| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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NVBLS0D7N06C |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:37 ns; 典型关闭延迟时间:146 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:57 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:105 ns; 正向跨导 - 最小值:310 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:314 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:170 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:0.75 mOhms; Id-连续漏极电流:470 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:H-PSOF-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET NFET TOLL 60V 0.75MO |
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NVBG020N120SC1 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:25 ns; 典型关闭延迟时间:46 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 上升时间:41 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 正向跨导 - 最小值:34 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:468 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:220 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 15 V, 25 V; Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms; Id-连续漏极电流:98 A; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:D2PAK-7; 安装风格:SMD/SMT; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1 |
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NTHL020N120SC1 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:25 ns; 典型关闭延迟时间:45 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:450; 上升时间:57 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 正向跨导 - 最小值:28 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:535 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:203 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 15 V, 25 V; Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms; Id-连续漏极电流:103 A; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET 20MW 1200V |
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NRVBAF3200T3G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :1 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:0.84 V; Vrrm - 重复反向电压:200 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:SMA-FL-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 200 V, 3.0 A |
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NVMJS1D5N04CLTWG |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:31 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:140 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9 ns; 正向跨导 - 最小值:256 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:110 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:70 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.4 mOhms; Id-连续漏极电流:200 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel |
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NTTFS1D2N02P1E |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:24.6 ns; 典型关闭延迟时间:38.5 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:13 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9.8 ns; 正向跨导 - 最小值:224 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:52 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:24 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 12 V, 16 V; Rds On-漏源导通电阻:1 mOhms; Id-连续漏极电流:180 A; Vds-漏源极击穿电压:25 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PQFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET 25V 1.2 MOHM PC33 |
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FCMT360N65S3 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:34 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:11 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:6 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SuperFET3; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:83 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:18 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:360 mOhms; Id-连续漏极电流:10 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PQFN-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET Easy Drive 650V 10A 360 mOhm |
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NVMFSC0D9N04CL |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:54 ns; 典型关闭延迟时间:220 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:160 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:170 ns; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:166 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:86 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:870 uOhms; Id-连续漏极电流:316 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL |
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FFSB2065B |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 650V 20A SIC SBD GEN1.5 |
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FDMS4D5N08LC |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:13 ns; 典型关闭延迟时间:59 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:19 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:17 ns; 正向跨导 - 最小值:135 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:PowerTrench; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:113.6 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:51 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:4.2 mOhms; Id-连续漏极电流:116 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PQFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET 80V 116A 4.2mOhm |
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FFSP1065B |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:75 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:45 A; Vf - 正向电压:1.38 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-220-2LD; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SIC DIODE 650V 10A |
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NTBLS0D7N06C |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:37 ns; 典型关闭延迟时间:146 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:57 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:105 ns; 正向跨导 - 最小值:310 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:314 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:170 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:0.75 mOhms; Id-连续漏极电流:470 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:H-PSOF-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET NFET TOLL 60V 0.75MO |
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NTBLS1D5N08MC |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:38 ns; 典型关闭延迟时间:74 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:34 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:37 ns; 正向跨导 - 最小值:220 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:250 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:111 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:3.7 mOhms; Id-连续漏极电流:298 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:MO-299A-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET PTNG 80V IN TOLL |
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NCV8413DTRKG |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15 us, 25 us; 典型关闭延迟时间:44 us, 60 us; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2.72 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:68 mOhms; Id-连续漏极电流:17 A; Vds-漏源极击穿电压:42 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET Protected Low-Side Smart Discrete FET |
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NVMJS2D5N06CLTWG |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:37 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:55 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8.5 ns; 正向跨导 - 最小值:286 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:113 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:52 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:2.4 mOhms; Id-连续漏极电流:31 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET 60V 2.4 mOhm 155A Single N-Channel |
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FFSD0665B-F085 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:75 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:28 A; Vf - 正向电压:1.38 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:6 A; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 650V 6A SIC SBD GEN1.5 |
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FFSP2065BDN-F085 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:650 A; Vf - 正向电压:1.38 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 650V 20A SIC SBD GEN.15 |
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FFSP3065B |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:197 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:110 A; Vf - 正向电压:1.38 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:30 A; 封装 / 箱体:TO-220-2LD; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SIC DIODE 650V 30A |
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FFSP4065BDN-F085 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:95 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:84 A; Vf - 正向电压:1.38 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 650V 40A SIC SBD GEN.15 |
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NVMFSC0D9N04C |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:54 ns; 典型关闭延迟时间:220 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:160 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:170 ns; 正向跨导 - 最小值:190 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:166 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:86 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:0.87 mOhms; Id-连续漏极电流:313 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL |
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FFSH4065BDN-F085 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:450; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:127 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:84 A; Vf - 正向电压:1.38 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 650V |
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NTMYS5D3N04CTWG |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:11 ns; 典型关闭延迟时间:24 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:72 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8 ns; 正向跨导 - 最小值:53 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:50 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:16 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:5.3 mOhms; Id-连续漏极电流:71 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET 40V 5.3 mOhm 71A Single N-Channel |
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NTHL027N65S3HF |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:47 ns; 典型关闭延迟时间:124 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:450; 上升时间:38 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:32 ns; 正向跨导 - 最小值:56 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SuperFET3; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:595 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:225 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:27.4 mOhms; Id-连续漏极电流:75 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET FRFET 650V 75A 27.4mOhm |
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FFSD1065B |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 650V 10A |
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FFSH5065B-F085 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:450; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:301 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:189 A; Vf - 正向电压:1.38 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:50 A; 封装 / 箱体:TO-247-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 650V |
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NVHL020N120SC1 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:25 ns; 典型关闭延迟时间:45 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:450; 上升时间:57 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 正向跨导 - 最小值:28 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:535 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:203 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 15 V, 25 V; Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms; Id-连续漏极电流:103 A; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET 20MW 1200V |
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NDSH25170A |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:450; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:385 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.08 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:220 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1700 V; If - 正向电流:25 A; 封装 / 箱体:TO-247-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SIC JBS 1700V 25A |
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NTHL020N090SC1 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:40 ns; 典型关闭延迟时间:55 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:450; 上升时间:63 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:49 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:503 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:196 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, 19 V; Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms; Id-连续漏极电流:118 A; Vds-漏源极击穿电压:900 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET 20MOHM 900V |
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NVB190N65S3F |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:19 ns; 典型关闭延迟时间:43 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 上升时间:13 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:3 ns; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SuperFET3; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:SuperFET III; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:162 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:34 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:190 mOhms; Id-连续漏极电流:20 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET SUPERFET3 650V FRFET,190M |
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FGY75T95SQDT |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:450; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:250 uA; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:434 W; 在25 C的连续集电极电流:75 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:1.69 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:950 V; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247-3; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
IGBT 晶体管 950V 75A FS4 IGBT |
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NTBG020N120SC1 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:25 ns; 典型关闭延迟时间:46 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 上升时间:41 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 正向跨导 - 最小值:34 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:468 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:220 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 15 V, 25 V; Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms; Id-连续漏极电流:98 A; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:D2PAK-7; 安装风格:SMD/SMT; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET SIC MOS 20MW 1200V |
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FGY75T95LQDT |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:450; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:250 uA; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:453 W; 在25 C的连续集电极电流:75 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:1.3 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:950 V; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247-2; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
IGBT 晶体管 950V 75A FS4 IGBT |
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FFSP2065B |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:150 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:84 A; Vf - 正向电压:1.38 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-220-2LD; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SIC DIODE 650V 20A |
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FFSB3065B |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 650V 30A SIC SBD GEN1.5 |
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NTHL040N65S3HF |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:40 ns; 典型关闭延迟时间:102 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:450; 上升时间:32 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:26 ns; 正向跨导 - 最小值:48 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SuperFET3; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:SuperFET III; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:446 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:159 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:32 mOhms; Id-连续漏极电流:65 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247 |
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FFSD0865B-F085 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:91 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:42 A; Vf - 正向电压:1.39 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:8 A; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 650V 8A SIC SBD GEN1.5 |
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NVMFS5C612NWFT1G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 产品类型:MOSFET; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET 60V 225A 1.65mOhms |
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NVMFSC1D6N06CL |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:14.5 ns; 典型关闭延迟时间:47.5 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:55.6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:14.1 ns; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:166 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:41 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.5 mOhms; Id-连续漏极电流:224 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL |
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NTMFSC0D9N04CL |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:20.2 ns; 典型关闭延迟时间:77.8 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:94.6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:111 ns; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:167 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:61 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:850 uOhms; Id-连续漏极电流:313 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL |
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FFSD0665B |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:75 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:28 A; Vf - 正向电压:1.38 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:6 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 650V 6A SIC SBD GEN1.5 |
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FFSD0865B |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:91 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:42 A; Vf - 正向电压:1.39 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:8 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 650V 8A SIC SBD GEN1.5 |
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NVB150N65S3F |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:21 ns; 典型关闭延迟时间:53 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 上升时间:13 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:3 ns; 正向跨导 - 最小值:14 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SuperFET3; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:192 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:43 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:150 mOhms; Id-连续漏极电流:24 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET 650V FRFET,150M |
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NVBLS001N06C |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:34 ns; 典型关闭延迟时间:119 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:53 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:91 ns; 正向跨导 - 最小值:290 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:284 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:143 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:0.9 mOhms; Id-连续漏极电流:422 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:H-PSOF-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET NFET TOLL 60V 1.0MO |
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NSR07540SLT1G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:350 mW; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; Ir - 反向电流 :0.05 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:8 A; Vf - 正向电压:535 mV; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:1.5 A; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 40V 0.75A in SOT-23 Single N-Channel |
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BSS84-G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:2.5 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6.3 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:4.8 ns; 正向跨导 - 最小值:0.05 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:0.36 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:0.9 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:10 Ohms; Id-连续漏极电流:- 0.13 A; Vds-漏源极击穿电压:50 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET FET -50V 10.0 MOHM |
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NDS0610-G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:2.5 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6.3 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7.5 ns; 正向跨导 - 最小值:70 mS; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:0.36 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:1.8 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:10 Ohms; Id-连续漏极电流:0.12 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET FET -60V 10.0 MOHM |
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SZMMBZH15VAWT1G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vf - 正向电压:0.9 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :50 nA; If - 正向电流:10 mA; 商标:ON Semiconductor; 宽度:2.1 mm; 长度:2.1 mm; 高度:0.9 mm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:1 mA; 配置:Dual; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 齐纳电流:50 nA; 电压温度系数:12.3 mV/C; Pd-功率耗散:40 W; 封装 / 箱体:SC-70-3; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:15 V; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
稳压二极管 40W |
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NSVMMBT5401M3T5G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:8000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:20; 集电极连续电流:- 50 mA; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:180 MHz; Pd-功率耗散:130 mW; 最大直流电集电极电流:- 60 mA; 集电极—射极饱和电压:- 0.15 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 160 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 150 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-723-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 150 V, 60 mA |
|
MJD3055RLG |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:1800; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:20; 集电极连续电流:10 A; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:100; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:2 MHz; Pd-功率耗散:20 W; 集电极—射极饱和电压:8 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP DPAK NPN 10A 60V |
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NVTFS6H850NLTAG |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:9 ns; 典型关闭延迟时间:26 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:21 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 正向跨导 - 最小值:64.1 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:73 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:26 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:8.6 mOhms; Id-连续漏极电流:64 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:WDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET T8 80V LL U8FL |
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