| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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1N4007G-K R0G |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Rectifiers; 商标:Taiwan Semiconductor; 端接类型:Axial; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:1N400xG-K; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 恢复时间:-; Ir - 反向电流 :5 uA; 最大浪涌电流:30 A; Vf - 正向电压:1 V; 配置:Single; 类型:Standard Recovery Rectifiers; If - 正向电流:1 A; Vr - 反向电压 :1000 V; 封装 / 箱体:DO-41-2; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
整流器 Diode, 1A, 1000V DO-204AL (DO-41) |
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TSM2537CQ RFG |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:8 ns, 10 ns; 典型关闭延迟时间:25 ns, 69 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:41 ns, 34 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:30 ns, 68 ns; 正向跨导 - 最小值:28 S, 15 S; 商标:Taiwan Semiconductor; 晶体管类型:N- and P-Channel Power MOSFET; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:6.25 W, 6.25 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:9.1 nC, 9.8 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV, 450 mV; Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V; Rds On-漏源导通电阻:17 mOhms, 48 mOhms; Id-连续漏极电流:11.6 A, 9 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel, P-Channel; 封装 / 箱体:TDFN22-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
MOSFET MOSFET Complementary N-Ch, 20V, 11.6A |
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TSM3N80CZ C0G |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:48 ns; 典型关闭延迟时间:106 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:36 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:41 ns; 正向跨导 - 最小值:3.7 S; 商标:Taiwan Semiconductor; 晶体管类型:N-Channel Power MOSFET; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:94 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:19 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:4.2 Ohms; Id-连续漏极电流:3 A; Vds-漏源极击穿电压:800 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
MOSFET MOSFET, Single, N-Ch Planar, 800V, 3A |
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TSM10ND65CI C0G |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:11 ns; 典型关闭延迟时间:36 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:20 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:23 ns; 商标:Taiwan Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:TSM10ND65CI; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:56.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:39.6 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:800 mOhms; Id-连续漏极电流:10 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:ITO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
MOSFET 650V 10A Sgl N-Chnl Power MOSFET |
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TSM3N90CZ C0G |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:16 ns; 典型关闭延迟时间:63 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:25 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:31 ns; 正向跨导 - 最小值:3 S; 商标:Taiwan Semiconductor; 晶体管类型:N-Channel Power MOSFET; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:94 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:17 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:4.3 Ohms; Id-连续漏极电流:2.5 A; Vds-漏源极击穿电压:900 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
MOSFET MOSFET, Single, N-Ch Planar, 900V, 2.5A |
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TSM3N90CI C0G |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:16 ns; 典型关闭延迟时间:63 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:25 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:31 ns; 正向跨导 - 最小值:3 S; 商标:Taiwan Semiconductor; 晶体管类型:N-Channel Power MOSFET; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:32 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:17 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:4.3 Ohms; Id-连续漏极电流:2.5 A; Vds-漏源极击穿电压:900 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:ITO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
MOSFET MOSFET, Single, N-Ch Planar, 900V, 2.5A |
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TSM60NB190CZ C0G |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:36 ns; 典型关闭延迟时间:95 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:21 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:21 ns; 商标:Taiwan Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:150.6 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:31 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:170 mOhms; Id-连续漏极电流:18 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
MOSFET 600V, 18A, Single N- Channel Power MOSFET |
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TSM60NB099PW C1G |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:18 ns; 典型关闭延迟时间:87 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:500; 上升时间:24 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:25 ns; 商标:Taiwan Semiconductor; 晶体管类型:N-Channel Power MOSFET; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:329 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:62 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:86 mOhms; Id-连续漏极电流:38 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 600V, 38A |
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TSM60NB041PW C1G |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:107 ns; 典型关闭延迟时间:445 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:500; 上升时间:152 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:148 ns; 商标:Taiwan Semiconductor; 晶体管类型:N-Channel Power MOSFET; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:446 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:139 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:38 mOhms; Id-连续漏极电流:78 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 600V, 78A |
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TSC497CX RFG |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 集电极连续电流:500 mA; 商标:Taiwan Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:300; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:75 MHz; Pd-功率耗散:500 mW; 最大直流电集电极电流:1 A; 集电极—射极饱和电压:200 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:300 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:300 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SOT-23, 300V, 500A, NPN Bipolar Trnstor |
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TSM150NB04DCR RLG |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:6 ns; 典型关闭延迟时间:12 ns; 子类别:MOSFETs; 上升时间:7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:3 ns; 正向跨导 - 最小值:32 S; 商标:Taiwan Semiconductor; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:40 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:18 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:15 mOhms; Id-连续漏极电流:38 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PDFN-56-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
MOSFET Dual N-Chan Pwr MOSFET 40V 48A 15mu |
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TSM300NB06DCR RLG |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:6 ns; 典型关闭延迟时间:12 ns; 子类别:MOSFETs; 上升时间:3 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:2 ns; 正向跨导 - 最小值:24 S; 商标:Taiwan Semiconductor; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:40 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:17 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:30 mOhms; Id-连续漏极电流:25 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PDFN-56-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
MOSFET Dual N-Chan Pwr MOSFET 60V 25A 30mu |
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TSM250NB06DCR RLG |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:7 ns; 典型关闭延迟时间:14 ns; 子类别:MOSFETs; 上升时间:9 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:3 ns; 正向跨导 - 最小值:36 S; 商标:Taiwan Semiconductor; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2 W, 48 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:22 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:25 mOhms; Id-连续漏极电流:30 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PDFN-56-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
MOSFET Dual N-Chan Pwr MOSFET 60V 30A 25mu |
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TSM110NB04DCR RLG |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:7 ns; 典型关闭延迟时间:15 ns; 子类别:MOSFETs; 上升时间:10 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 正向跨导 - 最小值:40 S; 商标:Taiwan Semiconductor; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:48 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:25 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:11 mOhms; Id-连续漏极电流:48 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PDFN-56-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
MOSFET Dual N-Chan Pwr MOSFET 40V 48A 11mu |
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TSUP10M45SH S1G |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :32 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:6000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Taiwan Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:TSUP10M45SH; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :200 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:220 A; Vf - 正向电压:0.54 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:SMPC4.6-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 10A, 45V TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER |
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TSUP10M60SH S1G |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :42 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:6000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Taiwan Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:TSUP10M60SH; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :250 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:220 A; Vf - 正向电压:0.61 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:SMPC4.6U-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 10A, 60V TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER |
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TSUP5M60SH S1G |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :42 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:6000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Taiwan Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:TSUP5M60SH; Ir - 反向电流 :200 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:110 A; Vf - 正向电压:0.59 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:5 A; 封装 / 箱体:SMPC4.6U-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 5A, 60V TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER |
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TSUP5M45SH S1G |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :32 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:6000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Taiwan Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:TSUP5M45SH; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :150 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:110 A; Vf - 正向电压:0.54 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:5 A; 封装 / 箱体:SMPC4.6U-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 5A, 45V TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER |
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TSUP15M60SH S1G |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :42 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:6000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Taiwan Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:TSUP15M60SH; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :450 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:290 A; Vf - 正向电压:0.58 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:SMPC4.6U-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 15A, 60V TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER |
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TSUP15M45SH S1G |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :32 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:6000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Taiwan Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:TSUP15M45SH; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :350 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:290 A; Vf - 正向电压:0.51 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:SMPC4.6U-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 15A, 45V TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER |
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SR006 A0G |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Taiwan Semiconductor; 系列:SR006; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:30 A; Vf - 正向电压:0.7 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:0.5 A; 封装 / 箱体:DO-41-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 0.5A 60V Schottky Rectifier |
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1SMA5932 R3 |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 商标:Taiwan Semiconductor; 宽度:2.83 mm; 长度:4.6 mm; 高度:2.5 mm; 系列:1SMA; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:18.7 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:14 Ohms; 齐纳电流:0.5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1.5 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:20 V; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
稳压二极管 1.5W 200mA 20V |
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1SMA4743 R3 |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :1 uA; 商标:Taiwan Semiconductor; 宽度:2.83 mm; 长度:4.6 mm; 高度:2.5 mm; 系列:1SMA; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:19 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:10 Ohms; 齐纳电流:1 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:13 V; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
稳压二极管 13V |
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1SMA4746 R3 |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :1 uA; 商标:Taiwan Semiconductor; 宽度:2.83 mm; 长度:4.6 mm; 高度:2.5 mm; 系列:1SMA; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:14 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:20 Ohms; 齐纳电流:1 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:18 V; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
稳压二极管 18V |
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1SMA4741 R2 |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:7500; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Taiwan Semiconductor; 宽度:2.83 mm; 长度:4.75 mm; 高度:2.41 mm; 系列:1SMA; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:23 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:8 Ohms; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:11 V; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
稳压二极管 11V |
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1SMA4747 R3 |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :1 uA; 商标:Taiwan Semiconductor; 宽度:2.83 mm; 长度:4.6 mm; 高度:2.5 mm; 系列:1SMA; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:12.5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:22 Ohms; 齐纳电流:1 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:20 V; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
稳压二极管 20V |
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1SMA4739 R3 |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Taiwan Semiconductor; 宽度:2.83 mm; 长度:4.6 mm; 高度:2.5 mm; 系列:1SMA; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:5 Ohms; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:9.1 V; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
稳压二极管 1W,9V1,5%,ZENER,SMA |
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1SMA4754 R3 |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :1 uA; 商标:Taiwan Semiconductor; 宽度:2.83 mm; 长度:4.6 mm; 高度:2.5 mm; 系列:1SMA; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:6.5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:60 Ohms; 齐纳电流:1 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:39 V; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
稳压二极管 39V |
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1SMA5930 R3 |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 商标:Taiwan Semiconductor; 宽度:2.83 mm; 长度:4.6 mm; 高度:2.5 mm; 系列:1SMA; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:23.4 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:10 Ohms; 齐纳电流:0.5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1.5 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:16 V; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
稳压二极管 1.5W 200mA 16V |
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1SMA5929 R3 |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 商标:Taiwan Semiconductor; 宽度:2.83 mm; 长度:4.6 mm; 高度:2.5 mm; 系列:1SMA; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:25 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:9 Ohms; 齐纳电流:0.5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1.5 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:15 V; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
稳压二极管 1.5W 200mA 15V |
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1SMA4762 R2 |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:7500; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Taiwan Semiconductor; 宽度:2.83 mm; 长度:4.75 mm; 高度:2.41 mm; 系列:1SMA; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:3 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:200 Ohms; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:82 V; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
稳压二极管 1W, 82V, 5% ZENER DIODE, SMA |
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1SMA4742 R3 |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :1 uA; 商标:Taiwan Semiconductor; 宽度:2.83 mm; 长度:4.6 mm; 高度:2.5 mm; 系列:1SMA; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:21 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:9 Ohms; 齐纳电流:1 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:12 V; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
稳压二极管 12V |
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1SMA4737 R2 |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:7500; 产品类型:Zener Diodes; 商标:Taiwan Semiconductor; 系列:1SMA; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 电压容差:5 %; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
稳压二极管 1W, 7.5V, 5% ZENER DIODE, SMA |
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1SMA4744 R2 |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:7500; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Taiwan Semiconductor; 宽度:2.83 mm; 长度:4.75 mm; 高度:2.41 mm; 系列:1SMA; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:17 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:14 Ohms; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:15 V; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
稳压二极管 15V |
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AZ23C3V3 RFG |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; 商标:Taiwan Semiconductor; 系列:AZ23C; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
稳压二极管 SOT-23, 300mW, 5%, Small Signal Zener Diode |
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1SMA5934HR3G |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; 商标:Taiwan Semiconductor; 系列:1SMA; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
稳压二极管 DO-214AC (SMA), 1500mW, 5%, Zener Diode |
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1SMA160Z R3 |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :1 uA; 商标:Taiwan Semiconductor; 宽度:2.83 mm; 长度:4.6 mm; 高度:2.5 mm; 系列:1SMA; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:1.6 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:1100 Ohms; 齐纳电流:1 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:160 V; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
稳压二极管 160V |
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ZM4750A L0 |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Taiwan Semiconductor; 长度:5.5 mm; 直径:2.67 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:9.5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:35 Ohms; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:MELF; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:27 V; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
稳压二极管 27 Volt 1 Watt 5% |
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1SMA130Z R3 |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :1 uA; 商标:Taiwan Semiconductor; 宽度:2.83 mm; 长度:4.6 mm; 高度:2.5 mm; 系列:1SMA; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:1.9 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:700 Ohms; 齐纳电流:1 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:130 V; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
稳压二极管 130V |
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RS1G-T R3G |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Rectifiers; 商标:Taiwan Semiconductor; 产品:Rectifiers; 系列:RS1G-T; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 恢复时间:150 ns; Ir - 反向电流 :5 uA; 最大浪涌电流:30 A; Vf - 正向电压:1.3 V; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:1 A; Vr - 反向电压 :400 V; 封装 / 箱体:SMA-2; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
整流器 150ns 1A 400V Fast Recov Rectifier |
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BZV55B2V7 L1 |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :10 uA; 商标:Taiwan Semiconductor; 长度:3.7 mm; 直径:1.6 mm; 系列:BZV55B; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:85 Ohms; 齐纳电流:10 uA; 电压容差:2 %; Pd-功率耗散:500 mW; 封装 / 箱体:Mini-MELF; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:2.7 V; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
稳压二极管 2.7 Volt 500mW 2% |
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BZV55B3V0 L1 |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :4 uA; 商标:Taiwan Semiconductor; 长度:3.7 mm; 直径:1.6 mm; 系列:BZV55B; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:85 Ohms; 齐纳电流:4 uA; 电压容差:2 %; Pd-功率耗散:500 mW; 封装 / 箱体:Mini-MELF; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:3 V; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
稳压二极管 3.0 Volt 500mW 2% |
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MMSZ5231B RHG |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; 商标:Taiwan Semiconductor; 宽度:1.7 mm; 长度:3.9 mm; 高度:1.15 mm; 系列:MMSZ52; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:20 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:17 Ohms; 齐纳电流:5 uA; 电压温度系数:-; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:500 mW; 封装 / 箱体:SOD-123F-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:5.1 V; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
稳压二极管 SOD-123F, 500mW, 5%, Small Signal Zener Diode |
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BZV55B15 L1 |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:Taiwan Semiconductor; 长度:3.7 mm; 直径:1.6 mm; 系列:BZV55B; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:30 Ohms; 齐纳电流:0.1 uA; 电压容差:2 %; Pd-功率耗散:500 mW; 封装 / 箱体:Mini-MELF; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:15 V; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
稳压二极管 15 Volt 500mW 2% |
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BZT55B2V4 L1G |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Zener Diodes; 商标:Taiwan Semiconductor; 系列:BZT55B; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
稳压二极管 MMELF, 500mW, 2%, Small Signal Zener Diode |
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BZT55B4V7 L1G |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Zener Diodes; 商标:Taiwan Semiconductor; 系列:BZT55B; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
稳压二极管 MMELF, 500mW, 2%, Small Signal Zener Diode |
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BZX55C4V3 R0G |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Zener Diodes; 商标:Taiwan Semiconductor; 长度:5.08 mm; 直径:2.28 mm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:75 Ohms; 齐纳电流:1 uA; 电压温度系数:-; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:500 mW; 封装 / 箱体:DO-35-2; 安装风格:Through Hole; Vz - 齐纳电压:4.3 V; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
稳压二极管 DO-35, 500mW, 5%, Small Signal Zener Diode |
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BZV55B18 L1 |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:Taiwan Semiconductor; 长度:3.7 mm; 直径:1.6 mm; 系列:BZV55B; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:50 Ohms; 齐纳电流:0.1 uA; 电压容差:2 %; Pd-功率耗散:500 mW; 封装 / 箱体:Mini-MELF; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:18 V; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
稳压二极管 18 Volt 500mW 2% |
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BZV55B12 L1 |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 u A; 商标:Taiwan Semiconductor; 长度:3.7 mm; 直径:1.6 mm; 系列:BZV55B; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:20 Ohms; 齐纳电流:0.1 uA; 电压容差:2 %; Pd-功率耗散:500 mW; 封装 / 箱体:Mini-MELF; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:12 V; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
稳压二极管 11 Volt 500mW 2% |
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BZX79B3V3 R0 |
Taiwan Semiconductor |
分立半导体 |
Vf - 正向电压:1.5 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Zener Diodes; 商标:Taiwan Semiconductor; 长度:5.08 mm; 直径:2.28 mm; 系列:BZX79B; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:95 Ohms; 电压容差:2 %; Pd-功率耗散:500 mW; 封装 / 箱体:DO-35-2; 安装风格:Through Hole; Vz - 齐纳电压:3.3 V; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor; |
稳压二极管 3.3 Volt 500mW 2% |
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