| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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D3S280N65B-U |
D3 Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:13 ns; 典型关闭延迟时间:42 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:26 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:27 ns; 商标:D3; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:99 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:22.2 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:260 mOhms; Id-连续漏极电流:12.5 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:D3 Semiconductor; |
MOSFET 280 mOhm 650V Superjunction Power MOSFET in TO-220 |
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D3S099N65B-U |
D3 Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:41 ns; 典型关闭延迟时间:81 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:61 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:63 ns; 商标:D3; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:281 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:62.6 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:90 mOhms; Id-连续漏极电流:35.5 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:D3 Semiconductor; |
MOSFET 99 mOhm 650V Superjunction Power MOSFET in TO-220 |
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D3S070N65B-U |
D3 Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:MOSFET; 商标:D3; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:305 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:77 nC; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Id-连续漏极电流:43.6 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:D3 Semiconductor; |
MOSFET 70 mOhm 650V Superjunction Power MOSFET in TO-220 |
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D3S080N65B-U |
D3 Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:17 ns; 典型关闭延迟时间:90 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:24 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:23 ns; 商标:D3; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:250 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:77 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:70 mOhms; Id-连续漏极电流:38.3 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:D3 Semiconductor; |
MOSFET 80 mOhm 650V Superjunction Power MOSFET in TO-220 |
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D3S380N65B-U |
D3 Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:10.5 ns; 典型关闭延迟时间:35 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:20 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:21 ns; 商标:D3; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:73 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:16.2 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:350 mOhms; Id-连续漏极电流:9.2 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:D3 Semiconductor; |
MOSFET 380 mOhm 650V Superjunction Power MOSFET in TO-220 |
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