| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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SISS92DN-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:17 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:4 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 正向跨导 - 最小值:12 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:16 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:173 mOhms; Id-连续漏极电流:12.3 A; Vds-漏源极击穿电压:250 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8SH-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 250V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8S |
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STPSC4H065DLF |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:STPSC4H065DLF; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :3 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:38 A; Vf - 正向电压:1.38 V at 4 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:4 A; 封装 / 箱体:PowerFLAT-5; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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NVHL040N65S3F |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:41 ns; 典型关闭延迟时间:96 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:450; 上升时间:53 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:28 ns; 正向跨导 - 最小值:40 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SuperFET3; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:SuperFET III; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:446 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:153 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:40 Ohms; Id-连续漏极电流:65 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET SUPERFET3 650V TO247 PKG |
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IAUC100N08S5N043ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:8 ns; 典型关闭延迟时间:13 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 上升时间:4 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:IAUC100N08; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:125 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:56 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:6.1 mOhms; Id-连续漏极电流:100 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TDSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(75V 120V( |
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NVMTS0D6N04CTXG |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:33.6 ns; 典型关闭延迟时间:86 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:27.9 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:32.3 ns; 正向跨导 - 最小值:233 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:245 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:187 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:480 uOhms; Id-连续漏极电流:533 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:Power88-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSI |
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NVB082N65S3F |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:31 ns; 典型关闭延迟时间:76 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 上升时间:29 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:16 ns; 正向跨导 - 最小值:24 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SuperFET3; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 商标名:SuperFET III; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:313 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:81 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:82 mOhms; Id-连续漏极电流:40 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:D2PAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG |
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NFVA35065L32 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:60; 产品类型:Rectifiers; Pd-功率耗散:428 W; 商标:ON Semiconductor; 产品:Rectifiers; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Vf - 正向电压:1.9 V; 类型:Standard Recovery Rectifiers; 封装 / 箱体:DIP-27; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
整流器 ASPM27 V2 650V/50A |
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IPN95R3K7P7ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:7 ns; 典型关闭延迟时间:46 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:23 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:40 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:P7; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 商标名:CoolMOS; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:6 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:6 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:3.7 Ohms; Id-连续漏极电流:2 A; Vds-漏源极击穿电压:950 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-223-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET LOW POWER_NEW |
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SIR120DP-T1-RE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:17 ns; 典型关闭延迟时间:30 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8 ns; 正向跨导 - 最小值:54 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:100 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:62.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:3.55 mOhms; Id-连续漏极电流:106 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; |
MOSFET N-Channel 80 V (D-S) MOSFET |
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C6D06065A |
Cree, Inc. |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:73 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :2 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:51 A; Vf - 正向电压:1.27 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:6 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
肖特基二极管与整流器 6A 650V GEN6 SiC Schottky Diode |
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BSC430N25NSFDATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:8 ns; 典型关闭延迟时间:29 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:37 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:BSC430N; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:OptiMOS 3; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:214 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:42 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:43 mOhms; Id-连续漏极电流:36 A; Vds-漏源极击穿电压:250 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TSON-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET TRENCH >=100V |
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IKQ75N120CS6XKSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
商标名:TRENCHSTOP; 子类别:IGBTs; 标准包装数量:240; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:600 nA; 集电极连续电流:75 A; 商标:Infineon Technologies; 工作温度范围:- 40 C to + 175 C; 集电极最大连续电流 Ic:150 A; 封装:Tube; 系列:IGBT6; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:880 W; 在25 C的连续集电极电流:150 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:1.85 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:PG-TO247-3-46; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
IGBT 晶体管 INDUSTRY 14 |
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BUK7Y3R5-40HX |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:19 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9 ns; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:115 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:53 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:3.5 mOhms; Id-连续漏极电流:120 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK56-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET N-CH 40V 3.5 STD LEVEL |
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IAUC120N04S6L008ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:6 ns; 典型关闭延迟时间:43 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:27 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 商标名:OptiMOS; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:150 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:140 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:16 V; Rds On-漏源导通电阻:1.1 mOhms; Id-连续漏极电流:120 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TDSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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SCS308AMC |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; trr - 反向恢复时间 :15 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:33 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:SCS3x; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.024 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:67 A; Vf - 正向电压:1.35 V at 8 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:8 A; 封装 / 箱体:TO-220FM-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SIC SBD 650V 8A 33W TO-220FM |
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SIS108DN-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:14 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 正向跨导 - 最小值:28 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SIS; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:24 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:13 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:34 mOhms; Id-连续漏极电流:16 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
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RBR10BM30AFHTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :100 uA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.55 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 30V Vr 10A Io SBD TO-252(DPAK) 5A IF |
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SISHA04DN-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:24 ns; 典型关闭延迟时间:25 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:17 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:105 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:52 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:51 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, 20 V; Rds On-漏源导通电阻:2.15 mOhms; Id-连续漏极电流:40 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; |
MOSFET N-CH 30-V (D-S) FAST SWITCHING |
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SIJA58ADP-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:13 ns; 典型关闭延迟时间:30 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 正向跨导 - 最小值:80 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:56.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:61 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, 20 V; Rds On-漏源导通电阻:2.65 mOhms; Id-连续漏极电流:32.3 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8L |
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IAUZ30N10S5L240ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 系列:IAUZ30N10; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(75V 120V( |
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RB088BM-40FHTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :3 uA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.77 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 40V Vr 10A Io SBD TO-252(DPAK) 5A IF |
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RB088BM-30FHTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :3 uA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.72 V; Vrrm - 重复反向电压:35 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 30V Vr 10A Io SBD TO-252(DPAK) 5A IF |
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SIZ200DT-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:11 ns; 典型关闭延迟时间:23 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 正向跨导 - 最小值:118 S, 105 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:SIZ; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:33 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:28 nC, 30 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, 20 V; Rds On-漏源导通电阻:5.5 mOhms, 5.8 mOhms; Id-连续漏极电流:61 A, 60 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAIR-3x3-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAIR 3x3S |
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SISS08DN-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:30 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:95 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SIS; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65.7 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:82 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, 20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.23 mOhms; Id-连续漏极电流:195.5 A; Vds-漏源极击穿电压:25 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8S; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 25V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8S |
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RBR15BM30AFHTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :200 uA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:0.51 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 30V Vr 15A Io SBD TO-252(DPAK) 7.5A IF |
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VS-8TQ060-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.55 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:850 A; Vf - 正向电压:0.72 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:8 A; 封装 / 箱体:TO-220AC-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 60V 8A IF Single TO-220AC |
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RFV8BM6SFHTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.03 uA; Vf - 正向电压:2.3 V; 恢复时间:25 ns; 配置:Single; If - 正向电流:8 A; 最大浪涌电流:100 A; 峰值反向电压:600 V; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
二极管 - 通用，功率，开关 600V VR 8A IO TO-252(DPAK); TO-252 |
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V10D170CHM3/I |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :170 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :0.05 mA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:0.82 V at 5 A; Vrrm - 重复反向电压:170 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-263AC-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 10A,170V,SMPD, TRENCH SKY RECT. |
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VS-15ETL06S-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Tube; 系列:FRED Pt; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; 恢复时间:220 ns; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 最大浪涌电流:250 A; Vf - 正向电压:0.99 V; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:15 A; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:TO-263AB-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 600V 15A IF (TO-263AB) 250A IFSM |
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VS-15ETL06STRL-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:FRED Pt; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; 恢复时间:220 ns; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 最大浪涌电流:250 A; Vf - 正向电压:0.99 V; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:15 A; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:TO-263AB-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 600V 15A IF TO-220AC 250A IFSM |
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VS-15ETH06STRL-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:FRED Pt; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; 恢复时间:29 ns; Ir - 反向电流 :0.2 uA; 最大浪涌电流:120 A; Vf - 正向电压:1.8 V; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:15 A; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:TO-263AB-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 600V 15A IF TO-220AC 120A IFSM |
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IAUZ40N10S5N130ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 系列:IAUZ40N10; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(75V 120V( |
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NCV8411DTRKG |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:29 us; 典型关闭延迟时间:53 us; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 产品类型:MOSFET; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2.7 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:14 V; Rds On-漏源导通电阻:29 mOhms; Id-连续漏极电流:45 A; Vds-漏源极击穿电压:42 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET LS SMART FET MPW |
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BSZ024N04LS6ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:7 ns; 典型关闭延迟时间:17 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:3 ns; 正向跨导 - 最小值:100 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:BSZ0xx; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 商标名:OptiMOS; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:75 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:25 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:2.4 mOhms; Id-连续漏极电流:40 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TSDSON-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET TRENCH <= 40V |
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SIJA52ADP-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:17 ns; 典型关闭延迟时间:38 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 正向跨导 - 最小值:98 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET; 系列:SIJ; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:48 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:100 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, 20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.63 mOhms; Id-连续漏极电流:131 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8L-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L |
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RB078BM30SFHTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :5 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.72 V; Vrrm - 重复反向电压:35 V; If - 正向电流:5 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 30V Vr 5A Io SBD TO-252(DPAK) 5A IF |
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RB085BM-60FHTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :0.3 mA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.58 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 60V Vr 10A Io SBD TO-252(DPAK) 5A IF |
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ISL9V3040D3ST-F085C |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:2500; 产品类型:IGBT Transistors; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
IGBT 晶体管 ECOSPARK1 IGN-IGBT TO252 |
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SISS60DN-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:18 ns; 典型关闭延迟时间:30 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 正向跨导 - 最小值:84 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:57 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 12 V, 16 V; Rds On-漏源导通电阻:1.31 mOhms; Id-连续漏极电流:181.8 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; |
MOSFET N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
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SIHB180N60E-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:14 ns; 典型关闭延迟时间:22 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1; 上升时间:49 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:23 ns; 正向跨导 - 最小值:5.3 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel E-Series Power MOSFET; 系列:E; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:156 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:33 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:180 mOhms; Id-连续漏极电流:19 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
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FFSM0865A |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:38 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :200 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:49 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:8 A; 封装 / 箱体:PQFN-4; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 650V 8A SIC SBD |
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IAUS165N08S5N029ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:13 ns; 典型关闭延迟时间:23 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1800; 上升时间:9 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:29 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:167 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:90 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:4.4 mOhms; Id-连续漏极电流:165 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:HSOG-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(75V 120V( |
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STF33N60M6 |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:19.5 ns; 典型关闭延迟时间:38.5 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:33 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7.5 ns; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:STF33N60M6; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:MDmesh; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:35 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:33.4 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.25 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:125 mOhms; Id-连续漏极电流:25 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
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SCS312AJTLL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; trr - 反向恢复时间 :18 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:88 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tube; 系列:SCS3x; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.036 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:96 A; Vf - 正向电压:1.35 V at 12 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:12 A; 封装 / 箱体:TO-263AB-4; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SIC SBD 650V 12A 88W TO-263AB (LPTL) |
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FFSB2065BDN-F085 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:75 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:45 A; Vf - 正向电压:1.38 V at 10 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:23.6 A; 封装 / 箱体:D2PAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 Auto SiC Schottky Diode, 650 V |
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NVMTS0D7N04CTXG |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:ON Semiconductor; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:205 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:205 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:433 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET AFSM T6 40V SG NCH |
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SCS312AMC |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; trr - 反向恢复时间 :18 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:36 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tube; 系列:SCS3x; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.036 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:96 A; Vf - 正向电压:1.35 V at 12 A; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:12 A; 封装 / 箱体:TO-220FM-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SIC SBD 650V 12A 36W TO-220FM |
 |
SIHA120N60E-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:19 ns; 典型关闭延迟时间:31 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:65 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:33 ns; 正向跨导 - 最小值:6 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:E; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:34 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:45 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:120 mOhms; Id-连续漏极电流:25 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-220 |
 |
STB35N65DM2 |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:MOSFET; 商标:STMicroelectronics; 系列:DM2; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:250 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:56.3 nC; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:94 mOhms; Id-连续漏极电流:28 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
 |
IPT020N10N5ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:20 ns; 典型关闭延迟时间:49 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:13 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:17 ns; 正向跨导 - 最小值:120 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:273 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:122 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.8 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:2 mOhms; Id-连续漏极电流:260 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:HSOF-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET TRENCH >=100V |
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