Advanced Linear Devices分立半导体价格_批发_代理商

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品牌:

Advanced Linear Devices Adafruit Advanced Semiconductor, Inc. Altech Analog Devices Inc. AVX Belden Wire & Cable Bourns Central Semiconductor Comchip Technology Cree, Inc. D3 Semiconductor Diodes Incorporated GaN Systems GeneSiC Semiconductor Honeywell Infineon InterFET IXYS Kyocera Littelfuse MACOM Maxim Integrated MaxLinear MEAN WELL Micro Commercial Components (MCC) Microchip Monolithic Power Systems (MPS) Nexperia NJR NXP Omron ON Semiconductor Panasonic Parallax Power Integrations Rectron Renesas Electronics ROHM Semiconductor Semitec Semtech Sensata Shindengen Silicon Laboratories Skyworks Souriau SparkFun Electronics STMicroelectronics Taiwan Semiconductor TDK-Lambda TE Connectivity Texas Instruments THAT Corporation Torex Semiconductor Toshiba Transphorm TT Electronics UnitedSiC Vishay WeEn Semiconductors Wurth Elektronik

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型号/料号	品牌/制造商	类目	参数	说明
ALD212900PAL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:ALD212900P; 配置:Dual; 封装:Tube; 通道模式:Depletion; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Vgs th-栅源极阈值电压:20 mV; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:14 Ohms; Id-连续漏极电流:79 mA; Vds-漏源极击穿电压:10 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
ALD1103PBL	Advanced Linear Devices	分立半导体	子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 类型:MOSFET; 晶体管类型:2 N-Channel, 2 P-Channel; 系列:ALD1103P; 产品:MOSFET Small Signal; 配置:Quad; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:50 Ohms, 180 Ohms; Id-连续漏极电流:40 mA, 16 mA; Vds-漏源极击穿电压:12 V; 通道数量:4 Channel; 晶体管极性:N-Channel, P-Channel; 封装 / 箱体:PDIP-14; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Dual P&N-Ch. Pair
ALD110900PAL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 类型:MOSFET; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:ALD110900P; 产品:MOSFET Small Signal; 配置:Dual; 封装:Tube; 通道模式:Depletion; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Vgs th-栅源极阈值电压:20 mV; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:500 Ohms, 500 Ohms; Id-连续漏极电流:12 mA; Vds-漏源极击穿电压:10 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
ALD810027SCL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:4 N-Channel; 系列:ALD810027S; 配置:Quad; 封装:Tube; 商标名:SAB; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:2.72 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:-; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:10.6 V; 通道数量:4 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.70V
ALD810023SCL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:4 N-Channel; 系列:ALD810023S; 配置:Quad; 封装:Tube; 商标名:SAB; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:2.32 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:-; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:10.6 V; 通道数量:4 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.30V
ALD110900APAL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 类型:MOSFET; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:ALD110900A; 产品:MOSFET Small Signal; 配置:Dual; 封装:Tube; 通道模式:Depletion; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Vgs th-栅源极阈值电压:0 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:500 Ohms, 500 Ohms; Id-连续漏极电流:12 mA; Vds-漏源极击穿电压:10 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
ALD910017SAL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:1.72 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:-; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:10.6 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
ALD910025SAL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:ALD910025S; 配置:Dual; 封装:Tube; 商标名:SAB; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:2.52 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:-; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:10.6 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.50V
ALD810017SCL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:4 N-Channel; 配置:Quad; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:1.72 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:-; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:10.6 V; 通道数量:4 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
ALD910028SAL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:ALD910028S; 配置:Dual; 封装:Tube; 商标名:SAB; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:2.82 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:-; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:10.6 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.80V
ALD910027SAL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:ALD910027S; 配置:Dual; 封装:Tube; 商标名:SAB; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:2.72 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:-; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:10.6 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.70V
ALD810020SCL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:4 N-Channel; 配置:Quad; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:2.02 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:-; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:10.6 V; 通道数量:4 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.00V
ALD810024SCL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:4 N-Channel; 系列:ALD810024S; 配置:Quad; 封装:Tube; 商标名:SAB; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:2.42 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:-; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:10.6 V; 通道数量:4 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.40V
ALD810021SCL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:4 N-Channel; 配置:Quad; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:2.12 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:-; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:10.6 V; 通道数量:4 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.10V
ALD210808SCL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:4 N-Channel; 系列:ALD210808S; 配置:Quad; 封装:Tube; 商标名:EPAD; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:0.82 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:-; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:10.6 V; 通道数量:4 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
ALD910025SALI	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:2.52 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:-; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:10.6 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V
ALD910022SALI	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:2.22 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:-; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:10.6 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V
ALD212902PAL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:ALD212902P; 配置:Dual; 封装:Tube; 商标名:EPAD; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Vgs th-栅源极阈值电压:180 mV; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:14 Ohms; Id-连续漏极电流:79 mA; Vds-漏源极击穿电压:10 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
ALD810025SCLI	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:4 N-Channel; 配置:Quad; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:2.52 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:-; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:10.6 V; 通道数量:4 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V
ALD810017SCLI	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:4 N-Channel; 配置:Quad; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:1.72 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:-; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:10.6 V; 通道数量:4 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
ALD310700SCL	Advanced Linear Devices	分立半导体	子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:4 P-Channel; 系列:ALD31070; 配置:Quad; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:0.02 V; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:1.1 KOhms; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:8 V; 通道数量:4 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair
ALD212900SAL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:ALD212900S; 配置:Dual; 封装:Tube; 通道模式:Depletion; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Vgs th-栅源极阈值电压:20 mV; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:14 Ohms; Id-连续漏极电流:79 mA; Vds-漏源极击穿电压:10 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
ALD212902SAL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:ALD212902S; 配置:Dual; 封装:Tube; 商标名:EPAD; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Vgs th-栅源极阈值电压:180 mV; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:14 Ohms; Id-连续漏极电流:79 mA; Vds-漏源极击穿电压:10 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
ALD212908SAL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:ALD212908S; 配置:Dual; 封装:Tube; 商标名:EPAD; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Vgs th-栅源极阈值电压:780 mV; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:14 Ohms; Id-连续漏极电流:79 mA; Vds-漏源极击穿电压:10 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
ALD212908PAL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:ALD212908P; 配置:Dual; 封装:Tube; 商标名:EPAD; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Vgs th-栅源极阈值电压:780 mV; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:14 Ohms; Id-连续漏极电流:79 mA; Vds-漏源极击穿电压:10 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
ALD210808PCL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:4 N-Channel; 系列:ALD210808P; 配置:Quad; 封装:Tube; 商标名:EPAD; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:0.82 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:-; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:10.6 V; 通道数量:4 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PDIP-16; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
ALD310700ASCL	Advanced Linear Devices	分立半导体	子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:4 P-Channel; 系列:ALD31070; 配置:Quad; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:0.02 V; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:1.1 KOhms; Id-连续漏极电流:- 80 mA; Vds-漏源极击穿电压:8 V; 通道数量:4 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair
ALD1106PBL	Advanced Linear Devices	分立半导体	子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 类型:MOSFET; 晶体管类型:4 N-Channel; 系列:ALD1106P; 产品:MOSFET Small Signal; 配置:Quad; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:350 Ohms; Id-连续漏极电流:4.8 mA; Vds-漏源极击穿电压:12 V; 通道数量:4 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PDIP-14; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Quad N-Channel Array
ALD1103SBL	Advanced Linear Devices	分立半导体	子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 类型:MOSFET; 晶体管类型:2 N-Channel, 2 P-Channel; 系列:ALD1103S; 产品:MOSFET Small Signal; 配置:Quad; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W); 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:50 Ohms, 180 Ohms; Id-连续漏极电流:40 mA, 16 mA; Vds-漏源极击穿电压:12 V; 通道数量:4 Channel; 晶体管极性:N-Channel, P-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-14; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Dual P&N-Ch. Pair
ALD910026SAL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:ALD910026S; 配置:Dual; 封装:Tube; 商标名:SAB; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:2.62 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:-; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:10.6 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.60V
ALD910023SAL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:ALD910023S; 配置:Dual; 封装:Tube; 商标名:SAB; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:2.28 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:-; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:10.6 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.30V
ALD910024SAL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:ALD910024S; 配置:Dual; 封装:Tube; 商标名:SAB; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:2.42 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:-; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:10.6 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.40V
ALD212900APAL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:ALD212900A; 配置:Dual; 封装:Tube; 通道模式:Depletion; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Vgs th-栅源极阈值电压:0 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:14 Ohms; Id-连续漏极电流:79 mA; Vds-漏源极击穿电压:10 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
ALD810025SCL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:4 N-Channel; 系列:ALD810025S; 配置:Quad; 封装:Tube; 商标名:SAB; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:2.52 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:-; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:10.6 V; 通道数量:4 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.50V
ALD210800ASCL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:4 N-Channel; 系列:ALD210800A; 配置:Quad; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:0.02 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:-; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:10.6 V; 通道数量:4 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY
ALD810026SCL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:4 N-Channel; 系列:ALD810026S; 配置:Quad; 封装:Tube; 商标名:SAB; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Vgs th-栅源极阈值电压:2.62 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:2.6 MOhms; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:10.6 V; 通道数量:4 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.60V
ALD910017SALI	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:1.72 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:-; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:10.6 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
ALD110800APCL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 正向跨导 - 最小值:0.0014 S; 商标:Advanced Linear Devices; 类型:MOSFET; 晶体管类型:4 N-Channel; 系列:ALD110800A; 产品:MOSFET Small Signal; 配置:Quad; 封装:Tube; 通道模式:Depletion; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Vgs th-栅源极阈值电压:0 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:500 Ohms; Id-连续漏极电流:12 mA; Vds-漏源极击穿电压:10 V; 通道数量:4 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PDIP-16; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch
ALD810018SCL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:4 N-Channel; 配置:Quad; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:1.82 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:-; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:10.6 V; 通道数量:4 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.80V
ALD310702ASCL	Advanced Linear Devices	分立半导体	子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:4 P-Channel; 系列:ALD31070; 配置:Quad; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:- 0.18 V; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:1.14 KOhms; Id-连续漏极电流:- 80 mA; Vds-漏源极击穿电压:8 V; 通道数量:4 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair
ALD212914SAL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:ALD212914S; 配置:Dual; 封装:Tube; 商标名:EPAD; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Vgs th-栅源极阈值电压:1.4 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:14 Ohms; Id-连续漏极电流:79 mA; Vds-漏源极击穿电压:10 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
ALD1107PBL	Advanced Linear Devices	分立半导体	子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 类型:MOSFET; 晶体管类型:4 P-Channel; 系列:ALD1107P; 产品:MOSFET Small Signal; 配置:Quad; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:1.2 kOhms; Id-连续漏极电流:- 2 mA; Vds-漏源极击穿电压:12 V; 通道数量:4 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:PDIP-14; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Quad P-Channel Array
ALD1105PBL	Advanced Linear Devices	分立半导体	子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 类型:MOSFET; 晶体管类型:2 N-Channel, 2 P-Channel; 系列:ALD1105P; 产品:MOSFET Small Signal; 配置:Quad; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:350 Ohms, 1.2 kOhms; Id-连续漏极电流:4.8 mA, 2 mA; Vds-漏源极击穿电压:12 V; 通道数量:4 Channel; 晶体管极性:N-Channel, P-Channel; 封装 / 箱体:PDIP-14; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Dual P&N-Ch. Pair
ALD212900ASAL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:ALD212900A; 配置:Dual; 封装:Tube; 通道模式:Depletion; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Vgs th-栅源极阈值电压:0 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:14 Ohms; Id-连续漏极电流:79 mA; Vds-漏源极击穿电压:10 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
ALD310702SCL	Advanced Linear Devices	分立半导体	子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:4 P-Channel; 系列:ALD31070; 配置:Quad; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:- 0.18 V; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:1.14 KOhms; Id-连续漏极电流:- 80 mA; Vds-漏源极击穿电压:8 V; 通道数量:4 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair
ALD810022SCL	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:4 N-Channel; 配置:Quad; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:2.22 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:-; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:10.6 V; 通道数量:4 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V
ALD810016SCLI	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:4 N-Channel; 配置:Quad; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:1.62 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:-; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:10.6 V; 通道数量:4 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.60V
ALD810028SCLI	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:4 N-Channel; 配置:Quad; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:2.82 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:-; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:10.6 V; 通道数量:4 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.80V
ALD910028SALI	Advanced Linear Devices	分立半导体	典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 mW; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:2.82 V; Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V; Rds On-漏源导通电阻:-; Id-连续漏极电流:80 mA; Vds-漏源极击穿电压:10.6 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.80V
ALD310708SAL	Advanced Linear Devices	分立半导体	子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:Advanced Linear Devices; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Advanced Linear Devices;	MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair

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