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分立半导体
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器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
SCS315AJTLL 分立半导体 SCS315AJTLL ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; trr - 反向恢复时间 :21 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:100 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tube; 系列:SCS3x; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.045 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:112 A; Vf - 正向电压:1.35 V at 15 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:TO-263AB-4; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 SIC SBD 650V 15A 100W TO-263AB (LPTL)
SCS315AMC 分立半导体 SCS315AMC ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :650 V; trr - 反向恢复时间 :21 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:39 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tube; 系列:SCS3x; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.045 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:112 A; Vf - 正向电压:1.35 V at 15 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:TO-220FM-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 SIC SBD 650V 15A 39W TO-220FM
SIHB35N60EF-GE3 分立半导体 SIHB35N60EF-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:28 ns; 典型关闭延迟时间:96 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 上升时间:85 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:61 ns; 正向跨导 - 最小值:8 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel EF-Series Power MOSFET; 系列:EF; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:250 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:134 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:97 mOhms; Id-连续漏极电流:32 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
SIHP35N60EF-GE3 分立半导体 SIHP35N60EF-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:28 ns; 典型关闭延迟时间:96 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 上升时间:85 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:61 ns; 正向跨导 - 最小值:8 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel EF-Series Power MOSFET; 系列:EF; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:250 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:134 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:97 mOhms; Id-连续漏极电流:32 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
IPB60R090CFD7ATMA1 分立半导体 IPB60R090CFD7ATMA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:33 ns; 典型关闭延迟时间:88 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:17 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:124 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:51 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:90 mOhms; Id-连续漏极电流:25 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET HIGH POWER_NEW
NVHL082N65S3F 分立半导体 NVHL082N65S3F ON Semiconductor 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:450; 产品类型:MOSFET; 商标:ON Semiconductor; 系列:SuperFET3; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:SuperFET III; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:313 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:81 nC; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Id-连续漏极电流:40 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET SUPERFET3 650V FRFET82MO
SIHG35N60EF-GE3 分立半导体 SIHG35N60EF-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:28 ns; 典型关闭延迟时间:96 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 上升时间:85 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:61 ns; 正向跨导 - 最小值:8 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel EF-Series Power MOSFET; 系列:EF; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:250 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:134 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:97 mOhms; Id-连续漏极电流:32 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
SIHH100N60E-T1-GE3 分立半导体 SIHH100N60E-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:26 ns; 典型关闭延迟时间:41 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:54 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:41 ns; 正向跨导 - 最小值:12 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:E; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:174 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:53 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms; Id-连续漏极电流:28 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 650V Vds; 30V Vgs PowerPAK 8x8
IPB60R055CFD7ATMA1 分立半导体 IPB60R055CFD7ATMA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:26 ns; 典型关闭延迟时间:98 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:27 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:178 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:79 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:55 mOhms; Id-连续漏极电流:38 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET HIGH POWER_NEW
NVHL025N65S3 分立半导体 NVHL025N65S3 ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:43.3 ns; 典型关闭延迟时间:120 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:450; 上升时间:109 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:107 ns; 正向跨导 - 最小值:78.5 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SPM3; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:SuperFET; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:595 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:236 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:25 mOhms; Id-连续漏极电流:75 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET SUPERFET3 650V
VS-UFL450CB60 分立半导体 VS-UFL450CB60 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10; 产品类型:Rectifiers; Pd-功率耗散:727 W; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 恢复时间:97 ns; Ir - 反向电流 :500 uA; 最大浪涌电流:1170 A; Vf - 正向电压:1.34 V; 配置:Dual; 类型:Standard Recovery Rectifiers; If - 正向电流:250 A; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:SOT-227-4; 安装风格:Screw Mount; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 整流器 Fred Gen4 Dual Module
VS-UFL330FA60 分立半导体 VS-UFL330FA60 Vishay 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10; 产品类型:Rectifiers; Pd-功率耗散:773 W; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 恢复时间:98 ns; Ir - 反向电流 :500 uA; 最大浪涌电流:1130 A; Vf - 正向电压:1.43 V; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:243 A; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:SOT-227-4; 安装风格:Screw Mount; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 整流器 Fred Gen4 Dual Module
DF23MR12W1M1B11BPSA1 分立半导体 DF23MR12W1M1B11BPSA1 Infineon 分立半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:3.45 V; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 典型接通延迟时间:11.3 ns; 典型关闭延迟时间:38.5 ns; 商标名:CoolSiC; 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:24; 上升时间:7.2 ns; Rds On-漏源导通电阻:66 mOhms; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; 工作电源电压:-; Id-连续漏极电流:25 A; 下降时间:12.8 ns; 晶体管极性:N-Channel; 商标:Infineon Technologies; 配置:Dual; 封装:Tray; 系列:DFXMR12; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 封装 / 箱体:AG-EASY1BM-2; 安装风格:Screw Mount; Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, 20 V; Vr - 反向电压 :1200 V; Vf - 正向电压:4.6 V; 类型:SiC Power MOSFET; 产品:Power MOSFET Modules; RoHS:Y; 制造商:Infineon; 分立半导体模块 LOW POWER EASY
DF11MR12W1M1B11BPSA1 分立半导体 DF11MR12W1M1B11BPSA1 Infineon 分立半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:3.45 V; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:43.5 ns; 商标名:CoolSiC; 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:24; 上升时间:9.6 ns; Rds On-漏源导通电阻:33 mOhms; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:20 mW; 工作电源电压:-; Id-连续漏极电流:50 A; 下降时间:12 ns; 晶体管极性:N-Channel; 商标:Infineon Technologies; 配置:Dual; 封装:Tray; 系列:DFXMR12; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 封装 / 箱体:AG-EASY1BM-2; 安装风格:Screw Mount; Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, 20 V; Vr - 反向电压 :1200 V; Vf - 正向电压:4.6 V; 类型:SiC Power MOSFET; 产品:Power MOSFET Modules; RoHS:Y; 制造商:Infineon; 分立半导体模块 LOW POWER EASY
F3L15MR12W2M1B69BOMA1 分立半导体 F3L15MR12W2M1B69BOMA1 Infineon 分立半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:3.45 V; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 典型接通延迟时间:24 ns; 典型关闭延迟时间:64 ns; 商标名:EasyPACK CoolSiC MOSFET; 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:15; 上升时间:13 ns; Rds On-漏源导通电阻:15 mOhms; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; 工作电源电压:-; Id-连续漏极电流:75 A; 下降时间:18 ns; 晶体管极性:N-Channel; 商标:Infineon Technologies; 配置:3-Phase; 封装:Tray; 系列:FXL15; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 封装 / 箱体:AG-EASY2BM-2; 安装风格:Screw Mount; Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, 20 V; Vr - 反向电压 :1200 V; Vf - 正向电压:4.6 V at 75 A; 类型:CoolSiC MOSFET; 产品:Power MOSFET Modules; RoHS:Y; 制造商:Infineon; 分立半导体模块 LOW POWER EASY
W1975MC650 分立半导体 W1975MC650 IXYS 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 产品类型:Rectifiers; 商标:IXYS; 产品:Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; 整流器 Phase Control Thyristor
W5984TJ400 分立半导体 W5984TJ400 IXYS 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 产品类型:Rectifiers; 商标:IXYS; 产品:Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; 整流器 Phase Control Thyristor
W5139TJ480 分立半导体 W5139TJ480 IXYS 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 产品类型:Rectifiers; 商标:IXYS; 产品:Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:IXYS; 整流器 Phase Control Thyristor
BSM180C12P2E202 分立半导体 BSM180C12P2E202 ROHM Semiconductor 分立半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:1.6 V; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 典型接通延迟时间:49 ns; 典型关闭延迟时间:139 ns; 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:4; 上升时间:36 ns; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:1360 W; Id-连续漏极电流:204 A; 下降时间:32 ns; 典型延迟时间:49 ns; 晶体管极性:N-Channel; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:SiC; 配置:Chopper; 封装:Tray; 系列:BSMx; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 封装 / 箱体:Module; 安装风格:Screw Mount; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 22 V; Vf - 正向电压:1.6 V at 180 A; 类型:SiC Power Module; 产品:Power Semiconductor Modules; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 分立半导体模块 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
NVD5117PLT4G-VF01 分立半导体 NVD5117PLT4G-VF01 ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:22 ns; 典型关闭延迟时间:50 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:195 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:132 ns; 正向跨导 - 最小值:30 S; 商标:ON Semiconductor; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:118 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:85 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:16 mOhms; Id-连续漏极电流:- 61 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET PFET DPAK 60V 61A 16MOHM
NVB072N65S3 分立半导体 NVB072N65S3 ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:26.3 ns; 典型关闭延迟时间:65.9 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 上升时间:50 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:32 ns; 正向跨导 - 最小值:29.7 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SuperFET3; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 商标名:SuperFET III; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:312 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:82 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:72 mOhms; Id-连续漏极电流:44 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:D2PAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG
C5D05170H 分立半导体 C5D05170H Cree, Inc. 分立半导体 Vr - 反向电压 :1700 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:30; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:115 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :20 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:32 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1700 V; If - 正向电流:18 A; 封装 / 箱体:TO-247-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; 制造商:Cree, Inc.; 肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 1700V, 5A
NTHL080N120SC1 分立半导体 NTHL080N120SC1 ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:6.2 ns; 典型关闭延迟时间:28 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:450; 上升时间:5.8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8 ns; 正向跨导 - 最小值:13 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:348 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:56 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 15 V, 25 V; Rds On-漏源导通电阻:110 mOhms; Id-连续漏极电流:44 A; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET SIC MOS 80MW 1200V
NVHL080N120SC1 分立半导体 NVHL080N120SC1 ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:6.2 ns; 典型关闭延迟时间:28 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:450; 上升时间:5.8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8 ns; 正向跨导 - 最小值:13 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:348 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:56 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 15 V, 25 V; Rds On-漏源导通电阻:162 mOhms; Id-连续漏极电流:44 A; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
SQ7414CENW-T1_GE3 分立半导体 SQ7414CENW-T1_GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:8 ns; 典型关闭延迟时间:22 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:13 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:15 ns; 正向跨导 - 最小值:50 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:62 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:25 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:23 mOhms; Id-连续漏极电流:18 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
RB168MM-40TFTR 分立半导体 RB168MM-40TFTR ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.05 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:40 A; Vf - 正向电压:0.6 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:SOD-123FL-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 40V VR 1A 0.65V VF PMDU; SOD-123FL
SQP10250E_GE3 分立半导体 SQP10250E_GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:14 ns; 典型关闭延迟时间:38 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:50 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SQ; 配置:Single; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:250 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:75 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:30 mOhms; Id-连续漏极电流:53 A; Vds-漏源极击穿电压:250 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 250V Vds 20V Vgs TO-220AB
STPS10H100SFY 分立半导体 STPS10H100SFY STMicroelectronics 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:6000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :8 uA; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:230 A; Vf - 正向电压:0.845 V at 10 A; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-277A-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
V30K45-M3/H 分立半导体 V30K45-M3/H Vishay 分立半导体 Vr - 反向电压 :45 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:V30K; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :2 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:240 A; Vf - 正向电压:0.54 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:30 A; 封装 / 箱体:FlatPAK-8; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 45V 30A TMBS FlatPAK 5 x 6
SISH410DN-T1-GE3 分立半导体 SISH410DN-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:30 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:15 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:15 ns; 正向跨导 - 最小值:70 A; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SIS; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:52 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:41 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:4.8 mOhms; Id-连续漏极电流:35 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8S; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 20V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
SISS30LDN-T1-GE3 分立半导体 SISS30LDN-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:26 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 正向跨导 - 最小值:37 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SIS; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:57 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:50 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:8.5 mOhms; Id-连续漏极电流:55.5 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK1212-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
IAUS300N08S5N012ATMA1 分立半导体 IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:31 ns; 典型关闭延迟时间:69 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1800; 上升时间:19 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:55 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:375 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:231 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.7 mOhms; Id-连续漏极电流:300 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:HSOG-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET MOSFET_(75V 120V(
SIHG80N60EF-GE3 分立半导体 SIHG80N60EF-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:59 ns; 典型关闭延迟时间:272 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:144 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:168 ns; 正向跨导 - 最小值:25 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:EF; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:520 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:400 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:32 mOhms; Id-连续漏极电流:80 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247AC-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
IGOT60R070D1AUMA1 分立半导体 IGOT60R070D1AUMA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:15 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 上升时间:9 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:13 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 产品:CoolGaN; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 商标名:CoolGaN; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:125 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:5.8 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:0.9 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:70 mOhms; Id-连续漏极电流:31 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PG-DSO-20; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET GAN HV
STTH802SF 分立半导体 STTH802SF STMicroelectronics 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:6000; 产品类型:Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 产品:Rectifiers; 系列:STTH802SF; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; 恢复时间:17 ns; Ir - 反向电流 :6 uA; 最大浪涌电流:150 A; Vf - 正向电压:0.94 V; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:8 A; Vr - 反向电压 :200 V; 封装 / 箱体:TO-277A; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
IPN95R2K0P7ATMA1 分立半导体 IPN95R2K0P7ATMA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:6 ns; 典型关闭延迟时间:41 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:13 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:18 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:P7; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 商标名:CoolMOS; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:7 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:10 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:2 Ohms; Id-连续漏极电流:4 A; Vds-漏源极击穿电压:950 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-223-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET LOW POWER_NEW
IDWD40G120C5XKSA1 分立半导体 IDWD40G120C5XKSA1 Infineon 分立半导体 Vr - 反向电压 :1.2 kV; trr - 反向恢复时间 :-; 商标名:CoolSiC; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:240; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:402 W; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tube; 系列:IDWD40G120C5; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :23 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:290 A; Vf - 正向电压:1.4 V; Vrrm - 重复反向电压:1.2 kV; If - 正向电流:40 A; 封装 / 箱体:TO-247-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Infineon; 肖特基二极管与整流器 SIC DISCRETE
FS45MR12W1M1B11BOMA1 分立半导体 FS45MR12W1M1B11BOMA1 Infineon 分立半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:3.45 V; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 典型接通延迟时间:8.2 ns; 典型关闭延迟时间:35.2 ns; 商标名:CoolSiC; 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:24; 上升时间:6.3 ns; Rds On-漏源导通电阻:45 mOhms; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:20 mW; 工作电源电压:-; Id-连续漏极电流:25 A; 下降时间:16.4 ns; 晶体管极性:N-Channel; 商标:Infineon Technologies; 配置:Hex; 封装:Tray; 系列:FSXMR12; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 封装 / 箱体:Module; 安装风格:Screw Mount; Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, 20 V; Vr - 反向电压 :1200 V; Vf - 正向电压:4.6 V; 类型:EasyPACK Module; 产品:Power MOSFET Modules; RoHS:Y; 制造商:Infineon; 分立半导体模块 LOW POWER EASY
RB521SM-40FHT2R 分立半导体 RB521SM-40FHT2R ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :13 uA; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:1 A; Vf - 正向电压:0.495 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:200 mA; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 40V Vr; 0.2A IO SOD-523; EMD2
IMW120R060M1HXKSA1 分立半导体 IMW120R060M1HXKSA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:5.7 ns; 典型关闭延迟时间:13 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 上升时间:7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:12 ns; 正向跨导 - 最小值:7 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:IMW120R060; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:CoolSiC; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:150 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:31 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:23 V; Rds On-漏源导通电阻:78 mOhms; Id-连续漏极电流:36 A; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET SIC DISCRETE
GB2X50MPS12-227 分立半导体 GB2X50MPS12-227 GeneSiC Semiconductor 分立半导体 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:10; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:554 W; Ifsm - 正向浪涌电流:500 A; If - 正向电流:100 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:SiC; 配置:Dual; 封装:Tube; 系列:SiC Schottky MPS; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:SOT-227; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :1200 V; Vf - 正向电压:1.5 V; 类型:Silicon Carbide Schottky Diode Module; 产品:Schottky Diode Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor; 分立半导体模块 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
RFV8BM6STL 分立半导体 RFV8BM6STL ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :30 nA; Vf - 正向电压:2.3 V; 恢复时间:15 ns; 配置:Single; If - 正向电流:8 A; 最大浪涌电流:100 A; 峰值反向电压:600 V; 封装 / 箱体:SC-63-4; 安装风格:SMD/SMT; 产品:General Purpose Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 二极管 - 通用，功率，开关 HYPERFAST RECOVERY RECT
NVMFS6D1N08HT1G 分立半导体 NVMFS6D1N08HT1G ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:18 ns; 典型关闭延迟时间:48 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:50 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:39 ns; 正向跨导 - 最小值:80 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:104 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:32 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:5.5 mOhms; Id-连续漏极电流:89 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET T8 80V 1 PART PROLI FERATI
IPD95R750P7ATMA1 分立半导体 IPD95R750P7ATMA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:8 ns; 典型关闭延迟时间:46 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:P7; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 商标名:CoolMOS; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:73 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:23 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:750 mOhms; Id-连续漏极电流:9 A; Vds-漏源极击穿电压:950 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET LOW POWER_NEW
RBR2MM30BTFTR 分立半导体 RBR2MM30BTFTR ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :80 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:30 A; Vf - 正向电压:0.49 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:SOF-123FL-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 30V VR 2A 0.49V VF PMDU; SOD-123FL
STPS560SFY 分立半导体 STPS560SFY STMicroelectronics 分立半导体 Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:6000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :50 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:230 A; Vf - 正向电压:0.56 V at 5 A; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:5 A; 封装 / 箱体:TO-277A-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; 肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
V10PM45-M3/H 分立半导体 V10PM45-M3/H Vishay 分立半导体 Vr - 反向电压 :45 V; 商标名:eSMP; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:V10PM; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :0.3 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:180 A; Vf - 正向电压:0.52 V at 10 A; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-277A-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 45V 10A TMBS TO-277A (SMPC)
IPN95R1K2P7ATMA1 分立半导体 IPN95R1K2P7ATMA1 Infineon 分立半导体 典型接通延迟时间:7 ns; 典型关闭延迟时间:36 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:10 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:12 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:P7; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:CoolMOS; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:7 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:15 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.2 Ohms; Id-连续漏极电流:6 A; Vds-漏源极击穿电压:950 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-223-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET LOW POWER_NEW
SQJ208EP-T1_GE3 分立半导体 SQJ208EP-T1_GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:10 ns, 14 ns; 典型关闭延迟时间:24 ns, 35 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:4 ns, 5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:25 ns, 57 ns; 正向跨导 - 最小值:32 S, 51 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:SQ; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:48 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:33 nC, 75 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V, 1.4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:9.4 mOhms, 3.9 mOhms; Id-连续漏极电流:20 A, 60 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; MOSFET Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
VS-15ETH06S-M3 分立半导体 VS-15ETH06S-M3 Vishay 分立半导体 商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Tube; 系列:FRED Pt; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; 恢复时间:29 ns; Ir - 反向电流 :0.2 uA; 最大浪涌电流:120 A; Vf - 正向电压:1.8 V; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:15 A; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:TO-263AB-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 整流器 600V 15A IF (TO-263AB) 120A IFSM
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