| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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FF450R07ME4BOSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:10; 产品类型:IGBT Modules; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tray; 制造商:Infineon; |
IGBT 模块 MEDIUM POWER ECONO |
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SIHH180N60E-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:14 ns; 典型关闭延迟时间:22 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:49 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:23 ns; 正向跨导 - 最小值:5.3 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel E-Series Power MOSFET; 系列:E; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:114 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:33 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:180 mOhms; Id-连续漏极电流:19 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 |
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SQR40020ER_GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:17 ns; 典型关闭延迟时间:34 ns; 子类别:MOSFETs; 上升时间:17 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:18 ns; 正向跨导 - 最小值:84 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:107 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:84 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:4.7 mOhms; Id-连续漏极电流:100 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; |
MOSFET Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET |
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FGD3040G2-F085V |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:2500; 产品类型:IGBT Transistors; 商标:ON Semiconductor; 集电极最大连续电流 Ic:41 A; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:150 W; 在25 C的连续集电极电流:41 A; 栅极/发射极最大电压:10 V; 集电极—射极饱和电压:1.15 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:400 V; 配置:Single; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:TO-252AA-3; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
IGBT 晶体管 ECOSPARK2 300MJ 400V N- |
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SISH106DN-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:25 ns; 典型关闭延迟时间:50 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:15 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:12 ns; 正向跨导 - 最小值:105 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SIS; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:3.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:27 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:6.2 mOhms; Id-连续漏极电流:19.5 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8S; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 20V Vds; +/-12V Vgs PowerPAK 1212-8SH |
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SISS46DN-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:21 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 正向跨导 - 最小值:50 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET; 系列:SIS; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65.7 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:42 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:12.8 mOhms; Id-连续漏极电流:45.3 A; Vds-漏源极击穿电压:100 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8S; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S |
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SIJ438ADP-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:17 ns; 典型关闭延迟时间:51 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8 ns; 正向跨导 - 最小值:130 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:69.4 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:162 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, 20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.35 mOhms; Id-连续漏极电流:45.3 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8L |
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BSZ021N04LS6ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:5 ns; 典型关闭延迟时间:18 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 上升时间:1.6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:4 ns; 正向跨导 - 最小值:110 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:BSZ0xx; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 商标名:OptiMOS; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:83 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:31 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:2.1 mOhms; Id-连续漏极电流:40 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TSDSON-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET TRENCH <= 40V |
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SURD8330T4G-VF01 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Rectifiers; 商标:ON Semiconductor; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 恢复时间:50 ns; Ir - 反向电流 :5 uA; 最大浪涌电流:75 A; Vf - 正向电压:1.15 V; 配置:Single Dual Anode; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:3 A; Vr - 反向电压 :300 V; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
整流器 3A 300V ULTRAFAST |
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SISH116DN-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:36 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:10 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:68 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET; 系列:SIS; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:3.8 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:23 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:7.8 mOhms; Id-连续漏极电流:16.4 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8SH; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
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V20D170CHM3/I |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :170 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :0.15 mA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:150 A; Vf - 正向电压:0.83 V at 10 A; Vrrm - 重复反向电压:170 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-263AC-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 20A,170V,SMPD, TRENCH SKY RECT. |
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V20D170C-M3/I |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :170 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :0.15 mA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:150 A; Vf - 正向电压:0.83 V at 10 A; Vrrm - 重复反向电压:170 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-263AC-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 20A,170V,SMPD, TRENCH SKY RECT. |
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VS-16CTQ080-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :80 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.55 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:850 A; Vf - 正向电压:0.72 V; Vrrm - 重复反向电压:80 V; If - 正向电流:8 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3L; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 80V 2 x 8A IF C.A. TO-220AB |
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RB215T-60NZC9 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :600 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:0.58 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-220FN-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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SIHA6N80AE-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:16 ns; 子类别:MOSFETs; 上升时间:10 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:20 ns; 正向跨导 - 最小值:1.9 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:E; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:30 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:15 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:826 mOhms; Id-连续漏极电流:5 A; Vds-漏源极击穿电压:800 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220FP; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET N-CHANNEL 800V TO-220FP |
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PSMNR60-25YLHX |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:32 ns; 典型关闭延迟时间:50 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:61 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:44 ns; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:268 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:43 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:700 uOhms; Id-连续漏极电流:300 A; Vds-漏源极击穿电压:25 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK56-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET N-CH 25 V LOGIC LEVEL IN LFPAK |
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IPAN60R210PFD7SXKSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:500; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tube; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET CONSUMER |
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SIHP690N60E-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:19 ns; 子类别:MOSFETs; 上升时间:9 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:22 ns; 商标:Vishay Semiconductors; 系列:E; 配置:Single; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:62.5 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:12 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:600 mOhms; Id-连续漏极电流:6.4 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET E Series Power MOSFET |
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SIHA690N60E-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:19 ns; 子类别:MOSFETs; 上升时间:9 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:22 ns; 商标:Vishay Semiconductors; 系列:E; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:8 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:600 mOhms; Id-连续漏极电流:4.3 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220FP-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET E Series Power MOSFET |
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NVMFD6H840NLWFT1G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:52 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:34 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:22 ns; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:90 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:32 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:6.9 mOhms; Id-连续漏极电流:74 A, 14 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET T8 80V LL SO8FL DS |
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RB218NS200TL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :10 uA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:0.88 V; Vrrm - 重复反向电压:200 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-263S-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 200V, 20A SBD Super Low IR Type |
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RB218NS200FHTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :10 uA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:0.88 V; Vrrm - 重复反向电压:200 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-263S-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 200V, 20A SBD Super Low IR Type |
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RBR40NS40AFHTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :430 uA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:550 mV; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:40 A; 封装 / 箱体:TO-263S-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 LOW IR TYPE SCHOTTKY BARRIER |
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STB30N65M2AG |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:58 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N - Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:190 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:30.8 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:0.18 Ohms; Id-连续漏极电流:20 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:D2PAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET |
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IRL60SC216ARMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
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IRF60SC241ARMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
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IXTP140N12T2 |
IXYS |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:27 ns; 典型关闭延迟时间:39 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:30 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:17 ns; 正向跨导 - 最小值:66 S; 商标:IXYS; 类型:Trench T2; 晶体管类型:1 N-Channel; 产品:Power MOSFET Modules; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:577 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:174 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:10 mOhms; Id-连续漏极电流:140 A; Vds-漏源极击穿电压:120 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
MOSFET DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN2 |
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STO47N60M6 |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:21.5 ns; 典型关闭延迟时间:54.6 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1800; 上升时间:18.7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8.1 ns; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:255 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:52.2 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.25 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:80 mOhms; Id-连续漏极电流:36 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-LL-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
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IXFP90N20X3M |
IXYS |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:22 ns; 典型关闭延迟时间:62 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:26 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:40 S; 商标:IXYS; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:36 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:78 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:12.8 mOhms; Id-连续漏极电流:90 A; Vds-漏源极击穿电压:200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTX3CLASS |
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STP50N65DM6 |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:19.2 ns; 典型关闭延迟时间:59.6 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:12 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:9.6 ns; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N - Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:250 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:52.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.75 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:91 mOhms; Id-连续漏极电流:33 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
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IXFP130N15X3 |
IXYS |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:21 ns; 典型关闭延迟时间:62 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:25 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:12 ns; 正向跨导 - 最小值:50 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:390 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:80 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:9 mOhms; Id-连续漏极电流:130 A; Vds-漏源极击穿电压:150 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTX3CLASS |
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IXFP72N20X3 |
IXYS |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:23 ns; 典型关闭延迟时间:78 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:28 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 正向跨导 - 最小值:30 S; 商标:IXYS; 系列:HiPerFET; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:320 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:55 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:20 mOhms; Id-连续漏极电流:72 A; Vds-漏源极击穿电压:200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTX3CLASS |
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IXFP72N20X3M |
IXYS |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:23 ns; 典型关闭延迟时间:78 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:28 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 正向跨导 - 最小值:30 S; 商标:IXYS; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:36 W; Qg-栅极电荷:55 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:20 mOhms; Id-连续漏极电流:72 A; Vds-漏源极击穿电压:200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTX3CLASS |
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IXFA72N20X3 |
IXYS |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:23 ns; 典型关闭延迟时间:78 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:28 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 正向跨导 - 最小值:30 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:HiPerFET; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:320 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:55 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:20 mOhms; Id-连续漏极电流:72 A; Vds-漏源极击穿电压:200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS |
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IXFA90N20X3 |
IXYS |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:22 ns; 典型关闭延迟时间:62 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:26 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:40 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:HiPerFET; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:390 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:78 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:12.8 mOhms; Id-连续漏极电流:90 A; Vds-漏源极击穿电压:200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS |
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IXFQ90N20X3 |
IXYS |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:22 ns; 典型关闭延迟时间:62 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:13 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:40 S; 商标:IXYS; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:390 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:78 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:12.8 mOhms; Id-连续漏极电流:90 A; Vds-漏源极击穿电压:200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-3P-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS |
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IDK16G120C5XTMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
商标名:CoolSiC; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:IDK16G120C5; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
肖特基二极管与整流器 SIC DISCRETE |
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IXTA130N15X4-7 |
IXYS |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:20 ns; 典型关闭延迟时间:100 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:27 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:400 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:87 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:8 mOhms; Id-连续漏极电流:130 A; Vds-漏源极击穿电压:150 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-7; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS |
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IHW30N120R5XKSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
商标名:TRENCHSTOPââ??¢; 子类别:IGBTs; 标准包装数量:240; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:100 uA; 商标:Infineon Technologies; 集电极最大连续电流 Ic:60 A; 封装:Tube; 系列:RC-H5; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:330 W; 在25 C的连续集电极电流:60 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:1.55 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247-3; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
IGBT 晶体管 HOME APPLIANCES 14 |
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SISH625DN-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:55 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:13 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:47 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:SIS; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:52 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:126 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:7 mOhms; Id-连续漏极电流:- 35 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8S; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET -30V Vds; 20V Vgs PowerPAK 1212-8SH |
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VS-10CTQ150-M3 |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :150 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.05 mA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:620 A; Vf - 正向电压:0.93 V; Vrrm - 重复反向电压:150 V; If - 正向电流:5 A; 封装 / 箱体:TO-220AB-3L; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 150V 2 x 5A IF C.A. TO-220AB |
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NVMFS6H824NT1G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:20 ns; 典型关闭延迟时间:55 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:52 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:42 ns; 正向跨导 - 最小值:75 S; 商标:ON Semiconductor; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:115 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:38 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:4.5 mOhms; Id-连续漏极电流:107 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET T8 80V SO8FL NCH S |
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IKW40N120CS6XKSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
商标名:TRENCHSTOP; 子类别:IGBTs; 标准包装数量:240; 产品类型:IGBT Transistors; 栅极—射极漏泄电流:600 nA; 商标:Infineon Technologies; 集电极最大连续电流 Ic:80 A; 封装:Tube; 系列:IGBT6; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:500 W; 在25 C的连续集电极电流:80 A; 栅极/发射极最大电压:20 V; 集电极—射极饱和电压:1.85 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247-3; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
IGBT 晶体管 INDUSTRY 14 |
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IGO60R070D1AUMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:13 ns; 典型关闭延迟时间:11 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 上升时间:7 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:10 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 产品:CoolGaN; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 商标名:CoolGaN; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:125 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:5.8 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:0.9 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:70 mOhms; Id-连续漏极电流:31 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PG-DSO-20; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET GAN HV |
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IPD380P06NMATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:16 ns; 典型关闭延迟时间:47 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:19 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:19 ns; 正向跨导 - 最小值:33 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:IPD06P002; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:125 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:- 63 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:38 mOhms; Id-连续漏极电流:- 35 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
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BUK7S1R0-40HJ |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:23 ns; 典型关闭延迟时间:59 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:19 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:26 ns; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:375 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:98 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.6 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1 mOhms; Id-连续漏极电流:325 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK88-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET N-CH 40V 1.0 STD LEVEL |
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FFSB3065B-F085 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:246 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:120 A; Vf - 正向电压:1.38 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:73 A; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 650V 30A SIC SBD G EN1.5 |
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SIA471DJ-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:25 ns; 典型关闭延迟时间:40 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:95 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:18 ns; 正向跨导 - 最小值:40 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 P-Channel; 系列:SIA; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:19.2 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:18.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, 16 V; Rds On-漏源导通电阻:11.5 mOhms; Id-连续漏极电流:- 30.3 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:SC-70-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET Pch 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70-6L |
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NTHL190N65S3HF |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:19 ns; 典型关闭延迟时间:58 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:450; 上升时间:19 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:14 ns; 正向跨导 - 最小值:11 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SuperFET3; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:SuperFET III; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:162 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:34 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:190 mOhms; Id-连续漏极电流:20 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET SUPERFET3 650V FRFET 190M |
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RB068MM100TFTR |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :100 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.4 A; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:40 A; Vf - 正向电压:0.87 V; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:SOD-123FL-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 100V VR 2A 0.87V VF PMDU; SOD-123FL |
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