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类目:
分立半导体
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品牌:
IXYS
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器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
IXTX240N075L2 分立半导体 IXTX240N075L2 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:34 ns; 典型关闭延迟时间:136 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:200 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:47 ns; 商标:IXYS; 类型:Linear L2; 产品:Power MOSFET Modules; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:LinearL2; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:960 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:546 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:7 mOhms; Id-连续漏极电流:240 A; Vds-漏源极击穿电压:75 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISC MOSFET N-CH LINEAR L2
MCB60I1200TZ-TUB 分立半导体 MCB60I1200TZ-TUB IXYS 分立半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:30; Rds On-漏源导通电阻:34 mOhms; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Id-连续漏极电流:90 A; 晶体管极性:N-Channel; 商标:IXYS; 配置:Single; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 封装 / 箱体:TO-268AA-3; 安装风格:SMD/SMT; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 类型:Single MOSFET; 产品:Power MOSFET Modules; RoHS:Y; 制造商:IXYS; 分立半导体模块 SICARBIDE-DISCRETE MOSFET
IXTA10P50P-TRL 分立半导体 IXTA10P50P-TRL IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:20 ns; 典型关闭延迟时间:52 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 上升时间:28 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:44 ns; 正向跨导 - 最小值:6.5 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 商标名:PolarP; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:300 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:50 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1 Ohms; Id-连续漏极电流:- 10 A; Vds-漏源极击穿电压:500 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET IXTA10P50P TRL
IXBH32N300 分立半导体 IXBH32N300 IXYS 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:30; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:100 nA; 商标:IXYS; 集电极最大连续电流 Ic:280 A; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:400 W; 在25 C的连续集电极电流:80 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:2.8 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:3000 V; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247-3; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; IGBT 晶体管 Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
IXGT2N250 分立半导体 IXGT2N250 IXYS 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:30; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:100 nA; 商标:IXYS; 集电极最大连续电流 Ic:13.5 A; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:32 W; 在25 C的连续集电极电流:5.5 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:2.6 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:2500 V; 配置:Single; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:TO-268-3; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; IGBT 晶体管 Disc IGBT NPT-Very Hi Voltage TO-268AA
IXGT32N170-TRL 分立半导体 IXGT32N170-TRL IXYS 分立半导体 商标名:0; 子类别:IGBTs; 标准包装数量:400; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:100 nA; 商标:IXYS; 集电极最大连续电流 Ic:200 A; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:350 W; 在25 C的连续集电极电流:75 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:2.5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V; 配置:Single; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:TO-268-3; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; IGBT 晶体管 IXGT32N170 TRL
IXBH10N300HV 分立半导体 IXBH10N300HV IXYS 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:30; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:100 nA; 商标:IXYS; 集电极最大连续电流 Ic:88 A; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:180 W; 在25 C的连续集电极电流:34 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:2.2 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:3 kV; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247HV-3; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; IGBT 晶体管 DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
IXTX4N300P3HV 分立半导体 IXTX4N300P3HV IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:28 ns; 典型关闭延迟时间:82 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:21 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:50 ns; 商标:IXYS; 类型:High Voltage; 产品:Power MOSFET Modules; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:Polar3; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:960 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:139 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:12.5 Ohms; Id-连续漏极电流:4 A; Vds-漏源极击穿电压:3000 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISC MOSFET N-CH STD-POLAR3
IXTF1R4N450 分立半导体 IXTF1R4N450 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:44 ns; 典型关闭延迟时间:126 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 上升时间:60 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:170 ns; 商标:IXYS; 类型:High Voltage; 产品:Power MOSFET Modules; 配置:Single; 封装:Tube; Pd-功率耗散:190 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:40 Ohms; Id-连续漏极电流:1.4 A; Vds-漏源极击穿电压:4500 V; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:ISOPLUS i4-Pak; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCH STD-VERYHIVOLT
IXTA96P085T-TRL 分立半导体 IXTA96P085T-TRL IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:23 ns; 典型关闭延迟时间:45 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 上升时间:34 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:22 ns; 正向跨导 - 最小值:40 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 商标名:Trench; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:298 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:180 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2 V; Vgs - 栅极-源极电压:15 V; Rds On-漏源导通电阻:13 mOhms; Id-连续漏极电流:- 96 A; Vds-漏源极击穿电压:85 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET IXTA96P085T TRL
IXBH2N250 分立半导体 IXBH2N250 IXYS 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:30; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:100 nA; 商标:IXYS; 集电极最大连续电流 Ic:13 A; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:32 W; 在25 C的连续集电极电流:5 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:3.15 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:2500 V; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247-3; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; IGBT 晶体管 Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
IXTX1R4N450HV 分立半导体 IXTX1R4N450HV IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:44 ns; 典型关闭延迟时间:126 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:60 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:170 ns; 正向跨导 - 最小值:1.2 S; 商标:IXYS; 类型:High Voltage; 晶体管类型:1 N-Channel; 产品:Power MOSFET Modules; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:960 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:88 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:6 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:40 Ohms; Id-连续漏极电流:1.4 A; Vds-漏源极击穿电压:4500 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMOSFET NCH STD-VERYHIVOLT
IXTA3N100D2HV 分立半导体 IXTA3N100D2HV IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:27 ns; 典型关闭延迟时间:34 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:67 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:40 ns; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Depletion; Pd-功率耗散:125 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:37.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:6 Ohms; Id-连续漏极电流:3 A; Vds-漏源极击穿电压:1 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263HV-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMOSFET N-CH DEPL MODE-D2
IXFA130N15X3 分立半导体 IXFA130N15X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:21 ns; 典型关闭延迟时间:62 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:25 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:12 ns; 正向跨导 - 最小值:50 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:HiPerFET; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:390 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:80 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:9 mOhms; Id-连续漏极电流:130 A; Vds-漏源极击穿电压:150 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
IXYA30N120A4HV 分立半导体 IXYA30N120A4HV IXYS 分立半导体 商标名:XPT; 子类别:IGBTs; 标准包装数量:50; 产品类型:IGBT Transistors; 商标:IXYS; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:500 W; 配置:Single; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:TO-263HV-3; RoHS:Y; 制造商:IXYS; IGBT 晶体管 DISC IGBT XPT-GENX4
IXFQ50N60X 分立半导体 IXFQ50N60X IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:28 ns; 典型关闭延迟时间:60 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:62 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:660 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:116 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:73 mOhms; Id-连续漏极电流:50 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-3P-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCH ULTRJNCTN XCLASS
IXYH100N65A3 分立半导体 IXYH100N65A3 IXYS 分立半导体 商标名:XPT; 子类别:IGBTs; 标准包装数量:30; 产品类型:IGBT Transistors; 商标:IXYS; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:470 W; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247-3; RoHS:Y; 制造商:IXYS; IGBT 晶体管 DISC IGBT XPT-GENX3
IXTH140N075L2 分立半导体 IXTH140N075L2 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:26 ns; 典型关闭延迟时间:100 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:83 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:33 ns; 商标:IXYS; 类型:Linear L2; 产品:Power MOSFET Modules; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:Linear L2; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:540 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:275 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:11 mOhms; Id-连续漏极电流:140 A; Vds-漏源极击穿电压:75 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISC MOSFET N-CH LINEAR L2
IXTT140N075L2HV 分立半导体 IXTT140N075L2HV IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:26 ns; 典型关闭延迟时间:100 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:83 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:33 ns; 商标:IXYS; 类型:Linear L2; 产品:Power MOSFET Modules; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:Linear L2; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:540 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:275 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:11 mOhms; Id-连续漏极电流:140 A; Vds-漏源极击穿电压:75 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-268-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISC MOSFET N-CH LINEAR L2
IXTN240N075L2 分立半导体 IXTN240N075L2 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:34 ns; 典型关闭延迟时间:136 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10; 上升时间:200 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:47 ns; 正向跨导 - 最小值:60 S; 商标:IXYS; 类型:Linear L2; 晶体管类型:1 N-Channel; 产品:Power MOSFET Modules; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:Linear L2; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:735 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:546 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:7 mOhms; Id-连续漏极电流:225 A; Vds-漏源极击穿电压:75 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-227-4; 安装风格:Chassis Mount; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISC MOSFET N-CH LINEAR L2 (MI
MIXA61WB1200TEH 分立半导体 MIXA61WB1200TEH IXYS 分立半导体 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:5; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; 商标:IXYS; RoHS:Y; 制造商:IXYS; 分立半导体模块 IGBT MODULE - CBI E3-PACK-PFP
IXTH02N450HV 分立半导体 IXTH02N450HV IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:17 ns; 典型关闭延迟时间:28 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:48 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:143 ns; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:113 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:10.6 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:625 Ohms; Id-连续漏极电流:200 mA; Vds-漏源极击穿电压:4.5 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMOSFET NCH STD-VERYHIVOLT
IXFN240N25X3 分立半导体 IXFN240N25X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:36 ns; 典型关闭延迟时间:180 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10; 上升时间:32 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:14 ns; 正向跨导 - 最小值:80 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:695 W; 最大工作温度:+ 155 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:345 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:4.5 mOhms; Id-连续漏极电流:240 A; Vds-漏源极击穿电压:250 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-227-4; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTX3CLAS (MI
IXFH150N30X3 分立半导体 IXFH150N30X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:40 ns; 典型关闭延迟时间:187 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:32 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:14 ns; 正向跨导 - 最小值:70 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:890 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:254 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:8.3 mOhms; Id-连续漏极电流:150 A; Vds-漏源极击穿电压:300 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
IXFH140N20X3 分立半导体 IXFH140N20X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:28 ns; 典型关闭延迟时间:130 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:20 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:12 ns; 正向跨导 - 最小值:55 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:480 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:127 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:9.6 mOhms; Id-连续漏极电流:140 A; Vds-漏源极击穿电压:200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
IXFN50N120SIC 分立半导体 IXFN50N120SIC IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:23 ns; 典型关闭延迟时间:75 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 上升时间:9 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:19 ns; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; 最大工作温度:+ 155 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:100 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:50 mOhms; Id-连续漏极电流:47 A; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-227-4; 安装风格:Chassis Mount; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET SICARBIDE-DISCRETE MOSFET (MIN
IXFN300N20X3 分立半导体 IXFN300N20X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:44 ns; 典型关闭延迟时间:184 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10; 上升时间:43 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:80 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:695 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:375 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:3.5 mOhms; Id-连续漏极电流:300 A; Vds-漏源极击穿电压:200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-227-4; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTX3CLAS (MI
IXTA4N150HV 分立半导体 IXTA4N150HV IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:44 ns; 典型关闭延迟时间:184 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:43 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:280 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:375 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:6 Ohms; Id-连续漏极电流:4 A; Vds-漏源极击穿电压:1.5 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMOSFET N-CH STD-HIVOLTAGE
IXTH80N65X2 分立半导体 IXTH80N65X2 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:36 ns; 典型关闭延迟时间:72 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:11 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7 ns; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:890 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:137 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:38 mOhms; Id-连续漏极电流:80 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRAJNCTN X2CLASS
IXTH2N300P3HV 分立半导体 IXTH2N300P3HV IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:21 ns; 典型关闭延迟时间:69 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:17 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:62 ns; 商标:IXYS; 类型:High Voltage; 产品:Power MOSFET Modules; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:Polar3; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:520 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:73 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:21 Ohms; Id-连续漏极电流:2 A; Vds-漏源极击穿电压:3000 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISC MOSFET N-CH STD-POLAR3
IXFY30N25X3 分立半导体 IXFY30N25X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:16 ns; 典型关闭延迟时间:77 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:70; 上升时间:24 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:20 ns; 正向跨导 - 最小值:14 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:HiPerFET; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:170 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:21 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:60 mOhms; Id-连续漏极电流:30 A; Vds-漏源极击穿电压:250 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
IXFA56N30X3 分立半导体 IXFA56N30X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:21 ns; 典型关闭延迟时间:64 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:26 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:26 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:HiPerFET; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:320 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:56 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:27 mOhms; Id-连续漏极电流:56 A; Vds-漏源极击穿电压:300 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
IXFH220N20X3 分立半导体 IXFH220N20X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:37 ns; 典型关闭延迟时间:155 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:27 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:27 ns; 正向跨导 - 最小值:70 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:890 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:204 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:6.2 mOhms; Id-连续漏极电流:220 A; Vds-漏源极击穿电压:200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
IXYX50N170C 分立半导体 IXYX50N170C IXYS 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:30; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:100 nA; 商标:IXYS; 集电极最大连续电流 Ic:50 A; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:1500 W; 在25 C的连续集电极电流:178 A; 栅极/发射极最大电压:5 V; 集电极—射极饱和电压:3.7 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247-3; RoHS:Y; 制造商:IXYS; IGBT 晶体管
IXFH56N30X3 分立半导体 IXFH56N30X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:21 ns; 典型关闭延迟时间:64 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:26 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:26 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:HiPerFET; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:320 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:56 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:27 mOhms; Id-连续漏极电流:56 A; Vds-漏源极击穿电压:300 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
IXFK150N30X3 分立半导体 IXFK150N30X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:40 ns; 典型关闭延迟时间:187 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 上升时间:32 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:14 ns; 正向跨导 - 最小值:70 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:890 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:254 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:8.3 mOhms; Id-连续漏极电流:150 A; Vds-漏源极击穿电压:300 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-264-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
IXTX120N65X2 分立半导体 IXTX120N65X2 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:32 ns; 典型关闭延迟时间:87 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:24 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 商标:IXYS; 类型:X2-Class; 产品:Power MOSFET Modules; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1250 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:230 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:23 mOhms; Id-连续漏极电流:120 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRAJNCTN X2CLASS
IXTK120N65X2 分立半导体 IXTK120N65X2 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:32 ns; 典型关闭延迟时间:87 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 上升时间:24 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 商标:IXYS; 类型:X2-Class; 产品:Power MOSFET Modules; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1250 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:230 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:23 mOhms; Id-连续漏极电流:120 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRAJNCTN X2CLASS
IXTH04N300P3HV 分立半导体 IXTH04N300P3HV IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:35 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:20 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:26 ns; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:104 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:13 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:190 Ohms; Id-连续漏极电流:400 mA; Vds-漏源极击穿电压:3 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISC MOSFET N-CH STD-POLAR3
IXYA20N120A4HV 分立半导体 IXYA20N120A4HV IXYS 分立半导体 商标名:XPT; 子类别:IGBTs; 标准包装数量:50; 产品类型:IGBT Transistors; 商标:IXYS; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:375 W; 配置:Single; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:TO-263HV-3; RoHS:Y; 制造商:IXYS; IGBT 晶体管 DISC IGBT XPT-GENX4
IXFX240N25X3 分立半导体 IXFX240N25X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:36 ns; 典型关闭延迟时间:180 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:32 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:14 ns; 正向跨导 - 最小值:80 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1250 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:345 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:5 mOhms; Id-连续漏极电流:240 A; Vds-漏源极击穿电压:250 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PLUS-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
IXFH150N25X3 分立半导体 IXFH150N25X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:30 ns; 典型关闭延迟时间:115 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:30 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:60 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:735 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:150 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:9 mOhms; Id-连续漏极电流:150 A; Vds-漏源极击穿电压:250 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
IXFH180N20X3 分立半导体 IXFH180N20X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:30 ns; 典型关闭延迟时间:100 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:28 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:12 ns; 正向跨导 - 最小值:70 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:735 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:154 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:7.5 mOhms; Id-连续漏极电流:180 A; Vds-漏源极击穿电压:200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:To-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
IXTH62N65X2 分立半导体 IXTH62N65X2 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:28 ns; 典型关闭延迟时间:56 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:11 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 商标:IXYS; 类型:X2-Class; 产品:Power MOSFET Modules; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:780 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:100 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:50 mOhms; Id-连续漏极电流:62 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRAJNCTN X2CLASS
IXFT120N30X3HV 分立半导体 IXFT120N30X3HV IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:30 ns; 典型关闭延迟时间:130 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:30 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:14 ns; 正向跨导 - 最小值:60 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:735 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:170 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:11 mOhms; Id-连续漏极电流:120 A; Vds-漏源极击穿电压:300 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-268-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
IXFN220N20X3 分立半导体 IXFN220N20X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:37 ns; 典型关闭延迟时间:155 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10; 上升时间:27 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:17 ns; 正向跨导 - 最小值:204 nC; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:390 W; 最大工作温度:+ 155 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:204 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:6.2 mOhms; Id-连续漏极电流:220 A; Vds-漏源极击穿电压:200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-227-4; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTX3CLAS (MI
IXTX6N200P3HV 分立半导体 IXTX6N200P3HV IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:28 ns; 典型关闭延迟时间:80 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:22 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:46 ns; 商标:IXYS; 类型:High Voltage; 产品:Power MOSFET Modules; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:Polar3; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:960 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:143 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:4 Ohms; Id-连续漏极电流:6 A; Vds-漏源极击穿电压:2000 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISC MOSFET N-CH STD-POLAR3
IXFP72N30X3 分立半导体 IXFP72N30X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:22 ns; 典型关闭延迟时间:86 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:25 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 正向跨导 - 最小值:36 S; 商标:IXYS; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:390 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:82 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:19 mOhms; Id-连续漏极电流:72 A; Vds-漏源极击穿电压:300 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTX3CLASS
IXFT100N30X3HV 分立半导体 IXFT100N30X3HV IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:29 ns; 典型关闭延迟时间:144 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:30 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:14 ns; 正向跨导 - 最小值:48 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:480 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:122 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:13.5 mOhms; Id-连续漏极电流:100 A; Vds-漏源极击穿电压:300 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-268HV-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
IXFH72N30X3 分立半导体 IXFH72N30X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:22 ns; 典型关闭延迟时间:86 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:25 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 正向跨导 - 最小值:36 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:390 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:82 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:19 mOhms; Id-连续漏极电流:72 A; Vds-漏源极击穿电压:300 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:To-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
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