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分立半导体界面模块控制器输入设备旋钮和转盘硬件开关继电器气体放电管 - GDT 压敏电阻浪涌抑制器罩类、盒类及壳类产品端子白炽灯和支架电容器电阻器电感器、扼流圈与线圈音频信号变压器电池电池充电器函数发生器与合成器示波器环境检测设备面板表万用表与电压表温度保险丝散热片防静电控制产品工具扁平电缆同轴电缆连接线电线与电缆管理 ESD 抑制器 TVS 二极管电机与驱动器未分类连接器模块式连接器/以太网连接器化学物质胶带线性位移传感器流量传感器液位传感器传感器硬件与配件存储箱与外壳 EMI 滤波器 EMI 抑制电容触摸传感器汽车连接器 I O 连接器 IC 与器件插座编码器存储器 IC 无线与射频模块台式电源交流电源线电源管理 IC 直流电源连接器交流电源输入模块压敏电阻热敏电阻 - NTC 热敏电阻器断路器编码器磁性传感器运动与定位传感器光学传感器压力传感器激光背光元器件开发软件显示器集成电路 - IC 光学探测器和传感器显示模块光纤红外线数据通信超级电容器以太网和通信模块光耦合器光电耦合器频率控制器和定时装置导热接口产品照明连接器圆形连接器音频与视频连接器热敏电阻 - PTC 太阳能连接器光伏连接器温度保险丝电流传感器温度传感器近程传感器 LED保护设备接线端子测试设备配件音频视频测试设备校验设备数据记录与采集光纤测试频率计数器 LAN 电信电缆测试 RF 测试设备电池测试机十进盒元件测试仪绝缘测试器兆欧计驱动器晶闸管 USB连接器 IEEE 1394连接器射频互连信号调节工程工具音频模块 LED 照明开发工具视频模块传感器模块传感器开发工具能量采集模块电源管理IC开发工具电源管理模块变压器 LED发射器散热排 - LED 热基质 - MCPCB 天线射频无线开发工具模块配件衰减器 -互连测试设备电源线无线和射频半导体音频传感器数据转换模块其他模块电源排插 D-Sub连接器热成像摄像机多芯电缆存储器模块和存储卡电位器、微调器和变阻器液体分配器和瓶子嵌入式处理器和控制器交流电源插头和插座数据总线元器件接线系统温度传感器光学开关 FFC FPC跳线电缆编码器计算电路保护套件音频设备环境传感器保险丝座断路器与附件热敏电阻器风扇与鼓风机电源功率调节光纤标准电气架类及柜类产品热电组件 Peltier热电模块电源连接器背板连接器卡缘连接器存储器连接器 FFC FPC 板对板与夹层连接器集管和线壳管脚和插座连接器 I O 模块打印机原型产品焊接工业继电器与电磁阀工业电源工业传感器工业开关工业接线端子块 LED灯泡与模块 LED照明电子器件 LED照明机械器件 LED照明光学器件 LED指示元件分析仪保险丝源测量单元—SMU 校准、保修与服务计划电缆组件自恢复保险丝—PPTC 逆变器 DC/DC转换器光纤连接器计时器计数器和转速计计数器和转速计计时器生物计量传感器标签和工业警告标志军用规格/军用类型电池座、卡扣和接头模拟与数字IC开发工具通信开发工具显示开发工具存储器 IC 开发工具可编程逻辑 IC 开发工具安全/ 验证开发工具嵌入式处理器开发套件嵌入式工具与配件光电开发工具传感器开发工具光纤开发工具力传感器与测压元件配件 LED发射器照明连接器铁氧体软件太阳能板和太阳能电池存储器存储器 IC 相机和配件滤波器直流电源线操纵杆

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Adafruit Advanced Linear Devices Advanced Semiconductor, Inc. Altech Analog Devices Inc. AVX Belden Wire & Cable Bourns Central Semiconductor Comchip Technology Cree, Inc. D3 Semiconductor Diodes Incorporated GaN Systems GeneSiC Semiconductor Honeywell Infineon InterFET IXYS Kyocera Littelfuse MACOM Maxim Integrated MaxLinear MEAN WELL Micro Commercial Components (MCC) Microchip Monolithic Power Systems (MPS) Nexperia NJR NXP Omron ON Semiconductor Panasonic Parallax Power Integrations Rectron Renesas Electronics ROHM Semiconductor Semitec Semtech Sensata Shindengen Silicon Laboratories Skyworks Souriau SparkFun Electronics STMicroelectronics Taiwan Semiconductor TDK-Lambda TE Connectivity Texas Instruments THAT Corporation Torex Semiconductor Toshiba Transphorm TT Electronics UnitedSiC Vishay WeEn Semiconductors Wurth Elektronik

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型号/料号	品牌/制造商	类目	参数	说明
IXTX1R4N450HV	IXYS	分立半导体	典型接通延迟时间:44 ns; 典型关闭延迟时间:126 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:60 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:170 ns; 正向跨导 - 最小值:1.2 S; 商标:IXYS; 类型:High Voltage; 晶体管类型:1 N-Channel; 产品:Power MOSFET Modules; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:960 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:88 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:6 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:40 Ohms; Id-连续漏极电流:1.4 A; Vds-漏源极击穿电压:4500 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS;	MOSFET DISCMOSFET NCH STD-VERYHIVOLT
QDZT18R5.6	ROHM Semiconductor	分立半导体	子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:18000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:0.6 mm; 长度:1 mm; 高度:0.22 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:10 mA; Pd-功率耗散:200 mW; 封装 / 箱体:0402 (1006 metric); 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:5.6 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor;	稳压二极管 0402 1006 Pkg RASMID Series
SQS840CENW-T1_GE3	Vishay	分立半导体	典型接通延迟时间:6.5 ns; 典型关闭延迟时间:26 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:2.7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:4.3 ns; 正向跨导 - 最小值:62 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:33 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:15 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:20 mOhms; Id-连续漏极电流:12 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8W; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay;	MOSFET 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK
PDS4150Q-13	Diodes Incorporated	分立半导体	Vr - 反向电压 :150 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.3 uA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:180 A; Vf - 正向电压:0.77 V; Vrrm - 重复反向电压:150 V; If - 正向电流:8 A; 封装 / 箱体:PowerDI5-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; 制造商:Diodes Incorporated;	肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
NTHL040N65S3HF	ON Semiconductor	分立半导体	典型接通延迟时间:40 ns; 典型关闭延迟时间:102 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:450; 上升时间:32 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:26 ns; 正向跨导 - 最小值:48 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SuperFET3; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:SuperFET III; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:446 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:159 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:32 mOhms; Id-连续漏极电流:65 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor;	MOSFET FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247
SIR106ADP-T1-RE3	Vishay	分立半导体	典型接通延迟时间:15 ns, 18 ns; 典型关闭延迟时间:22 ns, 25 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:7 ns, 8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns, 7 ns; 正向跨导 - 最小值:72 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:N - Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:83.3 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:26.5 nC, 34.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:8 mOhms; Id-连续漏极电流:65.8 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay;	MOSFET N-CHANNEL 100V PowerPAK SO-8
BSC0804LSATMA1	Infineon	分立半导体	子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon;	MOSFET TRENCH >=100V
SIHD690N60E-GE3	Vishay	分立半导体	典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:19 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:9 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:22 ns; 正向跨导 - 最小值:1.2 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:E; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:62.5 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:8 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:700 mOhms; Id-连续漏极电流:6.4 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay;	MOSFET 600V DPAK (TO-252) N-CHANNEL
SIR846BDP-T1-RE3	Vishay	分立半导体	典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:25 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 正向跨导 - 最小值:72 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:83.3 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:34.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:8 mOhms; Id-连续漏极电流:65.8 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay;	MOSFET N-CHANNEL 100-V(D-S) PowerPAK SO-8
SIHJ690N60E-T1-GE3	Vishay	分立半导体	典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:19 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:9 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:22 ns; 商标:Vishay / Siliconix; 系列:E; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:8 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:600 mOhms; Id-连续漏极电流:5.6 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8L; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay;	MOSFET E Series Power MOSFET
BSC0805LSATMA1	Infineon	分立半导体	子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon;	MOSFET TRENCH >=100V
IAUC120N04S6L012ATMA1	Infineon	分立半导体	子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon;	MOSFET MOSFET_(20V 40V)
IAUC120N04S6N013ATMA1	Infineon	分立半导体	子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon;	MOSFET MOSFET_(20V 40V)
SQJA81EP-T1_GE3	Vishay	分立半导体	典型接通延迟时间:16 ns; 典型关闭延迟时间:33 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:68 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:52 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:17.3 mOhms; Id-连续漏极电流:- 46 A; Vds-漏源极击穿电压:- 80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SO-8L; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay;	MOSFET Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SO-8L 90M SG , 17.3 mO @ 10V mO @ 7.5V 26.5 mO @ 4.5V
SIR104ADP-T1-RE3	Vishay	分立半导体	典型接通延迟时间:17 ns, 21 ns; 典型关闭延迟时间:25 ns, 28 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:7 ns, 8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8 ns, 10 ns; 正向跨导 - 最小值:75 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N - Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:100 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:46.1 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:6.1 mOhms; Id-连续漏极电流:81 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay;	MOSFET N-CHANNEL 100V PowerPAK SO-8
FFSD0865B-F085	ON Semiconductor	分立半导体	Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:91 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:42 A; Vf - 正向电压:1.39 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:8 A; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor;	肖特基二极管与整流器 650V 8A SIC SBD GEN1.5
NVMFS5C612NWFT1G	ON Semiconductor	分立半导体	子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 产品类型:MOSFET; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor;	MOSFET 60V 225A 1.65mOhms
NVMFSC1D6N06CL	ON Semiconductor	分立半导体	典型接通延迟时间:14.5 ns; 典型关闭延迟时间:47.5 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:55.6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:14.1 ns; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:166 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:41 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.5 mOhms; Id-连续漏极电流:224 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor;	MOSFET 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL
BSC0403NSATMA1	Infineon	分立半导体	子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 制造商:Infineon;	MOSFET TRENCH >=100V
SIDR390DP-T1-RE3	Vishay	分立半导体	典型接通延迟时间:51 ns; 典型关闭延迟时间:78 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:63 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:27 ns; 商标:Vishay / Siliconix; 系列:SID; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:125 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:153 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V; Rds On-漏源导通电阻:1.15 mOhms; Id-连续漏极电流:100 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay;	MOSFET N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
NTMFSC0D9N04CL	ON Semiconductor	分立半导体	典型接通延迟时间:20.2 ns; 典型关闭延迟时间:77.8 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:94.6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:111 ns; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:167 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:61 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:850 uOhms; Id-连续漏极电流:313 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor;	MOSFET 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL
FFSD0665B	ON Semiconductor	分立半导体	Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:75 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:28 A; Vf - 正向电压:1.38 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:6 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor;	肖特基二极管与整流器 650V 6A SIC SBD GEN1.5
FFSD0865B	ON Semiconductor	分立半导体	Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:91 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:42 A; Vf - 正向电压:1.39 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:8 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor;	肖特基二极管与整流器 650V 8A SIC SBD GEN1.5
NVB150N65S3F	ON Semiconductor	分立半导体	典型接通延迟时间:21 ns; 典型关闭延迟时间:53 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 上升时间:13 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:3 ns; 正向跨导 - 最小值:14 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SuperFET3; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:192 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:43 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:150 mOhms; Id-连续漏极电流:24 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor;	MOSFET 650V FRFET,150M
AIDK08S65C5ATMA1	Infineon	分立半导体	商标名:CoolSiC; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AIDK08S65; RoHS:Y; 制造商:Infineon;	肖特基二极管与整流器 DISCRETE DIODES
AIDK10S65C5ATMA1	Infineon	分立半导体	商标名:CoolSiC; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AIDK10S65; RoHS:Y; 制造商:Infineon;	肖特基二极管与整流器 DISCRETE DIODES
SIHP125N60EF-GE3	Vishay	分立半导体	典型接通延迟时间:19 ns; 典型关闭延迟时间:33 ns; 子类别:MOSFETs; 上升时间:33 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:20 ns; 商标:Vishay Semiconductors; 系列:EF; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:31 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:109 mOhms; Id-连续漏极电流:25 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay;	MOSFET EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode
AIDK12S65C5ATMA1	Infineon	分立半导体	商标名:CoolSiC; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AIDK12S65; RoHS:Y; 制造商:Infineon;	肖特基二极管与整流器 DISCRETE DIODES
NVBLS001N06C	ON Semiconductor	分立半导体	典型接通延迟时间:34 ns; 典型关闭延迟时间:119 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:53 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:91 ns; 正向跨导 - 最小值:290 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:284 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:143 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:0.9 mOhms; Id-连续漏极电流:422 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:H-PSOF-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor;	MOSFET NFET TOLL 60V 1.0MO
IMBF170R650M1XTMA1	Infineon	分立半导体	子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon;	MOSFET SIC DISCRETE
IMZA65R107M1HXKSA1	Infineon	分立半导体	典型接通延迟时间:6.6 ns; 典型关闭延迟时间:12.2 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 上升时间:7.4 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6.4 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:IMZA65R107; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:CoolSiC; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:75 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:15 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:18 V; Rds On-漏源导通电阻:0.142 Ohms; Id-连续漏极电流:20 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Infineon;	MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
2N2945AUB/TR	Microchip	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:30; 集电极连续电流:- 100 mA; 商标:Microchip / Microsemi; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 65 C; 增益带宽产品fT:-; Pd-功率耗散:400 mW; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 集电极—射极饱和电压:-; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 25 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 25 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 20 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:TO-46-3; 安装风格:Through Hole; 制造商:Microchip;	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTs
DF23MR12W1M1PB11BPSA1	Infineon	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:30; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tray; 制造商:Infineon;	分立半导体模块 LOW POWER EASY
FF11MR12W1M1PB11BPSA1	Infineon	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:30; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tray; 制造商:Infineon;	分立半导体模块 LOW POWER EASY
FF600R07ME4BPSA1	Infineon	分立半导体	子类别:IGBTs; 标准包装数量:10; 产品类型:IGBT Modules; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tray; 制造商:Infineon;	IGBT 模块 MEDIUM POWER ECONO
FF8MR12W2M1PB11BPSA1	Infineon	分立半导体	子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:18; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Infineon;	分立半导体模块 LOW POWER EASY
FS950R08A6P2BBPSA1	Infineon	分立半导体	子类别:IGBTs; 标准包装数量:6; 产品类型:IGBT Modules; 湿度敏感性:Yes; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Infineon;	IGBT 模块 HYBRID PACK DRIVE
BSM300C12P3E301	ROHM Semiconductor	分立半导体	Vgs th-栅源极阈值电压:2.7 V; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 典型接通延迟时间:40 ns; 典型关闭延迟时间:170 ns; 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:4; 上升时间:35 ns; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:1360 W; Id-连续漏极电流:300 A; 下降时间:30 ns; 晶体管极性:N-Channel; 商标:ROHM Semiconductor; 配置:Single; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:Screw Mount; Vgs - 栅极-源极电压:22 V; Vr - 反向电压 :1200 V; Vf - 正向电压:1.6 V; 类型:SiC Power Module; 产品:Power MOSFET Modules; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor;	分立半导体模块 SIC Pwr Module Chopper
BC816-16HVL	Nexperia	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:10000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 集电极连续电流:500 mA; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:250; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:-; 增益带宽产品fT:100 MHz; Pd-功率耗散:415 mW; 最大直流电集电极电流:1 A; 集电极—射极饱和电压:400 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:7 V; 集电极—基极电压 VCBO:80 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia;	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC816-16H/SOT23/TO-236AB
BC806-16HVL	Nexperia	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:10000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 集电极连续电流:- 500 mA; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:250; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:-; 增益带宽产品fT:80 MHz; Pd-功率耗散:415 mW; 最大直流电集电极电流:- 1 A; 集电极—射极饱和电压:- 400 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 8 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 80 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 80 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia;	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC806-16H/SOT23/TO-236AB
BC806-25HVL	Nexperia	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:10000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:160; 集电极连续电流:- 500 mA; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:400; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:-; 增益带宽产品fT:80 MHz; Pd-功率耗散:415 mW; 最大直流电集电极电流:- 1 A; 集电极—射极饱和电压:- 400 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 8 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 80 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 80 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia;	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC806-25H/SOT23/TO-236AB
BC816-25HVL	Nexperia	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:10000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:160; 集电极连续电流:500 mA; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:400; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:-; 增益带宽产品fT:100 MHz; Pd-功率耗散:415 mW; 最大直流电集电极电流:1 A; 集电极—射极饱和电压:400 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:7 V; 集电极—基极电压 VCBO:80 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia;	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC816-25H/SOT23/TO-236AB
BAT54W-HG3-18	Vishay	分立半导体	子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:BAT54W-G; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :2 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:600 mA; Vf - 正向电压:240 mV; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:200 mA; 封装 / 箱体:SOD-123; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay;	肖特基二极管与整流器 30V Zener SKY DIODE SOD-123
BAT54W-HG3-08	Vishay	分立半导体	子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:15000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:BAT54W-G; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :2 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:600 mA; Vf - 正向电压:240 mV; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:200 mA; 封装 / 箱体:SOD-123; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay;	肖特基二极管与整流器 30V Zener SKY DIODE SOD-123
UMD12NFHATR	ROHM Semiconductor	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 资格:AEC-Q101; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:100 mV, -100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极连续电流:- 100 mA, 100 mA; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:68; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:1; 典型输入电阻器:47 kOhms; 晶体管极性:NPN, PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor;	双极晶体管 - 预偏置 PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR
NSR07540SLT1G	ON Semiconductor	分立半导体	Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:350 mW; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; Ir - 反向电流 :0.05 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:8 A; Vf - 正向电压:535 mV; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:1.5 A; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor;	肖特基二极管与整流器 40V 0.75A in SOT-23 Single N-Channel
DXTN10060DFJBWQ-7	Diodes Incorporated	分立半导体	子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:250 at 10 mA, 2 V; 集电极连续电流:4 A; 商标:Diodes Incorporated; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:550 at 10 mA, 2 V; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:125 MHz; Pd-功率耗散:1.8 W; 最大直流电集电极电流:6 A; 集电极—射极饱和电压:240 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:8 V; 集电极—基极电压 VCBO:100 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:W-DFN2020-3; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Diodes Incorporated;	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Low Sat Transist
V3PM6HM3/I	Vishay	分立半导体	商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:V3PM6; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :200 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:80 A; Vf - 正向电压:630 mV; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:DO-220AA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay;	肖特基二极管与整流器 60V 3A TMBS SMP (DO-220AA)
DMT35M4LFDF-7	Diodes Incorporated	分立半导体	典型接通延迟时间:3.6 ns; 典型关闭延迟时间:15 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:4.4 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6.9 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:0.86 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:14.9 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:6.9 mOhms; Id-连续漏极电流:13 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:U-DFN2020-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; 制造商:Diodes Incorporated;	MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 3K
V2P22HM3/H	Vishay	分立半导体	商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:4500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:V2P22; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:30 A; Vf - 正向电压:930 mV; Vrrm - 重复反向电压:200 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-219AD; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay;	肖特基二极管与整流器 200V 2A TMBS MicroSMP (DO-219AD)