| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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1N816 |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; Pd-功率耗散:400 mW; 最大二极管电容:-; 商标:Microchip / Microsemi; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.1 uA; Vf - 正向电压:1 V; 恢复时间:-; 配置:Single; If - 正向电流:100 mA; 最大浪涌电流:-; 峰值反向电压:40 V; 封装 / 箱体:DO-35-2; 安装风格:Through Hole; 产品:General Purpose Diodes; 制造商:Microchip; |
二极管 - 通用，功率，开关 Switching Diode |
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JAN1N649-1 |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Rectifiers; Pd-功率耗散:500 mW; 商标:Microchip / Microsemi; 产品:Rectifiers; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.05 uA; 最大浪涌电流:5 A; Vf - 正向电压:1 V at 400 mA; 配置:Single; 类型:Standard Recovery Rectifiers; If - 正向电流:400 mA; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:DO-35; 安装风格:Through Hole; 制造商:Microchip; |
整流器 Switching Diode |
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JAN1N483B |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Rectifiers; Pd-功率耗散:500 mW; 商标:Microchip / Microsemi; 产品:Rectifiers; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 最大浪涌电流:2 A; Vf - 正向电压:1 V at 100 mA; 配置:Single; 类型:Standard Recovery Rectifiers; If - 正向电流:100 mA; Vr - 反向电压 :70 V; 封装 / 箱体:DO-35; 安装风格:Through Hole; 制造商:Microchip; |
整流器 Switching Diode |
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JANTX1N486B |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Rectifiers; Pd-功率耗散:500 mW; 商标:Microchip / Microsemi; 产品:Rectifiers; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 最大浪涌电流:2 A; Vf - 正向电压:1 V at 100 mA; 配置:Single; 类型:Standard Recovery Rectifiers; If - 正向电流:100 mA; Vr - 反向电压 :225 V; 封装 / 箱体:DO-35; 安装风格:Through Hole; 制造商:Microchip; |
整流器 Switching Diode |
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Jantx2N4854 |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:60; 集电极连续电流:600 mA; 商标:Microchip / Microsemi; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:300; 系列:2N4854; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 65 C; Pd-功率耗散:2 W; 最大直流电集电极电流:600 mA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN, PNP; 封装 / 箱体:TO-78-6; 安装风格:Through Hole; 制造商:Microchip; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTs |
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2N2945AUB/TR |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:30; 集电极连续电流:- 100 mA; 商标:Microchip / Microsemi; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 65 C; 增益带宽产品fT:-; Pd-功率耗散:400 mW; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 集电极—射极饱和电压:-; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 25 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 25 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 20 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:TO-46-3; 安装风格:Through Hole; 制造商:Microchip; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTs |
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APT50N60JCCU2 |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:1; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; 商标:Microchip / Microsemi; 封装:Tube; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
分立半导体模块 DOR CC0061 |
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JANTX1N4153-1 |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; 最大二极管电容:2 pF; 商标:Microchip / Microsemi; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :50 nA; Vf - 正向电压:0.88 V; 恢复时间:4 ns; 配置:Common Cathode; If - 正向电流:20 mA; 最大浪涌电流:2 A; 峰值反向电压:75 V; 封装 / 箱体:DO-35; 安装风格:Through Hole; 产品:Switching Diodes; 制造商:Microchip; |
二极管 - 通用，功率，开关 Switching Diode |
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1N829A-1e3 |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :2 uA; 商标:Microchip / Microsemi; 测试电流:7.5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:10 Ohms; 齐纳电流:70 mA; 电压温度系数:0.0005 %/C; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:500 mW; 封装 / 箱体:DO-7-2; 安装风格:Through Hole; Vz - 齐纳电压:6.2 V; 制造商:Microchip; |
稳压二极管 OTC Temperature Compensated Zeners |
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APT60GT60JRD |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:1; 产品类型:IGBT Modules; 栅极/发射极最大电压:20 V; 安装风格:Screw Mount; 商标:Microchip / Microsemi; 技术:Si; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:SOT-227-4; Pd-功率耗散:378 W; 栅极—射极漏泄电流:100 nA; 在25 C的连续集电极电流:93 A; 集电极—射极饱和电压:2 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V; 配置:Single; 产品:IGBT Silicon Modules; 制造商:Microchip; |
IGBT 模块 FG, IGBT-COMBI, 600V, 60A, SOT-227 |
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1N5278B/TR |
Microchip |
分立半导体 |
Vf - 正向电压:1.5 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; If - 正向电流:200 mA; 商标:Microchip / Microsemi; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:0.74 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:1900 Ohms; 齐纳电流:-; 电压温度系数:0.11 %/C; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:0.5 W; 封装 / 箱体:DO-35-2; 安装风格:Through Hole; Vz - 齐纳电压:170 V; 制造商:Microchip; |
稳压二极管 稳压二极管 |
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2N2905Ae3 |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:75; 集电极连续电流:600 mA; 商标:Microchip / Microsemi; 技术:Si; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 65 C; 增益带宽产品fT:-; Pd-功率耗散:0.8 W; 集电极—射极饱和电压:1.6 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:TO-39-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTs |
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1N4148-1e3 |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; 商标:Microchip / Microsemi; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; Vf - 正向电压:1.2 V; 恢复时间:20 ns; 配置:Single; If - 正向电流:200 mA; 最大浪涌电流:2 A; 峰值反向电压:75 V; 封装 / 箱体:DO-35-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
二极管 - 通用，功率，开关 Switching Diode |
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1N4744AGe3 |
Microchip |
分立半导体 |
Vf - 正向电压:1.2 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; If - 正向电流:200 mA; 商标:Microchip / Microsemi; 长度:5.207 mm; 直径:2.718 mm; 封装:Bulk; 测试电流:17 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:14 Ohms; 齐纳电流:5 uA; 电压温度系数:-; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-41-2; 安装风格:Through Hole; Vz - 齐纳电压:15 V; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
稳压二极管 稳压二极管 |
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2N2907Ae4 |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 商标:Microchip / Microsemi; 技术:Si; 封装:Bulk; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTs |
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MSC080SMA120B |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 产品类型:MOSFET; 商标:Microchip / Microsemi; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:200 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:64 nC; Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V to 23 V; Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms; Id-连续漏极电流:37 A; Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
MOSFET UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-247 |
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1N5248BUR-1e3 |
Microchip |
分立半导体 |
Vf - 正向电压:1.5 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; If - 正向电流:200 mA; 商标:Microchip / Microsemi; 长度:3.7 mm; 直径:1.7 mm; 封装:Bulk; 测试电流:7 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:21 Ohms; 齐纳电流:0.1 uA; 电压温度系数:0.085 %/C; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:0.5 W; 封装 / 箱体:DO-213AA; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:18 V; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
稳压二极管 稳压二极管 |
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Jantx1N6677UR-1 |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Microchip / Microsemi; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :5 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:5 A; Vf - 正向电压:0.7 V at 630 mA; Vrrm - 重复反向电压:40 V; 封装 / 箱体:DO-213AA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; 制造商:Microchip; |
肖特基二极管与整流器 Schottky |
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MSC050SDA120S |
Microchip |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :1200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:429 W; 商标:Microchip / Microsemi; 封装:Tube; 系列:MSC0; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:290 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:50 A; 封装 / 箱体:D3PAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
肖特基二极管与整流器 FG, SIC SBD, TO-268 |
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MSC040SMA120J |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 产品类型:MOSFET; 商标:Microchip / Microsemi; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:208 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:137 nC; Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V to 25 V; Rds On-漏源导通电阻:50 mOhms; Id-连续漏极电流:53 A; Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-227-4; 安装风格:Chassis Mount; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
MOSFET UNRLS, FG, SIC MOSFET, SOT-227 |
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1N6642USe3 |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; 最大二极管电容:5 pF; 商标:Microchip / Microsemi; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :500 nA; Vf - 正向电压:1.2 V; 恢复时间:6 ns; 配置:Single; If - 正向电流:300 mA; 最大浪涌电流:2.5 A; 峰值反向电压:50 V; 封装 / 箱体:D-5D-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
二极管 - 通用，功率，开关 Switching Diode |
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LND01K1-G |
Microchip |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:3.8 ns; 典型关闭延迟时间:1 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:11 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6.4 ns; 正向跨导 - 最小值:200 mmho; 商标:Microchip Technology; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:LND01; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Depletion; Pd-功率耗散:360 mW; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 25 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 12 V, 0.6 V; Rds On-漏源导通电阻:1.4 Ohms; Id-连续漏极电流:330 mA; Vds-漏源极击穿电压:9 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
MOSFET Lateral N-Ch MOSFET Depletion-Mode |
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MSC025SMA120B |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 产品类型:MOSFET; 商标:Microchip / Microsemi; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:232 nC; Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V to 23 V; Rds On-漏源导通电阻:31 mOhms; Id-连续漏极电流:103 A; Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
MOSFET UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-247 |
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MSC030SDA120B |
Microchip |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :1200 V; trr - 反向恢复时间 :0 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:300 W; 商标:Microchip / Microsemi; 封装:Tube; 系列:MSC0; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :9 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:280 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:69 A; 封装 / 箱体:TO-247-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
肖特基二极管与整流器 1200 V, 30 A SiC SBD |
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MSC035SMA070B |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 产品类型:MOSFET; 商标:Microchip / Microsemi; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:283 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:99 nC; Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V to 23 V; Rds On-漏源导通电阻:44 mOhms; Id-连续漏极电流:77 A; Vds-漏源极击穿电压:700 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
MOSFET UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-247 |
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MSC060SMA070B |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 产品类型:MOSFET; 商标:Microchip / Microsemi; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:143 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:56 nC; Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V to 23 V; Rds On-漏源导通电阻:69 mOhms; Id-连续漏极电流:39 A; Vds-漏源极击穿电压:700 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
MOSFET UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-247 |
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MSC050SDA070B |
Microchip |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :700 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Microchip / Microsemi; 封装:Tube; 系列:MSC0; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:SiC; 配置:Single; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:700 V; If - 正向电流:50 A; 封装 / 箱体:TO-247-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
肖特基二极管与整流器 700 V, 50 A SiC SBD |
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MSC050SDA070S |
Microchip |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :1.2 kV; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:429 W; 商标:Microchip / Microsemi; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :200 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:290 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1.2 kV; If - 正向电流:50 A; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
肖特基二极管与整流器 700V, 50A SiC SBD |
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MSC010SDA120K |
Microchip |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :1200 V; trr - 反向恢复时间 :0 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:136 W; 商标:Microchip / Microsemi; 封装:Tube; 系列:MSC0; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :3 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:75 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:27 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
肖特基二极管与整流器 1200 V, 10 A SiC SBD |
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MSC030SDA070K |
Microchip |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :700 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Microchip / Microsemi; 封装:Tube; 系列:MSC0; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:SiC; 配置:Single; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:700 V; If - 正向电流:30 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
肖特基二极管与整流器 700 V, 20 A SiC SBD |
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CDLL5819e3 |
Microchip |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :45 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Microchip / Microsemi; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.05 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:25 A; Vf - 正向电压:0.49 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:DO-213AB-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
肖特基二极管与整流器 Schottky |
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MSC090SMA070B |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 产品类型:MOSFET; 商标:Microchip / Microsemi; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:90 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:38 nC; Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V to 23 V; Rds On-漏源导通电阻:111 mOhms; Id-连续漏极电流:28 A; Vds-漏源极击穿电压:700 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
MOSFET UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-247 |
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MSC060SMA070S |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 产品类型:MOSFET; 商标:Microchip / Microsemi; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:130 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:56 nC; Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V to 23 V; Rds On-漏源导通电阻:69 mOhms; Id-连续漏极电流:37 A; Vds-漏源极击穿电压:700 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:D3PAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
MOSFET UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-268 |
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MSC035SMA070S |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 产品类型:MOSFET; 商标:Microchip / Microsemi; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:206 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:99 nC; Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V to 23 V; Rds On-漏源导通电阻:44 mOhms; Id-连续漏极电流:65 A; Vds-漏源极击穿电压:700 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:D3PAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
MOSFET UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-268 |
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MSC015SMA070S |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 产品类型:MOSFET; 商标:Microchip / Microsemi; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:370 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:215 nC; Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V to 23 V; Rds On-漏源导通电阻:19 mOhms; Id-连续漏极电流:126 A; Vds-漏源极击穿电压:700 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:D3PAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
MOSFET UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-268 |
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MSC040SMA120B |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 产品类型:MOSFET; 商标:Microchip / Microsemi; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:311 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:140 nC; Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V to 25 V; Rds On-漏源导通电阻:50 mOhms; Id-连续漏极电流:62 A; Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
MOSFET UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-247 |
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MSC025SMA120S |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 产品类型:MOSFET; 商标:Microchip / Microsemi; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:370 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:232 nC; Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V to 23 V; Rds On-漏源导通电阻:31 mOhms; Id-连续漏极电流:89 A; Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:D3PAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
MOSFET UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-268 |
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MSC025SMA120J |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 产品类型:MOSFET; 商标:Microchip / Microsemi; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Rds On-漏源导通电阻:31 mOhms; Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-227-4; 安装风格:Chassis Mount; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
MOSFET UNRLS, FG, SIC MOSFET, SOT-227 |
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TN2130K1-G |
Microchip |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:12 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7 ns; 商标:Microchip Technology; 宽度:1.3 mm; 类型:FET; 晶体管类型:1 N-Channel; 产品:MOSFET Small Signal; 长度:2.9 mm; 高度:0.95 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:360 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:25 Ohms; Id-连续漏极电流:85 mA; Vds-漏源极击穿电压:300 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
MOSFET 300V 25Ohm |
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MSC010SDA070K |
Microchip |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :700 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Microchip / Microsemi; 封装:Tube; 系列:MSC0; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:SiC; 配置:Single; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:700 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
肖特基二极管与整流器 700 V, 10 A SiC SBD |
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MSC090SMA070S |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 产品类型:MOSFET; 商标:Microchip / Microsemi; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:91 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:38 nC; Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V to 23 V; Rds On-漏源导通电阻:111 mOhms; Id-连续漏极电流:25 A; Vds-漏源极击穿电压:700 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:D3PAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
MOSFET UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-268 |
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MSC080SMA120S |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 产品类型:MOSFET; 商标:Microchip / Microsemi; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:182 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:64 nC; Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V to 23 V; Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms; Id-连续漏极电流:35 A; Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:D3PAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
MOSFET UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-268 |
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MSC010SDA120B |
Microchip |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :1200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Microchip / Microsemi; 封装:Tube; 系列:MSC0; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:SiC; 配置:Single; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-247-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
肖特基二极管与整流器 1200 V, 10 A SiC SBD |
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MSC030SDA070B |
Microchip |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :700 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Microchip / Microsemi; 封装:Tube; 系列:MSC0; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:SiC; 配置:Single; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:700 V; If - 正向电流:30 A; 封装 / 箱体:TO-247-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
肖特基二极管与整流器 FG, SIC SBD, TO-247 |
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MSC030SDA120K |
Microchip |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :1200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Microchip / Microsemi; 封装:Tube; 系列:MSC0; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:SiC; 配置:Single; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:30 A; 封装 / 箱体:TO-220FP-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
肖特基二极管与整流器 FG, SIC SBD, TO-220 |
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MSC010SDA070B |
Microchip |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :700 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Microchip / Microsemi; 封装:Tube; 系列:MSC0; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:SiC; 配置:Single; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:700 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-247-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
肖特基二极管与整流器 UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD |
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MSC040SMA120S |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 产品类型:MOSFET; 商标:Microchip / Microsemi; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:303 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:137 nC; Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V to 23 V; Rds On-漏源导通电阻:50 mOhms; Id-连续漏极电流:64 A; Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:D3PAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
MOSFET UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-268 |
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MSC015SMA070B |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 产品类型:MOSFET; 商标:Microchip / Microsemi; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:400 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:215 nC; Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V to 25 V; Rds On-漏源导通电阻:19 mOhms; Id-连续漏极电流:140 A; Vds-漏源极击穿电压:700 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
MOSFET UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-247 |
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MSC030SDA070S |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Microchip / Microsemi; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:SiC; 配置:Single; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:700 V; If - 正向电流:60 A; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
肖特基二极管与整流器 700V, 30A SiC SBD |
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MSC010SDA170B |
Microchip |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :1700 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Microchip / Microsemi; 封装:Tube; 系列:MSC0; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:SiC; 配置:Single; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1700 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-247-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
肖特基二极管与整流器 UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD |
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