| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
 |
RB715UMFHTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 125 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:0.2 A; Vf - 正向电压:0.37 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:1 mA; 封装 / 箱体:SOT-323FL-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SBD - H. Spd Swtchng UMD3F |
 |
RB548WMFHTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :500 nA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:500 mA; Vf - 正向电压:450 mV; If - 正向电流:100 mA; 封装 / 箱体:SOT-416FL-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DI |
 |
UMP11NFHTN |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; Pd-功率耗散:200 mW; 最大二极管电容:3.5 pF; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :100 nA; Vf - 正向电压:1.2 V; 恢复时间:4 ns; 配置:Quad; If - 正向电流:100 mA; 最大浪涌电流:4 A; 峰值反向电压:80 V; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
二极管 - 通用，功率，开关 SWITCHING DIODE |
 |
2SCRC41CT116S |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:180; 集电极连续电流:50 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:560; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:200 mW; 最大直流电集电极电流:50 mA; 集电极—射极饱和电压:500 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:120 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:120 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -120V, -50mA H. Volt Amplifier |
 |
SIRA18BDP-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:8 ns; 典型关闭延迟时间:15 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 正向跨导 - 最小值:42 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:17 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:12.2 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.4 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, 20 V; Rds On-漏源导通电阻:0.00683 Ohms; Id-连续漏极电流:40 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; |
MOSFET N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
 |
IGT60R070D1ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:12 ns; 典型关闭延迟时间:13 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 产品:CoolGaN; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 商标名:CoolGaN; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:125 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:5.8 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:0.9 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:70 mOhms; Id-连续漏极电流:31 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PG-HSOF-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET GAN HV |
 |
IMW120R045M1XKSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:9 ns; 典型关闭延迟时间:17 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 上升时间:24 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:13 ns; 正向跨导 - 最小值:11.1 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:IMW120RXM1; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:CoolSiC; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:228 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:52 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, 20 V; Rds On-漏源导通电阻:59 mOhms; Id-连续漏极电流:52 A; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET SIC DISCRETE |
 |
CAB450M12XM3 |
Cree, Inc. |
分立半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:3.6 V; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:1; Rds On-漏源导通电阻:3.7 mOhms; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:50 mW; Id-连续漏极电流:450 A; 晶体管极性:N-Channel; 通道数量:1 Channel; 商标:Wolfspeed / Cree; 技术:SiC; 配置:Single; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; 封装 / 箱体:Module; 安装风格:SMD/SMT; Vgs - 栅极-源极电压:- 4 V, 15 V; 制造商:Cree, Inc.; |
分立半导体模块 SiC HalfBridgeModule 1.2kV 450A |
 |
C5D25170H |
Cree, Inc. |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :1700 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:30; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:384 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :20 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:117 A; Vf - 正向电压:1.5 V; Vrrm - 重复反向电压:1700 V; If - 正向电流:70 A; 封装 / 箱体:TO-247-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; 制造商:Cree, Inc.; |
肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 1700V, 25A |
|
IGT60R190D1SATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:11 ns; 典型关闭延迟时间:12 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:12 ns; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 产品:CoolGaN; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 商标名:CoolGaN; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:55.5 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:3.2 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:0.9 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:190 mOhms; Id-连续漏极电流:12.5 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PG-HSOF-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:GaN; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET GAN HV |
 |
GB2X100MPS12-227 |
GeneSiC Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:10; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:1088 W; Ifsm - 正向浪涌电流:1000 A; If - 正向电流:200 A; 商标:GeneSiC Semiconductor; 技术:SiC; 配置:Dual; 封装:Tube; 系列:SiC Schottky MPS; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 封装 / 箱体:SOT-227; 安装风格:SMD/SMT; Vr - 反向电压 :1200 V; Vf - 正向电压:1.5 V; 类型:Silicon Carbide Schottky Diode Module; 产品:Schottky Diode Modules; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor; |
分立半导体模块 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS |
 |
BSC220N20NSFDATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:7 ns; 典型关闭延迟时间:28 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 上升时间:7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:44 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:BSC220N; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:OptiMOS 3; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:214 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:43 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:22 mOhms; Id-连续漏极电流:52 A; Vds-漏源极击穿电压:200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TSON-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET TRENCH >=100V |
 |
F423MR12W1M1B11BOMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:3.45 V; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 典型接通延迟时间:14.3 ns; 典型关闭延迟时间:49.4 ns; 商标名:EasyPACK CoolSiC MOSFET; 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:24; 上升时间:8.4 ns; Rds On-漏源导通电阻:22.5 mOhms; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:20 mW; Id-连续漏极电流:50 A; 下降时间:11.5 ns; 晶体管极性:N-Channel; 商标:Infineon Technologies; 配置:Fourpack; 封装:Tray; 系列:FXMR12; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 封装 / 箱体:AG-EASY1BM-2; 安装风格:Screw Mount; Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, 20 V; Vr - 反向电压 :1200 V; Vf - 正向电压:4.6 V at 50 A; 类型:CoolSiC MOSFET; 产品:Power MOSFET Modules; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
分立半导体模块 LOW POWER EASY |
 |
FF8MR12W2M1B11BOMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:3.45 V; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 典型接通延迟时间:21.5 ns; 典型关闭延迟时间:57 ns; 商标名:EasyDUAL; CoolSiC; 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:15; 上升时间:16.5 ns; Rds On-漏源导通电阻:7.5 mOhms; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:20 mW; 工作电源电压:-; Id-连续漏极电流:150 A; 下降时间:28 ns; 晶体管极性:N-Channel; 商标:Infineon Technologies; 配置:Dual; 封装:Tray; 系列:FFXMR12; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 封装 / 箱体:Module; 安装风格:Screw Mount; Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, 20 V; Vr - 反向电压 :1200 V; Vf - 正向电压:4.6 V; 类型:EasyDUAL Module; 产品:Power MOSFET Modules; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
分立半导体模块 LOW POWER EASY |
 |
E4D20120A |
Cree, Inc. |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :1200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:250 W; 商标:Wolfspeed / Cree; 封装:Tube; 系列:E; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :65 uA; 技术:SiC; Vf - 正向电压:2.2 V; Vrrm - 重复反向电压:1200 V; If - 正向电流:54.5 A; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
肖特基二极管与整流器 20A 1.2kV G4 SCHOTTKY |
 |
BSM250D17P2E004 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:1.6 V; Vds-漏源极击穿电压:1700 V; 典型接通延迟时间:55 ns; 典型关闭延迟时间:195 ns; 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:4; 上升时间:55 ns; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:1800 W; Id-连续漏极电流:250 A; 下降时间:70 ns; 典型延迟时间:55 ns; 晶体管极性:N-Channel; 商标:ROHM Semiconductor; 配置:Half-Bridge; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:BSMx; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 封装 / 箱体:Module; 安装风格:Screw Mount; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 22 V; 类型:Half Bridge Module; 产品:Power Semiconductor Modules; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
分立半导体模块 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module |
 |
F3L11MR12W2M1B65BOMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
商标名:Easy 2B CoolSiC; 子类别:IGBTs; 标准包装数量:15; 产品类型:IGBT Modules; 栅极/发射极最大电压:20 V; 安装风格:Screw Mount; 商标:Infineon Technologies; 技术:SiC; 系列:F3LXR12W2J; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 封装 / 箱体:Module; Pd-功率耗散:20 mW; 栅极—射极漏泄电流:100 nA; 在25 C的连续集电极电流:50 A; 集电极—射极饱和电压:1.75 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 kV; 配置:Dual; 产品:IGBT Silicon Carbide Modules; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
IGBT 模块 LOW POWER EASY |
 |
NVMYS1D3N04CTWG |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:48 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:22 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:16 ns; 正向跨导 - 最小值:143 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:134 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:75 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1.15 mOhms; Id-连续漏极电流:252 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET TRENCH 6 40V SL NFET |
 |
1SS400SMFHT2R |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; 最大二极管电容:3 pF; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :100 nA; Vf - 正向电压:1.2 V; 恢复时间:4 ns; 配置:Single; If - 正向电流:100 mA; 最大浪涌电流:500 mA; 峰值反向电压:90 V; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
二极管 - 通用，功率，开关 90V Vrm 0.1A IO SOD-523; EMD2 |
 |
SISH114ADN-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:11 ns; 典型关闭延迟时间:20 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:8 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7 ns; 正向跨导 - 最小值:50 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:39 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:32 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:7.5 mOhms; Id-连续漏极电流:35 A; Vds-漏源极击穿电压:30 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8SH-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 30V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH |
 |
SIA108DJ-T1-GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:14 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 正向跨导 - 最小值:28 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SIA; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:19 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:13 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:38 mOhms; Id-连续漏极电流:12 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SC-70-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 |
 |
RB098BM-60FHTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :1.5 uA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.83 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:6 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 60V Vr 6A Io SBD TO-252(DPAK) 3A IF |
 |
VS-10CVH02-M3/I |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:4500; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:FRED Pt; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 恢复时间:21 ns; Ir - 反向电流 :4 uA; 最大浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:1 V; 配置:Dual; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:10 A; Vr - 反向电压 :200 V; 封装 / 箱体:TO-252AE; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 200V 10A SlimDPAK Fred |
 |
SIR800ADP-T1-RE3 |
Vishay |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:20 ns; 典型关闭延迟时间:40 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:13 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:60 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SIR; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET, PowerPAK; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:62.5 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:53 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:0.6 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V, 12 V; Rds On-漏源导通电阻:1.35 mOhms; Id-连续漏极电流:177 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET 20V Vds; 12/-8V Vgs PowerPAK SO-8 |
|
UMB11NFHATN |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 资格:AEC-Q101; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:-100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极连续电流:-100 mA; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:200; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:1; 典型输入电阻器:10 kOhms; 晶体管极性:PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR |
|
UMH4NFHATN |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 集电极连续电流:100 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:600; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:250 MHz; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极—射极饱和电压:300 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 配置:Dual; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR |
|
RB450UMTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:1 A; Vf - 正向电压:0.39 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:10 mA; 封装 / 箱体:SOT-323FL-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SBD for Gen Rectfctn UMD3F |
|
UMH2NFHATN |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 资格:AEC-Q101; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极连续电流:100 mA; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:68; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:1; 典型输入电阻器:47 kOhms; 晶体管极性:NPN; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 预偏置 NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR |
|
UMH1NFHATN |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 资格:AEC-Q101; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极连续电流:100 mA; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:56; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:1; 典型输入电阻器:22 kOhms; 晶体管极性:NPN; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 预偏置 NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR |
 |
RN1711JE(TE85L,F) |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:4000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 直流电流增益 hFE 最大值:700; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:100 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:120; 封装 / 箱体:ESV-5; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:NPN; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR NPN x2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
|
UMH10NFHATN |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 资格:AEC-Q101; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极连续电流:100 mA; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:21; 典型输入电阻器:2.2 kOhms; 晶体管极性:NPN; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 预偏置 NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR |
|
UMD6NFHATR |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 集电极连续电流:- 100 mA, 100 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:600; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:250 MHz; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极—射极饱和电压:- 300 V, 300 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V, 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V, 50 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V, 50 V; 配置:Dual; 晶体管极性:NPN, PNP; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR |
|
RB717UMTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:0.2 A; Vf - 正向电压:0.37 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:1 mA; 封装 / 箱体:SOT-323FL-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SBD - H. Spd Swtchng UMD3F |
 |
DXTP5860CFDB-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:140 at - 2 A, - 2 V; 集电极连续电流:- 4 A; 商标:Diodes Incorporated; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:180 at - 2 A, - 2 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:+ 55 C; 增益带宽产品fT:130 MHz; Pd-功率耗散:0.69 W; 最大直流电集电极电流:- 8 A; 集电极—射极饱和电压:- 155 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 7 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 60 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:U-DFN2020-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K |
|
DXTP58100CFDB-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:90 at - 2 A, - 2 V; 集电极连续电流:- 2 A; 商标:Diodes Incorporated; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:180 at - 2 A, - 2 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:135 MHz; Pd-功率耗散:0.69 W; 最大直流电集电极电流:- 4 A; 集电极—射极饱和电压:- 125 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 7 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 100 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 100 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:U-DFN2020-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K |
 |
RB557WMTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :10 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :10 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:0.5 A; Vf - 正向电压:0.35 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:10 mA; 封装 / 箱体:SC-89-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SCHOT FOR GENERAL RECT |
 |
EMH2FHAT2R |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:8000; 资格:AEC-Q101; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极连续电流:100 mA; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:68; 封装 / 箱体:SOT-563-6; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:1; 典型输入电阻器:47 kOhms; 晶体管极性:NPN; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 预偏置 NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR |
|
EMB3FHAT2R |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:8000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 集电极连续电流:- 100 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:600; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:250 MHz; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极—射极饱和电压:- 300 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 配置:Dual; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-563-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR |
|
EMH3FHAT2R |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:8000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 集电极连续电流:100 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:600; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:250 MHz; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极—射极饱和电压:300 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 配置:Dual; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-563-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR |
|
EMB2FHAT2R |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:8000; 资格:AEC-Q101; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:- 100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极连续电流:- 100 mA; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:68; 封装 / 箱体:SOT-563-6; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:1; 典型输入电阻器:47 kOhms; 晶体管极性:PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR |
 |
BAT64T5Q-7-F |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; trr - 反向恢复时间 :5 ns; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:250 mW; 商标:Diodes Incorporated; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :2 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:1200 mA; Vf - 正向电压:0.725 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:250 mA; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
肖特基二极管与整流器 Schottky Diode SOD523 T&R 3K |
|
EMT1FHAT2R |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:8000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:120; 集电极连续电流:- 150 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:560; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极—射极饱和电压:- 500 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 配置:Dual; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-563-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR |
 |
2SARA41CHZGT116R |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HV AMP TRANSISTOR (-120V, -50M |
|
2SARA41CHZGT116S |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:180; 集电极连续电流:- 50 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:560; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—射极饱和电压:- 500 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 120 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 120 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -120V, -50mA H. Volt Amplifier |
 |
RB421DFHT146 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 125 C; Ir - 反向电流 :30 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:1 A; Vf - 正向电压:550 mV; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:100 mA; 封装 / 箱体:SOT-346-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY BARRIER DIODE |
|
UMN11NFHTN |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; Pd-功率耗散:200 mW; 最大二极管电容:3.5 pF; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :1 nA; Vf - 正向电压:1.2 V; 恢复时间:4 ns; 配置:Quad; If - 正向电流:100 mA; 最大浪涌电流:4 A; 峰值反向电压:80 V; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
二极管 - 通用，功率，开关 SWITCHING DIODE |
|
RB450UMFHTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:1 A; Vf - 正向电压:0.55 V; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:100 mA; 封装 / 箱体:SOT-323FL-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SBD for Gen Rectfctn UMD3F |
|
RB705DFHT146 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 125 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:200 mA; Vf - 正向电压:370 mV; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:30 mA; 封装 / 箱体:SOT-346-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 DIODE RECTIFIER FRD) |
|
2SCRC41CT116R |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HV AMP TRANSISTOR (120V, 50MA) |
 |
IMN10FHT108 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; Pd-功率耗散:300 mW; 最大二极管电容:3.5 pF; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+1 50 C; Ir - 反向电流 :100 nA; Vf - 正向电压:1.2 V; 恢复时间:4 ns; 配置:Triple; If - 正向电流:100 mA; 最大浪涌电流:4 A; 峰值反向电压:80 V; 封装 / 箱体:SOT-457-6; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Switching Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
二极管 - 通用，功率，开关 SWITCHING DIODE |
QQ客服
