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类目:
分立半导体
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品牌:
Cree, Inc.
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器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
CAB425M12XM3 分立半导体 CAB425M12XM3 Cree, Inc. 分立半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:1; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:50 mW; 工作电源电压:-; Id-连续漏极电流:425 A; 晶体管极性:N-Channel; 商标:Wolfspeed / Cree; 技术:SiC; 封装:Bulk; 系列:XM3; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; 封装 / 箱体:Module; 安装风格:Screw Mount; Vgs - 栅极-源极电压:- 4 V, 15 V; Vf - 正向电压:5.4 V; 类型:Half-Bridge; 产品:Power MOSFET Modules; 制造商:Cree, Inc.; 分立半导体模块 1.2kV 425A SiC HalfBridge Module
C6D04065A 分立半导体 C6D04065A Cree, Inc. 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:SiC; Vf - 正向电压:1.27 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:4 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 肖特基二极管与整流器 4A 650V GEN6 SiC Schottky Diode
C3D16065D1 分立半导体 C3D16065D1 Cree, Inc. 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:30; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:173 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :18 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:57 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:43 A; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 肖特基二极管与整流器 SiC Schottkey Diode 650V 16A
E4D10120A 分立半导体 E4D10120A Cree, Inc. 分立半导体 Vr - 反向电压 :1200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:166 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tube; 系列:E Series; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :30 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:44 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 肖特基二极管与整流器 E Series 10A 1.2kV G4 Schottky
CAB450M12XM3 分立半导体 CAB450M12XM3 Cree, Inc. 分立半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:3.6 V; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:1; Rds On-漏源导通电阻:3.7 mOhms; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:50 mW; Id-连续漏极电流:450 A; 晶体管极性:N-Channel; 通道数量:1 Channel; 商标:Wolfspeed / Cree; 技术:SiC; 配置:Single; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; 封装 / 箱体:Module; 安装风格:SMD/SMT; Vgs - 栅极-源极电压:- 4 V, 15 V; 制造商:Cree, Inc.; 分立半导体模块 SiC HalfBridgeModule 1.2kV 450A
C5D25170H 分立半导体 C5D25170H Cree, Inc. 分立半导体 Vr - 反向电压 :1700 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:30; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:384 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :20 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:117 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1700 V; If - 正向电流:70 A; 封装 / 箱体:TO-247-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; 制造商:Cree, Inc.; 肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 1700V, 25A
E4D20120A 分立半导体 E4D20120A Cree, Inc. 分立半导体 Vr - 反向电压 :1200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:250 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tube; 系列:E; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :65 uA; 技术:SiC; Vf - 正向电压:2.2 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:54.5 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 肖特基二极管与整流器 20A 1.2kV G4 SCHOTTKY
C6D06065A 分立半导体 C6D06065A Cree, Inc. 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:73 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :2 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:51 A; Vf - 正向电压:1.27 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:6 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 肖特基二极管与整流器 6A 650V GEN6 SiC Schottky Diode
C5D05170H 分立半导体 C5D05170H Cree, Inc. 分立半导体 Vr - 反向电压 :1700 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:30; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:115 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :20 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:32 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1700 V; If - 正向电流:18 A; 封装 / 箱体:TO-247-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; 制造商:Cree, Inc.; 肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 1700V, 5A
C6D08065A 分立半导体 C6D08065A Cree, Inc. 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:92.6 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :2 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:69 A; Vf - 正向电压:1.27 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:8 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 肖特基二极管与整流器 8A 650V GEN6 SiC Schottky Diode
C6D10065A 分立半导体 C6D10065A Cree, Inc. 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:109 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :2 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:86 A; Vf - 正向电压:1.27 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 肖特基二极管与整流器 10A 650V GEN6 SiC Schottky Diode
C3D16065A 分立半导体 C3D16065A Cree, Inc. 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; trr - 反向恢复时间 :-; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:150 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :18.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:162 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:16 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 肖特基二极管与整流器 ZRecTM 16A 650V SiC
C3M0016120D 分立半导体 C3M0016120D Cree, Inc. 分立半导体 典型接通延迟时间:174 ns; 典型关闭延迟时间:84 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:28 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:27 ns; 正向跨导 - 最小值:53 S; 商标:Wolfspeed / Cree; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:556 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:207 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V, 19 V; Rds On-漏源导通电阻:22.3 mOhms; Id-连续漏极电流:115 A; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; MOSFET 1.2kV 15mOHMS G3 SiC MOSFET
C4D20120H 分立半导体 C4D20120H Cree, Inc. 分立半导体 Vr - 反向电压 :1200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:30; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:246 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :35 uA; 技术:SiC; 配置:Single Dual Anode; Ifsm - 正向浪涌电流:130 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:54 A; 封装 / 箱体:TO-247-; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 肖特基二极管与整流器 20A 1200V SiC Schottky Diode
C4D10120H 分立半导体 C4D10120H Cree, Inc. 分立半导体 Vr - 反向电压 :1200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:30; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:153 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :30 uA; 技术:SiC; 配置:Single Dual Anode; Ifsm - 正向浪涌电流:67 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:31.5 A; 封装 / 箱体:TO-247-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 肖特基二极管与整流器 10A 1200V SiC Schottky Diode
C3D12065A 分立半导体 C3D12065A Cree, Inc. 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:143 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :15 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:104 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:35 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 肖特基二极管与整流器 ZRecTM 12A, 650V SiC Schottky Diode
C4D15120H 分立半导体 C4D15120H Cree, Inc. 分立半导体 Vr - 反向电压 :1200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:30; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:174.5 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :35 uA; 技术:SiC; 配置:Single Dual Anode; Ifsm - 正向浪涌电流:87 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:39 A; 封装 / 箱体:TO-247-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 肖特基二极管与整流器 15A 1200V SiC Schottky Diode
E3M0280090D 分立半导体 E3M0280090D Cree, Inc. 分立半导体 典型接通延迟时间:26 ns; 典型关闭延迟时间:17.5 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:10 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7.5 ns; 正向跨导 - 最小值:3.6 S; 商标:Wolfspeed / Cree; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:54 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:9.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:18 V, - 8 V; Rds On-漏源导通电阻:364 mOhms; Id-连续漏极电流:11.5 A; Vds-漏源极击穿电压:900 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; MOSFET 900V 280mOhms G3 SiC MOSFET
C3M0120100K 分立半导体 C3M0120100K Cree, Inc. 分立半导体 典型接通延迟时间:31 ns; 典型关闭延迟时间:19 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:15 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8 ns; 正向跨导 - 最小值:7.7 S; 商标:Wolfspeed / Cree; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:83 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:21.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V; Vgs - 栅极-源极电压:15 V, - 4 V; Rds On-漏源导通电阻:120 mOhms; Id-连续漏极电流:22 A; Vds-漏源极击穿电压:1 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-4; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
C3M0120100J 分立半导体 C3M0120100J Cree, Inc. 分立半导体 典型接通延迟时间:7 ns; 典型关闭延迟时间:14 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8 ns; 正向跨导 - 最小值:7.7 S; 商标:Wolfspeed / Cree; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:83 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:21.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V; Vgs - 栅极-源极电压:15 V, - 4 V; Rds On-漏源导通电阻:120 mOhms; Id-连续漏极电流:22 A; Vds-漏源极击穿电压:1 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-7; 安装风格:SMD/SMT; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
E3M0120090D 分立半导体 E3M0120090D Cree, Inc. 分立半导体 典型接通延迟时间:27 ns; 典型关闭延迟时间:25 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:10 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8 ns; 正向跨导 - 最小值:7.7 S; 商标:Wolfspeed / Cree; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:97 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:17.3 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:18 V, - 8 V; Rds On-漏源导通电阻:155 mOhms; Id-连续漏极电流:23 A; Vds-漏源极击穿电压:900 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; MOSFET 900V 120mOhms G3 SiC MOSFET
C3M0065100K 分立半导体 C3M0065100K Cree, Inc. 分立半导体 典型接通延迟时间:20 ns; 典型关闭延迟时间:19 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:10 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8 ns; 正向跨导 - 最小值:11.9 S; 商标:Wolfspeed / Cree; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:113.5 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:35 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V; Vgs - 栅极-源极电压:15 V, - 4 V; Rds On-漏源导通电阻:65 mOhms; Id-连续漏极电流:35 A; Vds-漏源极击穿电压:1 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-4; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; MOSFET 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
C3M0016120K 分立半导体 C3M0016120K Cree, Inc. 分立半导体 典型接通延迟时间:34 ns; 典型关闭延迟时间:65 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:33 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 商标:Wolfspeed / Cree; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:556 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:211 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V; Vgs - 栅极-源极电压:15 V; Rds On-漏源导通电阻:28.8 mOhms; Id-连续漏极电流:115 A; Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-4; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; MOSFET SiC MOSFET G3 1200V 16mOhms
C2M0045170D 分立半导体 C2M0045170D Cree, Inc. 分立半导体 典型接通延迟时间:65 ns; 典型关闭延迟时间:48 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:20 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:18 ns; 正向跨导 - 最小值:21.7 S; 商标:Wolfspeed / Cree; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:520 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:188 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V, - 5 V; Rds On-漏源导通电阻:45 mOhms; Id-连续漏极电流:72 A; Vds-漏源极击穿电压:1.7 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; MOSFET SiC Power MOSFET 1700V, 72A
C2M0045170P 分立半导体 C2M0045170P Cree, Inc. 分立半导体 典型接通延迟时间:35 ns; 典型关闭延迟时间:46 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:13 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:21.7 S; 商标:Wolfspeed / Cree; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:520 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:188 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V, - 5 V; Rds On-漏源导通电阻:59 mOhms; Id-连续漏极电流:72 A; Vds-漏源极击穿电压:1700 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-4; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; MOSFET DMOSFET 1.7kV 45mOHMS 4PLUS
C2M0080170P 分立半导体 C2M0080170P Cree, Inc. 分立半导体 典型接通延迟时间:25 ns; 典型关闭延迟时间:34 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:9 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:18 ns; 正向跨导 - 最小值:9.73 S; 商标:Wolfspeed / Cree; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:277 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:120 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V, - 5 V; Rds On-漏源导通电阻:80 mOhms; Id-连续漏极电流:40 A; Vds-漏源极击穿电压:1700 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-4; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; MOSFET DMOSFET 1.7kV 80mOHMS 4PLUS
C3M0075120D 分立半导体 C3M0075120D Cree, Inc. 分立半导体 典型接通延迟时间:56 ns; 典型关闭延迟时间:32 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:17 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 商标:Wolfspeed / Cree; 配置:Single; 封装:Bulk; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:113.6 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:54 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V, 19 V; Rds On-漏源导通电阻:75 mOhms; Id-连续漏极电流:30 A; Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; MOSFET 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
C3M0065100J 分立半导体 C3M0065100J Cree, Inc. 分立半导体 典型接通延迟时间:13 ns; 典型关闭延迟时间:13 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:9 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7.5 ns; 正向跨导 - 最小值:14.3 S; 商标:Wolfspeed / Cree; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:113.5 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:35 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V; Vgs - 栅极-源极电压:15 V, - 4 V; Rds On-漏源导通电阻:65 mOhms; Id-连续漏极电流:35 A; Vds-漏源极击穿电压:1 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-7; 安装风格:SMD/SMT; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; MOSFET 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
C3M0075120K 分立半导体 C3M0075120K Cree, Inc. 分立半导体 典型接通延迟时间:22 ns; 典型关闭延迟时间:33 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:11 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 正向跨导 - 最小值:8.3 S; 商标:Wolfspeed / Cree; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:119 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:51 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:15 V, - 4 V; Rds On-漏源导通电阻:75 mOhms; Id-连续漏极电流:30 A; Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-4; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
C3M0075120J 分立半导体 C3M0075120J Cree, Inc. 分立半导体 典型接通延迟时间:17 ns; 典型关闭延迟时间:29 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:9 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:9 S; 商标:Wolfspeed / Cree; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:113.6 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:51 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:15 V, - 4 V; Rds On-漏源导通电阻:75 mOhms; Id-连续漏极电流:30 A; Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-7; 安装风格:SMD/SMT; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
E3M0065090D 分立半导体 E3M0065090D Cree, Inc. 分立半导体 典型接通延迟时间:35 ns; 典型关闭延迟时间:23 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:11 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9 ns; 正向跨导 - 最小值:13.6 S; 商标:Wolfspeed / Cree; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:125 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:30.4 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:18 V, - 8 V; Rds On-漏源导通电阻:84.5 mOhms; Id-连续漏极电流:35 A; Vds-漏源极击穿电压:900 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; MOSFET 900V 65mOhms G3 SiC MOSFET
CAS325M12HM2 分立半导体 CAS325M12HM2 Cree, Inc. 分立半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV; 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:1; Rds On-漏源导通电阻:7.6 mOhms; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:3 kW; If - 正向电流:350 A; Id-连续漏极电流:444 A; 晶体管极性:N-Channel; 通道数量:2 Channel; 商标:Wolfspeed / Cree; 宽度:65 mm; 长度:110 mm; 高度:10 mm; 配置:Half-Bridge; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:Module; 安装风格:Screw Mount; Vgs - 栅极-源极电压:- 5 V, 23 V; Vf - 正向电压:2.5 V; 类型:H-Bridge MOSFET Module; 产品:Power MOSFET Modules; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 分立半导体模块 Half-Bridge Module 1.2kV, 325A Hi-Perf
C4D05120A 分立半导体 C4D05120A Cree, Inc. 分立半导体 trr - 反向恢复时间 :-; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:81 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 类型:-; 工作温度范围:- 55 C to + 175 C; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :150 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:46 A; Vf - 正向电压:1.8 V; Vrrm - 重复反向电压:1.2 kV; If - 正向电流:5 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 5A
C2M1000170D 分立半导体 C2M1000170D Cree, Inc. 分立半导体 典型接通延迟时间:9 ns; 典型关闭延迟时间:15 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:46 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9 ns; 正向跨导 - 最小值:0.82 S; 商标:Wolfspeed / Cree; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:69 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:13 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 5 V, 20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.4 Ohms; Id-连续漏极电流:4.9 A; Vds-漏源极击穿电压:1700 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; MOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
C2M0080120D 分立半导体 C2M0080120D Cree, Inc. 分立半导体 典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:23.2 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:34 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:21 ns; 正向跨导 - 最小值:3.9 S; 商标:Wolfspeed / Cree; 宽度:5.21 mm; 类型:Silicon Carbide Power MOSFET; 晶体管类型:1 N-Channel; 产品:Power MOSFETs; 长度:16.13 mm; 高度:21.1 mm; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:208 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:71 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 5 V, 20 V; Rds On-漏源导通电阻:98 mOhms; Id-连续漏极电流:31.6 A; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; MOSFET ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT
C5D50065D 分立半导体 C5D50065D Cree, Inc. 分立半导体 trr - 反向恢复时间 :-; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:30; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:300 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 类型:-; 工作温度范围:- 55 C to + 175 C; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :-; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:400 A; Vf - 正向电压:-; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:100 A; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 650V, 50A
C2M0025120D 分立半导体 C2M0025120D Cree, Inc. 分立半导体 典型接通延迟时间:14.4 ns; 典型关闭延迟时间:28.8 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:31.6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:28.4 ns; 正向跨导 - 最小值:23.6 S; 商标:Wolfspeed / Cree; 宽度:16.13 mm; 类型:Silicon Carbide Power MOSFET; 晶体管类型:1 N-Channel; 产品:Power MOSFETs; 长度:5.21 mm; 高度:21.1 mm; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:463 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:406 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 5 V, 20 V; Rds On-漏源导通电阻:25 mOhms; Id-连续漏极电流:90 A; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 25 mOhm
CAS120M12BM2 分立半导体 CAS120M12BM2 Cree, Inc. 分立半导体 Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV; 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:1; Rds On-漏源导通电阻:13 mOhms; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; 工作电源电压:-; Ifsm - 正向浪涌电流:-; If - 正向电流:-; Id-连续漏极电流:193 A; 典型延迟时间:-; 保持电流Ih最大值:-; 栅极触发电流-Igt:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 宽度:61.4 mm; 输出电流:-; 长度:106.4 mm; 高度:30 mm; 配置:Half-Bridge; 封装:Bulk; 封装 / 箱体:Module; 安装风格:Screw Mount; Vr - 反向电压 :-; Vf - 正向电压:-; 类型:H-Bridge MOSFET Module; 产品:Power Semiconductor Modules; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 分立半导体模块 1200V, 120A, SiC Half Bridge Module
CAS300M12BM2 分立半导体 CAS300M12BM2 Cree, Inc. 分立半导体 Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV; 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:1; Rds On-漏源导通电阻:5 mOhms; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; 工作电源电压:-; Id-连续漏极电流:300 A; 典型延迟时间:-; 保持电流Ih最大值:-; 栅极触发电流-Igt:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 输出电流:-; 配置:Half Bridge; 封装:Bulk; 封装 / 箱体:Module; 安装风格:Screw Mount; Vr - 反向电压 :-; Vf - 正向电压:-; 类型:H-Bridge MOSFET Module; 产品:Power Semiconductor Modules; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 分立半导体模块 1200V, 300A, SiC Half Bridge Module
CAS300M17BM2 分立半导体 CAS300M17BM2 Cree, Inc. 分立半导体 Vds-漏源极击穿电压:1.7 kV; 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:1; Rds On-漏源导通电阻:-; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; 工作电源电压:-; Ifsm - 正向浪涌电流:-; If - 正向电流:-; Id-连续漏极电流:300 A; 典型延迟时间:-; 保持电流Ih最大值:-; 栅极触发电流-Igt:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 宽度:61.4 mm; 输出电流:-; 长度:106.4 mm; 高度:30 mm; 配置:Half Bridge; 封装:Bulk; 封装 / 箱体:Module; 安装风格:Screw Mount; Vr - 反向电压 :-; Vf - 正向电压:-; 类型:H-Bridge MOSFET Module; 产品:Power Semiconductor Modules; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 分立半导体模块 1700V, 300A, SiC Half Bridge Module
C3D02060E 分立半导体 C3D02060E Cree, Inc. 分立半导体 trr - 反向恢复时间 :-; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:75; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:39.5 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 类型:-; 工作温度范围:- 55 C to + 175 C; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :50 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:65 A; Vf - 正向电压:1.7 V; Vrrm - 重复反向电压:600 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:TO-252-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 2A
C3M0065090J-TR 分立半导体 C3M0065090J-TR Cree, Inc. 分立半导体 典型接通延迟时间:7.2 ns; 典型关闭延迟时间:15 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 上升时间:6.5 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:5 ns; 正向跨导 - 最小值:11.6 S; 商标:Wolfspeed / Cree; 类型:Silicon Carbide MOSFET; 产品:Power MOSFETs; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:113 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:30 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V; Vgs - 栅极-源极电压:18 V, - 8 V; Rds On-漏源导通电阻:90 mOhms; Id-连续漏极电流:35 A; Vds-漏源极击穿电压:900 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-7; 安装风格:SMD/SMT; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
C3D04060F 分立半导体 C3D04060F Cree, Inc. 分立半导体 trr - 反向恢复时间 :-; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:13.1 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 类型:-; 工作温度范围:- 55 C to + 175 C; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :50 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:110 A; Vf - 正向电压:1.8 V; Vrrm - 重复反向电压:600 V; If - 正向电流:4 A; 封装 / 箱体:TO-220-2 FP; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 4A
CSD01060E 分立半导体 CSD01060E Cree, Inc. 分立半导体 trr - 反向恢复时间 :-; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:75; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:21.4 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 类型:-; 工作温度范围:- 55 C to + 175 C; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :100 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:32 A; Vf - 正向电压:1.8 V; Vrrm - 重复反向电压:600 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:TO-252-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 肖特基二极管与整流器 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
CVFD20065A 分立半导体 CVFD20065A Cree, Inc. 分立半导体 trr - 反向恢复时间 :-; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:187.5 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 宽度:4.7 mm; 类型:Silicon Carbide Schottky Diode; 端接类型:Pin; 工作温度范围:- 55 C to + 175 C; 长度:10.41 mm; 高度:15.62 mm; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :300 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:206 A; Vf - 正向电压:1.65 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:26 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 肖特基二极管与整流器 SiC Schottky Diode 650V, 20A
C4D10120A 分立半导体 C4D10120A Cree, Inc. 分立半导体 trr - 反向恢复时间 :-; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:136 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 类型:-; 工作温度范围:- 55 C to + 175 C; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :250 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:71 A; Vf - 正向电压:1.8 V; Vrrm - 重复反向电压:1.2 kV; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 10A
C4D10120D 分立半导体 C4D10120D Cree, Inc. 分立半导体 trr - 反向恢复时间 :-; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:30; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:187 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 类型:-; 工作温度范围:- 55 C to + 175 C; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :150 uA; 技术:SiC; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:46 A; Vf - 正向电压:1.8 V; Vrrm - 重复反向电压:1.2 kV; If - 正向电流:10 A (2 x 5 A); 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x5A
C3D06060F 分立半导体 C3D06060F Cree, Inc. 分立半导体 trr - 反向恢复时间 :-; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:17 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 类型:-; 工作温度范围:- 55 C to + 175 C; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :50 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:200 A; Vf - 正向电压:1.8 V; Vrrm - 重复反向电压:600 V; If - 正向电流:6 A; 封装 / 箱体:TO-220-2 FP; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 6A
C3D06060G 分立半导体 C3D06060G Cree, Inc. 分立半导体 trr - 反向恢复时间 :-; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:79 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 类型:-; 工作温度范围:- 55 C to + 175 C; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :50 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:200 A; Vf - 正向电压:1.8 V; Vrrm - 重复反向电压:600 V; If - 正向电流:6 A; 封装 / 箱体:TO-263-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 6A
C2M0280120D 分立半导体 C2M0280120D Cree, Inc. 分立半导体 典型接通延迟时间:5.2 ns; 典型关闭延迟时间:10.8 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:7.6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9.9 ns; 正向跨导 - 最小值:2.8 S; 商标:Wolfspeed / Cree; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:Z-FET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:62.5 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:5.6 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.8 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:280 mOhms; Id-连续漏极电流:10 A; Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 280 mOhm
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