| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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RN1904FE,LF(CT |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:4000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:10 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN1904; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:100 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 封装 / 箱体:ES-6; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:NPN; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
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RN1702,LF |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:10 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN1702; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:50; 封装 / 箱体:USV-5; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:NPN; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
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BZX584C30-G3-08 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.05 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:2 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:70 Ohms; 齐纳电流:0.05 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:30 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 300mW SOD-523 30V Small Signal |
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BZX584C24-G3-08 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.05 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:60 Ohms; 齐纳电流:0.05 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:24 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 300mW SOD-523 24V Small Signal |
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BSS63AHZGT116 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:30; 集电极连续电流:- 100 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:200 MHz; Pd-功率耗散:200 mW; 最大直流电集电极电流:- 200 mA; 集电极—射极饱和电压:- 100 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 110 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 100 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANSISTOR FOR HIGH VOLT AMP |
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BZX584C30-HG3-08 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.05 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:2 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:70 Ohms; 齐纳电流:0.05 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:30 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 300mW SOD-523 30V Small Signal |
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BZX584C6V8-HG3-08 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :2 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:30 Ohms; 齐纳电流:2 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:6.8 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 300mW SOD-523 6.8V Small Signal |
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BZX584C6V2-HG3-08 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :3 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:40 Ohms; 齐纳电流:3 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:6.2 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 300mW SOD-523 6.2V Small Signal |
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BZX584C4V7-HG3-08 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :3 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:425 Ohms; 齐纳电流:3 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:4.7 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 300mW SOD-523 4.7V Small Signal |
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BZX584C36-HG3-08 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.05 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:2 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:80 Ohms; 齐纳电流:0.05 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:36 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 300mW SOD-523 36V Small Signal |
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V3PL45-M3/H |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:V3PL45; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :450 uA; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:80 A; Vf - 正向电压:540 mV; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:DO-220AA-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 3A 45V SMP TMBS SMP (DO-220AA) |
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PMN30XPAX |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:8 ns; 典型关闭延迟时间:40 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:30 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:23 ns; 正向跨导 - 最小值:18 S; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.7 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:11 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:33 mOhms; Id-连续漏极电流:5.2 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOT-457-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET PMN30XPA/SOT457/SC-74 |
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VS-1EQH02HM3/H |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:4500; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:VS-1EQH0xHM3; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 恢复时间:33 ns; Ir - 反向电流 :1 uA; 最大浪涌电流:30 A; Vf - 正向电压:970 mV; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:1 A; Vr - 反向电压 :200 V; 封装 / 箱体:DO-219AD; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 200V 1A Fred Pt MicroSMP (DO-219AD) |
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STPS3170AFN |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :170 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:210 W; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS3170; 最大工作温度:+ 175 C; Ir - 反向电流 :4 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:80 A; Vf - 正向电压:0.63 V; Vrrm - 重复反向电压:170 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:SMA Flat- 2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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RB706UM-40TL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:0.2 A; Vf - 正向电压:0.37 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:1 mA; 封装 / 箱体:SC-85-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SCHOTFOR HIGH SPEED SWITCH |
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PMN48XPA2X |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:7 ns; 典型关闭延迟时间:26 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:19 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:54 S; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:660 mW; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:55 mOhms; Id-连续漏极电流:4.4 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOT-457-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET PMN48XPA2/SOT457/SC-74 |
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PMPB8XNX |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:5 ns; 典型关闭延迟时间:31 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:12 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:15 ns; 正向跨导 - 最小值:24 S; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.9 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:20 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:0.9 V; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:12 mOhms; Id-连续漏极电流:14.3 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DFN-2020-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET 20V N-CH TRENCHMOS |
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V2PM10LHM3/H |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:V2PM10L; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:740 mV; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-220AA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 100V 2A TMBS SMP (DO-220AA) |
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PSMN3R2-40YLDX |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:18 ns; 典型关闭延迟时间:18 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:20 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:115 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:18 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.35 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:3.3 mOhms; Id-连续漏极电流:120 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK56-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET N-CH 40 V 120 A LOGIC LEVEL IN |
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RBQ20NS45ATL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :45 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :30 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:0.54 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:SC-83-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 LOW VF, LOW IR AND HIGH ESD |
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DTA113ZEBTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:- 100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:150 mW; 峰值直流集电极电流:-; 集电极连续电流:- 100 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:33; 封装 / 箱体:SOT-416FL-3; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:10; 典型输入电阻器:1 kOhms; 晶体管极性:PNP; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP -100mA; -50V EMT3F |
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DTA123EEBTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:- 100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:150 mW; 峰值直流集电极电流:-; 集电极连续电流:- 100 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:20; 封装 / 箱体:SOT-416FL-3; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:1; 典型输入电阻器:2.2 kOhms; 晶体管极性:PNP; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP -100mA; -50V EMT3F |
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RN2901,LF(CT |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 10 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN2901; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:30; 封装 / 箱体:US-6; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A |
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RN1909,LF(CT |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:15 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:70; 封装 / 箱体:US-6; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:NPN; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
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DTA113ZMT2L |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:8000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:- 100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极连续电流:- 100 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:33; 封装 / 箱体:SOT-723-3; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:10; 典型输入电阻器:1 kOhms; 晶体管极性:PNP; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 预偏置 Digital Trans w/Res VMT3 |
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DTA123YMT2L |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:8000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:- 100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:150 mW; 峰值直流集电极电流:-; 集电极连续电流:- 100 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:33; 封装 / 箱体:SOT-723-3; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:4.5; 典型输入电阻器:2.2 kOhms; 晶体管极性:PNP; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 预偏置 Digital Trans w/Res VMT3 |
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UDZ9V1BQ-13 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 商标:Diodes Incorporated; 宽度:1.4 mm; 长度:1.8 mm; 高度:1.1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:30 Ohms; 齐纳电流:-; 电压温度系数:-; 电压容差:-; Pd-功率耗散:200 mW; 封装 / 箱体:SOD-323-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:9.1 V; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
稳压二极管 Tight Tolerance Zener Diode SOD323 T&R 10K |
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BZX584C22-G3-08 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.05 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:60 Ohms; 齐纳电流:0.05 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:22 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 300mW SOD-523 22V Small Signal |
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DTA114EMFHAT2L |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:8000; 资格:AEC-Q101; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:- 100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:150 mW; 峰值直流集电极电流:- 100 mA; 集电极连续电流:- 100 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:30; 封装 / 箱体:SOT-416-3; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:1; 典型输入电阻器:10 kOhms; 晶体管极性:PNP; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR PNP 50V 100MA 3-PIN |
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DTC114TU3HZGT106 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 资格:AEC-Q101; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:200 mW; 峰值直流集电极电流:-; 集电极连续电流:100 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 封装 / 箱体:SOT-323-3; 安装风格:SMD/SMT; 典型输入电阻器:10 kOhms; 晶体管极性:NPN; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 预偏置 Digital Trans w/Res UMT3 |
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2SA2029FHAT2LQ |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:8000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:120; 集电极连续电流:- 150 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:390; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:150 mW; 最大直流电集电极电流:- 200 mA; 集电极—射极饱和电压:- 500 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:-6 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-723-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP AMPLIFICATION TRANSISTOR |
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2SAR502U3HZGT106 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:200; 集电极连续电流:- 500 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:500; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:520 MHz; Pd-功率耗散:200 mW; 最大直流电集电极电流:- 1 A; 集电极—射极饱和电压:- 150 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 30 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-323-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 500MA 30V TRANSISTORS |
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2SC4102U3HZGT106S |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:270; 集电极连续电流:50 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:560; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:200 mW; 最大直流电集电极电流:-; 集电极—射极饱和电压:500 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:120 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:120 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-323-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) H. Volt 120V, 50mA UMT3 |
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BZX584C11-HG3-08 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:50 Ohms; 齐纳电流:0.1 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:11 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 300mW SOD-523 11V Small Signal |
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2SARA41CT116S |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:180; 集电极连续电流:- 50 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:560; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:350 mW; 集电极—射极饱和电压:- 500 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 120 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 120 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -120V, -50mA H. Volt Amplifier |
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2SARA41CT116R |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HV AMP TRANSISTOR (-120V, -50M |
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RB557WMFHTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 125 C; Ir - 反向电流 :10 uA; 技术:Si; 配置:Dual Common Anode; Ifsm - 正向浪涌电流:500 mA; Vf - 正向电压:490 mV; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:100 mA; 封装 / 箱体:SOT-416FL-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DI |
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BZX584C24-HG3-08 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.05 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:60 Ohms; 齐纳电流:0.05 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:24 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 300mW SOD-523 24V Small Signal |
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BZX584C2V4-HG3-08 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :50 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:275 Ohms; 齐纳电流:50 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:2.4 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 300mW SOD-523 2.4V Small Signal |
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RB717UMFHTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 125 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:0.2 A; Vf - 正向电压:0.37 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:1 mA; 封装 / 箱体:SOT-323FL-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SBD - H. Spd Swtchng UMD3F |
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EMZ6.8EFHT2R |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :500 nA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.2 mm; 长度:1.6 mm; 高度:0.5 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 配置:Quad Common Anode; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 mA; Pd-功率耗散:150 mW; 封装 / 箱体:SOT-553-5; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:6.8 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
稳压二极管 ZENER DIODE 2-PIN MOLD |
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STZ5.6NFHT146 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :1 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.6 mm; 长度:2.9 mm; 高度:1.1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 配置:Dual Common Anode; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:60 Ohms; 齐纳电流:5 mA; Pd-功率耗散:200 mW; 封装 / 箱体:SOT-346-3; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:5.6 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
稳压二极管 ZENER DIODE 2-PIN MOLD |
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RSB33F2T106 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; If - 正向电流:1 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:2.1 mm; 长度:2 mm; 高度:0.9 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:1 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 齐纳电流:0.1 uA; Pd-功率耗散:200 mW; 封装 / 箱体:SOT-323-3; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:33 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
稳压二极管 BI-DIRECTIONAL ZENER DIODES |
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UMP1NFHTR |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; Pd-功率耗散:150 mW; 最大二极管电容:3.5 pF; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :100 nA; Vf - 正向电压:900 mV; 恢复时间:4 ns; 配置:Quad; If - 正向电流:25 mA; 最大浪涌电流:250 mA; 峰值反向电压:80 V; 封装 / 箱体:SOT-353-5; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
二极管 - 通用，功率，开关 SWITCHING DIODE |
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1SS390SMT2R |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; 最大二极管电容:1.2 pF; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :10 nA; Vf - 正向电压:1 V; 恢复时间:-; 配置:Single; If - 正向电流:10 mA; 最大浪涌电流:-; 峰值反向电压:35 V; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
二极管 - 通用，功率，开关 Band Switching Diode EMD2 |
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UMN1NFHTR |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; Pd-功率耗散:150 mW; 最大二极管电容:3.5 pF; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :100 nA; Vf - 正向电压:900 mV; 恢复时间:4 ns; 配置:Common Anode; If - 正向电流:25 mA; 最大浪涌电流:250 mA; 峰值反向电压:80 V; 封装 / 箱体:SOT-353-5; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
二极管 - 通用，功率，开关 SWITCHING DIODE |
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UMN10NFHTR |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; Pd-功率耗散:200 mW; 最大二极管电容:3.5 pF; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :100 nA; Vf - 正向电压:1.2 V; 恢复时间:4 ns; 配置:Triple; If - 正向电流:100 mA; 最大浪涌电流:4 A; 峰值反向电压:80 V; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
二极管 - 通用，功率，开关 SWITCHING DIODE |
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IXFP72N30X3 |
IXYS |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:22 ns; 典型关闭延迟时间:86 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:25 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 正向跨导 - 最小值:36 S; 商标:IXYS; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:390 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:82 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:19 mOhms; Id-连续漏极电流:72 A; Vds-漏源极击穿电压:300 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTX3CLASS |
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IXFT100N30X3HV |
IXYS |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:29 ns; 典型关闭延迟时间:144 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:30 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:14 ns; 正向跨导 - 最小值:48 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:480 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:122 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:13.5 mOhms; Id-连续漏极电流:100 A; Vds-漏源极击穿电压:300 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-268HV-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS |
 |
RN2104,LF(CT |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 10 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN2104; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:100 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 封装 / 箱体:SSM-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package |
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