| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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1N21WE |
Advanced Semiconductor, Inc. |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.; |
肖特基二极管与整流器 CRYSTAL DETECTOR |
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5082-2811 |
Advanced Semiconductor, Inc. |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.; |
肖特基二极管与整流器 |
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5082-2835 |
Advanced Semiconductor, Inc. |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.; |
肖特基二极管与整流器 |
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5082-2750 |
Advanced Semiconductor, Inc. |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :4 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:100 mW; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 60 C; 技术:Si; 配置:Single; Vrrm - 重复反向电压:4 V; If - 正向电流:10 mA; 封装 / 箱体:1.4 mm x 1.27 mm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.; |
肖特基二极管与整流器 |
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MVAM108 |
Advanced Semiconductor, Inc. |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 产品类型:Varactor Diodes; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 封装:Bulk; RoHS:Y; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.; |
变容二极管 15:1 tuning range 12V 50mA |
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mr1126 |
Advanced Semiconductor, Inc. |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:200; 产品类型:Rectifiers; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 产品:Rectifiers; 系列:MR1126; 最大工作温度:+ 190 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.5 mA; 最大浪涌电流:300 A; Vf - 正向电压:1 V; 配置:Single; 类型:Standard Recovery Rectifiers; If - 正向电流:12 A; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:DO-4; 安装风格:Stud Mount; RoHS:N; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.; |
整流器 12A Rectifier 600Vrrm 720Vrsm |
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SD1407MP |
Advanced Semiconductor, Inc. |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 产品类型:RF MOSFET Transistors; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
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HF75-28F |
Advanced Semiconductor, Inc. |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:10; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:10 at 1 A, 5 V; 集电极连续电流:10 A; 商标:Advanced Semiconductor, Inc.; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:100 at 1 A, 5 V; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 65 C; 增益带宽产品fT:30 MHz; Pd-功率耗散:140 W; 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V; 集电极—基极电压 VCBO:60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Advanced Semiconductor, Inc.; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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