| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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BZX384C18-HG3-08 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:15000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.05 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:1.5 mm; 长度:1.95 mm; 高度:1.15 mm; 系列:BZX384-G; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:10 Ohms; 齐纳电流:0.05 uA; 电压温度系数:9.5 mV / C; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:200 mW; 封装 / 箱体:SOD-323-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:18 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 18V Zener SOD-323 |
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BZX384C5V1-HG3-08 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:15000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :2 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:1.5 mm; 长度:1.95 mm; 高度:1.15 mm; 系列:BZX384-G; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:40 Ohms; 齐纳电流:2 uA; 电压温度系数:4 mV / C; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:200 mW; 封装 / 箱体:SOD-323-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:5.1 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 5.1V Zener SOD-323 |
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BZX384C16-HG3-08 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:15000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.05 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:1.5 mm; 长度:1.95 mm; 高度:1.15 mm; 系列:BZX384-G; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:10 Ohms; 齐纳电流:0.05 uA; 电压温度系数:9.5 mV / C; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:200 mW; 封装 / 箱体:SOD-323-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:16 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 16V Zener SOD-323 |
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BZX384C5V6-HG3-08 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:15000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :1 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:1.5 mm; 长度:1.95 mm; 高度:1.15 mm; 系列:BZX384-G; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:15 Ohms; 齐纳电流:1 uA; 电压温度系数:6 mV / C; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:200 mW; 封装 / 箱体:SOD-323-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:5.6 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 5.6V Zener SOD-323 |
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BSS84-G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:2.5 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6.3 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:4.8 ns; 正向跨导 - 最小值:0.05 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:0.36 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:0.9 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:10 Ohms; Id-连续漏极电流:- 0.13 A; Vds-漏源极击穿电压:50 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET FET -50V 10.0 MOHM |
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NDS0610-G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:2.5 ns; 典型关闭延迟时间:10 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6.3 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7.5 ns; 正向跨导 - 最小值:70 mS; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:0.36 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:1.8 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:10 Ohms; Id-连续漏极电流:0.12 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET FET -60V 10.0 MOHM |
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SZMMBZH15VAWT1G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vf - 正向电压:0.9 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :50 nA; If - 正向电流:10 mA; 商标:ON Semiconductor; 宽度:2.1 mm; 长度:2.1 mm; 高度:0.9 mm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:1 mA; 配置:Dual; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 齐纳电流:50 nA; 电压温度系数:12.3 mV/C; Pd-功率耗散:40 W; 封装 / 箱体:SC-70-3; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:15 V; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
稳压二极管 40W |
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NSVMMBT5401M3T5G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:8000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:20; 集电极连续电流:- 50 mA; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:180 MHz; Pd-功率耗散:130 mW; 最大直流电集电极电流:- 60 mA; 集电极—射极饱和电压:- 0.15 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 160 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 150 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-723-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 150 V, 60 mA |
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BAV19WS-HG3-08 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:15000; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; Pd-功率耗散:200 mW; 最大二极管电容:1.5 pF; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:BAV19WS-G; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :100 nA; Vf - 正向电压:1 V; 恢复时间:50 ns; 配置:Single; If - 正向电流:250 mA; 最大浪涌电流:1 A; 峰值反向电压:120 V; 封装 / 箱体:SOD-123; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
二极管 - 通用，功率，开关 120V Switching SOD-323 |
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DMN6075SQ-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:3.5 ns; 典型关闭延迟时间:35 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:4.1 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:0.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:12.3 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:85 mOhms; Id-连续漏极电流:2 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 3K |
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V3PM6-M3/I |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:V3PM6; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :200 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:80 A; Vf - 正向电压:630 mV; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:DO-220AA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 60V 3A TMBS SMP (DO-220AA) |
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SML4740AHE3_A/H |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :10 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:25 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:10 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:10 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 10V Zener SMA (DO-214AC) |
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IPN60R1K5PFD7SATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET CONSUMER |
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SML4746AHE3_A/H |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:14 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:18 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 18V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4764HE3_A/H |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:2.5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:10 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:100 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 100V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4758AHE3_A/H |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:4.5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:56 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 56V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4755AHE3_A/I |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:7500; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:6 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:43 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 43V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4741AHE3_A/H |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:23 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:11 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 11V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4757AHE3_A/H |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:51 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 51V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4761AHE3_A/I |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:7500; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:3.3 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:75 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 75V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4744AHE3_A/I |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:7500; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:17 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:15 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 15V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4749AHE3_A/H |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:10.5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:24 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 24V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4760AHE3_A/H |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:3.7 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:68 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 68V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4756AHE3_A/H |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5.5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:47 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 47V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4745HE3_A/I |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:7500; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:15.5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:10 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:16 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 16V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4753AHE3_A/H |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:7 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:36 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 36V Zener SMA (DO-214AC) |
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DMP1009UFDFQ-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:7 ns; 典型关闭延迟时间:62.2 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:10.6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:61 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:0.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:44 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 1 V; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:11 mOhms; Id-连续漏极电流:- 11 A; Vds-漏源极击穿电压:12 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:U-DFN2020-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K |
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SML4750AHE3_A/H |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:9.5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:27 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 27V Zener SMA (DO-214AC) |
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V1P22HM3/H |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:4500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:V1P22; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:25 A; Vf - 正向电压:880 mV; Vrrm - 重复反向电压:200 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:DO-219AD; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 200V 1A TMBS MicroSMP (DO-219AD) |
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IPD60R2K0PFD7SAUMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET CONSUMER |
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STPS5H100UFN |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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IPN60R1K0PFD7SATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 制造商:Infineon; |
MOSFET CONSUMER |
|
IPD60R1K5PFD7SAUMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET CONSUMER |
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MJD3055RLG |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:1800; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:20; 集电极连续电流:10 A; 商标:ON Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:100; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:2 MHz; Pd-功率耗散:20 W; 集电极—射极饱和电压:8 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP DPAK NPN 10A 60V |
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IPD60R1K0PFD7SAUMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 制造商:Infineon; |
MOSFET CONSUMER |
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NVTFS6H850NLTAG |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:9 ns; 典型关闭延迟时间:26 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:21 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 正向跨导 - 最小值:64.1 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:73 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:26 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:8.6 mOhms; Id-连续漏极电流:64 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:WDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET T8 80V LL U8FL |
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PSMN3R3-40MLHX |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 产品类型:MOSFET; 商标:Nexperia; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET PSMN3R3-40MLH/SOT1210/mLFPAK |
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IPN70R360P7SAUMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:19 ns; 典型关闭延迟时间:100 ns; 子类别:MOSFETs; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:18 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:7.2 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:16.4 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:16 V; Rds On-漏源导通电阻:0.36 Ohms; Id-连续漏极电流:12.5 A; Vds-漏源极击穿电压:700 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PG-SOT-223-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; 制造商:Infineon; |
MOSFET |
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IPAN70R600P7SAUMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:14 ns; 典型关闭延迟时间:63 ns; 子类别:MOSFETs; 上升时间:5.5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:23 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:24.9 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Qg-栅极电荷:10.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:16 V; Rds On-漏源导通电阻:0.6 Ohms; Id-连续漏极电流:8.5 A; Vds-漏源极击穿电压:700 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PG-TO-220FP-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; 制造商:Infineon; |
MOSFET |
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NVTFS002N04CLTAG |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:14 ns; 典型关闭延迟时间:70 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:77 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:22 ns; 正向跨导 - 最小值:135 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:85 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:49 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:2.2 mOhms; Id-连续漏极电流:142 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:WDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET 40V 2.2 Ohm 142A Single N-Channel |
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STH2N120K5-2AG |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:MOSFET; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
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IXTA3N100D2HV |
IXYS |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:27 ns; 典型关闭延迟时间:34 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:67 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:40 ns; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Depletion; Pd-功率耗散:125 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:37.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:6 Ohms; Id-连续漏极电流:3 A; Vds-漏源极击穿电压:1 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263HV-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
MOSFET DISCMOSFET N-CH DEPL MODE-D2 |
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IXFA130N15X3 |
IXYS |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:21 ns; 典型关闭延迟时间:62 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:25 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:12 ns; 正向跨导 - 最小值:50 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:HiPerFET; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:390 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:80 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:9 mOhms; Id-连续漏极电流:130 A; Vds-漏源极击穿电压:150 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS |
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IPW65R115CFD7AXKSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tube; 制造商:Infineon; |
MOSFET AUTOMOTIVE |
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IXYA30N120A4HV |
IXYS |
分立半导体 |
商标名:XPT; 子类别:IGBTs; 标准包装数量:50; 产品类型:IGBT Transistors; 商标:IXYS; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:500 W; 配置:Single; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:TO-263HV-3; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
IGBT 晶体管 DISC IGBT XPT-GENX4 |
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IXFQ50N60X |
IXYS |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:28 ns; 典型关闭延迟时间:60 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:62 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:660 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:116 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:73 mOhms; Id-连续漏极电流:50 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-3P-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
MOSFET DISCMSFT NCH ULTRJNCTN XCLASS |
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FCHD040N65S3-F155 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:35 ns; 典型关闭延迟时间:95 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:51 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:30 ns; 正向跨导 - 最小值:46 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SuperFET3; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:417 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:136 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:40 mOhms; Id-连续漏极电流:65 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET Easy Drive 650V 65A 40 mOhm |
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IXYH100N65A3 |
IXYS |
分立半导体 |
商标名:XPT; 子类别:IGBTs; 标准包装数量:30; 产品类型:IGBT Transistors; 商标:IXYS; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:470 W; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247-3; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
IGBT 晶体管 DISC IGBT XPT-GENX3 |
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IXTH140N075L2 |
IXYS |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:26 ns; 典型关闭延迟时间:100 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:83 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:33 ns; 商标:IXYS; 类型:Linear L2; 产品:Power MOSFET Modules; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:Linear L2; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:540 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:275 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:11 mOhms; Id-连续漏极电流:140 A; Vds-漏源极击穿电压:75 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
MOSFET DISC MOSFET N-CH LINEAR L2 |
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IXTT140N075L2HV |
IXYS |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:26 ns; 典型关闭延迟时间:100 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:83 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:33 ns; 商标:IXYS; 类型:Linear L2; 产品:Power MOSFET Modules; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:Linear L2; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:540 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:275 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:11 mOhms; Id-连续漏极电流:140 A; Vds-漏源极击穿电压:75 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-268-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
MOSFET DISC MOSFET N-CH LINEAR L2 |
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