首页 元器件分类 工厂库存 新闻中心 元器件百科 关于公司
类目:
分立半导体
展开
品牌:
展开
器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
IXFN70N100X 分立半导体 IXFN70N100X IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:48 ns; 典型关闭延迟时间:127 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10; 上升时间:20 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9 ns; 正向跨导 - 最小值:34 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:X-Class; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1200 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:350 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:89 mOhms; Id-连续漏极电流:65 A; Vds-漏源极击穿电压:1000 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-227-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET 1000V 65A SOT-227 Power MOSFET
BSS84Q-7-F 分立半导体 BSS84Q-7-F Diodes Incorporated 分立半导体 典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:18 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 正向跨导 - 最小值:0.05 S; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:300 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:0.28 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:10 Ohms; Id-连续漏极电流:- 130 mA; Vds-漏源极击穿电压:50 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; MOSFET BSS Family
PDS3100Q-13 分立半导体 PDS3100Q-13 Diodes Incorporated 分立半导体 Vr - 反向电压 :100 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :2 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:90 A; Vf - 正向电压:0.78 V; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:PowerDI5; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; 肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
BSC027N10NS5ATMA1 分立半导体 BSC027N10NS5ATMA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:13 ns; 典型关闭延迟时间:41 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 上升时间:14 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:18 ns; 正向跨导 - 最小值:75 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:BSC027N; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:OptiMOS 5; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:214 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:111 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:2.7 mOhms; Id-连续漏极电流:100 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TSON-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET TRENCH >=100V
IPB110P06LMATMA1 分立半导体 IPB110P06LMATMA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:22 ns; 典型关闭延迟时间:277 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:33 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:74 ns; 正向跨导 - 最小值:100 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:IPB06P001; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:300 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:- 281 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:11 mOhms; Id-连续漏极电流:- 100 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET TRENCH 40<-<100V
IMZ120R030M1HXKSA1 分立半导体 IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:7.7 ns; 典型关闭延迟时间:17.3 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 上升时间:11.6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11.5 ns; 正向跨导 - 最小值:14 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:IMZ120R030; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:CoolSiC; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:227 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:63 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 7 V, 23 V; Rds On-漏源导通电阻:40 mOhms; Id-连续漏极电流:56 A; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-4; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET SIC DISCRETE
RB520SM-40FHT2R 分立半导体 RB520SM-40FHT2R ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :10 uA; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:1 A; Vf - 正向电压:0.55 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:200 mA; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 40V Vr; 0.2A IO SOD-523; EMD2
2N2219 PBFREE 分立半导体 2N2219 PBFREE Central Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 at 150 mA, 10 V; 集电极连续电流:800 mA; 商标:Central Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:300 at 150 mA, 10 V; 封装:Bulk; 系列:2N22; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; 增益带宽产品fT:250 MHz; Pd-功率耗散:800 mW; 集电极—射极饱和电压:1.6 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:TO-39-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Central Semiconductor; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 800mA 800mW
IPP60R022S7XKSA1 分立半导体 IPP60R022S7XKSA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:30 ns; 典型关闭延迟时间:150 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:500; 上升时间:9 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:390 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:150 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:22 mOhms; Id-连续漏极电流:23 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET HIGH POWER_NEW
IMW120R030M1HXKSA1 分立半导体 IMW120R030M1HXKSA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:7 ns; 典型关闭延迟时间:17 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 上升时间:19 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:14 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:IMW120R030; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:CoolSiC; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:227 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:63 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:23 V; Rds On-漏源导通电阻:40 mOhms; Id-连续漏极电流:56 A; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET SIC DISCRETE
SIR626LDP-T1-RE3 分立半导体 SIR626LDP-T1-RE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:17 ns; 典型关闭延迟时间:45 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:64 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:140 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SIR; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:104 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:135 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.5 mOhms; Id-连续漏极电流:186 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 60V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8
C6D10065A 分立半导体 C6D10065A Cree, Inc. 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:109 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :2 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:86 A; Vf - 正向电压:1.27 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; 肖特基二极管与整流器 10A 650V GEN6 SiC Schottky Diode
STPS1045SF 分立半导体 STPS1045SF STMicroelectronics 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:6000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 系列:STPS1045SF; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :50 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:210 A; Vf - 正向电压:0.62 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-277A-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
FF6MR12W2M1B11BOMA1 分立半导体 FF6MR12W2M1B11BOMA1 Infineon 分立半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:3.45 V; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 典型接通延迟时间:20.4 ns; 典型关闭延迟时间:62.6 ns; 商标名:EasyDUAL; CoolSiC; 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:15; 上升时间:18.7 ns; Rds On-漏源导通电阻:5.63 mOhms; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; 工作电源电压:-; Id-连续漏极电流:200 A; 下降时间:30 ns; 晶体管极性:N-Channel; 商标:Infineon Technologies; 配置:Dual; 封装:Tray; 系列:FFXMR12; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 封装 / 箱体:Module; 安装风格:Screw Mount; Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, 20 V; Vr - 反向电压 :1200 V; Vf - 正向电压:4.6 V; 类型:EasyDUAL Module; 产品:Power MOSFET Modules; RoHS:Y; 制造商:Infineon; 分立半导体模块 LOW POWER EASY
IXFN170N65X2 分立半导体 IXFN170N65X2 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:60 ns; 典型关闭延迟时间:133 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:10; 上升时间:15 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 正向跨导 - 最小值:55 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:650V Ultra Junction X2; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.17 kW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:434 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:13 mOhms; Id-连续漏极电流:170 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-227-4; 安装风格:Chassis Mount; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET 650V/170A miniBLOC SOT-227
VS-43CTQ100-M3 分立半导体 VS-43CTQ100-M3 Vishay 分立半导体 Vr - 反向电压 :100 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:850 A; Vf - 正向电压:0.81 V; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3L; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 100V 2 x 20A IF C.A. TO-220AB
GAN063-650WSAQ 分立半导体 GAN063-650WSAQ Nexperia 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 产品类型:MOSFET; 商标:Nexperia; 配置:Single; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:143 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:15 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:34.5 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 制造商:Nexperia; MOSFET 650V 50MO GALLIUM NITRIDE
SISS05DN-T1-GE3 分立半导体 SISS05DN-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:16 ns; 典型关闭延迟时间:47 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:15 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65.7 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:76 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, 16 V; Rds On-漏源导通电阻:5.8 mOhms; Id-连续漏极电流:- 108 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
BSZ018N04LS6ATMA1 分立半导体 BSZ018N04LS6ATMA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:5 ns; 典型关闭延迟时间:18 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 上升时间:1.6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:4 ns; 正向跨导 - 最小值:110 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:BSZ0xx; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 商标名:OptiMOS; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:83 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:31 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.8 mOhms; Id-连续漏极电流:40 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TSDSON-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET TRENCH <= 40V
VS-60CTQ150-M3 分立半导体 VS-60CTQ150-M3 Vishay 分立半导体 Vr - 反向电压 :150 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :7 uA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:710 A; Vf - 正向电压:0.98 V; Vrrm - 重复反向电压:150 V; If - 正向电流:30 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 150V 2 x 30A IF C.A. TO-220AB
BSC096N10LS5ATMA1 分立半导体 BSC096N10LS5ATMA1 Infineon 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 系列:BSC096N10; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:83 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:14.6 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:72 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PG-TDSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET TRENCH >=100V
NTHL033N65S3HF 分立半导体 NTHL033N65S3HF ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:43 ns; 典型关闭延迟时间:110 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:450; 上升时间:35 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:28 ns; 正向跨导 - 最小值:49 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:500 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:188 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:33 mOhms; Id-连续漏极电流:70 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III
SBR10M100P5Q-13 分立半导体 SBR10M100P5Q-13 Diodes Incorporated 分立半导体 Vr - 反向电压 :100 V; trr - 反向恢复时间 :18 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Diodes Incorporated; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:SBR10M100P5Q; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :100 nA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:220 A; Vf - 正向电压:0.78 V; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:PowerDI5-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:E; 制造商:Diodes Incorporated; 肖特基二极管与整流器 SBR Diode
IMZ120R045M1XKSA1 分立半导体 IMZ120R045M1XKSA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:9 ns; 典型关闭延迟时间:17 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 上升时间:18 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:11.1 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:IMZ120RXM1; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:CoolSiC; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:228 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:52 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, 20 V; Rds On-漏源导通电阻:59 mOhms; Id-连续漏极电流:52 A; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-7; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET SIC DISCRETE
AFGHL50T65SQDC 分立半导体 AFGHL50T65SQDC ON Semiconductor 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:450; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:400 nA; 商标:ON Semiconductor; 集电极最大连续电流 Ic:100 A; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:268 W; 在25 C的连续集电极电流:100 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:1.6 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247-3; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; IGBT 晶体管 Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
RB751SM-40FHT2R 分立半导体 RB751SM-40FHT2R ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:0.2 A; Vf - 正向电压:0.37 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:30 mA; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 30V Vr; 0.03A IO SOD-523; EMD2
VS-19TQ015-M3 分立半导体 VS-19TQ015-M3 Vishay 分立半导体 Vr - 反向电压 :15 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :10.5 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:700 A; Vf - 正向电压:0.36 V; Vrrm - 重复反向电压:15 V; If - 正向电流:19 A; 封装 / 箱体:TO-220AC-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 15V 19A IF Single TO-220AC
FFSH2065B-F085 分立半导体 FFSH2065B-F085 ON Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:450; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:148 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:84 A; Vf - 正向电压:1.38 V at 20 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-247-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 Auto SiC Schottky Diode, 650 V
IAUA180N04S5N012AUMA1 分立半导体 IAUA180N04S5N012AUMA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:9 ns; 典型关闭延迟时间:19 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:5 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:10 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:125 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:75 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.4 mOhms; Id-连续漏极电流:180 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:HSOF-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET MOSFET_(20V 40V)
FFSD0465A 分立半导体 FFSD0465A ON Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:61 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :200 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:18 A, 38 A, 360 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:4 A; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 650V 4A SIC SBD
SIDR608DP-T1-RE3 分立半导体 SIDR608DP-T1-RE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:19 ns; 典型关闭延迟时间:50 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:10 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8 ns; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:104 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:111 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, 20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.8 mOhms; Id-连续漏极电流:208 A; Vds-漏源极击穿电压:45 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET N-Channel 45 V (D-S) MOSFET
V30D170CHM3/I 分立半导体 V30D170CHM3/I Vishay 分立半导体 Vr - 反向电压 :170 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :0.2 mA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:260 A; Vf - 正向电压:0.8 V at 15 A; Vrrm - 重复反向电压:170 V; If - 正向电流:30 A; 封装 / 箱体:TO-263AC-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 30A,170V,SMPD, TRENCH SKY RECT.
V30D170C-M3/I 分立半导体 V30D170C-M3/I Vishay 分立半导体 Vr - 反向电压 :170 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :0.2 mA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:260 A; Vf - 正向电压:0.8 V at 15 A; Vrrm - 重复反向电压:170 V; If - 正向电流:30 A; 封装 / 箱体:TO-263AC-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 30A,170V,SMPD, TRENCH SKY RECT.
SCS304AJTLL 分立半导体 SCS304AJTLL ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; trr - 反向恢复时间 :14 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:37 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SCS3x; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.012 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:27 A; Vf - 正向电压:1.35 V at 4 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:4 A; 封装 / 箱体:TO-263AB-4; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 SIC SBD 650V 4A 37W TO-263AB (LPTL)
FDMS3D5N08LC 分立半导体 FDMS3D5N08LC ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:70 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:20 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:22 ns; 正向跨导 - 最小值:300 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:PowerTrench; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:125 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:82 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:3.5 mOhms; Id-连续漏极电流:136 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PQFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET PTNG 80/20V IN 5X6CL IP
BSC007N04LS6ATMA1 分立半导体 BSC007N04LS6ATMA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:8 ns; 典型关闭延迟时间:40 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:300 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:188 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:94 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:700 uOhms; Id-连续漏极电流:100 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TDSON-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET TRENCH <= 40V
SCS304AMC 分立半导体 SCS304AMC ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; trr - 反向恢复时间 :14 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:26 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:SCS3x; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.012 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:27 A; Vf - 正向电压:1.35 V at 4 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:4 A; 封装 / 箱体:TO-220FM-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 SIC SBD 650V 4A 26W TO-220FM
IPB65R190C7ATMA2 分立半导体 IPB65R190C7ATMA2 Infineon 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET HIGH POWER_NEW
SQUN702E-T1_GE3 分立半导体 SQUN702E-T1_GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:7 ns, 8 ns, 10 ns; 典型关闭延迟时间:15 ns, 22 ns, 43 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:3 ns, 9 ns, 12 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:2 ns, 10 ns, 19 ns; 正向跨导 - 最小值:16 S, 19 S, 65 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:2 N-Channel, 1 P-Channel; 配置:Triple; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:48 W, 60 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:14 nC, 23 nC, 30.2 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V, 2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms; Id-连续漏极电流:20 A, 30 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V, 200 V; 通道数量:3 Channel; 晶体管极性:N-Channel, P-Channel; 封装 / 箱体:DIE; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET Automotive 40 V N- and P-Channel Common Drain MOSFET Pair and 200 V N-Channel MOSFET
SIHP180N60E-GE3 分立半导体 SIHP180N60E-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:14 ns; 典型关闭延迟时间:22 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 上升时间:49 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:23 ns; 正向跨导 - 最小值:5.3 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel E-Series Power MOSFET; 系列:E; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:156 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:22 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:180 mOhms; Id-连续漏极电流:19 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
SCS310AMC 分立半导体 SCS310AMC ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; trr - 反向恢复时间 :15 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:34 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tube; 系列:SCS3x; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.03 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:82 A; Vf - 正向电压:1.35 V at 10 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-220FM-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 650V;10A;34W SiC SBD TO-220FM
FFSD1065B-F085 分立半导体 FFSD1065B-F085 ON Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:98 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:45 A; Vf - 正向电压:1.38 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 650V 10A SIC SBD G EN1.5
FGH75T65SHDTLN4 分立半导体 FGH75T65SHDTLN4 ON Semiconductor 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:450; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:400 nA; 商标:ON Semiconductor; 集电极最大连续电流 Ic:150 A; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:455 W; 在25 C的连续集电极电流:150 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:1.6 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247-4; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; IGBT 晶体管 FS3 T TO247 75A 65
IMZ120R140M1HXKSA1 分立半导体 IMZ120R140M1HXKSA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:5 ns; 典型关闭延迟时间:10.3 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 上升时间:2 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11.6 ns; 正向跨导 - 最小值:3 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:IMZ120R140; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:CoolSiC; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:94 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:13 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 7 V, 23 V; Rds On-漏源导通电阻:182 mOhms; Id-连续漏极电流:19 A; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-4; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET SIC DISCRETE
FP10R12W1T7B11BOMA1 分立半导体 FP10R12W1T7B11BOMA1 Infineon 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:24; 产品类型:IGBT Modules; 栅极/发射极最大电压:20 V; 安装风格:Screw Mount; 商标:Infineon Technologies; 技术:Si; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; 封装 / 箱体:AG-EASY1B-2; 栅极—射极漏泄电流:100 nA; 在25 C的连续集电极电流:10 A; 集电极—射极饱和电压:1.6 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V; 配置:PIM; 产品:IGBT Silicon Modules; RoHS:Y; 制造商:Infineon; IGBT 模块 LOW POWER EASY
RB095BGE-40TL 分立半导体 RB095BGE-40TL ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :0.1 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.55 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:6 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 40V Vr; 6A Io TO-252 SBD
SIS126DN-T1-GE3 分立半导体 SIS126DN-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:13 ns; 典型关闭延迟时间:16 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 正向跨导 - 最小值:39 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:52 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:21.1 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:10.2 mOhms; Id-连续漏极电流:45.1 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; MOSFET N-Channel 80 V (D-S) MOSFET
SISS06DN-T1-GE3 分立半导体 SISS06DN-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:13 ns; 典型关闭延迟时间:30 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:95 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SIS; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65.7 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:77 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, 20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.38 mOhms; Id-连续漏极电流:172.6 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8S; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 30V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8S
SISS42LDN-T1-GE3 分立半导体 SISS42LDN-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:26 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 正向跨导 - 最小值:70 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SIS; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:57 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:48 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:14.9 mOhms; Id-连续漏极电流:39 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8S; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET Nch 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
SISH110DN-T1-GE3 分立半导体 SISH110DN-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:36 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:10 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:71 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET; 系列:SIS; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:3.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:21 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:5.3 mOhms; Id-连续漏极电流:21.1 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8SH; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
当前是第 20 页
@Copyright 2019-2023 深圳市芯链芯数据技术有限公司
粤ICP备2021069316号 - www.chipsresale.com
QQ客服
在线客服