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分立半导体
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器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
STZ6.8NFHT146 分立半导体 STZ6.8NFHT146 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :500 nA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.6 mm; 长度:2.9 mm; 高度:1.1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 配置:Dual Common Anode; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:40 Ohms; 齐纳电流:5 mA; Pd-功率耗散:200 mW; 封装 / 箱体:SOT-346-3; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:6.8 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 稳压二极管 ZENER DIODE 2-PIN MOLD
MJD31CAJ 分立半导体 MJD31CAJ Nexperia 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:2500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:10; 集电极连续电流:3 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:50; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:3 MHz; Pd-功率耗散:15 W; 最大直流电集电极电流:5 A; 集电极—射极饱和电压:1.2 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V; 集电极—基极电压 VCBO:100 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS
FTZU6.2EFHT148 分立半导体 FTZU6.2EFHT148 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :3 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.6 mm; 长度:2.9 mm; 高度:1.1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 配置:Quad Common Anode; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:60 Ohms; 齐纳电流:5 mA; Pd-功率耗散:200 mW; 封装 / 箱体:SOT-25-5; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:6.2 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 稳压二极管 ZENER DIODE 2-PIN MOLD
V2PL45LHM3/H 分立半导体 V2PL45LHM3/H Vishay 分立半导体 商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:V2PL45L; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :300 uA; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:530 mV; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-220AA-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 2A 45V SMP TMBS SMP (DO-220AA)
UMT4403U3HZGT106 分立半导体 UMT4403U3HZGT106 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 集电极连续电流:- 600 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:300; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:200 MHz; Pd-功率耗散:200 mW; 最大直流电集电极电流:- 600 mA; 集电极—射极饱和电压:- 400 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 40 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-323-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN MEDIUM POWER TRANS
V2PM12LHM3/H 分立半导体 V2PM12LHM3/H Vishay 分立半导体 商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:V2PM12L; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:860 mV; Vrrm - 重复反向电压:120 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-220AA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 120V 2A TMBS SMP (DO-220AA)
SIRA88BDP-T1-GE3 分立半导体 SIRA88BDP-T1-GE3 Vishay 分立半导体 典型接通延迟时间:8 ns; 典型关闭延迟时间:15 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 正向跨导 - 最小值:42 S; 商标:Vishay / Siliconix; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:17 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:12.2 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.4 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, 20 V; Rds On-漏源导通电阻:0.00683 Ohms; Id-连续漏极电流:40 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; MOSFET N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
QS5Y2FSTR 分立半导体 QS5Y2FSTR ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:180; 集电极连续电流:- 3 A, 3 A; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:450; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:300 MHz; Pd-功率耗散:1.25 W; 最大直流电集电极电流:- 6 A, 6 A; 集电极—射极饱和电压:- 200 mV, 130 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V, 6 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V, 50 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V, 50 V; 配置:Dual; 晶体管极性:NPN, PNP; 封装 / 箱体:SOT-25T-5; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP+NPN Driver Tran TSMT5
RB530XNFHTR 分立半导体 RB530XNFHTR ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:RB530XN; 最大工作温度:+ 125 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Triple Parallel; Ifsm - 正向浪涌电流:1 A; Vf - 正向电压:530 mV; If - 正向电流:100 mA; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY BARRIER DIODE
PSMN6R7-40MSDX 分立半导体 PSMN6R7-40MSDX Nexperia 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 产品类型:MOSFET; 商标:Nexperia; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:65 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:22 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:50 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK33-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; MOSFET PSMN6R7-40MSD/SOT1210/mLFPAK
V2PL45L-M3/H 分立半导体 V2PL45L-M3/H Vishay 分立半导体 商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:V2PL45L; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :300 uA; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:530 mV; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-220AA-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 2A 45V SMP TMBS SMP (DO-220AA)
DMT3020LSDQ-13 分立半导体 DMT3020LSDQ-13 Diodes Incorporated 分立半导体 典型接通延迟时间:1.8 ns; 典型关闭延迟时间:7.5 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:1.9 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:2.4 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.5 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:20 mOhms; Id-连续漏极电流:16 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.5K
2SAR372P5T100Q 分立半导体 2SAR372P5T100Q ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:1000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -0.7A -120V MIDDLE POWER T
2SAR372P5T100R 分立半导体 2SAR372P5T100R ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:1000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:120; 集电极连续电流:- 0.7 A; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:390; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:300 MHz; Pd-功率耗散:2 W; 最大直流电集电极电流:- 1.4 A; 集电极—射极饱和电压:- 180 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 120 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 120 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-89-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -0.7A-120V L. Freq Amplifier
V2PM15L-M3/H 分立半导体 V2PM15L-M3/H Vishay 分立半导体 商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:V2PM15L; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:1.15 V; Vrrm - 重复反向电压:150 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-220AA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 150V 2A TMBS SMP (DO-220AA)
V2PM10L-M3/H 分立半导体 V2PM10L-M3/H Vishay 分立半导体 商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:V2PM10L; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:740 mV; Vrrm - 重复反向电压:100 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-220AA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; 肖特基二极管与整流器 100V 2A TMBS SMP (DO-220AA)
IPS60R1K0PFD7SAKMA1 分立半导体 IPS60R1K0PFD7SAKMA1 Infineon 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tube; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET CONSUMER
DMN22M5UFG-7 分立半导体 DMN22M5UFG-7 Diodes Incorporated 分立半导体 典型接通延迟时间:8.1 ns; 典型关闭延迟时间:72.1 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:22.5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:44.5 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:2.2 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:53 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:12 V; Rds On-漏源导通电阻:2.5 mOhms; Id-连续漏极电流:27 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerDI3333-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333-8 T&R 2K
NVMYS011N04CTWG 分立半导体 NVMYS011N04CTWG ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:8 ns; 典型关闭延迟时间:16 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:16 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 正向跨导 - 最小值:111 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:28 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:7.9 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:12 mOhms; Id-连续漏极电流:35 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel
RBR10BM40ATL 分立半导体 RBR10BM40ATL ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :120 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.62 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:5 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 LOW VF SCHOTTKEY
PSMN3R3-40MSHX 分立半导体 PSMN3R3-40MSHX Nexperia 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 产品类型:MOSFET; 商标:Nexperia; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:101 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:42 nC; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Id-连续漏极电流:118 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK33-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; MOSFET PSMN3R3-40MSH/SOT1210/mLFPAK
PMEG050T150EIPDZ 分立半导体 PMEG050T150EIPDZ Nexperia 分立半导体 Vr - 反向电压 :50 V; trr - 反向恢复时间 :49 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:1.66 W; 商标:Nexperia; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:-; Ir - 反向电流 :14 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:130 A; Vf - 正向电压:510 mV; Vrrm - 重复反向电压:50 V; If - 正向电流:15 A; 封装 / 箱体:CFP15-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; 肖特基二极管与整流器 PMEG050T150EIPD/SOT1289/CFP15
NTMYS011N04CTWG 分立半导体 NTMYS011N04CTWG ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:8 ns; 典型关闭延迟时间:16 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:16 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 正向跨导 - 最小值:111 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:28 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:7.9 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:12 mOhms; Id-连续漏极电流:35 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET 40V 12 mOhm 35A Single N-Channel
IPS60R600PFD7SAKMA1 分立半导体 IPS60R600PFD7SAKMA1 Infineon 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tube; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET CONSUMER
NVMYS025N06CLTWG 分立半导体 NVMYS025N06CLTWG ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:5 ns; 典型关闭延迟时间:14 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:12.5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:2.5 ns; 正向跨导 - 最小值:20 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:3.8 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:5.8 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:27.5 mOhms; Id-连续漏极电流:21 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET 60V 30Ohm 20A Single N-Channel
NVTFWS014P04M8LTAG 分立半导体 NVTFWS014P04M8LTAG ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:11.5 ns; 典型关闭延迟时间:44.5 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:97.4 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:38.2 ns; 正向跨导 - 最小值:42 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:61 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:26.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:13.8 mOhms; Id-连续漏极电流:- 49 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:WDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
PSMN2R8-40YSDX 分立半导体 PSMN2R8-40YSDX Nexperia 分立半导体 典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:23 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:7.7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8.7 ns; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:147 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:44 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.4 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:2.8 mOhms; Id-连续漏极电流:160 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK56-5; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; MOSFET N-CH 40 V STD LEVEL IN LFPAK56
RBQ10NS65ATL 分立半导体 RBQ10NS65ATL ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :65 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :10 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.63 V; Vrrm - 重复反向电压:65 V; If - 正向电流:5 A; 封装 / 箱体:SC-83-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 LOW VF, LOW IR AND HIGH ESD
PSMN1R8-30MLHX 分立半导体 PSMN1R8-30MLHX Nexperia 分立半导体 典型接通延迟时间:14 ns; 典型关闭延迟时间:20 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:23 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:14 ns; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:106 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:17 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:2.1 mOhms; Id-连续漏极电流:150 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK33-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; MOSFET N-CH 30V LOGIC LEVEL IN LFPAK3
IPS60R360PFD7SAKMA1 分立半导体 IPS60R360PFD7SAKMA1 Infineon 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tube; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET CONSUMER
NVMFD6H852NLWFT1G 分立半导体 NVMFD6H852NLWFT1G ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:7 ns; 典型关闭延迟时间:19 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:23 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:16 ns; 正向跨导 - 最小值:138 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:38 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:10 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:25.5 mOhms; Id-连续漏极电流:25 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET T8 80V LL SO8FL DS
NVTFWS9D6P04M8LTAG 分立半导体 NVTFWS9D6P04M8LTAG ON Semiconductor 分立半导体 典型接通延迟时间:12.6 ns; 典型关闭延迟时间:74.6 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:91.5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:49.3 ns; 正向跨导 - 最小值:46 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:75 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:34.6 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:9.5 mOhms; Id-连续漏极电流:- 64 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:WDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; MOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
2SAR587D3TL1 分立半导体 2SAR587D3TL1 ROHM Semiconductor 分立半导体 子类别:Transistors; 标准包装数量:2500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:120; 集电极连续电流:- 3 A; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:390; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:250 MHz; Pd-功率耗散:10 W; 最大直流电集电极电流:- 6 A; 集电极—射极饱和电压:- 100 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 120 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 120 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -3.0A -120V POWER TRANSIST
RB088NS150TL 分立半导体 RB088NS150TL ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :150 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :15 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.78 V; Vrrm - 重复反向电压:150 V; If - 正向电流:5 A; 封装 / 箱体:SC-83-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 LOW VF, LOW IR AND HIGH ESD
IPS60R210PFD7SAKMA1 分立半导体 IPS60R210PFD7SAKMA1 Infineon 分立半导体 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tube; RoHS:Y; 制造商:Infineon; MOSFET CONSUMER
RB215T-40NZC9 分立半导体 RB215T-40NZC9 ROHM Semiconductor 分立半导体 Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :500 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:0.55 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:10 A; 封装 / 箱体:TO-220FN-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY BARRIER DIODE
IXFQ140N20X3 分立半导体 IXFQ140N20X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:28 ns; 典型关闭延迟时间:130 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:20 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:12 ns; 正向跨导 - 最小值:55 S; 商标:IXYS; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:480 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:127 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:9.6 mOhms; Id-连续漏极电流:140 A; Vds-漏源极击穿电压:200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-3P-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
IXFQ120N25X3 分立半导体 IXFQ120N25X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:29 ns; 典型关闭延迟时间:100 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:32 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:12 ns; 正向跨导 - 最小值:54 S; 商标:IXYS; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:480 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:122 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:12 mOhms; Id-连续漏极电流:120 A; Vds-漏源极击穿电压:250 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-39-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
IXFH120N25X3 分立半导体 IXFH120N25X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:29 ns; 典型关闭延迟时间:100 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:32 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:12 ns; 正向跨导 - 最小值:54 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:480 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:122 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:12 mOhms; Id-连续漏极电流:120 A; Vds-漏源极击穿电压:250 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
STW70N60DM6-4 分立半导体 STW70N60DM6-4 STMicroelectronics 分立半导体 典型接通延迟时间:27 ns; 典型关闭延迟时间:100 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:600; 上升时间:15 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:STW70N60DM2; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:MDmesh; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:390 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:99 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.75 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:42 mOhms; Id-连续漏极电流:62 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-4; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
IXFT120N25X3HV 分立半导体 IXFT120N25X3HV IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:29 ns; 典型关闭延迟时间:100 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:32 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:12 ns; 正向跨导 - 最小值:54 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:480 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:122 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:12 mOhms; Id-连续漏极电流:120 A; Vds-漏源极击穿电压:250 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-268-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
IXFT140N20X3HV 分立半导体 IXFT140N20X3HV IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:28 ns; 典型关闭延迟时间:130 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:20 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:12 ns; 正向跨导 - 最小值:55 S; 商标:IXYS; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:480 W; Qg-栅极电荷:127 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:9.6 mOhms; Id-连续漏极电流:140 A; Vds-漏源极击穿电压:200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-268HV-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
IXFT180N20X3HV 分立半导体 IXFT180N20X3HV IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:30 ns; 典型关闭延迟时间:100 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:28 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 正向跨导 - 最小值:70 S; 商标:IXYS; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:735 W; Qg-栅极电荷:154 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:7.5 mOhms; Id-连续漏极电流:180 A; Vds-漏源极击穿电压:200 V; 通道数量:1 Channel; 封装 / 箱体:TO-268HV-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
IXFK220N20X3 分立半导体 IXFK220N20X3 IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:37 ns; 典型关闭延迟时间:155 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 上升时间:27 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:17 ns; 正向跨导 - 最小值:70 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:890 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:204 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:6.2 mOhms; Id-连续漏极电流:220 A; Vds-漏源极击穿电压:200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-264-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
IXFN94N50P2 分立半导体 IXFN94N50P2 IXYS 分立半导体 Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vds-漏源极击穿电压:500 V; 典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:67 ns; 商标名:HiPerFET; 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:10; 上升时间:34 ns; Rds On-漏源导通电阻:55 mOhms; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:780 W; 工作电源电压:-; Id-连续漏极电流:68 A; 下降时间:11 ns; 晶体管极性:N-Channel; 商标:IXYS; 技术:Si; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:SOT-227B-4; 安装风格:Screw Mount; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; 类型:MOSFET; 产品:Power MOSFET Modules; RoHS:Y; 制造商:IXYS; 分立半导体模块 DISCMSFT NCHHIPERFETPOLAR2 (MI
IXTH3N200P3HV 分立半导体 IXTH3N200P3HV IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:21 ns; 典型关闭延迟时间:67 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:27 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:60 ns; 商标:IXYS; 类型:High Voltage; 产品:Power MOSFET Modules; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:Polar3; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:520 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:70 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:8 Ohms; Id-连续漏极电流:3 A; Vds-漏源极击穿电压:2000 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISC MOSFET N-CH STD-POLAR3
IXYX40N250CHV 分立半导体 IXYX40N250CHV IXYS 分立半导体 商标名:XPT; 子类别:IGBTs; 标准包装数量:30; 产品类型:IGBT Transistors; 商标:IXYS; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:1500 W; 配置:Single; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-247PLUS-3; RoHS:Y; 制造商:IXYS; IGBT 晶体管 DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE
FS35R12W1T7B11BOMA1 分立半导体 FS35R12W1T7B11BOMA1 Infineon 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:24; 产品类型:IGBT Modules; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Infineon; IGBT 模块 LOW POWER EASY
IXTT12N150HV 分立半导体 IXTT12N150HV IXYS 分立半导体 典型接通延迟时间:26 ns; 典型关闭延迟时间:53 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:16 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:14 ns; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:890 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:106 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:30 V; Rds On-漏源导通电阻:2.2 Ohms; Id-连续漏极电流:12 A; Vds-漏源极击穿电压:1.5 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-268-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; MOSFET DISCMOSFET N-CH STD-HIVOLTAGE
FF300R07ME4BOSA1 分立半导体 FF300R07ME4BOSA1 Infineon 分立半导体 子类别:IGBTs; 标准包装数量:10; 产品类型:IGBT Modules; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tray; 制造商:Infineon; IGBT 模块 MEDIUM POWER ECONO
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