| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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BZX584C10-HG3-08 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.2 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:50 Ohms; 齐纳电流:0.2 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:10 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 300mW SOD-523 10V Small Signal |
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BZX584C33-HG3-08 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.05 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:2 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:75 Ohms; 齐纳电流:0.05 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:33 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 300mW SOD-523 33V Small Signal |
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RBR10T30ANZC9 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :30 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:50; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :100 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:0.55 V; Vrrm - 重复反向电压:30 V; If - 正向电流:5 A; 封装 / 箱体:TO-220FN-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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IPN60R360PFD7SATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET CONSUMER |
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NTMYS7D3N04CLTWG |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:8 ns; 典型关闭延迟时间:29 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:24 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:6 ns; 正向跨导 - 最小值:33 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:38 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:7 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:7.3 mOhms; Id-连续漏极电流:52 A; Vds-漏源极击穿电压:40 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:LFPAK-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET 40V 7.3 mOhm 52A Single N-Channel |
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IPAN60R360PFD7SXKSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:500; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tube; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET CONSUMER |
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NVMFD6H840NLT1G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:15 ns; 典型关闭延迟时间:52 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1500; 上升时间:34 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:22 ns; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:90 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:32 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:6.9 mOhms; Id-连续漏极电流:74 A; Vds-漏源极击穿电压:80 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET T8 80V LL SO8FL DS |
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IDK02G120C5XTMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
商标名:CoolSiC; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:IDKXG120C5; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
肖特基二极管与整流器 SIC DISCRETE |
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STF46N60M6 |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:20 ns; 典型关闭延迟时间:48.4 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 上升时间:15.5 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:8.5 ns; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:42 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:53.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.75 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:80 mOhms; Id-连续漏极电流:36 A; Vds-漏源极击穿电压:600 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220FP-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
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IXFH72N30X3 |
IXYS |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:22 ns; 典型关闭延迟时间:86 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:25 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 正向跨导 - 最小值:36 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:390 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:82 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:19 mOhms; Id-连续漏极电流:72 A; Vds-漏源极击穿电压:300 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:To-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS |
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IXFK400N15X3 |
IXYS |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:36 ns; 典型关闭延迟时间:210 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:25; 上升时间:30 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:19 ns; 正向跨导 - 最小值:85 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:1250 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:365 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:3 mOhms; Id-连续漏极电流:400 A; Vds-漏源极击穿电压:150 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-264-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS |
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FS50R12W1T7B11BOMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:24; 产品类型:IGBT Modules; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
IGBT 模块 LOW POWER EASY |
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RN1303,LF |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:10 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN1303; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:100 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:70; 封装 / 箱体:USM-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:NPN; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR NPN BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-323 (USM) package |
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BZX584C13-G3-08 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.1 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:50 Ohms; 齐纳电流:0.1 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:13 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 300mW SOD-523 13V Small Signal |
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BZX584C27-HG3-08 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.05 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:2 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:65 Ohms; 齐纳电流:0.05 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:27 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 300mW SOD-523 27V Small Signal |
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V3P6LHM3/H |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:V3P6L; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :900 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:80 A; Vf - 正向电压:590 mV; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:DO-220AA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 60V 3A TMBS SMP (DO-220AA) |
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V3PM12HM3/H |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:V3PM12; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:80 A; Vf - 正向电压:830 mV; Vrrm - 重复反向电压:120 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:DO-220AA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 120V 3A TMBS SMP (DO-220AA) |
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EMH25T2R |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:8000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 通道模式:Enhancement; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.2 mm; 输出电压:0.1 V; 长度:1.6 mm; 高度:0.5 mm; 直流电流增益 hFE 最大值:80; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Pd-功率耗散:150 mW; 峰值直流集电极电流:-; 集电极连续电流:100 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:-; 最大工作频率:250 MHz; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 封装 / 箱体:EMT-6; 安装风格:SMD/SMT; 典型电阻器比率:10; 典型输入电阻器:4.7 kOhms; 晶体管极性:NPN; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 预偏置 NPN+NPN Digital Tran EMT6 |
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FFSB0865B-F085 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:73 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.5 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:56 A; Vf - 正向电压:1.39 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:30 A; 封装 / 箱体:D2PAK-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 650V 8A SIC SBD GEN1.5 |
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IXTA08N100D2HV |
IXYS |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:28 ns; 典型关闭延迟时间:34 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:57 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:48 ns; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Depletion; Pd-功率耗散:60 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:14.6 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:21 Ohms; Id-连续漏极电流:800 mA; Vds-漏源极击穿电压:1 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-263HV-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
MOSFET DISCMOSFET N-CH DEPL MODE-D2 |
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FFSH1265BDN-F085 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :650 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:450; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:52 W; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :0.025 uA; 技术:SiC; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:24 A; Vf - 正向电压:1.38 V; Vrrm - 重复反向电压:650 V; If - 正向电流:12 A; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 产品:Schottky Silicon Carbide Diodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 650V 12A SIC SBD GEN1.5 |
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IXTH1N300P3HV |
IXYS |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:22 ns; 典型关闭延迟时间:78 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:35 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:60 ns; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:195 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:30.6 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:50 Ohms; Id-连续漏极电流:1 A; Vds-漏源极击穿电压:3 kV; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
MOSFET DISC MOSFET N-CH STD-POLAR3 |
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RN1418,LF |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:25 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:50; 封装 / 箱体:SC-59-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:NPN; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 NPN BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package |
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RN1902FE,LF(CT |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:4000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:10 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN1902; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:100 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:50; 封装 / 箱体:ES-6; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:NPN; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
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RN2706,LF |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:- 100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:RN2706; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:80; 封装 / 箱体:USV-5; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:PNP; 配置:Dual; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A |
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BZX584C33-G3-08 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.05 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:2 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:75 Ohms; 齐纳电流:0.05 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:33 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 300mW SOD-523 33V Small Signal |
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BCX53-10TF |
Nexperia |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:4000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:63; 集电极连续电流:- 1 A; 商标:Nexperia; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:160; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:500 mW; 最大直流电集电极电流:- 2 A; 集电极—射极饱和电压:- 500 mV; 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 100 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 80 V; 配置:Single; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-89-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS |
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BZX584C20-HG3-08 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :0.05 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:60 Ohms; 齐纳电流:0.05 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:20 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 300mW SOD-523 20V Small Signal |
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BZX584C7V5-HG3-08 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :1 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:30 Ohms; 齐纳电流:1 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:7.5 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 300mW SOD-523 7.5V Small Signal |
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BZX584C2V2-HG3-08 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :100 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:250 Ohms; 齐纳电流:100 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:2.2 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 300mW SOD-523 2.2V Small Signal |
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BZX584C3V9-HG3-08 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:8000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :3 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:0.9 mm; 长度:1.3 mm; 高度:0.75 mm; 系列:BZX584C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 测试电流:5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; Zz - 齐纳阻抗:400 Ohms; 齐纳电流:3 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:300 mW; 封装 / 箱体:SOD-523-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:3.9 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 300mW SOD-523 3.9V Small Signal |
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RB451UMTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :40 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 125 C; Ir - 反向电流 :20 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:1 A; Vf - 正向电压:0.3 V; Vrrm - 重复反向电压:40 V; If - 正向电流:10 mA; 封装 / 箱体:SOT-323FL-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SBD for Gen Rectfctn UMD3F |
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VS-1EQH01HM3/H |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:FRED Pt; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:4500; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:VS-1EQH0xHM3; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 恢复时间:33 ns; Ir - 反向电流 :1 uA; 最大浪涌电流:30 A; Vf - 正向电压:970 mV; 类型:Fast Recovery Rectifiers; If - 正向电流:1 A; Vr - 反向电压 :100 V; 封装 / 箱体:DO-219AD; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 100V 1A Fred Pt MicroSMP (DO-219AD) |
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UMT1NFHATN |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 直流集电极/Base Gain hfe Min:120; 商标:ROHM Semiconductor; 技术:Si; 直流电流增益 hFE 最大值:560; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 增益带宽产品fT:140 MHz; Pd-功率耗散:150 mW; 最大直流电集电极电流:- 150 mA; 集电极—射极饱和电压:- 500 V; 发射极 - 基极电压 VEBO:-6 V; 集电极—基极电压 VCBO:- 60 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V; 配置:Dual; 晶体管极性:PNP; 封装 / 箱体:SOT-363-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR |
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V3PM15-M3/H |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:V3PM15; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:80 A; Vf - 正向电压:1.12 V; Vrrm - 重复反向电压:150 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:DO-220AA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 150V 3A TMBS SMP (DO-220AA) |
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STPS3150AFN |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :150 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; Pd-功率耗散:210 W; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS3150; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:0 C; Ir - 反向电流 :2 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:75 A; Vf - 正向电压:0.63 V; Vrrm - 重复反向电压:150 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:SMA Flat Notch- 2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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V3PL45HM3/H |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:V3PL45; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :450 uA; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:80 A; Vf - 正向电压:540 mV; Vrrm - 重复反向电压:45 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:DO-220AA-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 3A 45V SMP TMBS SMP (DO-220AA) |
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IRF40SC240ARMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET TRENCH <= 40V |
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IXFY36N20X3 |
IXYS |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:19 ns; 典型关闭延迟时间:54 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:70; 上升时间:30 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:20 ns; 正向跨导 - 最小值:16 A; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:HiPerFET; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:170 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:21 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:38 mOhms; Id-连续漏极电流:36 A; Vds-漏源极击穿电压:200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS |
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STWA30N65DM6AG |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:18 ns; 典型关闭延迟时间:46 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:600; 上升时间:21 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:7 ns; 商标:STMicroelectronics; 晶体管类型:1 N - Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:284 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:46 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.75 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:110 mOhms; Id-连续漏极电流:28 A; Vds-漏源极击穿电压:650 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 90 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long leads package |
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V2PM6LHM3/H |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:V2PM6L; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :200 uA; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:630 mV; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-220AA-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 2A 60V SMP TMBS SMP (DO-220AA) |
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V2PM15LHM3/H |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:V2PM15L; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:1.15 V; Vrrm - 重复反向电压:150 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-220AA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 150V 2A TMBS SMP (DO-220AA) |
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V2PM12L-M3/H |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:V2PM12L; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:860 mV; Vrrm - 重复反向电压:120 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-220AA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 120V 2A TMBS SMP (DO-220AA) |
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V2PM6L-M3/H |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:V2PM6L; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :200 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:50 A; Vf - 正向电压:630 mV; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-220AA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 60V 2A TMBS SMP (DO-220AA) |
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RB098BM150TL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :150 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :7 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:0.83 V; Vrrm - 重复反向电压:150 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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IXFP38N30X3M |
IXYS |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:19 ns; 典型关闭延迟时间:60 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 上升时间:23 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:14 ns; 正向跨导 - 最小值:20 ns; 商标:IXYS; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:34 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:35 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:50 mOhms; Id-连续漏极电流:38 A; Vds-漏源极击穿电压:300 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTX3CLASS |
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IDK08G120C5XTMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
商标名:CoolSiC; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:IDK08G120C5; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
肖特基二极管与整流器 SIC DISCRETE |
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IXFJ26N50P3 |
IXYS |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:21 ns; 典型关闭延迟时间:38 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 正向跨导 - 最小值:14 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:180 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:42 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:3 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:295 mOhms; Id-连续漏极电流:14 A; Vds-漏源极击穿电压:500 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
MOSFET DISCMSFT NCHHIPERFET-POLAR3 |
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IXFT150N30X3HV |
IXYS |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:40 ns; 典型关闭延迟时间:187 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:32 ns; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:14 ns; 正向跨导 - 最小值:70 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:HiPerFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:890 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:177 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:8.3 mOhms; Id-连续漏极电流:150 A; Vds-漏源极击穿电压:300 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-268-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS |
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RN1417,LF |
Toshiba |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:3000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased; 最大直流电集电极电流:100 mA; 商标:Toshiba; 发射极 - 基极电压 VEBO:15 V; 集电极—基极电压 VCBO:50 V; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:200 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 直流集电极/Base Gain hfe Min:30; 封装 / 箱体:SC-59-3; 安装风格:SMD/SMT; 晶体管极性:NPN; 配置:Single; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
双极晶体管 - 预偏置 NPN BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package |
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