| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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IAUA250N04S6N006AUMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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IPB65R115CFD7AATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 制造商:Infineon; |
MOSFET AUTOMOTIVE |
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IPBE65R115CFD7AATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 制造商:Infineon; |
MOSFET AUTOMOTIVE |
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IPB65R050CFD7AATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 制造商:Infineon; |
MOSFET AUTOMOTIVE |
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IPW65R050CFD7AXKSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tube; 制造商:Infineon; |
MOSFET AUTOMOTIVE |
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FP50R12W2T7B11BOMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:15; 产品类型:IGBT Modules; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tray; 制造商:Infineon; |
IGBT 模块 LOW POWER EASY |
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F3L400R10W3S7FB11BPSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:8; 产品类型:IGBT Modules; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tray; 制造商:Infineon; |
IGBT 模块 LOW POWER EASY |
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IAUA120N04S5N014AUMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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IQE006NE2LM5ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:5.3 ns; 典型关闭延迟时间:27 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 上升时间:2.6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5.3 ns; 正向跨导 - 最小值:220 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 商标名:OptiMOS; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:89 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:28.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:16 V; Rds On-漏源导通电阻:0.65 mOhms; Id-连续漏极电流:298 A; Vds-漏源极击穿电压:25 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TSON-8-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET TRENCH <= 40V |
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IAUA250N04S6N007AUMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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IDK20G120C5XTMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
商标名:CoolSiC; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:IDK20G120C5; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
肖特基二极管与整流器 SIC DISCRETE |
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FS75R12W2T7B11BOMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:15; 产品类型:IGBT Modules; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tray; 制造商:Infineon; |
IGBT 模块 LOW POWER EASY |
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IAUC60N04S6N044ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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IAUC60N04S6L039ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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BSZ0905PNSATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 制造商:Infineon; |
MOSFET TRENCH <= 40V |
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IAUC80N04S6N036ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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IAUC80N04S6L032ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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IAUC100N04S6L025ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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IAUC100N04S6N028ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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IAUC100N04S6N022ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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IAUC100N04S6L020ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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IAUC100N04S6N015ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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FF6MR12W2M1PB11BPSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:18; 产品类型:IGBT Modules; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
IGBT 模块 LOW POWER EASY |
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IAUC100N04S6L014ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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FZ2000R33HE4BOSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:1; 产品类型:IGBT Modules; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
IGBT 模块 IHV IHM T XHP 3 3-6 5K |
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IMZA65R072M1HXKSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15.2 ns; 典型关闭延迟时间:21.6 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 上升时间:8.6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5.6 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:IMZA65R072; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:CoolSiC; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:96 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:22 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:18 V; Rds On-漏源导通电阻:0.094 Ohms; Id-连续漏极电流:28 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET |
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FF600R12KE4PBOSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:8; 产品类型:IGBT Modules; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
IGBT 模块 MEDIUM POWER 62MM |
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BSC0402NSATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 制造商:Infineon; |
MOSFET TRENCH >=100V |
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IMW65R072M1HXKSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:18.2 ns; 典型关闭延迟时间:21.6 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 上升时间:14.6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:IMW65R072; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:CoolSiC; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:96 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:22 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:18 V; Rds On-漏源导通电阻:0.094 Ohms; Id-连续漏极电流:26 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET |
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IMBF170R1K0M1XTMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET SIC DISCRETE |
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IMBF170R450M1XTMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET SIC DISCRETE |
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IMZA65R048M1HXKSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:14.8 ns; 典型关闭延迟时间:17 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 上升时间:12.6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:IMZA65R048; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:CoolSiC; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:125 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:33 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:18 V; Rds On-漏源导通电阻:0.064 Ohms; Id-连续漏极电流:39 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-4; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET |
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IMW65R048M1HXKSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:14.6 ns; 典型关闭延迟时间:15.4 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 上升时间:12.4 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11.4 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:IMW65R048; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:CoolSiC; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:125 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:33 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:18 V; Rds On-漏源导通电阻:0.064 Ohms; Id-连续漏极电流:39 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET |
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IMW65R027M1HXKSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:24.4 ns; 典型关闭延迟时间:22.7 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 上升时间:13.6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:14.2 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:IMW65R027; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:CoolSiC; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:189 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:62 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:18 V; Rds On-漏源导通电阻:0.034 Ohms; Id-连续漏极电流:47 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET |
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IM564X6DXKMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 产品类型:IGBT Modules; 商标:Infineon Technologies; 制造商:Infineon; |
IGBT 模块 |
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IMW65R107M1HXKSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:9.2 ns; 典型关闭延迟时间:12.6 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 上升时间:11.4 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6.2 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:IMW65R107; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:CoolSiC; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:75 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:15 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:18 V; Rds On-漏源导通电阻:0.142 Ohms; Id-连续漏极电流:20 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET |
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BSC0804LSATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET TRENCH >=100V |
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BSC0805LSATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET TRENCH >=100V |
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IAUC120N04S6L012ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
|
IAUC120N04S6N013ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
|
BSC0403NSATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 制造商:Infineon; |
MOSFET TRENCH >=100V |
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AIDK08S65C5ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
商标名:CoolSiC; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AIDK08S65; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
肖特基二极管与整流器 DISCRETE DIODES |
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AIDK10S65C5ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
商标名:CoolSiC; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AIDK10S65; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
肖特基二极管与整流器 DISCRETE DIODES |
|
AIDK12S65C5ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
商标名:CoolSiC; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AIDK12S65; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
肖特基二极管与整流器 DISCRETE DIODES |
|
IMBF170R650M1XTMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET SIC DISCRETE |
|
IMZA65R107M1HXKSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:6.6 ns; 典型关闭延迟时间:12.2 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 上升时间:7.4 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6.4 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:IMZA65R107; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:CoolSiC; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:75 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:15 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:18 V; Rds On-漏源导通电阻:0.142 Ohms; Id-连续漏极电流:20 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET |
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DF23MR12W1M1PB11BPSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:30; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tray; 制造商:Infineon; |
分立半导体模块 LOW POWER EASY |
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FF11MR12W1M1PB11BPSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:30; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tray; 制造商:Infineon; |
分立半导体模块 LOW POWER EASY |
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FF600R07ME4BPSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:10; 产品类型:IGBT Modules; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tray; 制造商:Infineon; |
IGBT 模块 MEDIUM POWER ECONO |
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FF8MR12W2M1PB11BPSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:18; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
分立半导体模块 LOW POWER EASY |
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