| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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SS26SHE3_B/H |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SS2x; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :200 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:75 A; Vf - 正向电压:0.6 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 60V Sctky Bar Rectfr SMA (DO-214AC) |
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V1P22-M3/H |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:4500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:V1P22; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:25 A; Vf - 正向电压:880 mV; Vrrm - 重复反向电压:200 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:DO-219AD; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 200V 1A TMBS MicroSMP (DO-219AD) |
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V2P22-M3/H |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:4500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:V2P22; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:30 A; Vf - 正向电压:930 mV; Vrrm - 重复反向电压:200 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-219AD; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 200V 2A TMBS MicroSMP (DO-219AD) |
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SML4747AHE3_A/H |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:12.5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:20 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 20V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4738AHE3_A/H |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :10 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:31 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:10 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:8.2 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 8.2V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4745AHE3_A/I |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:7500; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:15.5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:16 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 16V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4746HE3_A/I |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:7500; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:14 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:10 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:18 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 18V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4742AHE3_A/I |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:7500; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:21 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:12 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 12V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4759AHE3_A/H |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:4 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:62 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 62V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4752HE3_A/I |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:7500; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:7.5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:10 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:33 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 33V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4762AHE3_A/H |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:3 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:82 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 82V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4751AHE3_A/H |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:8.5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:30 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 30V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4748AHE3_A/H |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:11.5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:22 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 22V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4764AHE3_A/H |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:2.5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:100 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 100V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4739AHE3_A/H |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :10 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:28 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:10 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:9.1 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 9.1V Zener SMA (DO-214AC) |
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V2F22HM3/H |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:V2F22; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :0.3 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:60 A; Vf - 正向电压:870 mV; Vrrm - 重复反向电压:200 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-219AB; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 200V 2A TMBS SMF (DO-219AB) |
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SE10DLJ-M3/I |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:eSMP; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2000; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SE10D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 恢复时间:3000 ns; Ir - 反向电流 :15 uA; 最大浪涌电流:110 A; Vf - 正向电压:1.15 V; 配置:Single; 类型:Standard Recovery Rectifiers; If - 正向电流:10 A; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:TO-263AC; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 600V 10A RECTIFIER SMPD (TO-263AC) |
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SE10DLG-M3/I |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:eSMP; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2000; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SE10D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :15 uA; 最大浪涌电流:110 A; Vf - 正向电压:1.15 V; 配置:Single; 类型:Standard Recovery Rectifiers; If - 正向电流:10 A; Vr - 反向电压 :400 V; 封装 / 箱体:TO-263AC; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 400V 10A RECTIFIER SMPD (TO-263AC) |
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SE10DLJHM3/I |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:eSMP; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2000; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SE10D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :15 uA; 最大浪涌电流:110 A; Vf - 正向电压:1.15 V; 配置:Single; 类型:Standard Recovery Rectifiers; If - 正向电流:10 A; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:TO-263AC; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 600V 10A RECTIFIER SMPD (TO-263AC) |
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SQJ264EP-T1_GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 商标名:PowerPAK; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175C MOSFETs PowerPAK SO-8L 134M SG , 8.6 mO @ 10V mO @ 7.5V mO @ 4.5V |
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SE20DLJ-M3/I |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:eSMP; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2000; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SE20D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 恢复时间:3000 ns; Ir - 反向电流 :25 uA; 最大浪涌电流:150 A; Vf - 正向电压:1.2 V; 配置:Single; 类型:Standard Recovery Rectifiers; If - 正向电流:20 A; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:TO-263AC; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 600V 20A RECTIFIER SMPD (TO-263AC) |
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SE20DLG-M3/I |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:eSMP; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2000; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SE20D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 恢复时间:3000 ns; Ir - 反向电流 :25 uA; 最大浪涌电流:150 A; Vf - 正向电压:1.2 V; 配置:Single; 类型:Standard Recovery Rectifiers; If - 正向电流:20 A; Vr - 反向电压 :400 V; 封装 / 箱体:TO-263AC; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 400V 20A RECTIFIER SMPD (TO-263AC) |
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SE20DLGHM3/I |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:eSMP; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2000; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SE20D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 恢复时间:3000 ns; Ir - 反向电流 :25 uA; 最大浪涌电流:150 A; Vf - 正向电压:1.2 V; 配置:Single; 类型:Standard Recovery Rectifiers; If - 正向电流:20 A; Vr - 反向电压 :400 V; 封装 / 箱体:TO-263AC; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 400V 20A RECTIFIER SMPD (TO-263AC) |
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SE20DLJHM3/I |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:eSMP; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2000; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SE20D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 恢复时间:3000 ns; Ir - 反向电流 :25 uA; 最大浪涌电流:150 A; Vf - 正向电压:1.2 V; 配置:Single; 类型:Standard Recovery Rectifiers; If - 正向电流:20 A; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:TO-263AC; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 600V 20A RECTIFIER SMPD (TO-263AC) |
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SISS50DN-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:30 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 正向跨导 - 最小值:72 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65.7 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:46.7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, 20 V; Rds On-漏源导通电阻:2.83 mOhms; Id-连续漏极电流:108 A; Vds-漏源极击穿电压:45 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8S; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; |
MOSFET 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK |
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SIHP186N60EF-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:80 ns; 典型关闭延迟时间:32 ns; 子类别:MOSFETs; 上升时间:27 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:44 ns; 商标:Vishay Semiconductors; 系列:EF; 配置:Single; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:65 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:225 mOhms; Id-连续漏极电流:18 A; Vds-漏源极击穿电压:500 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET Power MOSFET |
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SIHP105N60EF-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:20 ns; 典型关闭延迟时间:39 ns; 子类别:MOSFETs; 上升时间:28 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:19 ns; 商标:Vishay Semiconductors; 系列:EF; 配置:Single; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:208 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:35 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:88 mOhms; Id-连续漏极电流:29 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode |
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SIR150DP-T1-RE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:30 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 正向跨导 - 最小值:72 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65.7 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:46.7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, 20 V; Rds On-漏源导通电阻:2.71 mOhms; Id-连续漏极电流:110 A; Vds-漏源极击穿电压:45 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; |
MOSFET 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK |
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SISS22LDN-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:12 ns, 25 ns; 典型关闭延迟时间:28 ns, 30 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6 ns, 70 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns, 10 ns; 正向跨导 - 最小值:57 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N - Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65.7 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:17.4 nC, 37.3 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:3.65 mOhms; Id-连续漏极电流:92.5 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8S; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; |
MOSFET N-CHANNEL 60V PowerPAK 1212-8S |
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SIZ260DT-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:20 ns; 典型关闭延迟时间:24 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:55 ns, 42 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:25 ns, 20 ns; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:33 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:13.1 nC, 13.3 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:0.0245 Ohms, 0.0247 Ohms; Id-连续漏极电流:24.7 A, 24.6 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAIR-3x3-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET DUAL N-CHANNEL 80-V PowerPAIR 3 x 3S |
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SIJ150DP-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:6 ns; 典型关闭延迟时间:6 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:15 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:30 ns; 正向跨导 - 最小值:72 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65.7 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:46.7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, 20 V; Rds On-漏源导通电阻:2.83 mOhms; Id-连续漏极电流:110 A; Vds-漏源极击穿电压:45 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; |
MOSFET 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK |
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SIZ240DT-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15 ns, 25 ns; 典型关闭延迟时间:23 ns, 25 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6 ns, 55 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns, 10 ns; 正向跨导 - 最小值:39 S, 55 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:33 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:15.2 nC, 14.2 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.4 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, 20 V; Rds On-漏源导通电阻:8 mOhms, 8.4 mOhms; Id-连续漏极电流:48 A, 47 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAIR 3 x 3S; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; |
MOSFET DUAL N-CHANNEL Symm.PowerPAIR 3 x 3 |
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SIHD6N80AE-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:16 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:10 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:20 ns; 正向跨导 - 最小值:1.9 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N - Channel; 系列:E; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:62.5 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:15 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:950 mOhms; Id-连续漏极电流:5 A; Vds-漏源极击穿电压:800 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-252; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET N-CHANNEL 800V DPAK (TO-252) |
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SISF04DN-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:30 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:21 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 正向跨导 - 最小值:115 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:69.4 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:40 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 12 V, 16 V; Rds On-漏源导通电阻:4 mOhms; Id-连续漏极电流:108 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; |
MOSFET N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F |
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SIHU6N80AE-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:16 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:10 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:20 ns; 正向跨导 - 最小值:1.9 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N - Channel; 系列:E; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:62.5 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:15 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:950 mOhms; Id-连续漏极电流:5 A; Vds-漏源极击穿电压:800 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-251; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET N-CHANNEL 800V IPAK (TO-251) |
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SIZ250DT-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:22 ns; 典型关闭延迟时间:22 ns, 24 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:60 ns, 50 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7 ns, 12 ns; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:33 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:13.5 nC, 13.4 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:0.01220 Ohms, 0.01270 Ohms; Id-连续漏极电流:38 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAIR-3x3S-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET DUAL N-CHANNEL 60-V PowerPAIR 3 x 3S |
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SQJA36EP-T1_GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:18 ns; 典型关闭延迟时间:35 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:17 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:95 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:86 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.24 mOhms; Id-连续漏极电流:350 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8L-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK |
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V2P22LHM3/H |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:V2P22L; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:910 mV; Vrrm - 重复反向电压:200 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-220AA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 200V 2A TMBS SMP (DO-220AA) |
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SISS63DN-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:20 ns, 40 ns; 典型关闭延迟时间:80 ns, 100 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:28 ns, 60 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:25 ns, 70 ns; 正向跨导 - 最小值:75 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:72.2 nC, 157.2 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 1.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:2.7 mOhms; Id-连续漏极电流:127.5 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; |
MOSFET P-CHANNEL 20V PowerPAK 1212-8S |
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SISS32LDN-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:12 ns, 22 ns; 典型关闭延迟时间:28 ns, 26 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6 ns, 61 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:1 ns, 10 ns; 正向跨导 - 最小值:55 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:N - Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65.7 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:17.7 nC, 37.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:7.2 mOhms; Id-连续漏极电流:63 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; |
MOSFET N-CHANNEL 80V PowerPAK 1212-8S |
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SIR680ADP-T1-RE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:17 ns, 19 ns; 典型关闭延迟时间:30 ns, 30 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:8 ns, 15 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9 ns, 12 ns; 正向跨导 - 最小值:68 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:N - Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:104 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:43 nC, 55 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:2.88 mOhms; Id-连续漏极电流:125 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; |
MOSFET N-CHANNEL 80V PowerPAK SO-8 |
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V3P22-M3/H |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:V3P22; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:60 A; Vf - 正向电压:940 mV; Vrrm - 重复反向电压:200 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:DO-220AA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 200V 3A TMBS SMP (DO-220AA) |
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V2P6XHM3/H |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:V2P6X; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :100 uA; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:640 mV; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-220AA-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 2A 60V SMP TMBS SMP (DO-220AA) |
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SQJQ144AE-T1_GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 产品类型:MOSFET; 商标:Vishay Semiconductors; 系列:SQJQ144AE; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET Auto N-Channel 40V 175C |
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SIR170DP-T1-RE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:43 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8 ns; 商标:Vishay Semiconductors; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:104 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:93 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 5.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:4 mOhms; Id-连续漏极电流:95 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; |
MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
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SQD10950E_GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:8 ns; 典型关闭延迟时间:15 ns; 子类别:MOSFETs; 上升时间:3 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:3 ns; 商标:Vishay / Siliconix; 配置:Single; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:62 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:10.6 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:134.2 mOhms; Id-连续漏极电流:11.5 A; Vds-漏源极击穿电压:250 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; |
MOSFET Automotive N-Channel 250 V (D-S) 175C MOSFET |
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SQS840CENW-T1_GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:6.5 ns; 典型关闭延迟时间:26 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:2.7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:4.3 ns; 正向跨导 - 最小值:62 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:33 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:15 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:20 mOhms; Id-连续漏极电流:12 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8W; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK |
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SIR106ADP-T1-RE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15 ns, 18 ns; 典型关闭延迟时间:22 ns, 25 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:7 ns, 8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns, 7 ns; 正向跨导 - 最小值:72 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:N - Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:83.3 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:26.5 nC, 34.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:8 mOhms; Id-连续漏极电流:65.8 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; |
MOSFET N-CHANNEL 100V PowerPAK SO-8 |
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SIHD690N60E-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:19 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:9 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:22 ns; 正向跨导 - 最小值:1.2 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:E; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:62.5 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:8 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:700 mOhms; Id-连续漏极电流:6.4 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 600V DPAK (TO-252) N-CHANNEL |
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SIR846BDP-T1-RE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:25 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 正向跨导 - 最小值:72 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:83.3 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:34.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:8 mOhms; Id-连续漏极电流:65.8 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; |
MOSFET N-CHANNEL 100-V(D-S) PowerPAK SO-8 |
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