首页 元器件分类 工厂库存 新闻中心 元器件百科 关于公司
类目:
分立半导体
展开
品牌:
展开
器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
NVTFS010N10MCLTAG 分立半导体 NVTFS010N10MCLTAG ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:9 ns; 典型关闭延迟时间:28 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:3 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 正向跨导 - 最小值:54 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:3.2 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:22 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:10.6 mOhms; Id-连续漏极电流:57.8 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:WDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET PTNG 100V LL IN
IXTA4N150HV 分立半导体 IXTA4N150HV IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:44 ns; 典型关闭延迟时间:184 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:43 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:280 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:375 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:6 Ohms; Id-连续漏极电流:4 A; Vds-漏源极击穿电压:1.5 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMOSFET N-CH STD-HIVOLTAGE
BZX584C16-G3-08 分立半导体 BZX584C16-G3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.05 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:50 Ohms; 齐纳电流:0.05 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:16 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 16V Small Signal
2SA2029FHAT2LR 分立半导体 2SA2029FHAT2LR ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:8000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:120; 集电极连续电流:- 150 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:390; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:150 MHz; Pd-功率耗散:150 mW; 最大直流电集电极电流:- 200 mA; 集电极—射极饱和电压:- 500 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-723-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP AMPLIFICATION TRANSISTOR
STPS160AFN 分立半导体 STPS160AFN STMicroelectronics 分立半导体 Vr - 反向电压 :0.49 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:180 W; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS160; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :4 uA; 技术:Si; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:0.49 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:SMA-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
UMX1NFHATN 分立半导体 UMX1NFHATN ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:120; 集电极连续电流:150 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:560; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:180 MHz; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极—射极饱和电压:400 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:7 V; 集电极—基极电压 VCBO:60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 配置:Dual; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR
UMH11NFHATN 分立半导体 UMH11NFHATN ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 资格:AEC-Q101; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极连续电流:100 mA; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:30; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:1; 典型输入电阻器:10 kOhms; 晶体管极性:NPN; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 预偏置 NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR
PMDPB30XNZ 分立半导体 PMDPB30XNZ Nexperia 分立半导体 典型接通延迟时间:4 ns; 典型关闭延迟时间:40 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:15 ns; 产品类型:MOSFET; 正向跨导 - 最小值:12 S; 商标:Nexperia; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:490 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:14.4 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:0.9 V; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:40 mOhms; Id-连续漏极电流:5.3 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DFN-2020-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; MOSFET 20V DUAL N-CH TRENCHMOS
DAN217FHT146 分立半导体 DAN217FHT146 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; Pd-功率耗散:200 mW; 最大二极管电容:3.5 pF; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.1 uA; Vf - 正向电压:1.2 V; 恢复时间:4 ns; 配置:Single; If - 正向电流:100 mA; 最大浪涌电流:4000 mA; 峰值反向电压:80 V; 封装 / 箱体:SC-59-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 二极管 - 通用，功率，开关 80V 0.3A 3-PIN
FFSP0865B 分立半导体 FFSP0865B ON Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:73 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.073 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:56 A; Vf - 正向电压:1.39 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:8 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 SIC DIODE TO220 650V
AFGHL75T65SQD 分立半导体 AFGHL75T65SQD ON Semiconductor 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:450; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:400 nA; 商标:ON Semiconductor; 集电极最大连续电流 Ic:300 A; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:375 W; 在25 C的连续集电极电流:80 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:1.6 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247-3; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; IGBT 晶体管 650V/75A FS4 IGBT
IXTH80N65X2 分立半导体 IXTH80N65X2 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:36 ns; 典型关闭延迟时间:72 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:11 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7 ns; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:890 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:137 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:38 mOhms; Id-连续漏极电流:80 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRAJNCTN X2CLASS
STWA70N65DM6 分立半导体 STWA70N65DM6 STMicroelectronics 分立半导体 典型接通延迟时间:30.4 ns; 典型关闭延迟时间:107 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:600; 上升时间:52 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10.8 ns; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:450 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:125 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.75 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:40 mOhms; Id-连续漏极电流:68 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
IXTH2N300P3HV 分立半导体 IXTH2N300P3HV IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:21 ns; 典型关闭延迟时间:69 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:17 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:62 ns; 商标:IXYS; 类型:High Voltage; 产品:Power MOSFET Modules; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:Polar3; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:520 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:73 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:21 Ohms; Id-连续漏极电流:2 A; Vds-漏源极击穿电压:3000 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISC MOSFET N-CH STD-POLAR3
CDZVT2R13B 分立半导体 CDZVT2R13B ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:0.86 mm; 长度:0.6 mm; 高度:0.37 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:80 Ohms; 齐纳电流:0.1 uA; Pd-功率耗散:100 mW; 封装 / 箱体:SOD-923-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:12 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 稳压二极管 100MW TYPE COMPACT
BZX584C2V4-G3-08 分立半导体 BZX584C2V4-G3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :50 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:275 Ohms; 齐纳电流:50 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:2.4 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 2.4V Small Signal
BZX584C12-G3-08 分立半导体 BZX584C12-G3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:50 Ohms; 齐纳电流:0.1 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:12 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 12V Small Signal
BZX584C5V1-HG3-08 分立半导体 BZX584C5V1-HG3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :2 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:400 Ohms; 齐纳电流:2 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:5.1 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 5.1V Small Signal
KDZVTR2.4B 分立半导体 KDZVTR2.4B ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :200 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.6 mm; 长度:2.6 mm; 高度:0.8 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:40 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 齐纳电流:200 uA; Pd-功率耗散:1000 mW; 封装 / 箱体:SOD-123FL-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:2.4 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 稳压二极管 ZENER DIODES 2-PIN MOLD
RB168VAM-60TR 分立半导体 RB168VAM-60TR ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:5 A; Vf - 正向电压:0.82 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:SC-108B-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 SCHOTTKEY BARRIER DIODE
STPS1L40AFN 分立半导体 STPS1L40AFN STMicroelectronics 分立半导体 Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS1L40; 最大工作温度:+ 175 C; Ir - 反向电流 :35 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:60 A; Vf - 正向电压:0.37 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:SMA Flat Notch-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
V3P22HM3/H 分立半导体 V3P22HM3/H Vishay 分立半导体 商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:V3P22; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:60 A; Vf - 正向电压:940 mV; Vrrm - 重复反向电压:200 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:DO-220AA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 200V 3A TMBS SMP (DO-220AA)
SI2369BDS-T1-GE3 分立半导体 SI2369BDS-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:40 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:22 ns; 正向跨导 - 最小值:10 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2.5 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:12.9 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, 16 V; Rds On-漏源导通电阻:27 mOhms; Id-连续漏极电流:7.5 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL
IPD50P04P413ATMA2 分立半导体 IPD50P04P413ATMA2 Infineon 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 制造商:Infineon; MOSFET MOSFET_(20V 40V)
IXFY30N25X3 分立半导体 IXFY30N25X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:16 ns; 典型关闭延迟时间:77 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:70; 上升时间:24 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:20 ns; 正向跨导 - 最小值:14 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:HiPerFET; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:170 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:21 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:60 mOhms; Id-连续漏极电流:30 A; Vds-漏源极击穿电压:250 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
1N829A-1e3 分立半导体 1N829A-1e3 Microchip 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :2 uA; 商标:Microchip / Microsemi; 测试电流:7.5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:10 Ohms; 齐纳电流:70 mA; 电压温度系数:0.0005 %/C; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:500 mW; 封装 / 箱体:DO-7-2; 安装风格:Through Hole; Vz - 齐纳电压:6.2 V; 制造商:Microchip; 稳压二极管 OTC Temperature Compensated Zeners
BSS64AHZGT116 分立半导体 BSS64AHZGT116 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:30; 集电极连续电流:100 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:200 mW; 最大直流电集电极电流:200 mA; 集电极—射极饱和电压:80 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V; 集电极—基极电压 VCBO:120 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANSISTOR FOR HIGH VOLT AMP
2SC4102U3HZGT106R 分立半导体 2SC4102U3HZGT106R ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:180; 集电极连续电流:50 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:390; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:200 mW; 最大直流电集电极电流:-; 集电极—射极饱和电压:500 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:120 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:120 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-323-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) H. Volt 120V, 50mA UMT3
UMD22NFHATR 分立半导体 UMD22NFHATR ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 资格:AEC-Q101; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:100 mV, -100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极连续电流:- 100 mA, 100 mA; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:10; 典型输入电阻器:4.7 kOhms; 晶体管极性:NPN, PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 预偏置 PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR
STPS130AFN 分立半导体 STPS130AFN STMicroelectronics 分立半导体 Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:85 W; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS130; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :10 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:60 A; Vf - 正向电压:0.37 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:SMA-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
SQM40020EL_GE3 分立半导体 SQM40020EL_GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:50 ns; 子类别:MOSFETs; 上升时间:10 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:20 ns; 商标:Vishay / Siliconix; 配置:Single; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:150 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:108 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:17.8 mOhms; Id-连续漏极电流:100 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; MOSFET Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET
STGWA30HP65FB2 分立半导体 STGWA30HP65FB2 STMicroelectronics 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:600; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:250 nA; 商标:STMicroelectronics; 集电极最大连续电流 Ic:50 A; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:167 W; 在25 C的连续集电极电流:50 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:1.65 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247-3; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; IGBT 晶体管 Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
BAT54AHMT116 分立半导体 BAT54AHMT116 ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :30 V; trr - 反向恢复时间 :50 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :2 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:600 mA; Vf - 正向电压:800 mV; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:100 mA; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY BARRIER DIODE
RB510VM-30TE-17 分立半导体 RB510VM-30TE-17 ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.3 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:0.5 A; Vf - 正向电压:0.46 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:10 mA; 封装 / 箱体:SC-90A-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 LOW VF HIGH RELIABILITY
RB085T-40NZC9 分立半导体 RB085T-40NZC9 ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :200 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:0.55 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:5 A; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY BARRIER DIODE
STPSC10H065DLF 分立半导体 STPSC10H065DLF STMicroelectronics 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :9 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:850 A; Vf - 正向电压:1.38 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:PowerFLAT 8x8; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
DTC043XMT2L 分立半导体 DTC043XMT2L ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:8000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:50 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:150 mW; 峰值直流集电极电流:100 mA; 集电极连续电流:100 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:35; 封装 / 箱体:SOT-723-3; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:2.1; 典型输入电阻器:4.7 kOhms; 晶体管极性:NPN; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR
BZX584C7V5-G3-08 分立半导体 BZX584C7V5-G3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :1 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:30 Ohms; 齐纳电流:1 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:7.5 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 7.5V Small Signal
BZX584C3V6-HG3-08 分立半导体 BZX584C3V6-HG3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:375 Ohms; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:3.6 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 3.6V Small Signal
VS-2EQH01HM3/H 分立半导体 VS-2EQH01HM3/H Vishay 分立半导体 商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:4500; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:VS-2EQH0xHM3; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 恢复时间:33 ns; Ir - 反向电流 :1 uA; 最大浪涌电流:30 A; Vf - 正向电压:1.05 V; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:2 A; Vr - 反向电压 :100 V; 封装 / 箱体:DO-219AD; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 整流器 100V 2A Fred Pt MicroSMP (DO-219AD)
RB886CMT2R 分立半导体 RB886CMT2R ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :5 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; Ir - 反向电流 :120 uA; 技术:Si; 配置:Single; Vf - 正向电压:350 mV; Vrrm - 重复反向电压:15 V; If - 正向电流:10 mA; 封装 / 箱体:SOD-923-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 Detection SBD for H. Frequency Det
STPS2H100AFN 分立半导体 STPS2H100AFN STMicroelectronics 分立半导体 Vr - 反向电压 :100 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:173 W; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS2H100; 最大工作温度:+ 175 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:75 A; Vf - 正向电压:0.65 V; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:SMA-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
FFSB0665B 分立半导体 FFSB0665B ON Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:61 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:45 A; Vf - 正向电压:1.38 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:6 A; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 650V 6A SIC SBD GEN1.5
IXFA56N30X3 分立半导体 IXFA56N30X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:21 ns; 典型关闭延迟时间:64 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:26 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:26 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:HiPerFET; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:320 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:56 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:27 mOhms; Id-连续漏极电流:56 A; Vds-漏源极击穿电压:300 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
IXFH220N20X3 分立半导体 IXFH220N20X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:37 ns; 典型关闭延迟时间:155 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:27 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:27 ns; 正向跨导 - 最小值:70 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:890 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:204 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:6.2 mOhms; Id-连续漏极电流:220 A; Vds-漏源极击穿电压:200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
RB510SM-40T2R 分立半导体 RB510SM-40T2R ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :0.4 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:0.5 A; Vf - 正向电压:0.48 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:10 mA; 封装 / 箱体:SC-79-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 SBD for Gen Rectfctn EMD2
RN1701,LF 分立半导体 RN1701,LF Toshiba 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:10 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:30; 封装 / 箱体:USV-5; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:NPN; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; 双极晶体管 - 预偏置 NPN x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
BZX584C6V8-G3-08 分立半导体 BZX584C6V8-G3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :2 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:30 Ohms; 齐纳电流:2 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:6.8 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 6.8V Small Signal
BZX584C15-G3-08 分立半导体 BZX584C15-G3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:50 Ohms; 齐纳电流:0.1 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:15 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 15V Small Signal
BZX584C20-G3-08 分立半导体 BZX584C20-G3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.05 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:60 Ohms; 齐纳电流:0.05 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:20 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 20V Small Signal
当前是第 8 页
@Copyright 2019-2023 深圳市芯链芯数据技术有限公司
粤ICP备2021069316号 - www.chipsresale.com
QQ客服
在线客服