| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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UJ3C120040K3S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:33 ns; 典型关闭延迟时间:63 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:20 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:20 ns; 商标:UnitedSiC; 系列:UF3C; 配置:Single; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:429 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:51 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:45 mOhms; Id-连续漏极电流:65 A; Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 1200V/40 mOhm SIC CASCODE, G3, TO-247 3L, REDUCED RTH |
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UJ3C065080K3S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:18 ns; 典型关闭延迟时间:59 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:13 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 商标:UnitedSiC; 系列:UF3C; 配置:Single; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:190 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:51 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms; Id-连续漏极电流:31 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 650V/80 mOhm SIC CASCODE, G3, TO-247 3L, REDUCED RTH |
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UJ3C120080K3S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:22 ns; 典型关闭延迟时间:61 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:14 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:14 ns; 商标:UnitedSiC; 系列:UF3C; 配置:Single; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:254.2 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:51 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms; Id-连续漏极电流:33 A; Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 1200V/80 mOhm SIC CASCODE, G3, TO-247 3L, REDUCED RTH |
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UJ3C065030B3 |
UnitedSiC |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:32 ns; 典型关闭延迟时间:58 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:19 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:15 ns; 商标:UnitedSiC; 系列:UF3C; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:250 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:51 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:35 mOhms; Id-连续漏极电流:66 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:D2PAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 650V/30 mOhm SIC CASCODE, G3, TO-263 3L, REDUCED RTH |
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UF3C065030K3S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 产品类型:MOSFET; 商标:UnitedSiC; 系列:UF3C; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:441 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:51 nC; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Id-连续漏极电流:85 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 27mOhm - 650V SiC Cascode |
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UJ3C065030K3S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:44 ns; 典型关闭延迟时间:63 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:26 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:17 ns; 商标:UnitedSiC; 系列:UF3C; 配置:Single; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:441 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:51 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:35 mOhms; Id-连续漏极电流:85 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 650V/30 mOhm SIC CASCODE, G3, TO-247 3L, REDUCED RTH |
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UJ3C065080T3S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:18 ns; 典型关闭延迟时间:59 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:13 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 商标:UnitedSiC; 系列:UF3C; 配置:Single; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:190 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:51 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms; Id-连续漏极电流:31 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 650V/80 mOhm SIC CASCODE, G3, TO-220 3L, REDUCED RTH |
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UF3C120080K4S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:33 ns; 典型关闭延迟时间:43 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:13 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 商标:UnitedSiC; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:UF3C; 配置:Single; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:254.2 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:51 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms; Id-连续漏极电流:33 A; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-4; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 1200V 80mOhm SiC Cascode Fast |
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UF3C065040B3 |
UnitedSiC |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 产品类型:MOSFET; 商标:UnitedSiC; 系列:UF3C; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:176 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:51 nC; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:52 mOhms; Id-连续漏极电流:41 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:D2PAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 42mOhm - 650V SiC Cascode |
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UF3SC120016K4S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 产品类型:MOSFET; 商标:UnitedSiC; 系列:UF3SC; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:517 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:218 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:107 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-4; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 1200V/16mOhm SiC STACKED FAST CASCODE REDUCUED Rth |
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UJ3C065030T3S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:36 ns; 典型关闭延迟时间:56 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:22 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:15 ns; 商标:UnitedSiC; 系列:UF3C; 配置:Single; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:441 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:51 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:35 mOhms; Id-连续漏极电流:85 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 650V/30 mOhm SIC CASCODE, G3, TO-220 3L, REDUCED RTH |
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UF3SC120016K3S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 产品类型:MOSFET; 商标:UnitedSiC; 系列:UF3SC; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:517 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:218 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:107 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-4; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 1200V/16mOhm SiC STACKED FAST CASCODE |
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UF3C065030B3 |
UnitedSiC |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:32 ns; 典型关闭延迟时间:57 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:16 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:15 ns; 商标:UnitedSiC; 系列:UF3C; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:242 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 25 C; Qg-栅极电荷:51 nC; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:27 mOhms; Id-连续漏极电流:65 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:D2PAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 650V 27mOhm SiC Cascode |
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UF3SC065030D8S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:23 ns; 典型关闭延迟时间:43 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:19 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:11 ns; 商标:UnitedSiC; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:UF3SC; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:179 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:43 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:6 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:42 mOhms; Id-连续漏极电流:18 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 650V/30mOhm SiC STACKED FAST CASCODE G3 DFN8 REDUCED Rth |
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UJ3C120150K3S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:21 ns; 典型关闭延迟时间:36 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:10 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7 ns; 商标:UnitedSiC; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:UF3C; 配置:Single; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:166.7 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:30 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:180 mOhms; Id-连续漏极电流:18.4 A; Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 1200V/ 150mOhm SIC CASCODE, G3, TO-247 3L, REDUCED RTH |
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UJ3N065025K3S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:30; 产品类型:JFETs; 商标:UnitedSiC; 封装:Tube; 系列:UJ3N; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:441 W; Rds On-漏源导通电阻:25 mOhms; Id-连续漏极电流:85 A; Vgs-栅源极击穿电压 :20 V; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
JFET 25mOhm - 650V SiC Normally-On JFET |
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UJ3D06508TS |
UnitedSiC |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:115.4 W; 商标:UnitedSiC; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 系列:UJ3D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :8 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:55 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:8 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
肖特基二极管与整流器 650V/8A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE |
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UJ3D06510TS |
UnitedSiC |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:136.4 W; 商标:UnitedSiC; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 系列:UJ3D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :10 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:70 A; Vf - 正向电压:1.5 V at 10 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
肖特基二极管与整流器 650V/10A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE |
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UF3C065030T3S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:43 ns; 典型关闭延迟时间:61 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:28 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:17 ns; 商标:UnitedSiC; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:UF3C; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:441 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:51 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:35 mOhms; Id-连续漏极电流:85 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 650V/30mOhm SiC FAST CASCODE G3 TO-220-3L REDUCED Rth |
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UJ3D06560KSD |
UnitedSiC |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:30; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:577 W; 商标:UnitedSiC; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 系列:UJ3D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :60 uA; 技术:SiC; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:330 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:60 A; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
肖特基二极管与整流器 650V/20A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-247, DUAL, ENHANCED SURGE |
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UJ3C065080B3 |
UnitedSiC |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:18 ns; 典型关闭延迟时间:59 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:13 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 商标:UnitedSiC; 系列:UF3C; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:115 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:51 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms; Id-连续漏极电流:25 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:D2PAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 650V/80 mOhm SIC CASCODE, G3, TO-263 3L, REDUCED RTH |
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UJ3N120070K3S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:30; 产品类型:JFETs; 商标:UnitedSiC; 封装:Tube; 系列:UJ3N; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:254 W; Rds On-漏源导通电阻:70 mOhms; Id-连续漏极电流:33.5 A; Vgs-栅源极击穿电压 :20 V; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
JFET 70mOhm 1200V SiC Normally-On JFET |
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UF3C065030K4S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:25 ns; 典型关闭延迟时间:48 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:31 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:12 ns; 商标:UnitedSiC; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:UF3C; 配置:Single; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:441 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:51 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:35 mOhms; Id-连续漏极电流:85 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-4; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 650V 30mOhm SiC Cascode Fast |
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UF3C120040K4S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:24 ns; 典型关闭延迟时间:50 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:27 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 商标:UnitedSiC; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:UF3C; 配置:Single; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:429 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:51 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:45 mOhms; Id-连续漏极电流:65 A; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-4; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 1200V 35mOhm SiC Cascode Fast |
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UF3SC065007K4S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:36 ns; 典型关闭延迟时间:72 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:46 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:14 ns; 商标:UnitedSiC; 晶体管类型:1 - N Channel; 系列:UF3SC; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:789 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:214 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:6 V; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:9 mOhms; Id-连续漏极电流:120 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-4; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 650V/7mOhm SiC STACKED CASCODE TO-247-4L REDUCED Rth |
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UF3C170400K3S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:17 ns; 典型关闭延迟时间:34 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:600; 上升时间:13 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:28 ns; 商标:UnitedSiC; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:UF3C; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:100 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:27.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:6 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:1070 mOhms; Id-连续漏极电流:7.6 A; Vds-漏源极击穿电压:1700 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 1700V/400mOhm SiC FAST CASCODE G3 REDUCED Rth |
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UF3C065080T3S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:18 ns; 典型关闭延迟时间:59 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:13 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 商标:UnitedSiC; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:UF3C; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:190 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:51 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms; Id-连续漏极电流:31 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 650V/80mOhm SiC FAST CASCODE G3 TO-220-3L REDUCED Rth |
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UF3C065080K4S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:21 ns; 典型关闭延迟时间:37 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:20 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8 ns; 商标:UnitedSiC; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:UF3C; 配置:Single; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:190 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:51 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms; Id-连续漏极电流:31 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-4; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 650V 80mOhm SiC Cascode Fast |
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UJ3C120070K3S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:38 ns; 典型关闭延迟时间:58 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:17 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9 ns; 商标:UnitedSiC; 晶体管类型:1 - N Channel; 系列:UF3C; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:254.2 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:46 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:6 V; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:90 mOhms; Id-连续漏极电流:34.5 A; Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 1200V/70mOhm SiC CASCODE G3 TO-247-3L REDUCED Rth |
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UJ3D1210TS |
UnitedSiC |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :1200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:220.6 W; 商标:UnitedSiC; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 系列:UJ3D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :100 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:120 A; Vf - 正向电压:1.4 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
肖特基二极管与整流器 1200V/10A SiC SCHOTTKY DIODE G2, TO-220, ENHANCED SURGE |
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UF3C120400K3S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:16 ns; 典型关闭延迟时间:34 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:600; 上升时间:10 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:18 ns; 商标:UnitedSiC; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:UF3C; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:100 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:27.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:6 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:1070 mOhms; Id-连续漏极电流:7.6 A; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 1200V/400mOhm SiC FAST CASCODE G3 REDUCED Rth |
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UF3C120150K4S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:21 ns; 典型关闭延迟时间:26 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8 ns; 商标:UnitedSiC; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:UF3C; 配置:Single; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:166.7 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:25.7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:330 mOhms; Id-连续漏极电流:18.4 A; Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-4; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 1200V 150mOhm SiC FAST CASCODE G3 |
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UF3C120080K3S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 产品类型:MOSFET; 商标:UnitedSiC; 系列:UF3C; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 1200V/80mOhm SiC FAST CASCODE G3 REDUCED Rth |
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UF3C065040T3S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:UnitedSiC; 系列:UF3C; 配置:Single; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:326 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:51 nC; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:52 mOhms; Id-连续漏极电流:54 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 42mOhm - 650V SiC Cascode |
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UF3C065080B3 |
UnitedSiC |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:25 ns; 典型关闭延迟时间:50 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 上升时间:13 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:12 ns; 商标:UnitedSiC; 系列:UF3C; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:115 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:51 nC; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms; Id-连续漏极电流:25 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:D2PAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 650V/80mOhm SiC CASCODE G3 FAST ENHANCED Rth |
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UF3SC065040D8S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:24 ns; 典型关闭延迟时间:44 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:18 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:9 ns; 商标:UnitedSiC; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:UF3SC; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:125 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:43 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:6 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:58 Ohms; Id-连续漏极电流:18 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 650V/40mOhm SiC STACKED FAST CASCODE G3 DFN8 REDUCED Rth |
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UJ3D06530TS |
UnitedSiC |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:288.5 W; 商标:UnitedSiC; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 系列:UJ3D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :30 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:165 A; Vf - 正向电压:1.5 V at 30 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:30 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
肖特基二极管与整流器 650V/30A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE |
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UJ3D1250K2 |
UnitedSiC |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :1200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:30; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:319 W; 商标:UnitedSiC; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 系列:UJ3D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :52 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:275 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:50 A; 封装 / 箱体:TO-247-2L; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
肖特基二极管与整流器 1200V 50A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-247-2L |
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UF3SC120009K4S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 产品类型:MOSFET; 商标:UnitedSiC; 系列:UF3SC; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:789 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:234 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:120 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-4; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 1200V/9mOhm SiC STACKED FAST CASCODE, TO-247-4L, REDUCUED Rth |
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UF3C065040K4S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 产品类型:MOSFET; 商标:UnitedSiC; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:UF3C; 配置:Single; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:326 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:43 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:52 Ohms; Id-连续漏极电流:54 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-4; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 650V 42mOhm SiC Cascode Fast |
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UJ3N065080K3S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:30; 产品类型:JFETs; 商标:UnitedSiC; 封装:Tube; 系列:UJ3N; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:190 W; Rds On-漏源导通电阻:80 mOhms; Id-连续漏极电流:32 A; Vgs-栅源极击穿电压 :20 V; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
JFET 80mOhm 650V SiC Normally-On JFET |
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UF3C065040K3S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 产品类型:MOSFET; 商标:UnitedSiC; 系列:UF3C; 配置:Single; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:326 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:51 nC; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:42 mOhms; Id-连续漏极电流:54 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 42mOhm - 650V SiC Cascode |
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UF3C065080K3S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:25 ns; 典型关闭延迟时间:54 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:14 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 商标:UnitedSiC; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:UF3C; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:190 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:51 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:6 V; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms; Id-连续漏极电流:31 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 650V/80mOhm SiC FAST CASCODE G3 REDUCED Rth |
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UJ3D1250K |
UnitedSiC |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :1200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:30; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:319 W; 商标:UnitedSiC; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 系列:UJ3D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :500 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:275 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:50 A; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
肖特基二极管与整流器 1200V/50A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-247 |
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UJ3N120035K3S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:30; 产品类型:JFETs; 商标:UnitedSiC; 封装:Tube; 系列:UJ3N; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:429 W; Rds On-漏源导通电阻:35 mOhms; Id-连续漏极电流:63 A; Vgs-栅源极击穿电压 :20 V; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 配置:Single; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
JFET 35mOhm 1200V SiC Normally-On JFET |
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UF3C120040K3S |
UnitedSiC |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 产品类型:MOSFET; 商标:UnitedSiC; 系列:UF3C; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:429 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:51 nC; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Id-连续漏极电流:65 A; Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
MOSFET 35mOhm - 1200V SiC Cascode |
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UJ3D1202TS |
UnitedSiC |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :1200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:75 W; 商标:UnitedSiC; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 系列:UJ3D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :20 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:30 A; Vf - 正向电压:1.4 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
肖特基二极管与整流器 1200V/2A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE |
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UJ3D06516TS |
UnitedSiC |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:230.8 W; 商标:UnitedSiC; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 系列:UJ3D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :16 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:1.5 V at 16 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:16 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
肖特基二极管与整流器 650V/16A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE |
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UJ3D06512TS |
UnitedSiC |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:UnitedSiC; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
肖特基二极管与整流器 650V/12A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE |
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UJ3D06506TS |
UnitedSiC |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; trr - 反向恢复时间 :-; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:93.4 W; 商标:UnitedSiC; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 系列:UJ3D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.7 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:45 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:6 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:UnitedSiC; |
肖特基二极管与整流器 650V/6A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE |
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