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分立半导体
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器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
FFSB1065B-F085 分立半导体 FFSB1065B-F085 ON Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:79 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:45 A; Vf - 正向电压:1.38 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:27 A; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 650V 10A SIC SBD G EN1.5
FFSH5065A-F155 分立半导体 FFSH5065A-F155 ON Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:450; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:429 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :200 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:200 A; Vf - 正向电压:1.51 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:60 A; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 SIC DIODE TO247 650V
EDZVFHT2R6.2B 分立半导体 EDZVFHT2R6.2B ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :1 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:0.8 mm; 端接类型:SMD/SMT; 长度:1.2 mm; 高度:0.6 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:60 Ohms; 齐纳电流:5 mA; Pd-功率耗散:150 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:6.06 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 稳压二极管 6.06-6.33V 5mA SOD-523; EMD2
KDZVTFTR24B 分立半导体 KDZVTFTR24B ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :10 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.6 mm; 长度:2.6 mm; 高度:0.8 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 齐纳电流:10 mA; Pd-功率耗散:1000 mW; 封装 / 箱体:SOD-123FL-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:24 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 稳压二极管 24-27.6V 10mA SOD-123FL; PMDU
IAUA200N04S5N010AUMA1 分立半导体 IAUA200N04S5N010AUMA1 Infineon 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Infineon Technologies; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:167 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:37 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:200 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:HSOF-5; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET MOSFET_(20V 40V)
2SC4081U3HZGT106Q 分立半导体 2SC4081U3HZGT106Q ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:120; 集电极连续电流:150 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:560; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:180 MHz; Pd-功率耗散:200 mW; 最大直流电集电极电流:200 mA; 集电极—射极饱和电压:400 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:7 V; 集电极—基极电压 VCBO:60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-323-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 0.15A 0.2W SOT-323
NSVR201MXT5G 分立半导体 NSVR201MXT5G ON Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :10 uA; 技术:Si; 配置:Single; Vf - 正向电压:320 mV; Vrrm - 重复反向电压:2 V; If - 正向电流:50 mA; 封装 / 箱体:X2DFN-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 RF SCHOTTKY BARRIER
BSC022N04LS6ATMA1 分立半导体 BSC022N04LS6ATMA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:5 ns; 典型关闭延迟时间:16 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 上升时间:2.1 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:4 ns; 正向跨导 - 最小值:170 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:79 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:28 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:2.2 mOhms; Id-连续漏极电流:100 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TDSON-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET TRENCH <= 40V
FCMT125N65S3 分立半导体 FCMT125N65S3 ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:22 ns; 典型关闭延迟时间:60 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:22 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5.8 ns; 正向跨导 - 最小值:16 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:181 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:49 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:125 mOhms; Id-连续漏极电流:24 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PQFN-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET SF3 650V 125MOHM MO SFET
NVHL027N65S3F 分立半导体 NVHL027N65S3F ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:46 ns; 典型关闭延迟时间:147 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:450; 上升时间:59 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:42 ns; 正向跨导 - 最小值:57 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SuperFET3; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:SuperFET III; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:595 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:227 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:27.4 mOhms; Id-连续漏极电流:75 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET SUPERFET3 650V TO247 PKG
BSZ009NE2LS5ATMA1 分立半导体 BSZ009NE2LS5ATMA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:7 ns; 典型关闭延迟时间:31 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 上升时间:9 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:17 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:OptiMOS; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:69 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:92 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:16 V; Rds On-漏源导通电阻:1.2 mOhms; Id-连续漏极电流:40 A; Vds-漏源极击穿电压:25 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TSDSON-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET TRENCH <= 40V
STPSC8H065DLF 分立半导体 STPSC8H065DLF STMicroelectronics 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPSC8H065DLF; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :7 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:75 A; Vf - 正向电压:1.38 V at 8 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:8 A; 封装 / 箱体:PowerFLAT-5; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
NTP190N65S3HF 分立半导体 NTP190N65S3HF ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:19 ns; 典型关闭延迟时间:58 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 上升时间:19 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:14 ns; 正向跨导 - 最小值:11 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SuperFET3; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:SuperFET III; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:162 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:34 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:190 mOhms; Id-连续漏极电流:20 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET SUPERFET3 650V FRFET 190M
VS-63CTQ100-M3 分立半导体 VS-63CTQ100-M3 Vishay 分立半导体 Vr - 反向电压 :100 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.02 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:1500 A; Vf - 正向电压:0.78 V; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:30 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 100V 2 x 30A IF C.A. TO-220AB
C6D08065A 分立半导体 C6D08065A Cree, Inc. 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:92.6 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :2 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:69 A; Vf - 正向电压:1.27 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:8 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 肖特基二极管与整流器 8A 650V GEN6 SiC Schottky Diode
NVMTS0D7N06CLTXG 分立半导体 NVMTS0D7N06CLTXG ON Semiconductor 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:ON Semiconductor; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:294.6 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:72 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:464 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET AFSM T6 60V LL NCH
NTHL050N65S3HF 分立半导体 NTHL050N65S3HF ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:34 ns; 典型关闭延迟时间:91 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:450; 上升时间:31 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:25 ns; 正向跨导 - 最小值:36 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SuperFET3; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:SuperFET III; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:378 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:125 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:50 mOhms; Id-连续漏极电流:58 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET SF3 650V 50MOHM
VS-20CTQ150-M3 分立半导体 VS-20CTQ150-M3 Vishay 分立半导体 Vr - 反向电压 :150 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :3 uA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:1030 A; Vf - 正向电压:0.8 V; Vrrm - 重复反向电压:150 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3L; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 150V 2 x 10A IF C.A. TO-220AB
STPS10M120SF 分立半导体 STPS10M120SF STMicroelectronics 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:6000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 系列:STPS10M120SF; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :25 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:340 A; Vf - 正向电压:0.82 V; Vrrm - 重复反向电压:120 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-277A-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
STD12N60DM2AG 分立半导体 STD12N60DM2AG STMicroelectronics 分立半导体 典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:30 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9.5 ns; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:STD12N60DM2AG; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:110 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:14.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:440 mOhms; Id-连续漏极电流:10 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
SIHP22N60EF-GE3 分立半导体 SIHP22N60EF-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:58 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:21 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:25 ns; 正向跨导 - 最小值:5.8 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:EF; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:179 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:96 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:182 mOhms; Id-连续漏极电流:19 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220AB; w/diode
STPS10M60SFY 分立半导体 STPS10M60SFY STMicroelectronics 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:6000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 资格:AEC-Q100; 系列:STPS10M60SFY; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :50 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:230 A; Vf - 正向电压:0.65 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-277A-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
VS-32CTQ030-M3 分立半导体 VS-32CTQ030-M3 Vishay 分立半导体 Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1.75 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:900 A; Vf - 正向电压:0.49 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 30V 2 x 15A IF C.A. TO-220AB
VS-40CTQ150-M3 分立半导体 VS-40CTQ150-M3 Vishay 分立半导体 Vr - 反向电压 :150 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :50 uA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:1500 A; Vf - 正向电压:0.93 V; Vrrm - 重复反向电压:150 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 150V 2 x 20A IF C.A. TO-220AB
BSC070N10LS5ATMA1 分立半导体 BSC070N10LS5ATMA1 Infineon 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 系列:BSC070N10; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:83 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:20 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:79 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TDSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET TRENCH >=100V
IPT026N10N5ATMA1 分立半导体 IPT026N10N5ATMA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:17 ns; 典型关闭延迟时间:38 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:11 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:105 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:214 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:96 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.8 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:2.6 mOhms; Id-连续漏极电流:202 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:HSOF-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET TRENCH >=100V
SIHH068N60E-T1-GE3 分立半导体 SIHH068N60E-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:56 ns; 典型关闭延迟时间:60 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:148 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:30 ns; 正向跨导 - 最小值:9.3 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel E-Series Power MOSFET; 系列:E; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:202 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:80 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:68 mOhms; Id-连续漏极电流:34 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
RB095BGE-60TL 分立半导体 RB095BGE-60TL ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :0.3 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.58 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:6 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 60V Vr; 6A Io TO-252 SBD
BSC146N10LS5ATMA1 分立半导体 BSC146N10LS5ATMA1 Infineon 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET TRENCH >=100V
IMZ120R060M1HXKSA1 分立半导体 IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:6 ns; 典型关闭延迟时间:12.7 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 上升时间:5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10.8 ns; 正向跨导 - 最小值:7 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:IMZ120R060; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:CoolSiC; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:150 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:31 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 7 V, 23 V; Rds On-漏源导通电阻:78 mOhms; Id-连续漏极电流:36 A; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-4; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET SIC DISCRETE
SISS10ADN-T1-GE3 分立半导体 SISS10ADN-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:13 ns; 典型关闭延迟时间:30 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 正向跨导 - 最小值:80 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:56.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:61 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V, - 16 V; Rds On-漏源导通电阻:2.65 mOhms; Id-连续漏极电流:31.7 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8S
SCS320AHGC9 分立半导体 SCS320AHGC9 ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:115 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tube; 系列:SCS3x; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.06 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:123 A; Vf - 正向电压:1.35 V at 20 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-220ACP-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 650V;20A;115W SiC SBD TO-220ACP
IPD650P06NMATMA1 分立半导体 IPD650P06NMATMA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:33 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:14 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:12 ns; 正向跨导 - 最小值:21 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:IPD06P003; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:83 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:- 39 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:65 mOhms; Id-连续漏极电流:- 22 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET TRENCH 40<-<100V
STBR3012G2Y-TR 分立半导体 STBR3012G2Y-TR STMicroelectronics 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:STBR3012-Y; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :2 uA; 最大浪涌电流:300 A; Vf - 正向电压:1.05 V at 30 A; 配置:Single; 类型:Standard Recovery Rectifiers; If - 正向电流:30 A; Vr - 反向电压 :1200 V; 封装 / 箱体:D2PAK-HV-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
FFSB2065B-F085 分立半导体 FFSB2065B-F085 ON Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:153 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:84 A; Vf - 正向电压:1.38 V at 20 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:D2PAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 Auto SiC Schottky Diode, 650 V
FS100R12W2T7B11BOMA1 分立半导体 FS100R12W2T7B11BOMA1 Infineon 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:15; 产品类型:IGBT Modules; 栅极/发射极最大电压:20 V; 安装风格:Screw Mount; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; 封装 / 箱体:AG-EASY2B-2; 栅极—射极漏泄电流:100 nA; 在25 C的连续集电极电流:70 A; 集电极—射极饱和电压:1.5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V; 配置:6-Pack; 产品:IGBT Silicon Modules; RoHS:Y; 制造商:Infineon; IGBT 模块 LOW POWER EASY
PMEG045T100EPDAZ 分立半导体 PMEG045T100EPDAZ Nexperia 分立半导体 Vr - 反向电压 :45 V; trr - 反向恢复时间 :40 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:2.15 W; 商标:Nexperia; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :22 uA; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:130 A; Vf - 正向电压:480 mV; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:14 A; 封装 / 箱体:CFP-15-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODES
SISS32DN-T1-GE3 分立半导体 SISS32DN-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:19 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 正向跨导 - 最小值:50 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SIS; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65.7 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:42 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:7.2 mOhms; Id-连续漏极电流:63 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 80V Vds; 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
FFSM1265A 分立半导体 FFSM1265A ON Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:80 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :200 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:63 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:12 A; 封装 / 箱体:PQFN-4; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 650V 12A SIC SBD
IMZ120R090M1HXKSA1 分立半导体 IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:5.4 ns; 典型关闭延迟时间:11.5 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 上升时间:3 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 正向跨导 - 最小值:5 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:IMZ120RXM1H; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:CoolSiC; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:115 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:21 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 7 V, 23 V; Rds On-漏源导通电阻:117 Ohms; Id-连续漏极电流:26 A; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-4; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET SIC DISCRETE
PDZVTFTR5.6B 分立半导体 PDZVTFTR5.6B ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:2.5 mm; 长度:3.7 mm; 高度:0.95 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:8 Ohms; 齐纳电流:40 mA; Pd-功率耗散:1000 mW; 封装 / 箱体:SOD-128-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:5.6 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 稳压二极管 5.6-6.3V 40mA SOD-128; PMDTM
KDZVTFTR20B 分立半导体 KDZVTFTR20B ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :10 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.6 mm; 长度:2.6 mm; 高度:0.8 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 齐纳电流:20 mA; Pd-功率耗散:1000 mW; 封装 / 箱体:SOD-123FL-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:20 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 稳压二极管 20-22.4V 20mA SOD-123FL; PMDU
SISS61DN-T1-GE3 分立半导体 SISS61DN-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:90 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:10 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:15 ns; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:154 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 0.9 V; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:2.9 mOhms; Id-连续漏极电流:- 111.9 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET Pch 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S
SISH434DN-T1-GE3 分立半导体 SISH434DN-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:20 ns; 典型关闭延迟时间:25 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:15 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:12 ns; 正向跨导 - 最小值:60 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SIS; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:52 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:40 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:7.6 mOhms; Id-连续漏极电流:35 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8S; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
BSZ010NE2LS5ATMA1 分立半导体 BSZ010NE2LS5ATMA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:12.6 ns; 典型关闭延迟时间:19.3 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7.2 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:OptiMOS; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:69 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:21 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:16 V; Rds On-漏源导通电阻:1 mOhms; Id-连续漏极电流:40 A; Vds-漏源极击穿电压:25 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TSDSON-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET TRENCH <= 40V
PSMNR90-40YLHX 分立半导体 PSMNR90-40YLHX Nexperia 分立半导体 典型接通延迟时间:45 ns; 典型关闭延迟时间:59 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:46 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:33 ns; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:333 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:120 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.35 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:940 uOhms; Id-连续漏极电流:300 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK56-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; MOSFET N-CH 40 V LOGIC LEVEL
IAUC100N10S5N040ATMA1 分立半导体 IAUC100N10S5N040ATMA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:19 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 上升时间:5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:14 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:167 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:78 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:5.6 mOhms; Id-连续漏极电流:100 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TDSON-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET MOSFET_(75V 120V(
SUM70030E-GE3 分立半导体 SUM70030E-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:30 ns; 典型关闭延迟时间:50 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 上升时间:13 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:15 ns; 正向跨导 - 最小值:110 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:375 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:214 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:2.88 mOhms; Id-连续漏极电流:150 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 100V Vds; 20V Vgs TO-263
SCS320AMC 分立半导体 SCS320AMC ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; trr - 反向恢复时间 :25 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:41 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tube; 系列:SCS3x; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.06 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:123 A; Vf - 正向电压:1.35 V at 20 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-220FM-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 SIC SBD 650V 20A 41W TO-220FM
STW75N60DM6 分立半导体 STW75N60DM6 STMicroelectronics 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:600; 产品类型:MOSFET; 商标:STMicroelectronics; 系列:DM6; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:446 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:117 nC; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:36 mOhms; Id-连续漏极电流:72 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
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