| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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S25FL256SAGMFI001 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:47; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Eclipse; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FL256S; 封装 / 箱体:SOIC-Narrow-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 256Mb 3V 133MHz Serial NOR闪存 |
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CY62158EV30LL-45ZSXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MoBL; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Asynchronous; 系列:CY62158EV30LL; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:-; 访问时间:45 ns; 组织:1 M x 8; 存储容量:8 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 8Mb 3V 45ns 1024K x 8 LP 静态随机存取存储器 |
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FM25V01A-G |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:194; 产品类型:FRAM; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2 V; 组织:16 k x 8; 接口类型:SPI; 存储容量:128 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
F-RAM F-RAM Memory Serial |
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S29GL256S90DHI020 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:260; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Sector; 速度:90 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:16 M x 16; 最大时钟频率:-; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S29GL256S; 封装 / 箱体:FBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 256Mb 3V 90ns Parallel NOR闪存 |
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CY62157EV30LL-45ZSXA |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MoBL; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Asynchronous; 系列:CY62157EV30LL; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:-; 访问时间:45 ns; 组织:512 k x 16; 存储容量:8 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP 静态随机存取存储器 |
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SST25VF016B-50-4C-QAF-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:50 MHz; 存储类型:Serial Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:2 M x 8; 最大时钟频率:50 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:15 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:SST25VF; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 2.7V to 3.6V 16Mbit SPI Serial Flash |
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S29AL016J70BFI023 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Sector; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:2 M x 8/1 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:12 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:S29AL016J; 封装 / 箱体:BGA-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 16Mb 3V 70ns Parallel NOR闪存 |
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MT29F1G08ABAEAH4:E TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 标准:Not Supported; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 类型:No Boot Block; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:128 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:1 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:VFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 1G 128MX8 FBGA |
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SST39VF1602-70-4I-EKE |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 标准:Common Flash Interface (CFI); 编程电压:2.7 V to 3.6 V; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sectored; 宽度:18.5 (Max) mm; 类型:Boot Block; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 长度:12.2 (Max) mm; 高度:1.05 (Max) mm; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:1 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:18 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:SST39VF; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 1M X 16 Flash |
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CY7C109D-10VXIT |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:750; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Asynchronous; 系列:CY7C109D; 存储类型:Volatile; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOJ-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:80 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:-; 访问时间:10 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 1Mb 10ns 128K x 8 Fast Async 静态随机存取存储器 |
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S29WS512PABBFW000 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:200; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Sector; 速度:104 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 定时类型:Asynchronous, Synchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:32 M x 16; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:80 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:512 Mbit; 封装 / 箱体:FBGA-84; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:2 G x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:16 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:VBGA-100; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 16G 2GX8 VBGA |
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MT48LC8M16A2TG-6A:LTR |
Alliance Memory |
存储器 IC |
商标名:Micron; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT48LC; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 封装 / 箱体:TSOP-86; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器 128M 8M X 16 TSOP C TEMP , LEADED TAPE AND REEL |
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IS42S32400F-7TLI-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS42S32400F; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:6.5 ns; 最大时钟频率:143 MHz; 存储容量:128 Mbit; 组织:4 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:TSOP-86; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 128M 4Mx32 143Mhz S动态随机存取存储器, 3.3v |
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S34ML04G100TFI003 |
SkyHigh Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:SkyHigh Memory; 结构:Multiplane; 速度:25 ns; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 系列:S34ML04G1; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:SkyHigh Memory; |
NAND闪存 4Gb 3V 25ns NAND闪存 |
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24LC64T-E/MNY |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:2 mm; 高度:0.73 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:24LC64; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:TDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 64K 8K X 8 2.5V SER EE EXT |
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AT25XE041B-MAHN-T |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:AT25XE041; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 X-Energy, 8-UDFN (2x3x0.6), IND TEMP, 1.65V-3.6V, T&R |
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SST39VF1601C-70-4I-EKE-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:1 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:18 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:SST39VF; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 2.7V to 3.6V 16Mbit Multi-Purpose Flash |
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S25FL256SAGNFV000 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit Eclipse; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FL256S; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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MT41K256M8DA-125 AAT:K TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT41K; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 存储容量:2 Gbit; 组织:256 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR3 2G 256MX8 FBGA |
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CY7C1041G30-10BVJXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:VFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 ASYNC 静态随机存取存储器S 4-Mbit |
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CY7C1345G-100AXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:144; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:4; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1345G; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:205 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:100 MHz; 访问时间:8 ns; 组织:128 k x 36; 存储容量:4.5 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 4Mb 100Mhz 128K x 36 Flow-Thru Sync 静态随机存取存储器 |
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71321SA55JG8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:400; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:19 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71321SA55; 存储类型:SDR; 长度:19 mm; 高度:3.63 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:PLCC-52; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:65 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:55 ns; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 2KX8 DUAL PORT MSTR W/INT |
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CY62167EV30LL-45BVXA |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MoBL; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Asynchronous; 系列:CY62167EV30LL; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:VFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:-; 访问时间:45 ns; 组织:2 M x 8, 1 M x 16; 存储容量:16 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 16Mb 3V 45ns 1M x 16 LP 静态随机存取存储器 |
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S70GL02GS11FHI020 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress / Spansion; 结构:Sector; 速度:110 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:128 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:160 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:2 Gbit; 系列:S70GL02GS; 封装 / 箱体:BGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 2G 3V 110ns Parallel NOR闪存 |
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CY7C1381KV33-100BZXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:100 MHz; 访问时间:8.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 SYNC 静态随机存取存储器S |
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CY7C1441KV33-133AXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:170 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:133 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:1 M x 36; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 36MB 静态随机存取存储器 with ECC |
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AT24CS32-MAHM-E |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15000; 产品类型:EEPROM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:UDFN-8; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.7-5.5V, 1MHz, Ind Tmp, 8-UDFN |
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24LC256T-E/MS |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:3 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:24AA256; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 32kx8 - 2.5V |
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AT45DB081E-SSHNHC-T |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
商标名:DataFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 结构:Chip Erase; 速度:85 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:1 M x 8; 最大时钟频率:85 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:15 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:8 Mbit; 系列:AT45DB081E; 封装 / 箱体:SOIC-8 Narrow; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 8Mb, 1.7V, 85Mhz Serial Flash |
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MTEDFBR008SCA-1P2IT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:150; 产品类型:Managed NAND; 接口类型:USB 3.1; 商标:Micron; 封装 / 箱体:eUSB; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3.3 V; 存储容量:8 GB; 类型:eUSB; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
托管型NAND SLC 8GB EUSBSSD VBGA |
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AS6C4008-55SINTR |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS6C4008; 存储类型:SDR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOP-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:55 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 |
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25C040T-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 编程电压:5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:4.5 V, 5.5 V; 工作电源电流:5 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:3 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:150 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 512x8 - 5V |
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24AA128T-I/MS |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 编程电压:1.7 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V; 工作电源电流:400 uA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:3 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:24AA128; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:16 k x 8; 存储容量:128 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 16kx8 - 1.8V |
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AT25SF041-MHD-T |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:6000; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:AT25SF041; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 8-UDFN (5x6x0.6), IND TEMP, 2.5V, T&R |
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25LC256T-E/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 编程电压:3.3 V, 5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:6 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:6 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:50 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 32kx8 - 2.5V |
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23LCV1024T-I/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:SRAM; 商标:Microchip Technology; 类型:Synchronous; 系列:23LCV1024; 存储类型:SDR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:10 mA; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 最大时钟频率:20 MHz; 访问时间:25 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
静态随机存取存储器 1024K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 Vbat |
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24FC1026T-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1024K 128K X 8 2.5V HI-SPD EE 128B PAGE |
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S25FL128SAGMFI013 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1450; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:S25FL128S; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S25FL128SDPMFIG13 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1450; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:66 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:66 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:S25FL128S; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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AT45DB321E-SHFHA-T |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
商标名:DataFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 结构:Chip Erase; 速度:85 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:4 M x 8; 最大时钟频率:85 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:22 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:32 Mbit; 系列:AT45DB321E; 封装 / 箱体:SOIC-8 Wide; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 32Mb, 2.3V, 85Mhz Serial Flash |
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CY7C1021CV33-12ZSXET |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Asynchronous; 系列:CY7C1021CV33; 存储类型:SDR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 2Mb 3.3V 12ns 64Kx16 Fast Async 静态随机存取存储器 |
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MT41K128M8DA-107 IT:J TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT41K; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:162 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:1 Gbit; 组织:128 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR3 1G 128MX8 FBGA |
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MT28EW512ABA1HPC-0AAT TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:105 ns; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:64 M x 8/32 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:MT28EW; 封装 / 箱体:LBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 EW-SERIES FLASH NOR SLC 32MX16 LBGA |
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S29GL01GS10FHI010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit Eclipse; 速度:100 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:64 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:S29GL01G/512/256/128S; 封装 / 箱体:FBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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CY62167ELL-45ZXIT |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MoBL; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:Cypress Semiconductor; 宽度:12 mm; 类型:Asynchronous; 系列:CY62167ELL; 存储类型:Volatile; 长度:18.4 mm; 高度:1.2 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:-; 访问时间:45 ns; 组织:2 M x 8, 1 M x 16; 存储容量:16 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 16Mb 1M x16 Low Power 静态随机存取存储器 |
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MT47H128M16RT-25E AIT:C TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT47H; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:105 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 访问时间:400 ps; 最大时钟频率:400 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-84; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR2 2G 128MX16 FBGA |
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CY14B101LA-BA25XI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:299; 产品类型:NVRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; 系列:CY14B101LA; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NVRAM 1Mb 3V 25ns 128K x 8 nvSRAM |
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AT25010B-XHL-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 系列:AT25010B; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:6 mA; 最大时钟频率:5 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1K (128 X 8) SPI, 1.8V |
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AT25128B-MAHL-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 系列:AT25128B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:10 mA; 最大时钟频率:20 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:16 k x 8; 存储容量:128 kbit; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 128K Density SPI 16,384 x 8 Organ |
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