| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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RN2418,LF |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 25 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:50; 封装 / 箱体:SC-59-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package |
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RN2416,LF |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 7 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:50; 封装 / 箱体:SC-59-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package |
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RN1415,LF |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:50; 封装 / 箱体:SC-59-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:NPN; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 NPN BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package |
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CDZVT2R30B |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:2 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:200 Ohms; 齐纳电流:-; 电压温度系数:-; 电压容差:-; Pd-功率耗散:100 mW; 封装 / 箱体:SOD-923-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:30 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
稳压二极管 100mW Compact Zener VMND2M; 1006 |
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RN2109,LF(CT |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 15 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN2109; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:100 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:70; 封装 / 箱体:SMD-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package |
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RN2103,LF(CT |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 10 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN2103; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:100 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:70; 封装 / 箱体:SSM-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package |
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CDZVT2R22B |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:0.6 mm; 长度:0.86 mm; 高度:0.37 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Zz - 齐纳阻抗:100 Ohms; 齐纳电流:0.1 uA; Pd-功率耗散:100 mW; 封装 / 箱体:SOD-923-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:22 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
稳压二极管 100MW TYPE COMPACT |
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RN2113,LF(CT |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 直流电流增益 hFE 最大值:400; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN2113; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:100 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:120; 封装 / 箱体:SSM-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=InfinitykOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package |
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CDZVT2R24B |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:2 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:120 Ohms; 齐纳电流:-; 电压温度系数:-; 电压容差:-; Pd-功率耗散:100 mW; 封装 / 箱体:SOD-923-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:24 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
稳压二极管 100mW Compact Zener VMND2M; 1006 |
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DTA043XEBTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:- 70 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:150 mW; 峰值直流集电极电流:- 100 mA; 集电极连续电流:- 100 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:35; 封装 / 箱体:SOT-416FL-3; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:2.1; 典型输入电阻器:4.7 kOhms; 晶体管极性:PNP; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP DIGITAL TRANSISTOR |
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DTA024XEBTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:- 70 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极连续电流:- 100 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 封装 / 箱体:SOT-416FL-3; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:2.1; 典型输入电阻器:22 kOhms; 晶体管极性:PNP; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP DIGITAL TRANSISTOR |
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DMN65D9L-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:3.7 ns; 典型关闭延迟时间:102 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:3.6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:22 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:270 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:0.4 pC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:16 V; Rds On-漏源导通电阻:4 Ohms; Id-连续漏极电流:335 mA; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 3K |
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DTA123YEBTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:- 100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极连续电流:- 100 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:33; 封装 / 箱体:SOT-416FL-3; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:4.5; 典型输入电阻器:2.2 kOhms; 晶体管极性:PNP; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP -100mA; -50V EMT3F |
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DTC124XEBTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:150 mW; 峰值直流集电极电流:-; 集电极连续电流:100 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:68; 封装 / 箱体:SOT-416FL-3; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:2.1; 典型输入电阻器:22 kOhms; 晶体管极性:NPN; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 预偏置 NPN 100mA; 50V EMT3F |
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DTC123EEBTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:150 mW; 峰值直流集电极电流:-; 集电极连续电流:100 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:20; 封装 / 箱体:SOT-416FL-3; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:1; 典型输入电阻器:2.2 kOhms; 晶体管极性:NPN; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 预偏置 NPN 100mA; 50V EMT3F |
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NTHLD040N65S3HF |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:40 ns; 典型关闭延迟时间:102 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:32 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:26 ns; 正向跨导 - 最小值:48 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:SuperFET3; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:SuperFET III; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:446 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:159 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:32 mOhms; Id-连续漏极电流:65 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247AD |
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RN2411,LF |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 直流电流增益 hFE 最大值:400; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN2411; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:120; 封装 / 箱体:SC-59-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=InfinitykOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package |
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RN2303,LF |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 10 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN2303; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:100 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:70; 封装 / 箱体:USM-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-323 (USM) package |
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RB521CM-40T2R |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :100 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:1 A; Vf - 正向电压:0.61 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:100 mA; 封装 / 箱体:SOD-923-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SUPER LOW VF HIGH REL |
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RN1705,LF |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN1705; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 封装 / 箱体:USV-5; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:NPN; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 NPN x 2 BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
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RN1706,LF |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN1706; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 封装 / 箱体:USV-5; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:NPN; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 NPN x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
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BC847BU3HZGT106 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:200; 集电极连续电流:100 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:450; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:200 MHz; Pd-功率耗散:200 mW; 最大直流电集电极电流:100 mA; 集电极—射极饱和电压:250 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:45 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-323-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GENERAL PURPOSE TRANS |
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BZX584C4V3-G3-08 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :3 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:410 Ohms; 齐纳电流:3 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:4.3 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 300mW SOD-523 4.3V Small Signal |
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BZX584C16-HG3-08 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.05 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:50 Ohms; 齐纳电流:0.05 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:16 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 300mW SOD-523 16V Small Signal |
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BZX584C12-HG3-08 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:50 Ohms; 齐纳电流:0.1 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:12 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 300mW SOD-523 12V Small Signal |
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BZX584C9V1-HG3-08 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:40 Ohms; 齐纳电流:0.5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:9.1 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 300mW SOD-523 9.1V Small Signal |
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VS-2EQH01-M3/H |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:4500; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:VS-2EQH0x-M3; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 恢复时间:33 ns; Ir - 反向电流 :1 uA; 最大浪涌电流:30 A; Vf - 正向电压:1.05 V; 配置:Single; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:2 A; Vr - 反向电压 :100 V; 封装 / 箱体:DO-219AD; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 100V 2A Fred Pt MicroSMP (DO-219AD) |
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UMD2NFHATR |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 资格:AEC-Q101; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:100 mV, -100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极连续电流:- 100 mA, 100 mA; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:56; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:1; 典型输入电阻器:22 kOhms; 晶体管极性:NPN, PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR |
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V3PM6-M3/H |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:V3PM6; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :200 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:80 A; Vf - 正向电压:630 mV; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:DO-220AA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 60V 3A TMBS SMP (DO-220AA) |
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V3PM12-M3/H |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:V3PM12; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:80 A; Vf - 正向电压:830 mV; Vrrm - 重复反向电压:120 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:DO-220AA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 120V 3A TMBS SMP (DO-220AA) |
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RN2426(TE85L,F) |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 800 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:90; 封装 / 箱体:SC-59-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR PNP BRT, Q1BSR=1kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.8A, inSOT-346 (S-Mini) package |
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V3PM15HM3/H |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:V3PM15; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:80 A; Vf - 正向电压:1.12 V; Vrrm - 重复反向电压:150 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:DO-220AA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 150V 3A TMBS SMP (DO-220AA) |
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MJD44H11AJ |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:2500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:60; 集电极连续电流:8 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:160 MHz; Pd-功率耗散:20 W; 最大直流电集电极电流:16 A; 集电极—射极饱和电压:1 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V; 集电极—基极电压 VCBO:80 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS |
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V2P6L-M3/H |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:V2P6L; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :480 uA; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:600 mV; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-220AA-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 2A 60V SMP TMBS SMP (DO-220AA) |
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NTMYS021N06CLTWG |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:4 ns; 典型关闭延迟时间:12 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:12 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:1.5 ns; 正向跨导 - 最小值:37 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:28 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:21 mOhms; Id-连续漏极电流:27 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET 60V 26A 21Ohm |
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IPAN60R125PFD7SXKSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:500; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tube; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET CONSUMER |
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EMB10FHAT2R |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:8000; 资格:AEC-Q101; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 输出电压:- 100 mV; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极连续电流:- 100 mA; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 封装 / 箱体:SOT-563-6; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:21; 典型输入电阻器:2.2 kOhms; 晶体管极性:PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR |
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EMH4FHAT2R |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:8000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 集电极连续电流:100 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:600; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:250 MHz; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极—射极饱和电压:300 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 配置:Dual; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-563-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR |
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UMT4401U3T106 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 集电极连续电流:600 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:300; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:250 MHz; Pd-功率耗散:200 mW; 最大直流电集电极电流:600 mA; 集电极—射极饱和电压:400 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V; 集电极—基极电压 VCBO:60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-323-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN MEDIUM POWER TRANS |
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EMZ6.8NFHTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :500 nA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.6 mm; 长度:1.6 mm; 高度:0.7 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 配置:Dual Common Anode; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:40 Ohms; 齐纳电流:5 mA; Pd-功率耗散:150 mW; 封装 / 箱体:SOT-416-3; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:6.8 V; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
稳压二极管 ZENER DIODE 2-PIN MOLD |
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DMN2041UVT-7 |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:9 ns; 典型关闭延迟时间:32 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:21 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:17 ns; 商标:Diodes Incorporated; 晶体管类型:2 N-Channel; 配置:Dual; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1.1 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:9.1 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:0.9 V; Vgs - 栅极-源极电压:8 V; Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms; Id-连续漏极电流:5.8 A; Vds-漏源极击穿电压:20 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TSOT-26-6; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 3K |
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RB541XNFHTR |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 125 C; Ir - 反向电流 :10 uA; 技术:Si; 配置:Triple Parallel; Ifsm - 正向浪涌电流:500 mA; Vf - 正向电压:350 mV; If - 正向电流:100 mA; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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MJD32CAJ |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:2500; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:10; 集电极连续电流:- 3 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:50; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:3 MHz; Pd-功率耗散:15 W; 最大直流电集电极电流:- 5 A; 集电极—射极饱和电压:- 1.2 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 100 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 100 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:DPAK-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS |
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RB451UMFHTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 125 C; Ir - 反向电流 :20 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:1 A; Vf - 正向电压:0.3 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:10 mA; 封装 / 箱体:SOT-323FL-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SBD for Gen Rectfctn UMD3F |
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UMT4403U3T106 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:100; 集电极连续电流:- 600 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:300; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:200 MHz; Pd-功率耗散:200 mW; 最大直流电集电极电流:- 600 mA; 集电极—射极饱和电压:- 400 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 40 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-323-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN MEDIUM POWER TRANS |
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RB706UM-40FHTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:-; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Dual; Ifsm - 正向浪涌电流:0.2 A; Vf - 正向电压:370 mV; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:30 mA; 封装 / 箱体:SOT-323FL-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DI |
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RB495DFHT146 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :25 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; Ir - 反向电流 :70 uA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:2 A; Vf - 正向电压:500 mV; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:400 mA; 封装 / 箱体:SOT-346-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 DIODE RECTIFIER FRD) |
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2SCRC41CHZGT116R |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HV AMP TRANSISTOR (120V, 50MA |
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BSS4130AHZGT116 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:270; 集电极连续电流:1 A; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:680; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:400 MHz; Pd-功率耗散:200 mW; 最大直流电集电极电流:2 A; 集电极—射极饱和电压:90 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V; 集电极—基极电压 VCBO:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANSISTOR FOR LOW FREQ AMP, |
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2SCRC41CHZGT116S |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:180; 集电极连续电流:50 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:390; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—射极饱和电压:500 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V; 集电极—基极电压 VCBO:120 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:120 V; 配置:Single; 晶体管极性:NPN; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -120V, -50mA H. Volt Amplifier |
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