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分立半导体
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器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
NVMJS2D5N06CLTWG 分立半导体 NVMJS2D5N06CLTWG ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:37 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:55 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8.5 ns; 正向跨导 - 最小值:286 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:113 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:52 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:2.4 mOhms; Id-连续漏极电流:31 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET 60V 2.4 mOhm 155A Single N-Channel
IXGT2N250 分立半导体 IXGT2N250 IXYS 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:30; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:100 nA; 商标:IXYS; 集电极最大连续电流 Ic:13.5 A; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:32 W; 在25 C的连续集电极电流:5.5 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:2.6 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:2500 V; 配置:Single; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:TO-268-3; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; IGBT 晶体管 Disc IGBT NPT-Very Hi Voltage TO-268AA
FF600R12KE4PBOSA1 分立半导体 FF600R12KE4PBOSA1 Infineon 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:8; 产品类型:IGBT Modules; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Infineon; IGBT 模块 MEDIUM POWER 62MM
SISS32LDN-T1-GE3 分立半导体 SISS32LDN-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:12 ns, 22 ns; 典型关闭延迟时间:28 ns, 26 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6 ns, 61 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:1 ns, 10 ns; 正向跨导 - 最小值:55 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:N - Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65.7 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:17.7 nC, 37.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:7.2 mOhms; Id-连续漏极电流:63 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; MOSFET N-CHANNEL 80V PowerPAK 1212-8S
BSC0402NSATMA1 分立半导体 BSC0402NSATMA1 Infineon 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 制造商:Infineon; MOSFET TRENCH >=100V
SIR680ADP-T1-RE3 分立半导体 SIR680ADP-T1-RE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:17 ns, 19 ns; 典型关闭延迟时间:30 ns, 30 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:8 ns, 15 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9 ns, 12 ns; 正向跨导 - 最小值:68 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:N - Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:104 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:43 nC, 55 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:2.88 mOhms; Id-连续漏极电流:125 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; MOSFET N-CHANNEL 80V PowerPAK SO-8
IMW65R072M1HXKSA1 分立半导体 IMW65R072M1HXKSA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:18.2 ns; 典型关闭延迟时间:21.6 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 上升时间:14.6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:IMW65R072; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:CoolSiC; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:96 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:22 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:18 V; Rds On-漏源导通电阻:0.094 Ohms; Id-连续漏极电流:26 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
FFSD0665B-F085 分立半导体 FFSD0665B-F085 ON Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:75 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:28 A; Vf - 正向电压:1.38 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:6 A; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 650V 6A SIC SBD GEN1.5
FFSP2065BDN-F085 分立半导体 FFSP2065BDN-F085 ON Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:650 A; Vf - 正向电压:1.38 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 650V 20A SIC SBD GEN.15
FFSP3065B 分立半导体 FFSP3065B ON Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:197 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:110 A; Vf - 正向电压:1.38 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:30 A; 封装 / 箱体:TO-220-2LD; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 SIC DIODE 650V 30A
FMMT416TD 分立半导体 FMMT416TD Diodes Incorporated 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 at 10 mA, 10 V; 集电极连续电流:500 mA; 商标:Diodes Incorporated; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:40 MHz; Pd-功率耗散:500 mW; 最大直流电集电极电流:60 A; 集电极—射极饱和电压:100 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:7 V; 集电极—基极电压 VCBO:315 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Avalanche Transistor
FFSP4065BDN-F085 分立半导体 FFSP4065BDN-F085 ON Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:95 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:84 A; Vf - 正向电压:1.38 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 650V 40A SIC SBD GEN.15
V3P22-M3/H 分立半导体 V3P22-M3/H Vishay 分立半导体 商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:V3P22; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:60 A; Vf - 正向电压:940 mV; Vrrm - 重复反向电压:200 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:DO-220AA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 200V 3A TMBS SMP (DO-220AA)
NVMFSC0D9N04C 分立半导体 NVMFSC0D9N04C ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:54 ns; 典型关闭延迟时间:220 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:160 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:170 ns; 正向跨导 - 最小值:190 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:166 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:86 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:0.87 mOhms; Id-连续漏极电流:313 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL
IMBF170R1K0M1XTMA1 分立半导体 IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET SIC DISCRETE
FFSH4065BDN-F085 分立半导体 FFSH4065BDN-F085 ON Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:450; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:127 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:84 A; Vf - 正向电压:1.38 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 650V
IMBF170R450M1XTMA1 分立半导体 IMBF170R450M1XTMA1 Infineon 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET SIC DISCRETE
V2P6XHM3/H 分立半导体 V2P6XHM3/H Vishay 分立半导体 商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:V2P6X; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :100 uA; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:640 mV; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-220AA-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 2A 60V SMP TMBS SMP (DO-220AA)
NTMYS5D3N04CTWG 分立半导体 NTMYS5D3N04CTWG ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:11 ns; 典型关闭延迟时间:24 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:72 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8 ns; 正向跨导 - 最小值:53 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:50 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:16 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:5.3 mOhms; Id-连续漏极电流:71 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET 40V 5.3 mOhm 71A Single N-Channel
NTHL027N65S3HF 分立半导体 NTHL027N65S3HF ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:47 ns; 典型关闭延迟时间:124 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:450; 上升时间:38 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:32 ns; 正向跨导 - 最小值:56 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SuperFET3; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:595 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:225 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:27.4 mOhms; Id-连续漏极电流:75 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET FRFET 650V 75A 27.4mOhm
IMZA65R048M1HXKSA1 分立半导体 IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:14.8 ns; 典型关闭延迟时间:17 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 上升时间:12.6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:IMZA65R048; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:CoolSiC; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:125 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:33 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:18 V; Rds On-漏源导通电阻:0.064 Ohms; Id-连续漏极电流:39 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-4; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
FFSD1065B 分立半导体 FFSD1065B ON Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 650V 10A
IXGT32N170-TRL 分立半导体 IXGT32N170-TRL IXYS 分立半导体 商标名:0; 子类别:IGBTs; 标准包装数量:400; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:100 nA; 商标:IXYS; 集电极最大连续电流 Ic:200 A; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:350 W; 在25 C的连续集电极电流:75 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:2.5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V; 配置:Single; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:TO-268-3; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; IGBT 晶体管 IXGT32N170 TRL
DMT12H007LPS-13 分立半导体 DMT12H007LPS-13 Diodes Incorporated 分立半导体 典型接通延迟时间:7.9 ns; 典型关闭延迟时间:30 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:15.4 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:19.1 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:96 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:49 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:7.8 mOhms; Id-连续漏极电流:90 A; Vds-漏源极击穿电压:120 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerDI5060-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; MOSFET MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
SQJQ144AE-T1_GE3 分立半导体 SQJQ144AE-T1_GE3 Vishay 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 产品类型:MOSFET; 商标:Vishay Semiconductors; 系列:SQJQ144AE; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET Auto N-Channel 40V 175C
FFSH5065B-F085 分立半导体 FFSH5065B-F085 ON Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:450; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:301 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:189 A; Vf - 正向电压:1.38 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:50 A; 封装 / 箱体:TO-247-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 650V
IXBH10N300HV 分立半导体 IXBH10N300HV IXYS 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:30; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:100 nA; 商标:IXYS; 集电极最大连续电流 Ic:88 A; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:180 W; 在25 C的连续集电极电流:34 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:2.2 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:3 kV; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247HV-3; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; IGBT 晶体管 DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
SIR170DP-T1-RE3 分立半导体 SIR170DP-T1-RE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:43 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8 ns; 商标:Vishay Semiconductors; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:104 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:93 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 5.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:4 mOhms; Id-连续漏极电流:95 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
STH13N120K5-2AG 分立半导体 STH13N120K5-2AG STMicroelectronics 分立半导体 典型接通延迟时间:23 ns; 典型关闭延迟时间:68.5 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:11 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:18.5 ns; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:250 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:44.2 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:0.69 Ohms; Id-连续漏极电流:12 A; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:H2PAK-2; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
NVHL020N120SC1 分立半导体 NVHL020N120SC1 ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:25 ns; 典型关闭延迟时间:45 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:450; 上升时间:57 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 正向跨导 - 最小值:28 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:535 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:203 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 15 V, 25 V; Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms; Id-连续漏极电流:103 A; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET 20MW 1200V
IXTX4N300P3HV 分立半导体 IXTX4N300P3HV IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:28 ns; 典型关闭延迟时间:82 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:21 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:50 ns; 商标:IXYS; 类型:High Voltage; 产品:Power MOSFET Modules; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:Polar3; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:960 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:139 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:12.5 Ohms; Id-连续漏极电流:4 A; Vds-漏源极击穿电压:3000 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISC MOSFET N-CH STD-POLAR3
NDSH25170A 分立半导体 NDSH25170A ON Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:450; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:385 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.08 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:220 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1700 V; If - 正向电流:25 A; 封装 / 箱体:TO-247-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 SIC JBS 1700V 25A
NTHL020N090SC1 分立半导体 NTHL020N090SC1 ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:40 ns; 典型关闭延迟时间:55 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:450; 上升时间:63 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:49 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:503 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:196 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, 19 V; Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms; Id-连续漏极电流:118 A; Vds-漏源极击穿电压:900 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET 20MOHM 900V
JAN1N483B 分立半导体 JAN1N483B Microchip 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Rectifiers; Pd-功率耗散:500 mW; 商标:Microchip / Microsemi; 产品:Rectifiers; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 最大浪涌电流:2 A; Vf - 正向电压:1 V at 100 mA; 配置:Single; 类型:Standard Recovery Rectifiers; If - 正向电流:100 mA; Vr - 反向电压 :70 V; 封装 / 箱体:DO-35; 安装风格:Through Hole; 制造商:Microchip; 整流器 Switching Diode
IMW65R048M1HXKSA1 分立半导体 IMW65R048M1HXKSA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:14.6 ns; 典型关闭延迟时间:15.4 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 上升时间:12.4 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11.4 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:IMW65R048; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:CoolSiC; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:125 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:33 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:18 V; Rds On-漏源导通电阻:0.064 Ohms; Id-连续漏极电流:39 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R027M1HXKSA1 分立半导体 IMW65R027M1HXKSA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:24.4 ns; 典型关闭延迟时间:22.7 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 上升时间:13.6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:14.2 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:IMW65R027; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:CoolSiC; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:189 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:62 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:18 V; Rds On-漏源导通电阻:0.034 Ohms; Id-连续漏极电流:47 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IXTF1R4N450 分立半导体 IXTF1R4N450 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:44 ns; 典型关闭延迟时间:126 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 上升时间:60 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:170 ns; 商标:IXYS; 类型:High Voltage; 产品:Power MOSFET Modules; 配置:Single; 封装:Tube; Pd-功率耗散:190 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:40 Ohms; Id-连续漏极电流:1.4 A; Vds-漏源极击穿电压:4500 V; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:ISOPLUS i4-Pak; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCH STD-VERYHIVOLT
JANTX1N486B 分立半导体 JANTX1N486B Microchip 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Rectifiers; Pd-功率耗散:500 mW; 商标:Microchip / Microsemi; 产品:Rectifiers; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 最大浪涌电流:2 A; Vf - 正向电压:1 V at 100 mA; 配置:Single; 类型:Standard Recovery Rectifiers; If - 正向电流:100 mA; Vr - 反向电压 :225 V; 封装 / 箱体:DO-35; 安装风格:Through Hole; 制造商:Microchip; 整流器 Switching Diode
NVB190N65S3F 分立半导体 NVB190N65S3F ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:19 ns; 典型关闭延迟时间:43 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 上升时间:13 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:3 ns; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SuperFET3; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:SuperFET III; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:162 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:34 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:190 mOhms; Id-连续漏极电流:20 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET SUPERFET3 650V FRFET,190M
FGY75T95SQDT 分立半导体 FGY75T95SQDT ON Semiconductor 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:450; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:250 uA; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:434 W; 在25 C的连续集电极电流:75 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:1.69 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:950 V; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247-3; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; IGBT 晶体管 950V 75A FS4 IGBT
IM564X6DXKMA1 分立半导体 IM564X6DXKMA1 Infineon 分立半导体 子类别:IGBTs; 产品类型:IGBT Modules; 商标:Infineon Technologies; 制造商:Infineon; IGBT 模块
NTBG020N120SC1 分立半导体 NTBG020N120SC1 ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:25 ns; 典型关闭延迟时间:46 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 上升时间:41 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 正向跨导 - 最小值:34 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:468 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:220 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 15 V, 25 V; Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms; Id-连续漏极电流:98 A; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:D2PAK-7; 安装风格:SMD/SMT; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET SIC MOS 20MW 1200V
SQD10950E_GE3 分立半导体 SQD10950E_GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:8 ns; 典型关闭延迟时间:15 ns; 子类别:MOSFETs; 上升时间:3 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:3 ns; 商标:Vishay / Siliconix; 配置:Single; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:62 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:10.6 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:134.2 mOhms; Id-连续漏极电流:11.5 A; Vds-漏源极击穿电压:250 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; MOSFET Automotive N-Channel 250 V (D-S) 175C MOSFET
Jantx2N4854 分立半导体 Jantx2N4854 Microchip 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:1; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:60; 集电极连续电流:600 mA; 商标:Microchip / Microsemi; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:300; 系列:2N4854; 最大工作温度:+ 200 C; 最小工作温度:- 65 C; Pd-功率耗散:2 W; 最大直流电集电极电流:600 mA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN, PNP; 封装 / 箱体:TO-78-6; 安装风格:Through Hole; 制造商:Microchip; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTs
IXTA96P085T-TRL 分立半导体 IXTA96P085T-TRL IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:23 ns; 典型关闭延迟时间:45 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 上升时间:34 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:22 ns; 正向跨导 - 最小值:40 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 商标名:Trench; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:298 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:180 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2 V; Vgs - 栅极-源极电压:15 V; Rds On-漏源导通电阻:13 mOhms; Id-连续漏极电流:- 96 A; Vds-漏源极击穿电压:85 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET IXTA96P085T TRL
IMW65R107M1HXKSA1 分立半导体 IMW65R107M1HXKSA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:9.2 ns; 典型关闭延迟时间:12.6 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 上升时间:11.4 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6.2 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:IMW65R107; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:CoolSiC; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:75 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:15 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:18 V; Rds On-漏源导通电阻:0.142 Ohms; Id-连续漏极电流:20 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
FGY75T95LQDT 分立半导体 FGY75T95LQDT ON Semiconductor 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:450; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:250 uA; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:453 W; 在25 C的连续集电极电流:75 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:1.3 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:950 V; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247-2; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; IGBT 晶体管 950V 75A FS4 IGBT
FFSP2065B 分立半导体 FFSP2065B ON Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:150 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:84 A; Vf - 正向电压:1.38 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-220-2LD; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 SIC DIODE 650V 20A
FFSB3065B 分立半导体 FFSB3065B ON Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 650V 30A SIC SBD GEN1.5
IXBH2N250 分立半导体 IXBH2N250 IXYS 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:30; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:100 nA; 商标:IXYS; 集电极最大连续电流 Ic:13 A; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:32 W; 在25 C的连续集电极电流:5 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:3.15 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:2500 V; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247-3; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; IGBT 晶体管 Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
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