| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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MMSZ5255BQ-7-F |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vf - 正向电压:0.9 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; If - 正向电流:10 mA; 商标:Diodes Incorporated; 宽度:1.4 mm; 长度:1.8 mm; 高度:1.1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 测试电流:20 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:11 Ohms; 齐纳电流:-; 电压温度系数:-; 电压容差:-; Pd-功率耗散:200 mW; 封装 / 箱体:SOD-323-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:5.6 V; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
稳压二极管 Zener Diode SOD123 T&R 3K |
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SBR10U45SP5Q-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :45 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.05 mA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:275 A; Vf - 正向电压:0.42 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:PowerDI5-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; 制造商:Diodes Incorporated; |
肖特基二极管与整流器 Super Barrier Rectif |
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DMT8008LFG-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:6.9 ns; 典型关闭延迟时间:37 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:12 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:21 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:37.7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:6.9 mOhms; Id-连续漏极电流:48 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerDI3333-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V |
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DMT67M8LPSW-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:5.5 ns; 典型关闭延迟时间:22.1 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:6.8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10.8 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:37.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:6.2 mOhms; Id-连续漏极电流:17.3 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerDI5060-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K |
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FMMT416TD |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 at 10 mA, 10 V; 集电极连续电流:500 mA; 商标:Diodes Incorporated; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:40 MHz; Pd-功率耗散:500 mW; 最大直流电集电极电流:60 A; 集电极—射极饱和电压:100 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:7 V; 集电极—基极电压 VCBO:315 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Avalanche Transistor |
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DMT12H007LPS-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:7.9 ns; 典型关闭延迟时间:30 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:15.4 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:19.1 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:96 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:49 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:7.8 mOhms; Id-连续漏极电流:90 A; Vds-漏源极击穿电压:120 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerDI5060-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K |
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PDS4150Q-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :150 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.3 uA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:180 A; Vf - 正向电压:0.77 V; Vrrm - 重复反向电压:150 V; If - 正向电流:8 A; 封装 / 箱体:PowerDI5-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; 制造商:Diodes Incorporated; |
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier |
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DXTN10060DFJBWQ-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:250 at 10 mA, 2 V; 集电极连续电流:4 A; 商标:Diodes Incorporated; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:550 at 10 mA, 2 V; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:125 MHz; Pd-功率耗散:1.8 W; 最大直流电集电极电流:6 A; 集电极—射极饱和电压:240 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:8 V; 集电极—基极电压 VCBO:100 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:W-DFN2020-3; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Diodes Incorporated; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Low Sat Transist |
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DMT35M4LFDF-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:3.6 ns; 典型关闭延迟时间:15 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:4.4 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6.9 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:0.86 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:14.9 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:6.9 mOhms; Id-连续漏极电流:13 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:U-DFN2020-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 3K |
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DMN6075SQ-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:3.5 ns; 典型关闭延迟时间:35 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:4.1 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:0.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:12.3 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:85 mOhms; Id-连续漏极电流:2 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 3K |
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DMP1009UFDFQ-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:7 ns; 典型关闭延迟时间:62.2 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:10.6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:61 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:0.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:44 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 1 V; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:11 mOhms; Id-连续漏极电流:- 11 A; Vds-漏源极击穿电压:12 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:U-DFN2020-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K |
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SBR40U300CT-G |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :300 V; trr - 反向恢复时间 :26 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Diodes Incorporated; 端接类型:Solder Pin; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :100 uA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:235 A; Vf - 正向电压:0.84 V; Vrrm - 重复反向电压:300 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; 制造商:Diodes Incorporated; |
肖特基二极管与整流器 Super Barrier Rectifier TO220AB TUBE 50PCS |
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ZXMN6A09GQTA |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:4.9 ns; 典型关闭延迟时间:25.3 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:4.6 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:24.2 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:0.04 Ohms; Id-连续漏极电流:7.5 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-223-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R 1K |
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PD3S230LQ-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :40 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:30 A; Vf - 正向电压:0.37 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:PowerDI323-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; |
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier |
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DMN5L06KQ-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 正向跨导 - 最小值:200 mS; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:350 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:2 Ohms; Id-连续漏极电流:300 mA; Vds-漏源极击穿电压:50 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET 2N7002 Family SOT23 T&R 3K |
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FMMT459QTA |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:50 at 30 mA, 10 V; 集电极连续电流:150 mA; 商标:Diodes Incorporated; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:120 at 30 mA, 10 V; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:50 MHz; Pd-功率耗散:625 mW; 最大直流电集电极电流:500 mA; 集电极—射极饱和电压:70 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:7 V; 集电极—基极电压 VCBO:500 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:450 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Diodes Incorporated; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Hi Voltage Trans |
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DMN2991UDA-7B |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:5.6 ns; 典型关闭延迟时间:60.6 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10000; 上升时间:4.9 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:27.6 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:310 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:0.35 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:0.99 Ohms; Id-连续漏极电流:0.45 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:X2-DFN0806-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0806-6 T&R 10K |
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SDM02L30CP3-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Diodes Incorporated; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :120 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:6 A; Vf - 正向电压:0.44 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:200 mA; 封装 / 箱体:X3-WLB0603-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
肖特基二极管与整流器 Schottky Diode X3-WLB0603-2 T&R 10K |
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DMP2045UQ-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:4.2 ns; 典型关闭延迟时间:23 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:3.4 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9.6 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.2 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:6.8 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 1 V; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:45 mOhms; Id-连续漏极电流:- 4.3 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOT23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K |
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ZLLS1000QTA |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; trr - 反向恢复时间 :5 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:0.8 W; 湿度敏感性:Yes; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :5 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:22 A; Vf - 正向电压:530 mV; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:1.5 A; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier |
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UDZ9V1BQ-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 商标:Diodes Incorporated; 宽度:1.4 mm; 长度:1.8 mm; 高度:1.1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:30 Ohms; 齐纳电流:-; 电压温度系数:-; 电压容差:-; Pd-功率耗散:200 mW; 封装 / 箱体:SOD-323-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:9.1 V; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
稳压二极管 Tight Tolerance Zener Diode SOD323 T&R 10K |
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DMN65D9L-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:3.7 ns; 典型关闭延迟时间:102 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:3.6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:22 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:270 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:0.4 pC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:16 V; Rds On-漏源导通电阻:4 Ohms; Id-连续漏极电流:335 mA; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 3K |
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DMN2041UVT-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:9 ns; 典型关闭延迟时间:32 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:21 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:17 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.1 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:9.1 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:0.9 V; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms; Id-连续漏极电流:5.8 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TSOT-26-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 3K |
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DXTP5860CFDB-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:140 at - 2 A, - 2 V; 集电极连续电流:- 4 A; 商标:Diodes Incorporated; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:180 at - 2 A, - 2 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:+ 55 C; 增益带宽产品fT:130 MHz; Pd-功率耗散:0.69 W; 最大直流电集电极电流:- 8 A; 集电极—射极饱和电压:- 155 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 7 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 60 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:U-DFN2020-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K |
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DXTP58100CFDB-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:90 at - 2 A, - 2 V; 集电极连续电流:- 2 A; 商标:Diodes Incorporated; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:180 at - 2 A, - 2 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:135 MHz; Pd-功率耗散:0.69 W; 最大直流电集电极电流:- 4 A; 集电极—射极饱和电压:- 125 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 7 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 100 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 100 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:U-DFN2020-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K |
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BAT64T5Q-7-F |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; trr - 反向恢复时间 :5 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:250 mW; 商标:Diodes Incorporated; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :2 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:1200 mA; Vf - 正向电压:0.725 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:250 mA; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
肖特基二极管与整流器 Schottky Diode SOD523 T&R 3K |
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DMT3020LSDQ-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:1.8 ns; 典型关闭延迟时间:7.5 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:1.9 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:2.4 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.5 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:20 mOhms; Id-连续漏极电流:16 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.5K |
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DMN22M5UFG-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:8.1 ns; 典型关闭延迟时间:72.1 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:22.5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:44.5 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2.2 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:53 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:2.5 mOhms; Id-连续漏极电流:27 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerDI3333-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333-8 T&R 2K |
 |
BSS84Q-7-F |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:18 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 正向跨导 - 最小值:0.05 S; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:300 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:0.28 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:10 Ohms; Id-连续漏极电流:- 130 mA; Vds-漏源极击穿电压:50 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET BSS Family |
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PDS3100Q-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :100 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :2 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:90 A; Vf - 正向电压:0.78 V; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:PowerDI5; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; |
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier |
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SBR10M100P5Q-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :100 V; trr - 反向恢复时间 :18 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:SBR10M100P5Q; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :100 nA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:220 A; Vf - 正向电压:0.78 V; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:PowerDI5-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; |
肖特基二极管与整流器 SBR Diode |
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MMBZ5257BQ-7-F |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vf - 正向电压:900 mV; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:Diodes Incorporated; 宽度:1.3 mm; 长度:2.9 mm; 高度:0.975 mm; 系列:MMBZ5257B; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 测试电流:3.8 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:58 Ohms; 齐纳电流:0.1 uA; Pd-功率耗散:350 mW; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:33 V; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
稳压二极管 Zener Diode |
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DMG6602SVTX-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:3 ns, 4.8 ns; 典型关闭延迟时间:13 ns, 20 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:5 ns, 7.3 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:3 ns, 13 ns; 正向跨导 - 最小值:4 S, 6 S; 商标:Diodes Incorporated; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.12 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:13 nC, 9 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV, 1.8 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:60 mOhms, 95 mOhms; Id-连续漏极电流:3.4 A, 2.8 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel, P-Channel; 封装 / 箱体:TSOT-26-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V |
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MMDT3904Q-7-F |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:30; 集电极连续电流:200 mA; 商标:Diodes Incorporated; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MMDT3904Q; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:300 MHz; Pd-功率耗散:200 mW; 最大直流电集电极电流:200 mA; 集电极—射极饱和电压:0.3 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V; 集电极—基极电压 VCBO:60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V; 配置:Dual; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V Dual NPN Small Signal Transistor |
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DMN3730UFB4-7B |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:3.5 ns; 典型关闭延迟时间:38 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10000; 上升时间:2.8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:40 mS; 商标:Diodes Incorporated; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:0.69 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:1.6 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:450 mV; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:460 mOhms; Id-连续漏极电流:910 mA; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:X2-DFN1006-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V |
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DZ23C15Q-7-F |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 配置:Dual; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:30 Ohms; 电压温度系数:0.08 %/C; 电压容差:6.12 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:13.8 V to 15.6 V; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
稳压二极管 Zener Diode |
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DMP2067LVT-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:5.2 ns; 典型关闭延迟时间:103 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:12 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:31 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.6 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:28 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:65 mOhms; Id-连续漏极电流:- 4.2 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:TSOT-26-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V |
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DMN2024UFDF-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:140 ns; 典型关闭延迟时间:434 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:1024 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:245 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.67 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:0.9 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:0.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:22 mOhms; Id-连续漏极电流:7.1 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:U-DFN2020-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V |
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DMG3402LQ-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:1.9 ns; 典型关闭延迟时间:10.3 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:1.6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:2 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.4 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:11.7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:85 mOhms; Id-连续漏极电流:4 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V |
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DDZ9692TQ-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vf - 正向电压:900 mV; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:Diodes Incorporated; 宽度:0.85 mm; 长度:1.25 mm; 高度:0.65 mm; 系列:DDZ9692; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 测试电流:50 uA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; 齐纳电流:0.1 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:6.8 V; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
稳压二极管 Zener Diode |
 |
DMN3401LDW-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:3.5 ns; 典型关闭延迟时间:16.8 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10000; 上升时间:3.3 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13.8 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:350 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:1.2 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:700 mOhms; Id-连续漏极电流:800 mA; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V |
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RABF28-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :560 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 高度:1.25 mm; 宽度:4.6 mm; 长度:5.3 mm; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 最大浪涌电流:60 A; Vf - 正向电压:1.3 V; 峰值反向电压:800 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:SOPA-4; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; |
桥式整流器 Bridge Rectifier ABF |
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DMN4035LQ-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:3.1 ns; 典型关闭延迟时间:15 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:2.6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5.5 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.4 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:12.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:52 mOhms; Id-连续漏极电流:4.6 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V |
|
RABF24-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :280 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 高度:1.25 mm; 宽度:4.6 mm; 长度:5.3 mm; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 最大浪涌电流:60 A; Vf - 正向电压:1.3 V; 峰值反向电压:400 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:SOPA-4; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; |
桥式整流器 Bridge Rectifier ABF |
|
RABF26-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :420 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 高度:1.25 mm; 宽度:4.6 mm; 长度:5.3 mm; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 最大浪涌电流:60 A; Vf - 正向电压:1.3 V; 峰值反向电压:600 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:SOPA-4; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; |
桥式整流器 Bridge Rectifier ABF |
|
DMT6013LSS-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:4.3 ns; 典型关闭延迟时间:15.8 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:6.5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6.1 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:10.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:15 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:15 mOhms; Id-连续漏极电流:10 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:U-DFN2020-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS 41V-60V |
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SBRT3U60SAF-13-01 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:40 A; Vf - 正向电压:0.45 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:SMAF-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; |
肖特基二极管与整流器 Super Barrier Rectifier |
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RDBF152U-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 高度:1.5 mm; 宽度:6.85 mm; 长度:8.9 mm; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 最大浪涌电流:70 A; Vf - 正向电压:1.3 V; 峰值反向电压:200 V; If - 正向电流:1.5 A; 封装 / 箱体:DBF-4; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; |
桥式整流器 Bridge Rectifier |
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ZXPD4000DH-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Darlington Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:2000; 集电极连续电流:2 A; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:V-DFN3030-8; 安装风格:SMD/SMT; Pd-功率耗散:0.9 W; 最大集电极截止电流:10 uA; 最大直流电集电极电流:2 A; 集电极—基极电压 VCBO:120 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:8 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:120 V; 晶体管极性:NPN; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
达林顿晶体管 Printer Head Driver |
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DMN2009USS-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:4.2 ns; 典型关闭延迟时间:25 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:6.2 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:34 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:12 mOhms; Id-连续漏极电流:12.1 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
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