| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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RJK03M5DNS-00#J5 |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Renesas Electronics; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:15 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:10.4 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:25 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:HWSON-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET BEAM2 Series FET, 30V, HWSON3030-8 |
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N0602N-S19-AY |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:MOSFET; 商标:Renesas Electronics; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.5 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:133 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:100 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET MOSFET |
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RJK0855DPB-00#J5 |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 商标:Renesas Electronics; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:60 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:35 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:30 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET Power MOSFET |
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RJK1056DPB-00#J5 |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 商标:Renesas Electronics; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:41 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:25 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET Power MOSFET |
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RJK0656DPB-00#J5 |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 商标:Renesas Electronics; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:40 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:40 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET Power MOSFET |
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HFA3096BZ |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:48; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 湿度敏感性:Yes; 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 at 10 mA, 2 V at NPN, 20 at 10 mA, 2 V at PNP; 商标:Renesas / Intersil; 宽度:4 mm; 技术:Si; 长度:10 mm; 高度:1.5 mm; 封装:Tube; 系列:HFA3096; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:8000 MHz; Pd-功率耗散:150 mW; 最大直流电集电极电流:0.065 A; 发射极 - 基极电压 VEBO:5.5 V; 集电极—基极电压 VCBO:12 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:8 V; 配置:Quint; 晶体管极性:NPN, PNP; 封装 / 箱体:SOIC-Narrow-16; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MIL |
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RJK03M1DPA-00#J5A |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:Renesas Electronics; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:45 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:25 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:50 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:WPAK-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET BEAM2 Series FET 30V WPAK 2.5mOhm |
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2SK3484-AZ |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:MOSFET; 商标:Renesas Electronics; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:20 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:16 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET POWER TRANSISTOR |
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2SK3480-AZ |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:MOSFET; 商标:Renesas Electronics; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.5 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:74 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:50 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET POWER MOS FET |
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2SJ649-AZ |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:38 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:- 20 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET Mosfet |
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RJK0391DPA-00#J5A |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:Renesas Electronics; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:50 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:34 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:50 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:WPAK-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET BEAM Series FET, 30V, WPAK, Pb Free, HF |
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HAT2279H-EL-E |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LFPAK-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET MOSFET - 80V LFPAK - Lead Free |
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UPA2690T1R-E2-AX |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:Renesas Electronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:HUSON-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET MOSFET |
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HAT2165H-EL-E |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 商标:Renesas Electronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LFPAK-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET MOSFET |
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HAT2160H-EL-E |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LFPAK-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET MOSFET |
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HAT2166H-EL-E |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 商标:Renesas Electronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LFPAK-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET MOSFET |
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HAT2173H-EL-E |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 商标:Renesas Electronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LFPAK-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET MOSFET |
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RJK0305DPB-02#J0 |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 商标:Renesas Electronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LFPAK-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET Power MOSFET |
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RJH60F7DPQ-A0#T0 |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:25; 产品类型:IGBT Transistors; 商标:Renesas Electronics; 封装:Tube; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
IGBT 晶体管 IGBT |
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HAT2266H-EL-E |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 商标:Renesas Electronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LFPAK-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET Power MOSFET |
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RJH60F3DPQ-A0#T0 |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:1; 产品类型:IGBT Transistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Tube; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
IGBT 晶体管 IGBT |
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RJH65T46DPQ-A0#T0 |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:1; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:+/- 1 uA; 商标:Renesas Electronics; 集电极最大连续电流 Ic:80 A; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:340.9 W; 在25 C的连续集电极电流:80 A; 栅极/发射极最大电压:30 V; 集电极—射极饱和电压:1.8 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247A-3; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
IGBT 晶体管 IGBT - 650V/40A/TO-247A |
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RJH65T47DPQ-A0#T0 |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:1; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:+/- 1 uA; 商标:Renesas Electronics; 集电极最大连续电流 Ic:90 A; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:375 W; 在25 C的连续集电极电流:90 A; 栅极/发射极最大电压:30 V; 集电极—射极饱和电压:1.8 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247A-3; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
IGBT 晶体管 IGBT - 650V/45A/TO-247A |
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RJK0651DPB-00#J5 |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 商标:Renesas Electronics; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:45 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:15 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:25 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET JET Series MOSFET 60V LFPAK Pb-F HF |
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2SK1317-E |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 产品类型:MOSFET; 商标:Renesas Electronics; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TO-3P-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET MOSFET - Pb Free |
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RJK1054DPB-00#J5 |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 商标:Renesas Electronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LFPAK-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET JET Series MOSFET, 100V, LFPAK, Pb-F, H |
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2SK1835-E |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 产品类型:MOSFET; 商标:Renesas Electronics; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:125 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:4 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-3P-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET MOSFET - Pb Free |
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RJK0655DPB-00#J5 |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 商标:Renesas Electronics; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:60 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:35 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:35 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET Power MOSFET |
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UPA3753GR-E1-AT |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET Power MOSFET |
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RJK0603DPN-E0#T2 |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET Power MOSFET |
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RJH60A83RDPP-M0#T2 |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:1; 产品类型:IGBT Transistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Tube; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
IGBT 晶体管 IGBT |
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RJK5035DPP-E0#T2 |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TO-220FP-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET MOSFET |
|
RJK6035DPP-E0#T2 |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TO-220FP-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET MOSFET, 600V |
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HAT2169H-EL-E |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 商标:Renesas Electronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LFPAK-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET MOSFET |
|
RJK1002DPN-E0#T2 |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET Power MOSFET |
|
HAT2168H-EL-E |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 商标:Renesas Electronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LFPAK-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET MOSFET - 30V LFPAK - Lead Free |
|
RJH1CV6DPK-00#T0 |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:1; 产品类型:IGBT Transistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Tube; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
IGBT 晶体管 IGBT |
|
RJH1BG7RDPK-00#T0 |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:1; 产品类型:IGBT Transistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Tube; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
IGBT 晶体管 IGBT |
|
RJK6006DPP-E0#T2 |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TO-220FP-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET MOSFET, 600V, TO-220FP, Pb Free |
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RJH60A01RDPD-A0#J2 |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:3000; 产品类型:IGBT Transistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
IGBT 晶体管 IGBT 600V 5A |
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2SK3482-AZ |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TO-251-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET MOSFET |
|
N0412N-S19-AY |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET MOS FET |
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RJK03M4DPA-00#J5A |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Reel; 封装 / 箱体:WPAK-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET BEAM2 Series FET, 30V, WPAK, 2.0mOhm |
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UPA2816T1S-E2-AT |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Reel; 封装 / 箱体:HWSON-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET MOSFET |
|
RJK0456DPB-00#J5 |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 商标:Renesas Electronics; 封装:Reel; 封装 / 箱体:LFPAK-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET JET Series MOSFET, 40V, LFPAK, Pb-F, HF |
|
N0604N-S19-AY |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET MOSFET |
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RJK03M5DPA-00#J5A |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Reel; 封装 / 箱体:WPAK-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET BEAM2 Series FET, 30V, WPAK, 7.2mOhm |
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RJK0354DSP-00#J0 |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 商标:Renesas Electronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET Speed Series MOSFET, 30V, SO-8, PB Free |
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RJK03M3DPA-00#J5A |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:Renesas Electronics; 封装:Reel; 封装 / 箱体:WPAK-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET BEAM2 Series FET, 30V, WPAK, 2.0mOhm |
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UPA2814T1S-E2-AT |
Renesas Electronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Reel; 封装 / 箱体:HWSON-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
MOSFET MOSFET |
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