| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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IAUA250N04S6N006AUMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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IPB65R115CFD7AATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 制造商:Infineon; |
MOSFET AUTOMOTIVE |
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NVBLS0D7N06C |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:37 ns; 典型关闭延迟时间:146 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 上升时间:57 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:105 ns; 正向跨导 - 最小值:310 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:314 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:170 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:0.75 mOhms; Id-连续漏极电流:470 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:H-PSOF-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET NFET TOLL 60V 0.75MO |
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IPBE65R115CFD7AATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 制造商:Infineon; |
MOSFET AUTOMOTIVE |
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IPB65R050CFD7AATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 制造商:Infineon; |
MOSFET AUTOMOTIVE |
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IPW65R050CFD7AXKSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:240; 产品类型:MOSFET; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tube; 制造商:Infineon; |
MOSFET AUTOMOTIVE |
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IXTX240N075L2 |
IXYS |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:34 ns; 典型关闭延迟时间:136 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:30; 上升时间:200 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:47 ns; 商标:IXYS; 类型:Linear L2; 产品:Power MOSFET Modules; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:LinearL2; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:960 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:546 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:7 mOhms; Id-连续漏极电流:240 A; Vds-漏源极击穿电压:75 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
MOSFET DISC MOSFET N-CH LINEAR L2 |
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SCTH100N65G2-7AG |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:1000; 产品类型:MOSFET; 商标:STMicroelectronics; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:360 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:162 nC; Vgs - 栅极-源极电压:- 5 V to 18 V; Id-连续漏极电流:95 A; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:H2PAK-7; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
MOSFET PTD NEW MAT & PWR SOLUTION |
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FP50R12W2T7B11BOMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:15; 产品类型:IGBT Modules; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tray; 制造商:Infineon; |
IGBT 模块 LOW POWER EASY |
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MCB60I1200TZ-TUB |
IXYS |
分立半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:30; Rds On-漏源导通电阻:34 mOhms; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Id-连续漏极电流:90 A; 晶体管极性:N-Channel; 商标:IXYS; 配置:Single; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 封装 / 箱体:TO-268AA-3; 安装风格:SMD/SMT; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; 类型:Single MOSFET; 产品:Power MOSFET Modules; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
分立半导体模块 SICARBIDE-DISCRETE MOSFET |
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F3L400R10W3S7FB11BPSA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:IGBTs; 标准包装数量:8; 产品类型:IGBT Modules; 商标:Infineon Technologies; 封装:Tray; 制造商:Infineon; |
IGBT 模块 LOW POWER EASY |
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BC108C PBFREE |
Central Semiconductor |
分立半导体 |
子类别:Transistors; 标准包装数量:2000; 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors; 商标:Central Semiconductor; 封装:Bulk; RoHS:Y; 制造商:Central Semiconductor; |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 200mA 600mW |
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2N7002NXAKR |
Nexperia |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:6 ns; 典型关闭延迟时间:11 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 上升时间:7 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5 ns; 商标:Nexperia; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:325 mW; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:0.33 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:4.5 Ohms; Id-连续漏极电流:300 mA; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
MOSFET 60V SGL N-CH TRENCHMOS |
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1N816 |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching; Pd-功率耗散:400 mW; 最大二极管电容:-; 商标:Microchip / Microsemi; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.1 uA; Vf - 正向电压:1 V; 恢复时间:-; 配置:Single; If - 正向电流:100 mA; 最大浪涌电流:-; 峰值反向电压:40 V; 封装 / 箱体:DO-35-2; 安装风格:Through Hole; 产品:General Purpose Diodes; 制造商:Microchip; |
二极管 - 通用，功率，开关 Switching Diode |
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IXTA10P50P-TRL |
IXYS |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:20 ns; 典型关闭延迟时间:52 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 上升时间:28 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:44 ns; 正向跨导 - 最小值:6.5 S; 商标:IXYS; 晶体管类型:1 P-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 商标名:PolarP; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:300 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:50 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:- 2 V; Vgs - 栅极-源极电压:20 V; Rds On-漏源导通电阻:1 Ohms; Id-连续漏极电流:- 10 A; Vds-漏源极击穿电压:500 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:P-Channel; 封装 / 箱体:TO-263-3; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:IXYS; |
MOSFET IXTA10P50P TRL |
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JAN1N649-1 |
Microchip |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1; 产品类型:Rectifiers; Pd-功率耗散:500 mW; 商标:Microchip / Microsemi; 产品:Rectifiers; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :0.05 uA; 最大浪涌电流:5 A; Vf - 正向电压:1 V at 400 mA; 配置:Single; 类型:Standard Recovery Rectifiers; If - 正向电流:400 mA; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:DO-35; 安装风格:Through Hole; 制造商:Microchip; |
整流器 Switching Diode |
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NVBG020N120SC1 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:25 ns; 典型关闭延迟时间:46 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 上升时间:41 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 正向跨导 - 最小值:34 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:468 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:220 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 15 V, 25 V; Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms; Id-连续漏极电流:98 A; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:D2PAK-7; 安装风格:SMD/SMT; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1 |
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SS26SHE3_B/H |
Vishay |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :60 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SS2x; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :200 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:75 A; Vf - 正向电压:0.6 V; Vrrm - 重复反向电压:60 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 60V Sctky Bar Rectfr SMA (DO-214AC) |
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NTHL020N120SC1 |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:25 ns; 典型关闭延迟时间:45 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:450; 上升时间:57 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:11 ns; 正向跨导 - 最小值:28 S; 商标:ON Semiconductor; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Tube; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:535 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:203 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:4.3 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 15 V, 25 V; Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms; Id-连续漏极电流:103 A; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-247-3; 安装风格:Through Hole; 技术:SiC; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET 20MW 1200V |
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CAB425M12XM3 |
Cree, Inc. |
分立半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:1; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:50 mW; 工作电源电压:-; Id-连续漏极电流:425 A; 晶体管极性:N-Channel; 商标:Wolfspeed / Cree; 技术:SiC; 封装:Bulk; 系列:XM3; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; 封装 / 箱体:Module; 安装风格:Screw Mount; Vgs - 栅极-源极电压:- 4 V, 15 V; Vf - 正向电压:5.4 V; 类型:Half-Bridge; 产品:Power MOSFET Modules; 制造商:Cree, Inc.; |
分立半导体模块 1.2kV 425A SiC HalfBridge Module |
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V1P22-M3/H |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:4500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:V1P22; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:25 A; Vf - 正向电压:880 mV; Vrrm - 重复反向电压:200 V; If - 正向电流:1 A; 封装 / 箱体:DO-219AD; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 200V 1A TMBS MicroSMP (DO-219AD) |
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NRVBAF3200T3G |
ON Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Ir - 反向电流 :1 mA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:0.84 V; Vrrm - 重复反向电压:200 V; If - 正向电流:3 A; 封装 / 箱体:SMA-FL-2; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 200 V, 3.0 A |
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MMSZ5255BQ-7-F |
Diodes Incorporated |
分立半导体 |
Vf - 正向电压:0.9 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; If - 正向电流:10 mA; 商标:Diodes Incorporated; 宽度:1.4 mm; 长度:1.8 mm; 高度:1.1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 测试电流:20 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Zz - 齐纳阻抗:11 Ohms; 齐纳电流:-; 电压温度系数:-; 电压容差:-; Pd-功率耗散:200 mW; 封装 / 箱体:SOD-323-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:5.6 V; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
稳压二极管 Zener Diode SOD123 T&R 3K |
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STPS5L60UFN |
STMicroelectronics |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:5000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:STPS5L60; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
肖特基二极管与整流器 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER |
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V2P22-M3/H |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:4500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:V2P22; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :1 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:30 A; Vf - 正向电压:930 mV; Vrrm - 重复反向电压:200 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-219AD; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 200V 2A TMBS MicroSMP (DO-219AD) |
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SML4747AHE3_A/H |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:12.5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:20 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 20V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4738AHE3_A/H |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :10 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:31 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:10 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:8.2 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 8.2V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4745AHE3_A/I |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:7500; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:15.5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:16 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 16V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4746HE3_A/I |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:7500; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:14 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:10 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:18 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 18V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4742AHE3_A/I |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:7500; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:21 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:12 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 12V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4759AHE3_A/H |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:4 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:62 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 62V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4752HE3_A/I |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:7500; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:7.5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:10 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:33 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 33V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4762AHE3_A/H |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:3 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:82 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 82V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4751AHE3_A/H |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:8.5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:30 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 30V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4748AHE3_A/H |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:11.5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:22 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 22V Zener SMA (DO-214AC) |
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SML4764AHE3_A/H |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :5 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:2.5 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:5 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:100 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 100V Zener SMA (DO-214AC) |
|
SML4739AHE3_A/H |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:1800; 产品类型:Zener Diodes; Ir - 反向电流 :10 uA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.79 mm; 长度:4.5 mm; 高度:2.29 mm; 系列:SML47; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 测试电流:28 mA; 配置:Single; 最大工作温度:+ 150 C; 齐纳电流:10 uA; 电压容差:5 %; Pd-功率耗散:1 W; 封装 / 箱体:DO-214AC-2; 安装风格:SMD/SMT; Vz - 齐纳电压:9.1 V; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
稳压二极管 9.1V Zener SMA (DO-214AC) |
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BSM400D12P2G003 |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:1.6 V; Vds-漏源极击穿电压:1200 V; 典型接通延迟时间:60 ns; 典型关闭延迟时间:240 ns; 子类别:Discrete Semiconductor Modules; 标准包装数量:4; 上升时间:50 ns; 产品类型:Discrete Semiconductor Modules; Pd-功率耗散:2450 W; Id-连续漏极电流:400 A; 下降时间:75 ns; 晶体管极性:N-Channel; 商标:ROHM Semiconductor; 配置:Half-Bridge; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:Screw Mount; Vgs - 栅极-源极电压:22 V; 类型:SiC Power Module; 产品:Power MOSFET Modules; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
分立半导体模块 SIC Pwr Module Half Bridge |
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V2F22HM3/H |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:TMBS; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:3000; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:V2F22; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 40 C; Ir - 反向电流 :0.3 uA; 技术:Si; 配置:Single; Ifsm - 正向浪涌电流:60 A; Vf - 正向电压:870 mV; Vrrm - 重复反向电压:200 V; If - 正向电流:2 A; 封装 / 箱体:DO-219AB; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Rectifiers; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
肖特基二极管与整流器 200V 2A TMBS SMF (DO-219AB) |
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SE10DLJ-M3/I |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:eSMP; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2000; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SE10D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 恢复时间:3000 ns; Ir - 反向电流 :15 uA; 最大浪涌电流:110 A; Vf - 正向电压:1.15 V; 配置:Single; 类型:Standard Recovery Rectifiers; If - 正向电流:10 A; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:TO-263AC; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 600V 10A RECTIFIER SMPD (TO-263AC) |
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SE10DLG-M3/I |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:eSMP; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2000; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SE10D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :15 uA; 最大浪涌电流:110 A; Vf - 正向电压:1.15 V; 配置:Single; 类型:Standard Recovery Rectifiers; If - 正向电流:10 A; Vr - 反向电压 :400 V; 封装 / 箱体:TO-263AC; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 400V 10A RECTIFIER SMPD (TO-263AC) |
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SE10DLJHM3/I |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:eSMP; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2000; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SE10D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ir - 反向电流 :15 uA; 最大浪涌电流:110 A; Vf - 正向电压:1.15 V; 配置:Single; 类型:Standard Recovery Rectifiers; If - 正向电流:10 A; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:TO-263AC; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 600V 10A RECTIFIER SMPD (TO-263AC) |
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SQJ264EP-T1_GE3 |
Vishay |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:3000; 产品类型:MOSFET; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 商标名:PowerPAK; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
MOSFET Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175C MOSFETs PowerPAK SO-8L 134M SG , 8.6 mO @ 10V mO @ 7.5V mO @ 4.5V |
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SE20DLJ-M3/I |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:eSMP; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2000; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SE20D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 恢复时间:3000 ns; Ir - 反向电流 :25 uA; 最大浪涌电流:150 A; Vf - 正向电压:1.2 V; 配置:Single; 类型:Standard Recovery Rectifiers; If - 正向电流:20 A; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:TO-263AC; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 600V 20A RECTIFIER SMPD (TO-263AC) |
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SE20DLG-M3/I |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:eSMP; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2000; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SE20D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 恢复时间:3000 ns; Ir - 反向电流 :25 uA; 最大浪涌电流:150 A; Vf - 正向电压:1.2 V; 配置:Single; 类型:Standard Recovery Rectifiers; If - 正向电流:20 A; Vr - 反向电压 :400 V; 封装 / 箱体:TO-263AC; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 400V 20A RECTIFIER SMPD (TO-263AC) |
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RB218BM200FHTL |
ROHM Semiconductor |
分立半导体 |
Vr - 反向电压 :200 V; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2500; 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ir - 反向电流 :10 uA; 技术:Si; 配置:Dual Common Cathode; Ifsm - 正向浪涌电流:100 A; Vf - 正向电压:0.88 V; Vrrm - 重复反向电压:200 V; If - 正向电流:20 A; 封装 / 箱体:TO-252-3; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Schottky Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
肖特基二极管与整流器 200V, 20A SBD Super Low IR Type |
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SE20DLGHM3/I |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:eSMP; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2000; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SE20D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 恢复时间:3000 ns; Ir - 反向电流 :25 uA; 最大浪涌电流:150 A; Vf - 正向电压:1.2 V; 配置:Single; 类型:Standard Recovery Rectifiers; If - 正向电流:20 A; Vr - 反向电压 :400 V; 封装 / 箱体:TO-263AC; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 400V 20A RECTIFIER SMPD (TO-263AC) |
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SE20DLJHM3/I |
Vishay |
分立半导体 |
商标名:eSMP; 子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:2000; 产品类型:Rectifiers; 商标:Vishay Semiconductors; 产品:Rectifiers; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:SE20D; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; 恢复时间:3000 ns; Ir - 反向电流 :25 uA; 最大浪涌电流:150 A; Vf - 正向电压:1.2 V; 配置:Single; 类型:Standard Recovery Rectifiers; If - 正向电流:20 A; Vr - 反向电压 :600 V; 封装 / 箱体:TO-263AC; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
整流器 600V 20A RECTIFIER SMPD (TO-263AC) |
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IAUA120N04S5N014AUMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2000; 产品类型:MOSFET; 湿度敏感性:Yes; 商标:Infineon Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 制造商:Infineon; |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
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IQE006NE2LM5ATMA1 |
Infineon |
分立半导体 |
典型接通延迟时间:5.3 ns; 典型关闭延迟时间:27 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:5000; 上升时间:2.6 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:5.3 ns; 正向跨导 - 最小值:220 S; 商标:Infineon Technologies; 晶体管类型:1 N-Channel; 配置:Single; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 商标名:OptiMOS; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:89 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:28.5 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:2 V; Vgs - 栅极-源极电压:16 V; Rds On-漏源导通电阻:0.65 mOhms; Id-连续漏极电流:298 A; Vds-漏源极击穿电压:25 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TSON-8-4; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Infineon; |
MOSFET TRENCH <= 40V |
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