| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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GS61008T-MR |
GaN Systems |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:GS61008P-EVBHF; 商标:GaN Systems; 晶体管类型:E-HEMT Power Transistor; 系列:GS6100x; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:GaNPX; 通道模式:Enhancement; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:8 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:6 V; Rds On-漏源导通电阻:9.5 mOhms; Id-连续漏极电流:90 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN Si; RoHS:Y; 制造商:GaN Systems; |
MOSFET 100V, 90A, GaN E-HEMT, GaNPX package, Top-side cooled |
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GS66516B-E01-MR |
GaN Systems |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:4.6 ns; 典型关闭延迟时间:14.9 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 上升时间:12.4 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:22 ns; 商标:GaN Systems; 宽度:9 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:GS66516x; 产品:MOSFET; 长度:11 mm; 高度:0.54 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:-; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:12 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:7 V; Rds On-漏源导通电阻:25 mOhms; Id-连续漏极电流:60 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:GaNPX-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:GaN Systems; |
MOSFET No longer available order, GS66516B-MR, discount of on ship and debit |
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GS-065-004-1-L |
GaN Systems |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:GaN Systems; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:GS-065; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:0.7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.4 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V to 7 V; Rds On-漏源导通电阻:500 mOhms; Id-连续漏极电流:3.5 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PDFN-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN Si; RoHS:Y; 制造商:GaN Systems; |
MOSFET 650V, 3.5A, GaN E-HEMT, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled |
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GS-065-011-1-L |
GaN Systems |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:GaN Systems; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:GS-065; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:2 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V to 7 V; Rds On-漏源导通电阻:150 mOhms; Id-连续漏极电流:11 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PDFN-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN Si; RoHS:Y; 制造商:GaN Systems; |
MOSFET 650V, 11A, GaN E-HEMT, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled |
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GS66516T-E02-MR |
GaN Systems |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:GaN Systems; 宽度:7.6 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:GS66516x; 产品:MOSFET; 长度:9 mm; 高度:0.54 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:12 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:7 V; Rds On-漏源导通电阻:25 mOhms; Id-连续漏极电流:60 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:GaNPX-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:GaN Systems; |
MOSFET 650V, 60A, GaN E-HEMT, GaNPX package, Top-side cooling |
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GS66508T-E02-MR |
GaN Systems |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:GaN Systems; 宽度:4.5 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:GS6650x; 产品:MOSFET; 长度:7 mm; 高度:0.54 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:5.8 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:7 V; Rds On-漏源导通电阻:55 mOhms; Id-连续漏极电流:30 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:GaNPX-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:GaN Systems; |
MOSFET 650V, 30A, GaN E-HEMT, GaNPX package, Top-side cooling |
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GS66506T-E01-MR |
GaN Systems |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:GaN Systems; 宽度:4.5 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:GS6650x; 产品:MOSFET; 长度:5.5 mm; 高度:0.54 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:4.4 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:7 V; Rds On-漏源导通电阻:67 mOhms; Id-连续漏极电流:22.5 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:GaNPX-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:GaN Systems; |
MOSFET 650V, 22A, GaN E-HEMT, GaNPX package, Top-side cooled |
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GS66502B-E01-MR |
GaN Systems |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:GaN Systems; 宽度:5 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:GS6650x; 产品:MOSFET; 长度:6.6 mm; 高度:0.51 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:1.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:7 V; Rds On-漏源导通电阻:200 mOhms; Id-连续漏极电流:7.5 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:GaNPX-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:GaN Systems; |
MOSFET 650V, 7.5A, GaN E-HEMT, GaNPX package, Bottom-side cooled |
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GS61004B-E01-MR |
GaN Systems |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:GaN Systems; 宽度:4.35 mm; 系列:GS6100x; 产品:MOSFET; 长度:4.55 mm; 高度:0.52 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:6.2 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:7 V; Rds On-漏源导通电阻:15 mOhms; Id-连续漏极电流:45 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:GaNPX-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:GaN Systems; |
MOSFET No longer available. Order GS61004B-MR, discount on ship and debit |
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GS61008T-E01-MR |
GaN Systems |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:GaN Systems; 宽度:4.4 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:GS61008; 产品:MOSFET; 长度:4.6 mm; 高度:0.51 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:12 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:7 V; Rds On-漏源导通电阻:7 mOhms; Id-连续漏极电流:90 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:GaNPX-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:GaN Systems; |
MOSFET No longer available. Order GS61008T-MR, discount on ship and debit |
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GS66504B-E01-MR |
GaN Systems |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:GaN Systems; 宽度:5 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:GS6650x; 产品:MOSFET; 长度:6.6 mm; 高度:0.51 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:6.2 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:7 V; Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms; Id-连续漏极电流:15 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:GaNPX-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:GaN Systems; |
MOSFET Bottom-side cooled 650 V E-mode GaN transistor |
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GS66508P-E05-MR |
GaN Systems |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:GaN Systems; 宽度:8.7 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:GS6650x; 产品:MOSFET; 长度:10 mm; 高度:0.51 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:5.8 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:7 V; Rds On-漏源导通电阻:55 mOhms; Id-连续漏极电流:30 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:GaNPX-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:GaN Systems; |
MOSFET Discontinued. NRND. Use GS66508B-MR instead |
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GS61008P-MR |
GaN Systems |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:GS61008P-EVBHF, GSWP100W-EVBPA; 商标:GaN Systems; 宽度:4.6 mm; 晶体管类型:E-HEMT Power Transistor; 系列:GS6100x; 长度:7.5 mm; 高度:0.51 mm; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:GaNPX; 通道模式:Enhancement; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:8 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:7 V; Rds On-漏源导通电阻:9.5 mOhms; Id-连续漏极电流:90 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:GaNPX-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:GaN Systems; |
MOSFET 100V, 90A, GaN E-HEMT, GaNPX package, Bottom-side cooled |
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GS66508B-MR |
GaN Systems |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:4.1 ns; 典型关闭延迟时间:8 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 上升时间:3.7 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:5.2 ns; 开发套件:GS665MB-EVB, GS-EVB-HB-66508B-ON1, GSP665x-EVBIMS2, GS1200BTP-EVB, GSWP300W-EVBPA, GS66508B-EVBDB1; 商标:GaN Systems; 晶体管类型:E-HEMT Power Transistor; 系列:GS6650x; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:GaNPX; 通道模式:Enhancement; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:6.1 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:6 V; Rds On-漏源导通电阻:63 mOhms; Id-连续漏极电流:30 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN Si; RoHS:Y; 制造商:GaN Systems; |
MOSFET 650V, 30A, GaN E-HEMT, GaNPX package, Bottom-side cooling |
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GS61004B-MR |
GaN Systems |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:GS61004B-EVBCD, GSWP050W-EVBPA; 商标:GaN Systems; 晶体管类型:E-HEMT Power Transistor; 系列:GS6100x; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:GaNPX; 通道模式:Enhancement; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:3.3 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:6 V; Rds On-漏源导通电阻:22 mOhms; Id-连续漏极电流:38 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN Si; RoHS:Y; 制造商:GaN Systems; |
MOSFET 100V, 45A, GaN E-HEMT, GaNPX package, Bottom-side cooled |
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GS66504B-MR |
GaN Systems |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:GS665MB-EVB, GS-EVB-ACDC-300W-ON; 商标:GaN Systems; 晶体管类型:E-HEMT Power Transistor; 系列:GS6650x; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:GaNPX; 通道模式:Enhancement; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:3.3 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:6 V; Rds On-漏源导通电阻:130 mOhms; Id-连续漏极电流:15 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN Si; RoHS:Y; 制造商:GaN Systems; |
MOSFET 650V, 15A, GaN E-HEMT, GaNPX package, Bottom-side cooled |
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GS-065-008-1-L |
GaN Systems |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:GaN Systems; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:GS-065; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:1.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.4 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V to 7 V; Rds On-漏源导通电阻:225 mOhms; Id-连续漏极电流:8 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PDFN-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN Si; RoHS:Y; 制造商:GaN Systems; |
MOSFET 650V, 8A, GaN E-HEMT, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled |
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GS66508T-MR |
GaN Systems |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:4.1 ns; 典型关闭延迟时间:8 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 上升时间:3.7 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:5.2 ns; 开发套件:GS665MB--EVB, GS66508T-EVBDB2; 商标:GaN Systems; 晶体管类型:E-HEMT Power Transistor; 系列:GS6650x; 配置:Single; 封装:Reel; 商标名:GaNPX; 通道模式:Enhancement; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:6.1 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:6 V; Rds On-漏源导通电阻:63 mOhms; Id-连续漏极电流:30 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN Si; RoHS:Y; 制造商:GaN Systems; |
MOSFET 650V, 30A, GaN E-HEMT, GaNPX package, Top-side cooling |
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GS66516T-MR |
GaN Systems |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:4.6 ns; 典型关闭延迟时间:14.9 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 上升时间:12.4 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:22 ns; 开发套件:GS665MB-EVB, GS66516T-EVBDB2; 商标:GaN Systems; 晶体管类型:E-HEMT Power Transistor; 系列:GS66516; 配置:Single; 封装:Reel; 商标名:GaNPX; 通道模式:Enhancement; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:14.2 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:6 V; Rds On-漏源导通电阻:32 mOhms; Id-连续漏极电流:60 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN Si; RoHS:Y; 制造商:GaN Systems; |
MOSFET 650V, 60A, GaN E-HEMT, GaNPX package, Top-side cooling |
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GS66516B-MR |
GaN Systems |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:4.6 ns; 典型关闭延迟时间:14.9 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 上升时间:12.4 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:22 ns; 开发套件:GSP65RXXHB-EVB, GSP665x-EVBIMS2; 商标:GaN Systems; 晶体管类型:E-HEMT Power Transistor; 系列:GS66516; 配置:Single; 封装:Reel; 商标名:GaNPX; 通道模式:Enhancement; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:14.2 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:6 V; Rds On-漏源导通电阻:32 mOhms; Id-连续漏极电流:60 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN Si; RoHS:Y; 制造商:GaN Systems; |
MOSFET 650V, 60A, GaN E-HEMT, GaNPX package, Top-side cooling |
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GS66502B-MR |
GaN Systems |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:GS665MB-EVB; 商标:GaN Systems; 晶体管类型:E-HEMT Power Transistor; 系列:GS6650x; 配置:Single; 封装:Reel; 商标名:GaNPX; 通道模式:Enhancement; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:1.6 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:6 V; Rds On-漏源导通电阻:260 mOhms; Id-连续漏极电流:7.5 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN Si; RoHS:Y; 制造商:GaN Systems; |
MOSFET 650V, 7.5A, GaN E-HEMT, GaNPX package, Bottom-side cooled |
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GS66506T-MR |
GaN Systems |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:250; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:GS-EVB-AUD-xxx1-GS; 商标:GaN Systems; 晶体管类型:E-HEMT Power Transistor; 系列:GS6650x; 配置:Single; 封装:Reel; 商标名:GaNPX; 通道模式:Enhancement; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:4.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:6 V; Rds On-漏源导通电阻:90 mOhms; Id-连续漏极电流:22.5 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN Si; RoHS:Y; 制造商:GaN Systems; |
MOSFET 650V, 22A, GaN E-HEMT, GaNPX package, Top-side cooled |
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