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分立半导体
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器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
PMPB13UPX 分立半导体 PMPB13UPX Nexperia 分立半导体 典型接通延迟时间:7 ns; 典型关闭延迟时间:69 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:30 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:60 ns; 正向跨导 - 最小值:25 S; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:26 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 0.9 V; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:16 mOhms; Id-连续漏极电流:- 13 A; Vds-漏源极击穿电压:12 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:DFN-2020-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; MOSFET 12V P-CH TRENCHMOS
ZXMN6A09GQTA 分立半导体 ZXMN6A09GQTA Diodes Incorporated 分立半导体 典型接通延迟时间:4.9 ns; 典型关闭延迟时间:25.3 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:4.6 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:24.2 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:0.04 Ohms; Id-连续漏极电流:7.5 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-223-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R 1K
BZX584C5V1-G3-08 分立半导体 BZX584C5V1-G3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :2 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:400 Ohms; 齐纳电流:2 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:5.1 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 5.1V Small Signal
BZX584C2V2-G3-08 分立半导体 BZX584C2V2-G3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :100 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:250 Ohms; 齐纳电流:100 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:2.2 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 2.2V Small Signal
STPS2L40AFN 分立半导体 STPS2L40AFN STMicroelectronics 分立半导体 Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:158 W; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS2L40; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :220 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:75 A; Vf - 正向电压:0.31 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:SMB- 2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
UMZ1NFHATR 分立半导体 UMZ1NFHATR ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:120; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:560; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:150 mW; 最大直流电集电极电流:- 150 mA, 150 mA; 集电极—射极饱和电压:- 500 mV, 400 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V, 7 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 60 V, 60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V, 50 V; 配置:Dual; 晶体管极性:NPN, PNP; 封装 / 箱体:SOT-563-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANSISTOR HIGH RELIABILITY
PD3S230LQ-7 分立半导体 PD3S230LQ-7 Diodes Incorporated 分立半导体 Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :40 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:30 A; Vf - 正向电压:0.37 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:PowerDI323-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; 肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
FFSH3065B 分立半导体 FFSH3065B ON Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:450; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 SIC DIODE 650V
RB511SM-30T2R 分立半导体 RB511SM-30T2R ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; Ir - 反向电流 :7 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:0.5 A; Vf - 正向电压:0.37 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:10 mA; 封装 / 箱体:SC-79-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 SBD Low VF H.Relblty EMD2
2SA1576U3HZGT106R 分立半导体 2SA1576U3HZGT106R ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:120; 集电极连续电流:- 150 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:560; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:200 mW; 最大直流电集电极电流:- 200 mA; 集电极—射极饱和电压:- 500 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-323-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GP Transistor -50V; -150mA
RB168MM-30TR 分立半导体 RB168MM-30TR ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :0.6 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:30 A; Vf - 正向电压:0.69 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:SC-109B-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 SBD for Gen Rectfctn PMDU
NVTFS9D6P04M8LTAG 分立半导体 NVTFS9D6P04M8LTAG ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:12.6 ns; 典型关闭延迟时间:74.6 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:91.5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:49.3 ns; 正向跨导 - 最小值:46 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:75 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:34.6 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:9.5 mOhms; Id-连续漏极电流:- 64 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:WDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
FFSP0665B 分立半导体 FFSP0665B ON Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:49 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.025 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:28 A; Vf - 正向电压:1.38 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:6 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 SIC DIODE TO220 650V
IXFH140N20X3 分立半导体 IXFH140N20X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:28 ns; 典型关闭延迟时间:130 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:20 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:12 ns; 正向跨导 - 最小值:55 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:480 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:127 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:9.6 mOhms; Id-连续漏极电流:140 A; Vds-漏源极击穿电压:200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
STGWA60V60DWFAG 分立半导体 STGWA60V60DWFAG STMicroelectronics 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:600; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:250 nA; 商标:STMicroelectronics; 集电极最大连续电流 Ic:240 A; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 V; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:375 W; 在25 C的连续集电极电流:80 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:1.85 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247-3; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; IGBT 晶体管 Automotive-grade trench field-stop 600 V, 60 A very high speed V series IGBT featuring free-wheeling SiC diode
IXFN50N120SIC 分立半导体 IXFN50N120SIC IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:23 ns; 典型关闭延迟时间:75 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 上升时间:9 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:19 ns; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; 最大工作温度:+ 155 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:100 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:50 mOhms; Id-连续漏极电流:47 A; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-227-4; 安装风格:Chassis Mount; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET SICARBIDE-DISCRETE MOSFET (MIN
BC857BU3HZGT106 分立半导体 BC857BU3HZGT106 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:210; 集电极连续电流:- 100 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:480; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:250 MHz; Pd-功率耗散:200 mW; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 集电极—射极饱和电压:- 300 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 45 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-323-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP GENERAL PURPOSE TRANS
DTD123YCHZGT116 分立半导体 DTD123YCHZGT116 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 资格:AEC-Q101; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 峰值直流集电极电流:500 mA; 集电极连续电流:500 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 最大工作频率:200 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:56; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:4.5; 典型输入电阻器:2.2 kOhms; 晶体管极性:NPN; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 预偏置 HIGH RELIABILITY AUTOMOTIVE TR
BZX584C4V7-G3-08 分立半导体 BZX584C4V7-G3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :3 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:425 Ohms; 齐纳电流:3 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:4.7 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 4.7V Small Signal
KDZLVTR100 分立半导体 KDZLVTR100 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.6 mm; 长度:2.6 mm; 高度:0.8 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:2 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:220 Ohms; 齐纳电流:5 uA; Pd-功率耗散:500 mW; 封装 / 箱体:SOD-123FL-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:100 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 稳压二极管 ZENER DIODE FOR VOLTAGE REG
EMD3FHAT2R 分立半导体 EMD3FHAT2R ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:8000; 资格:AEC-Q101; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:- 100 V, 100 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极连续电流:- 100 mA, 100 mA; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:30; 封装 / 箱体:SOT-563-6; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:1; 典型输入电阻器:10 kOhms; 晶体管极性:NPN, PNP; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 预偏置 DTA114E/DTC114E CHIP-EMT6 PKG
E4D10120A 分立半导体 E4D10120A Cree, Inc. 分立半导体 Vr - 反向电压 :1200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:166 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tube; 系列:E Series; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :30 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:44 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 肖特基二极管与整流器 E Series 10A 1.2kV G4 Schottky
FS380R12A6T4BBPSA1 分立半导体 FS380R12A6T4BBPSA1 Infineon 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:6; 产品类型:IGBT Modules; 栅极/发射极最大电压:20 V; 安装风格:Screw; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:870 W; 栅极—射极漏泄电流:400 nA; 集电极—射极饱和电压:1.95 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V; 配置:Hex; 产品:IGBT Silicon Modules; RoHS:Y; 制造商:Infineon; IGBT 模块 HYBRID PACK DRIVE
SI2393DS-T1-GE3 分立半导体 SI2393DS-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:14 ns; 典型关闭延迟时间:48 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:32 ns; 正向跨导 - 最小值:10 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2.5 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:16.8 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, 16 V; Rds On-漏源导通电阻:22.7 mOhms; Id-连续漏极电流:- 7.5 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL
BSS138-G 分立半导体 BSS138-G ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:2.5 ns; 典型关闭延迟时间:20 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:9 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7 ns; 正向跨导 - 最小值:0.12 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:0.35 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:3.5 Ohms; Id-连续漏极电流:0.22 A; Vds-漏源极击穿电压:50 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET FET 50V 3.5 OHM
JANTX1N4153-1 分立半导体 JANTX1N4153-1 Microchip 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; 最大二极管电容:2 pF; 商标:Microchip / Microsemi; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :50 nA; Vf - 正向电压:0.88 V; 恢复时间:4 ns; 配置:Common Cathode; If - 正向电流:20 mA; 最大浪涌电流:2 A; 峰值反向电压:75 V; 封装 / 箱体:DO-35; 安装风格:Through Hole; 产品:Switching Diodes; 制造商:Microchip; 二极管 - 通用，功率，开关 Switching Diode
DMN5L06KQ-7 分立半导体 DMN5L06KQ-7 Diodes Incorporated 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 正向跨导 - 最小值:200 mS; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:350 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Qg-栅极电荷:-; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:2 Ohms; Id-连续漏极电流:300 mA; Vds-漏源极击穿电压:50 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; MOSFET 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
STPS1L30AFN 分立半导体 STPS1L30AFN STMicroelectronics 分立半导体 Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:110 W; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS1L30; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :200 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:90 A; Vf - 正向电压:0.26 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:SMA-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
SI4425FDY-T1-GE3 分立半导体 SI4425FDY-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:22 ns; 典型关闭延迟时间:29 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:48 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:23 ns; 正向跨导 - 最小值:47 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:4.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:27 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, 16 V; Rds On-漏源导通电阻:9.5 mOhms; Id-连续漏极电流:- 18.3 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; MOSFET P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
BZX584C3V3-G3-08 分立半导体 BZX584C3V3-G3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:350 Ohms; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:3.3 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 3.3V Small Signal
SS16HE3_B/H 分立半导体 SS16HE3_B/H Vishay 分立半导体 Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SS1x; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.2 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:40 A; Vf - 正向电压:0.75 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 60V Sctky Bar Rectfr SMA (DO-214AC)
RB558VAM150TR 分立半导体 RB558VAM150TR ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :150 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:3 A; Vf - 正向电压:0.95 V; Vrrm - 重复反向电压:150 V; If - 正向电流:0.5 A; 封装 / 箱体:SC-108B-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 SCHOTTKEY BARRIER DIODE
MJD44H11J 分立半导体 MJD44H11J Nexperia 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:2500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:60; 集电极连续电流:8 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:160 MHz; Pd-功率耗散:20 W; 最大直流电集电极电流:16 A; 集电极—射极饱和电压:1 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V; 集电极—基极电压 VCBO:80 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS
SS14HE3_B/H 分立半导体 SS14HE3_B/H Vishay 分立半导体 Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SS1x; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.2 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:40 A; Vf - 正向电压:0.5 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 40V Sctky Bar Rectfr SMA (DO-214AC)
BCX53-16TF 分立半导体 BCX53-16TF Nexperia 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:4000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 集电极连续电流:- 1 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:250; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:500 mW; 最大直流电集电极电流:- 2 A; 集电极—射极饱和电压:- 500 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 100 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 80 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-89-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS
IXFN300N20X3 分立半导体 IXFN300N20X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:44 ns; 典型关闭延迟时间:184 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10; 上升时间:43 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:80 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:695 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:375 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:3.5 mOhms; Id-连续漏极电流:300 A; Vds-漏源极击穿电压:200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-227-4; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTX3CLAS (MI
RFN5TF8SC9 分立半导体 RFN5TF8SC9 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.05 uA; Vf - 正向电压:1.6 V; 恢复时间:20 ns; 配置:Single; If - 正向电流:5 A; 最大浪涌电流:60 A; 峰值反向电压:800 V; 封装 / 箱体:TO-220NFM-2; 安装风格:Through Hole; 产品:General Purpose Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 二极管 - 通用，功率，开关 ULTRA HIGH-SPEED, LOW VF
PMV15UNEAR 分立半导体 PMV15UNEAR Nexperia 分立半导体 典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:32 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:24 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:34 ns; 正向跨导 - 最小值:50 S; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:610 mW; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:11 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:0.9 V; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:15 mOhms; Id-连续漏极电流:7 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; MOSFET 20V N-CH TRENCHMOS
MJD45H11J 分立半导体 MJD45H11J Nexperia 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:2500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:60; 集电极连续电流:- 8 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:80 MHz; Pd-功率耗散:20 W; 最大直流电集电极电流:- 16 A; 集电极—射极饱和电压:- 1 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 80 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 80 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS
UMH9NFHATN 分立半导体 UMH9NFHATN ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 资格:AEC-Q101; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极连续电流:100 mA; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:68; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:4.7; 典型输入电阻器:10 kOhms; 晶体管极性:NPN; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 预偏置 NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR
RFU01SM4ST2R 分立半导体 RFU01SM4ST2R ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; 最大二极管电容:1.5 pF; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :10 uA; Vf - 正向电压:1.15 V; 恢复时间:25 ns; 配置:Single; If - 正向电流:100 mA; 最大浪涌电流:1 A; 峰值反向电压:450 V; 封装 / 箱体:SOT-523-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 二极管 - 通用，功率，开关 SUPER FAST RECOVERY DIODE
RB050LAM-30TR 分立半导体 RB050LAM-30TR ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :150 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:0.45 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:SOD-128-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY BARRIER DIODE
FGHL40S65UQ 分立半导体 FGHL40S65UQ ON Semiconductor 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:450; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:400 nA; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:231 W; 在25 C的连续集电极电流:40 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:1.35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247-3; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; IGBT 晶体管 IGBT, 650 V, 40 A
PMPB16EPX 分立半导体 PMPB16EPX Nexperia 分立半导体 典型接通延迟时间:3 ns; 典型关闭延迟时间:60 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:25 ns; 正向跨导 - 最小值:33 S; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:29 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:20 mOhms; Id-连续漏极电流:- 10.6 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:DFN-2020-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; MOSFET 30V P-CH TRENCHMOS
SI3483DDV-T1-GE3 分立半导体 SI3483DDV-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:30 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:33 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:40 ns; 正向跨导 - 最小值:30 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:3 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:9.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, 16 V; Rds On-漏源导通电阻:31.2 mOhms; Id-连续漏极电流:- 8 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:TSOP-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
DTC043XUBTL 分立半导体 DTC043XUBTL ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:50 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 峰值直流集电极电流:100 mA; 集电极连续电流:100 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:35; 封装 / 箱体:SOT-323FL-3; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:2.1; 典型输入电阻器:4.7 kOhms; 晶体管极性:NPN; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR
RB530CM-30T2R 分立半导体 RB530CM-30T2R ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.3 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:0.5 A; Vf - 正向电压:0.46 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:10 mA; 封装 / 箱体:SOD-923-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 SUPER LOW VF HIGH REL
BZX84C12VLT116 分立半导体 BZX84C12VLT116 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.3 mm; 长度:2.9 mm; 高度:0.95 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:25 Ohms; 齐纳电流:0.1 uA; 电压温度系数:8.3 mV/C; Pd-功率耗散:250 mW; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:12 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 稳压二极管 ZENER DIODE FOR VOLT REG
MJD31CJ 分立半导体 MJD31CJ Nexperia 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:2500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:10; 集电极连续电流:3 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:50; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:3 MHz; Pd-功率耗散:15 W; 最大直流电集电极电流:5 A; 集电极—射极饱和电压:1.2 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V; 集电极—基极电压 VCBO:100 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS
STPS2L60AFN 分立半导体 STPS2L60AFN STMicroelectronics 分立半导体 Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:115 W; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS2L60; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :100 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:75 A; Vf - 正向电压:0.51 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:SMA-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
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