首页 元器件分类 工厂库存 新闻中心 元器件百科 关于公司
类目:
分立半导体
展开
品牌:
展开
器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
IXTN240N075L2 分立半导体 IXTN240N075L2 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:34 ns; 典型关闭延迟时间:136 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10; 上升时间:200 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:47 ns; 正向跨导 - 最小值:60 S; 商标:IXYS; 类型:Linear L2; 晶体管类型:1 N-Channel; 产品:Power MOSFET Modules; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:Linear L2; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:735 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:546 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:7 mOhms; Id-连续漏极电流:225 A; Vds-漏源极击穿电压:75 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-227-4; 安装风格:Chassis Mount; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISC MOSFET N-CH LINEAR L2 (MI
APT50N60JCCU2 分立半导体 APT50N60JCCU2 Microchip 分立半导体 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:1; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; 商标:Microchip / Microsemi; 封装:Tube; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 分立半导体模块 DOR CC0061
FP25R12W2T7B11BPSA1 分立半导体 FP25R12W2T7B11BPSA1 Infineon 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:15; 产品类型:IGBT Modules; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Infineon; IGBT 模块 LOW POWER EASY
FP35R12W2T7B11BOMA1 分立半导体 FP35R12W2T7B11BOMA1 Infineon 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:15; 产品类型:IGBT Modules; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Infineon; IGBT 模块 LOW POWER EASY
MIXA61WB1200TEH 分立半导体 MIXA61WB1200TEH IXYS 分立半导体 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:5; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; 商标:IXYS; RoHS:Y; 制造商:IXYS; 分立半导体模块 IGBT MODULE - CBI E3-PACK-PFP
FS75R12KT4BPSA1 分立半导体 FS75R12KT4BPSA1 Infineon 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:10; 产品类型:IGBT Modules; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tray; 制造商:Infineon; IGBT 模块 LOW POWER ECONO
CMYD4448 TR PBFREE 分立半导体 CMYD4448 TR PBFREE Central Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; Pd-功率耗散:250 mW; 最大二极管电容:1.5 pF; 商标:Central Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :500 nA; Vf - 正向电压:0.91 V; 恢复时间:2 ns; 配置:Dual; If - 正向电流:250 mA; 最大浪涌电流:4 A; 峰值反向电压:120 V; 封装 / 箱体:SOT-543-4; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:Central Semiconductor; 二极管 - 通用，功率，开关 Dual 120Vrrm 250mA 4.0A 250mW 1.5pF
LMB210S-TP 分立半导体 LMB210S-TP Micro Commercial Components (MCC) 分立半导体 Vr - 反向电压 :100 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Bridge Rectifiers; Ir - 反向电流 :500 uA; 商标:Micro Commercial Components (MCC); 产品:Bridge Rectifiers; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.85 V; 峰值反向电压:100 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:LMBS-1-4; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Single Phase Bridge; RoHS:Y; 制造商:Micro Commercial Components (MCC); 桥式整流器 2A 100Vr 70Vrms 1000V DC 50A Ifsm
2N7002NXBKR 分立半导体 2N7002NXBKR Nexperia 分立半导体 典型接通延迟时间:4.7 ns; 典型关闭延迟时间:6.9 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:4.3 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:2.9 ns; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:400 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:1 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:2.8 Ohms; Id-连续漏极电流:270 mA; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; MOSFET 60V N-CH TRENCHMOS
PMV37ENEAR 分立半导体 PMV37ENEAR Nexperia 分立半导体 典型接通延迟时间:5 ns; 典型关闭延迟时间:13 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:4 ns; 正向跨导 - 最小值:18.2 S; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.3 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:8.8 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:49 mOhms; Id-连续漏极电流:3.5 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; MOSFET 60V N-CH TRENCHMOS
NRVS1MFL 分立半导体 NRVS1MFL ON Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Rectifiers; 商标:ON Semiconductor; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 恢复时间:1.304 us; Ir - 反向电流 :1 uA; 最大浪涌电流:30 A; Vf - 正向电压:1.1 V; 配置:Single; 类型:Standard Recovery Rectifiers; If - 正向电流:1 A; Vr - 反向电压 :1000 V; 封装 / 箱体:SOD-123F-2; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 整流器 SR SOD123F GPPN 1A 1000V
1SS400CMT2R 分立半导体 1SS400CMT2R ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; 最大二极管电容:3 pF; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :100 nA; Vf - 正向电压:1.2 V; 恢复时间:4 ns; 配置:Single; If - 正向电流:100 mA; 最大浪涌电流:500 mA; 峰值反向电压:90 V; 封装 / 箱体:SOD-923-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 二极管 - 通用，功率，开关 High Speed Switching Diode
1SS380VMTE-17 分立半导体 1SS380VMTE-17 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; 最大二极管电容:5 pF; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :10 nA; Vf - 正向电压:1.2 V; 恢复时间:-; 配置:Single; If - 正向电流:100 mA; 最大浪涌电流:400 mA; 峰值反向电压:80 V; 封装 / 箱体:SC-90A-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SWITCHING 80V UMD2
ISC036N04NM5ATMA1 分立半导体 ISC036N04NM5ATMA1 Infineon 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET TRENCH <= 40V
BSO615NGXUMA1 分立半导体 BSO615NGXUMA1 Infineon 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 制造商:Infineon; MOSFET TRENCH 40<-<100V
IPD60R360PFD7SAUMA1 分立半导体 IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET CONSUMER
ISC028N04NM5ATMA1 分立半导体 ISC028N04NM5ATMA1 Infineon 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET TRENCH <= 40V
IPAN70R360P7SAUMA1 分立半导体 IPAN70R360P7SAUMA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:19 ns; 典型关闭延迟时间:100 ns; 子类别:MOSFETs; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:18 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:26.5 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:16.4 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:16 V; Rds On-漏源导通电阻:0.36 Ohms; Id-连续漏极电流:12.5 A; Vds-漏源极击穿电压:700 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PG-TO-220FP-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; 制造商:Infineon; MOSFET
IPD60R280PFD7SAUMA1 分立半导体 IPD60R280PFD7SAUMA1 Infineon 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET CONSUMER
ISC019N04NM5ATMA1 分立半导体 ISC019N04NM5ATMA1 Infineon 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET TRENCH <= 40V
IPD60R210PFD7SAUMA1 分立半导体 IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET CONSUMER
FGD3050G2 分立半导体 FGD3050G2 ON Semiconductor 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:2500; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:25 uA; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:150 W; 在25 C的连续集电极电流:27 A; 栅极/发射极最大电压:10 V; 集电极—射极饱和电压:1.3 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:500 V; 配置:Single; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:TO-252-3; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; IGBT 晶体管 500V 27A 1.3V 300mJ
SBR40U300CT-G 分立半导体 SBR40U300CT-G Diodes Incorporated 分立半导体 Vr - 反向电压 :300 V; trr - 反向恢复时间 :26 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Diodes Incorporated; 端接类型:Solder Pin; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :100 uA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:235 A; Vf - 正向电压:0.84 V; Vrrm - 重复反向电压:300 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; 制造商:Diodes Incorporated; 肖特基二极管与整流器 Super Barrier Rectifier TO220AB TUBE 50PCS
STPSC10065DLF 分立半导体 STPSC10065DLF STMicroelectronics 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
STPS2150AFN 分立半导体 STPS2150AFN STMicroelectronics 分立半导体 Vr - 反向电压 :150 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:170 W; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS2150; 最大工作温度:+ 175 C; Ir - 反向电流 :1.5 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:75 A; Vf - 正向电压:0.62 V; Vrrm - 重复反向电压:150 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:SMA-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
V2P22L-M3/H 分立半导体 V2P22L-M3/H Vishay 分立半导体 商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:V2P22L; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:910 mV; Vrrm - 重复反向电压:200 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-220AA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 200V 2A TMBS SMP (DO-220AA)
BZX584C3V0-G3-08 分立半导体 BZX584C3V0-G3-08 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :10 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:325 Ohms; 齐纳电流:10 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:3 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 稳压二极管 300mW SOD-523 3V Small Signal
IXTH02N450HV 分立半导体 IXTH02N450HV IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:17 ns; 典型关闭延迟时间:28 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:48 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:143 ns; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:113 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:10.6 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:625 Ohms; Id-连续漏极电流:200 mA; Vds-漏源极击穿电压:4.5 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMOSFET NCH STD-VERYHIVOLT
C6D04065A 分立半导体 C6D04065A Cree, Inc. 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:SiC; Vf - 正向电压:1.27 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:4 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 肖特基二极管与整流器 4A 650V GEN6 SiC Schottky Diode
C3D16065D1 分立半导体 C3D16065D1 Cree, Inc. 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:30; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:173 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :18 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:57 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:43 A; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 肖特基二极管与整流器 SiC Schottkey Diode 650V 16A
KDZVTR3.0B 分立半导体 KDZVTR3.0B ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :100 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:40 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:-; 齐纳电流:-; 电压温度系数:-; 电压容差:-; Pd-功率耗散:1000 mW; 封装 / 箱体:SOC-123FL-3; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:3 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 稳压二极管 Zener 2-Pin Mold PMDU
STPS2L30AFN 分立半导体 STPS2L30AFN STMicroelectronics 分立半导体 Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:108 W; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS2L30; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :200 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:75 A; Vf - 正向电压:0.325 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:SMA-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
PMV15ENEAR 分立半导体 PMV15ENEAR Nexperia 分立半导体 典型接通延迟时间:4 ns; 典型关闭延迟时间:15 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:18 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7 ns; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.3 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:9.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:20 mOhms; Id-连续漏极电流:6.2 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; MOSFET 30V N-CH TRENCHMOS
IXFN240N25X3 分立半导体 IXFN240N25X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:36 ns; 典型关闭延迟时间:180 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10; 上升时间:32 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:14 ns; 正向跨导 - 最小值:80 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:695 W; 最大工作温度:+ 155 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:345 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:4.5 mOhms; Id-连续漏极电流:240 A; Vds-漏源极击穿电压:250 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-227-4; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTX3CLAS (MI
KDZVTR2.0B 分立半导体 KDZVTR2.0B ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :200 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.6 mm; 长度:2.6 mm; 高度:0.8 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:40 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 齐纳电流:200 uA; Pd-功率耗散:1000 mW; 封装 / 箱体:SOD-123FL-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:2 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 稳压二极管 ZENER DIODES 2-PIN MOLD
UMD3NFHATR 分立半导体 UMD3NFHATR ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 资格:AEC-Q101; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:- 0.1 V, 0.1 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极连续电流:- 100 mA, 100 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V, 50 V; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:30; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:1; 典型输入电阻器:10 kOhms; 晶体管极性:NPN, PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 预偏置 PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR
FFSB1065B 分立半导体 FFSB1065B ON Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:79 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:45 A; Vf - 正向电压:1.38 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:D2PAK-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 650V 10A SIC GEN1.5
NTP095N65S3HF 分立半导体 NTP095N65S3HF ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:28 ns; 典型关闭延迟时间:72 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 上升时间:28 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:24 ns; 正向跨导 - 最小值:22 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SuperFET3; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:SuperFET III; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:272 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:66 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:95 mOhms; Id-连续漏极电流:36 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET FRFET 650 V 65 A 95 mOhm TO-220
IXFH150N30X3 分立半导体 IXFH150N30X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:40 ns; 典型关闭延迟时间:187 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:32 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:14 ns; 正向跨导 - 最小值:70 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:890 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:254 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:8.3 mOhms; Id-连续漏极电流:150 A; Vds-漏源极击穿电压:300 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
2SCR502U3T106 分立半导体 2SCR502U3T106 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:200; 集电极连续电流:0.5 A; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:500; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:360 MHz; Pd-功率耗散:200 mW; 最大直流电集电极电流:1 A; 集电极—射极饱和电压:100 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V; 集电极—基极电压 VCBO:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:UMT-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Purpse Trans UMT3
V2P6X-M3/H 分立半导体 V2P6X-M3/H Vishay 分立半导体 商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:V2P6X; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :100 uA; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:640 mV; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-220AA-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 2A 60V SMP TMBS SMP (DO-220AA)
NVTFS014P04M8LTAG 分立半导体 NVTFS014P04M8LTAG ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:11.5 ns; 典型关闭延迟时间:44.5 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:97.4 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:38.2 ns; 正向跨导 - 最小值:42 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:61 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:26.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:13.8 mOhms; Id-连续漏极电流:- 49 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:WDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
RB550VM-30TE-17 分立半导体 RB550VM-30TE-17 ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :35 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:1 A; Vf - 正向电压:0.59 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:0.5 A; 封装 / 箱体:SC-90A-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 SBD for Gen Rectfctn UMD2
BCP52-16TF 分立半导体 BCP52-16TF Nexperia 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:4000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 集电极连续电流:- 1 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:250; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:0.6 W; 最大直流电集电极电流:- 2 A; 集电极—射极饱和电压:- 500 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 60 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SC-73-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS
RB068MM100TR 分立半导体 RB068MM100TR ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :100 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.4 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:40 A; Vf - 正向电压:0.87 V; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:SC-109B-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY BARRIER DIODE
PMV19XNEAR 分立半导体 PMV19XNEAR Nexperia 分立半导体 典型接通延迟时间:8 ns; 典型关闭延迟时间:33 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:17 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:32 ns; 正向跨导 - 最小值:30 S; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:610 mW; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:12.4 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:0.9 V; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:24 mOhms; Id-连续漏极电流:6 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263AB-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; MOSFET 30V N-CH TRENCHMOS
SQM50034EL_GE3 分立半导体 SQM50034EL_GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:33 ns; 子类别:MOSFETs; 上升时间:7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7 ns; 商标:Vishay / Siliconix; 配置:Single; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:150 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:60 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:3.2 mOhms; Id-连续漏极电流:100 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; MOSFET Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175C MOSFET
STGWA40H65DFB2 分立半导体 STGWA40H65DFB2 STMicroelectronics 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:600; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:250 nA; 商标:STMicroelectronics; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:230 W; 在25 C的连续集电极电流:72 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:1.55 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247-3; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; IGBT 晶体管 Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package
UMD9NFHATR 分立半导体 UMD9NFHATR ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 资格:AEC-Q101; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极连续电流:- 100 mA, 100 mA; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:68; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:4.7; 典型输入电阻器:10 kOhms; 晶体管极性:NPN, PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 预偏置 PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR
SISA35DN-T1-GE3 分立半导体 SISA35DN-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:26 ns; 典型关闭延迟时间:21 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:30 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:16 ns; 正向跨导 - 最小值:25 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:24 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:28 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:19 mOhms; Id-连续漏极电流:- 16 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) PowerPAK 1212-8
当前是第 6 页
@Copyright 2019-2023 深圳市芯链芯数据技术有限公司
粤ICP备2021069316号 - www.chipsresale.com
QQ客服
在线客服