOhms; Id-连续漏极电流:- 5.4 A; Vds-漏源极击穿电压:12 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:ULGA-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET SM CSP SNGL P-CH MOSFET 1.0x1.0x0.1mm |
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FK4B01110L1 |
Panasonic |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:3.6 ns; 典型关闭延迟时间:34 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:3 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:38 ns; 商标:Panasonic; 晶体管类型:Single N-Channel MOSFET; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.1 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:2.55 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:300 mV; Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V; Rds On-漏源导通电阻:64 mOhms; Id-连续漏极电流:4.1 A; Vds-漏源极击穿电压:12 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:ALGA-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET ULT SM CSP SNGL N-CH MOSFET 0.6x0.6x0.1mm |
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FJ3303010L |
Panasonic |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10000; 产品类型:MOSFET; 商标:Panasonic; 晶体管类型:1 P-Channel; 产品:MOSFET Small Signal; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:100 mW; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:17 Ohms; Id-连续漏极电流:- 100 mA; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOT-723-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET SM SIG MOS FET FLT LD 1.2x1.2mm |
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FCAB21490L1 |
Panasonic |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:700 ns; 典型关闭延迟时间:6.7 us; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:1.5 us; 产品类型:MOSFET; 下降时间:4.1 us; 商标:Panasonic; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:FCAB; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:3.5 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:25 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:900 mV; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:3.1 mOhms; Id-连续漏极电流:29 A; Vds-漏源极击穿电压:12 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TCSP1530011-N1-10; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET Split wide Pad Dual CSP Nch MOSFET |
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FCAB21520L1 |
Panasonic |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:1.5 us; 典型关闭延迟时间:6.8 us; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:2.6 us; 产品类型:MOSFET; 下降时间:4.1 us; 商标:Panasonic; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:FCAB; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:3.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:38 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:900 mV; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:3.1 mOhms; Id-连续漏极电流:35 A; Vds-漏源极击穿电压:12 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TCSP1530011-N1-10; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET Split wide Pad Dual CSP Nch MOSFET |
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PGA26E07BA |
Panasonic |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:200; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Panasonic; 系列:PGA26E07BA; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 商标名:X-GaN; Pd-功率耗散:96 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:5 nC; Rds On-漏源导通电阻:70 mOhms; Id-连续漏极电流:26 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET MOSFET 600VDC 70mohm X-GaN |
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FJ4B01110L1 |
Panasonic |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:3.8 ns; 典型关闭延迟时间:30 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:2.5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5.4 ns; 商标:Panasonic; 晶体管类型:Single P-Channel MOSFET; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.1 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:3.3 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:300 mV; Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V; Rds On-漏源导通电阻:153 mOhms; Id-连续漏极电流:- 2.6 A; Vds-漏源极击穿电压:12 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:ALGA-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET ULT SM CSP SNGL P-CH MOSFET 0.6x0.6x0.1mm |
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FK4B01100L1 |
Panasonic |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:7 ns; 典型关闭延迟时间:165 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:14 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:76 ns; 商标:Panasonic; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.3 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:5.8 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:30 mOhms; Id-连续漏极电流:6.5 A; Vds-漏源极击穿电压:12 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:XLGA-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET SM CSP SNGL N-CH MOSFET 0.8x0.8x0.1mm |
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FK4B01120L1 |
Panasonic |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:4.3 ns; 典型关闭延迟时间:235 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:3.7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:147 ns; 商标:Panasonic; 晶体管类型:Single N-Channel MOSFET; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.5 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:300 mV; Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V; Rds On-漏源导通电阻:24 mOhms; Id-连续漏极电流:7.9 A; Vds-漏源极击穿电压:12 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:ULGA-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET SM CSP SNGL N-CH MOSFET 1.0x1.0x0.1mm |
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FG6943010R |
Panasonic |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:8000; 产品类型:MOSFET; 商标:Panasonic; 晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel; 产品:MOSFET Small Signal; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:125 mW; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:17 Ohms; Id-连续漏极电流:100 mA; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel, P-Channel; 封装 / 箱体:SOT-666-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET PCH+NCH MOS FET FLT LD 1.6x1.6mm |
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MTM981400BBF |
Panasonic |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:Panasonic; 晶体管类型:1 P-Channel; 产品:MOSFET Small Signal; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms; Id-连续漏极电流:- 7 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET PCH MOS FET FLT LD 5.0x6.0mm |
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PGA26E19BA |
Panasonic |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:3.4 ns; 典型关闭延迟时间:3.4 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:200; 上升时间:5.2 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:2.4 ns; 商标:Panasonic; 系列:PGA26E19BA; 配置:Single; 商标名:X-GaN; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:69 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:2 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:190 mOhms; Id-连续漏极电流:13 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET MOSFET 600VDC 190mohm X-GaN |
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FC8V22040L |
Panasonic |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:Panasonic; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:10.5 mOhms; Id-连续漏极电流:8 A; Vds-漏源极击穿电压:24 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:WMini-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET Nch+Nch MOS FET |
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MTM761110LBF |
Panasonic |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:Panasonic; 晶体管类型:1 P-Channel; 产品:MOSFET Small Signal; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:700 mW; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:41 mOhms; Id-连续漏极电流:- 4 A; Vds-漏源极击穿电压:12 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:WSMini-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET PCH MOS FET FLT LD 2.0x2.1mm |
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FC8V33030L |
Panasonic |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:8 ns; 典型关闭延迟时间:24 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:3 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9 ns; 商标:Panasonic; 晶体管类型:2 N-Channel; 产品:MOSFET; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:3.8 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:20 mOhms; Id-连续漏极电流:6.5 A; Vds-漏源极击穿电压:33 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:WMini-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET Nch+Nch MOSFET 2.9x2.8mm Flat lead |
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MTM861280LBF |
Panasonic |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10000; 产品类型:MOSFET; 商标:Panasonic; 晶体管类型:1 P-Channel; 产品:MOSFET Small Signal; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:540 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:560 mOhms; Id-连续漏极电流:- 1 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:WSSMini-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET PCH MOS FET FLT LD 1.6x1.6mm |
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MTM861270LBF |
Panasonic |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10000; 产品类型:MOSFET; 商标:Panasonic; 晶体管类型:1 P-Channel; 产品:MOSFET Small Signal; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:540 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:170 mOhms; Id-连续漏极电流:- 2 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:WSSMini-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET PCH MOS FET FLT LD 1.6x1.6mm |
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MTMC8E2A0LBF |
Panasonic |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:17 nS; 典型关闭延迟时间:94 nS; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:9 nS; 产品类型:MOSFET; 下降时间:33 nS; 正向跨导 - 最小值:4 S; 商标:Panasonic; 晶体管类型:1 N-Channel; 产品:MOSFET Small Signal; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.2 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:16 mOhms; Id-连续漏极电流:7 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:WMini-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET NCH MOS FET FLT LD 2.9x2.8mm |
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FK3306010L |
Panasonic |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10000; 产品类型:MOSFET; 商标:Panasonic; 晶体管类型:1 N-Channel; 产品:MOSFET Small Signal; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:100 mW; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:15 Ohms; Id-连续漏极电流:100 mA; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-723-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET COMPOSITE SM SIG MOS FLAT LEAD 1.2x1.2mm |
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FK3303010L |
Panasonic |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10000; 产品类型:MOSFET; 商标:Panasonic; 晶体管类型:1 N-Channel; 产品:MOSFET Small Signal; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; Rds On-漏源导通电阻:6 Ohms; Id-连续漏极电流:100 mA; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-723-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET SM SIG MOS FET FLT LD 1.2x1.2mm |
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FC6946010R |
Panasonic |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:100 nS; 典型关闭延迟时间:100 nS; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:8000; 产品类型:MOSFET; 正向跨导 - 最小值:60 mS; 商标:Panasonic; 晶体管类型:2 N-Channel; 产品:MOSFET Small Signal; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:125 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:6 Ohms; Id-连续漏极电流:100 mA; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-666-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET NCH+NCH MOS FET FLT LD 1.6x1.6mm |
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FK3503010L |
Panasonic |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:100 ns; 典型关闭延迟时间:100 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:Panasonic; 宽度:1.25 mm; 长度:2 mm; 高度:0.9 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; Pd-功率耗散:150 mW; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:3 Ohms; Id-连续漏极电流:100 mA; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SC-85-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET Nch MOSFET 2.0x2.1mm Flat lead |
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FC6943010R |
Panasonic |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:100 nS; 典型关闭延迟时间:100 nS; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:8000; 产品类型:MOSFET; 商标:Panasonic; 晶体管类型:2 N-Channel; 产品:MOSFET Small Signal; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:125 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:3 Ohms; Id-连续漏极电流:100 mA; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-666-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET COMPOSITE SM SIG MOS FLAT LEAD 1.6x1.6mm |
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MTM862270LBF |
Panasonic |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10000; 产品类型:MOSFET; 商标:Panasonic; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:MTM; 产品:MOSFET Small Signal; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:540 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:150 mOhms; Id-连续漏极电流:2.2 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:WSSMini-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET NCH MOS FET FLT LD 1.6x1.6mm |
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FK3506010L |
Panasonic |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:100 ns; 典型关闭延迟时间:100 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 正向跨导 - 最小值:60 mS; 商标:Panasonic; 晶体管类型:1 N-Channel; 产品:MOSFET Small Signal; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:150 mW; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:15 Ohms; Id-连续漏极电流:100 mA; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SC-85-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET NCH MOS FET FLT LD 2.0x2.1mm |
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FK3906010L |
Panasonic |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:Panasonic; 晶体管类型:1 N-Channel; 产品:MOSFET Small Signal; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; Rds On-漏源导通电阻:15 Ohms; Id-连续漏极电流:100 mA; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SC-89-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET SM SIG MOS FET FLT LD 1.6x1.6mm |
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FC6B21150L1 |
Panasonic |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:4.1 us; 典型关闭延迟时间:12.9 us; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:5.2 us; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8.3 us; 商标:Panasonic; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:FC6B; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:450 mW, 2.1 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:26 nC; Vgs - 栅极-源极电压:10.5 V; Rds On-漏源导通电阻:10 mOhms; Id-连续漏极电流:8 A, 17 A; Vds-漏源极击穿电压:12 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:CSP-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET WL-CSP Dual Nchannel MOSFET |
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FK8V03050L |
Panasonic |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:Panasonic; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:5.1 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:11 mOhms; Id-连续漏极电流:8 A; Vds-漏源极击穿电压:33 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:WMini-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET Nch MOS FET |
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FJ4B01100L1 |
Panasonic |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:8 ns; 典型关闭延迟时间:59 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:11 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 商标:Panasonic; 晶体管类型:Single P-Channel MOSFET; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.3 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:300 mV; Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V; Rds On-漏源导通电阻:74 mOhms; Id-连续漏极电流:- 4.1 A; Vds-漏源极击穿电压:12 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:XLGA-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET SM CSP SNGL P-CH MOSFET 0.8x0.8x0.1mm |
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FC6B22160L1 |
Panasonic |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:1.2 us; 典型关闭延迟时间:8.1 us; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:2.4 us; 产品类型:MOSFET; 下降时间:3.9 us; 商标:Panasonic; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:FC6B; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:450 mW, 2.1 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:35 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:350 mV; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:11.8 mOhms; Id-连续漏极电流:8 A, 17 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:CSP-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET WL-CSP Dual Nchannel MOSFET |
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FK8V03040L |
Panasonic |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:Panasonic; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:7.2 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:7 mOhms; Id-连续漏极电流:10 A; Vds-漏源极击穿电压:33 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:WMini-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET Nch MOS FET |
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FCAB21350L1 |
Panasonic |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:1.2 us; 典型关闭延迟时间:9 us; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:2.3 us; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 us; 商标:Panasonic; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:FCAB; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2.1 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:48 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:350 mV; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:6.1 mOhms; Id-连续漏极电流:12 A, 27 A; Vds-漏源极击穿电压:12 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TCSP1831011-N1-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET Wide Pad Dual Nchannel MOSFET |
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MTM761100LBF |
Panasonic |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:Panasonic; 晶体管类型:1 P-Channel; 产品:MOSFET Small Signal; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:700 mW; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:55 mOhms; Id-连续漏极电流:- 4 A; Vds-漏源极击穿电压:12 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:WSMini-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET PCH MOS FET FLT LD 2.0x2.1mm |
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FC4B21300L1 |
Panasonic |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:0.1 us; 典型关闭延迟时间:0.27 us; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:0.2 us; 产品类型:MOSFET; 下降时间:0.22 us; 商标:Panasonic; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:FC4B; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:320 mW, 600 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:1.7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:350 mV; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:225 mOhms; Id-连续漏极电流:1.5 A, 2 A; Vds-漏源极击穿电压:12 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:CSP-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET Gate res integrated Dual Nch MOSFET |
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MTM763200LBF |
Panasonic |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:12 ns, 35 ns; 典型关闭延迟时间:50 ns, 100 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:Panasonic; 晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:700 mW; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV, 1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:80 mOhms, 100 mOhms; Id-连续漏极电流:1.9 A, 1.2 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel, P-Channel; 封装 / 箱体:WSMini-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET SC, Nch+Pch MOS FET Dual, DCDC Converter |
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FC6546010R |
Panasonic |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:100 ns; 典型关闭延迟时间:100 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 正向跨导 - 最小值:60 mS; 商标:Panasonic; 晶体管类型:2 N-Channel; 产品:MOSFET; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:150 mW; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:12 Ohms; Id-连续漏极电流:100 mA; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET Nch+Nch MOSFET 2.0x2.1mm Flat lead |
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SK8403190L |
Panasonic |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:7 ns; 典型关闭延迟时间:34 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:3 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:4 ns; 商标:Panasonic; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SK8; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:19 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:6.3 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:10 mOhms; Id-连续漏极电流:14 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:HSSO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET 30V N-ch Power MOSFET 3.3x3.25mm |
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SK8603190L |
Panasonic |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:7 ns; 典型关闭延迟时间:34 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:3 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:4 ns; 商标:Panasonic; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SK8; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:19 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:6.3 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:10 mOhms; Id-连续漏极电流:16 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:HSO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET 30V N-ch Power MOSFET 6.15x5.1mm |
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FK8V03020L |
Panasonic |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:Panasonic; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.6 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:14 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:4.6 Ohms; Id-连续漏极电流:18 A; Vds-漏源极击穿电压:33 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:WMini-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET Nch MOSFET 2.9x2.8mm Flat lead |
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MTM232270LBF |
Panasonic |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:Panasonic; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:110 mOhms; Id-连续漏极电流:2 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-323-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET Nch MOS FET |
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MTM231232LBF |
Panasonic |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:25 ns; 典型关闭延迟时间:120 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:25 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:70 ns; 商标:Panasonic; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:MTM; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:850 mV; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:45 mOhms; Id-连续漏极电流:- 3 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOT-323-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET P-ch Power MOSFET SOT-323 |
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MTM232230LBF |
Panasonic |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:Panasonic; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms; Id-连续漏极电流:4.5 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-323-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET Nch MOS FET |
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SK8603150L |
Panasonic |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:13 ns; 典型关闭延迟时间:64 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:14 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9 ns; 商标:Panasonic; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SK8; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:34 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:28 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:2.5 mOhms; Id-连续漏极电流:40 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:HSO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET 30V N-ch Power MOSFET 6.15x5.1mm |
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SK8603140L |
Panasonic |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:18 ns; 典型关闭延迟时间:75 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:14 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 商标:Panasonic; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SK8; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2.5 W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:37 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.8 mOhms; Id-连续漏极电流:46 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:HSO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET 30V N-ch Power MOSFET 6.15x5.1mm |
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MTM131270BBF |
Panasonic |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:6 ns; 典型关闭延迟时间:57 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:55 ns; 商标:Panasonic; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:MTM; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:700 mW; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:750 mV; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:92 mOhms; Id-连续漏极电流:- 2 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET Pch Power MOS FET SC-59A/TO-236AA |
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MTM761230LBF |
Panasonic |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:Panasonic; 晶体管类型:1 P-Channel; 产品:MOSFET Small Signal; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; Rds On-漏源导通电阻:70 mOhms; Id-连续漏极电流:3 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:WSMini-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET PCH MOS FET FLT LD 2.0x2.1mm |
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FFW0000300LF-4A |
Panasonic |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; 商标:Panasonic; 制造商:Panasonic; |
稳压二极管 DZ2S030M0L |
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FC4B21320L1 |
Panasonic |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:0.1 us; 典型关闭延迟时间:0.5 us; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:0.15 us; 产品类型:MOSFET; 下降时间:0.3 us; 商标:Panasonic; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:FC4B; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:340 mW, 900 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:3.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:350 mV; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:115 mOhms; Id-连续漏极电流:2.5 A, 4 A; Vds-漏源极击穿电压:12 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:CSP-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET WL-CSP Dual Nchannel MOSFET |
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FC4B22270L1 |
Panasonic |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:250 ns; 典型关闭延迟时间:1.65 us; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:550 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:1 us; 商标:Panasonic; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:FC4B; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:370 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:9 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:900 mV; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:22 mOhms; Id-连续漏极电流:8 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:CSP-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET WL-CSP Dual Nch MOSFET |
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MTM763250LBF |
Panasonic |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:Panasonic; 晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel; 系列:MTM; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:700 mW; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Vgs th-栅源极阈值电压:850 mV, 1 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:300 mOhms; Id-连续漏极电流:1.7 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel, P-Channel; 封装 / 箱体:WSSMini-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Panasonic; |
MOSFET Nch+Pch Power MOSFET SC-113DA |
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