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型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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SKY66112-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:6500; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:- 8 dBm; OIP3 - 三阶截点:0 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 增益:11 dB, 22 dB; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY66112; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MCM-22; 安装风格:SMD/SMT; 最大数据速率:-; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:5 uA, 3.5 mA, 115 mA; 工作电源电压:1.7 V to 3.3 V; NF—噪声系数:2 dB; 工作频率:2.4 GHz to 2.483 GHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频前端 Cnnctd Home/Wearable BLE+ZigBee Family |
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S2-LPQTR |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF Transceiver; 发送机数量:1 Transmitter; 接收机数量:1 Receiver; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:S2-LP; 灵敏度:- 130 dBm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-24; 接口类型:SPI; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:16 dBm; 传输供电电流:27 mA; 接收供电电流:7.2 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.8 V; 调制格式:2-GFSK, 4-GFSK, ASK, OOK; 最大数据速率:500 kb/s; 频率范围:826 MHz to 958 MHz; 类型:Sub-GHz; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
射频收发器 LOW POWER RF |
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nRF52810-QCAA-R |
Nordic Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:nRF52; 定时器数量:8 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:64 MHz; 开发套件:nRF52 DK; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:2-Wire, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:24 kB; 商标:Nordic Semiconductor; 技术:Si; 系列:NRF52810; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-32; 程序存储器大小:192 kB; 传输供电电流:7.5 mA; 接收供电电流:4.6 mA; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 灵敏度:- 93 dBm; 输出功率:4 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Nordic Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC BLE 5 Ready OTA QFN 32pin 5x5mm |
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nRF52832-QFAB-R |
Nordic Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 处理器系列:nRF52; 定时器数量:5 x 32 bit Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:64 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:32 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:2 Wire, I2C, I2S, PDM, PPI, SPI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:32 kB; 商标:Nordic Semiconductor; 技术:Si; 系列:nRF52832; 程序存储器类型:Flash; 封装 / 箱体:QFN-48; 程序存储器大小:250 kB; 传输供电电流:5.3 mA; 接收供电电流:5.4 mA; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 灵敏度:- 96 dBm; 输出功率:4 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Nordic Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC Bluetooth 4.2 & 5 NFC tag QFN 48 |
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nRF52840-QIAA-R |
Nordic Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:64 MHz; 开发套件:nRF52840-DK; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 输入/输出端数量:48 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C, I2S, SPI, UART, USB; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:256 kB; 商标:Nordic Semiconductor; 宽度:7 mm; 技术:Si; 系列:nRF52840; 程序存储器类型:Flash; 长度:7 mm; 封装 / 箱体:AQFN-73; 程序存储器大小:1 MB; 传输供电电流:4.8 mA; 接收供电电流:4.6 mA; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 灵敏度:- 95 dBm; 输出功率:8 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M4; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:Nordic Semiconductor; |
RF片上系统 - SoC BLE ANT 2.4GHz SOC |
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RI-TRP-DR2B-40 |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:RI-TRP-DR2B; 工作温度范围:- 25 C to + 85 C; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 25 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:134.2 kHz; 存储容量:170 B; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
RFID应答器 32mm Glass Transponder Multipage 0-XCEPT -25 to 85 |
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LTC5596IDC#TRMPBF |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Detector; 开发套件:DC2158A; 商标:Analog Devices / Linear Technology; 系列:LTC5596; 准确性:+/- 1 dB; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 技术:Si; 工作电源电压:3.3 V; 配置:Single; 动态范围 dB:35 dB; 频率范围:100 MHz to 40 GHz; 类型:RMS Power Detector; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频检测器 100MHz to 40GHz Linear-in-dB RMS Power Detector with 35dB Dynamic Range |
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ADRF5021BCCZN |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:5.4 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:100 uA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:5 V; 开发套件:ADRF5021-EVALZ; 运行时间—最大值:1.1 us; 空闲时间—最大值:1.1 us; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:ADRF5021; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LGA-20; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:60 dB; 介入损耗:2 dB; 工作频率:9 kHz to 30 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC High isolation SPDT, 30GHz, low cut-off |
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ADF5610BCCZ |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:416; 产品类型:PLLs - Phase Locked Loops; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 工作电源电流:1.6 mA, 11.9 mA, 110 mA; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:EVAL-ADF5610; 商标:Analog Devices; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 电源电压-最小:3.1 V; 电源电压-最大:5.25 V; 输出频率范围:7.3 GHz to 14.6 GHz; 最小输入频率:57 MHz; 最大输入频率:4 GHz; 电路数量:1; 类型:Wideband RF Synthesizer; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
锁相环 - PLL .VCO PLL 0.05515.00 GHz |
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ADF4372BCCZ |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:416; 产品类型:PLLs - Phase Locked Loops; 工作电源电压:3.3 V; 工作电源电流:135 mA; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:EV-ADF4372SD2Z; 商标:Analog Devices; 系列:ADF4372; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 电源电压-最小:3.15 V; 电源电压-最大:5.25 V; 输出频率范围:62.5 MHz to 16000 MHz; 最小输入频率:10 MHz; 最大输入频率:600 MHz; 电路数量:1; 类型:Wideband RF Synthesizer; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
锁相环 - PLL 62MHz-16GHz wideband PLLVCO |
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ADRF5044BCCZN |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:- 3.45 V, 3.15 V; 电源电压-最大:- 3.15 V, 3.45 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:110 uA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:1.2 V to 3.3 V; 开发套件:ADRF5044-EVALZ; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:ADRF5044; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LGA-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:43 dB, 52 dB, 55 dB; 介入损耗:1.7 dB, 2.1 dB, 2.6 dB; 工作频率:100 MHz to 30 GHz; 开关配置:SP4T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC Low insertion loss,SP4T,30GHz,fast switc |
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HMC994APM5E |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:50; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:3.5 W; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:12 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 系列:HMC994; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:250 mA; OIP3 - 三阶截点:36 dBm; 测试频率:20 GHz to 28 GHz; NF—噪声系数:4 dB; 工作电源电压:10 V; 增益:16 dB; P1dB - 压缩点:27 dBm; 工作频率:0 Hz to 28 GHz; 技术:GaAs; 类型:MMIC; 封装 / 箱体:LFCSP-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 0.01-30GHz 0.5W DISTRIBUTED AMPLIFIER |
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AD9371BBCZ |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:189; 产品类型:RF Transceiver; 发送机数量:2 Transmitter; 接收机数量:2 Receiver; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:AD9371; 封装:Tray; 封装 / 箱体:CSPBGA-196; 接口类型:JESD204B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:7 dBm; 传输供电电流:1 A; 接收供电电流:1.055 A; 电源电压-最大:3.465 V; 电源电压-最小:1.267 V; 最大数据速率:6.144 Gb/s; 频率范围:300 MHz to 6 GHz; 类型:Multiband; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频收发器 Broad Market Mykonos Release |
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HMC939A |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:25; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:5 V; 最小频率:100 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:6 dB; 商标:Analog Devices; 类型:Digital Attenuator; 系列:HMC939; 功率额定值:25 dBm; 封装:Waffle; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 55 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:1 dB; 通道数量:1 Channel; 位数:5 bit; 最大频率:40 GHz; 最大衰减:31 dB; 封装 / 箱体:Die; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
衰减器 attenuator |
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MAAL-011130-TR3000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:35 dB; 输入返回损失:10 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; OIP3 - 三阶截点:24 dBm; 测试频率:18 GHz; NF—噪声系数:2.9 dB; 工作电源电压:3.3 V to 5 V; 增益:14 dB; P1dB - 压缩点:15 dBm; 工作频率:2 GHz to 18 GHz; 技术:Si; 类型:Broadband, Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:PDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 |
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MAAL-011129-TR1000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:45 dB; 输入返回损失:- 13 dB; 开发套件:MAAL-011129-SMB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; OIP3 - 三阶截点:25 dBm; 测试频率:24 GHz; NF—噪声系数:2.5 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:23 dB; P1dB - 压缩点:16 dBm; 工作频率:18 GHz to 31.5 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:PDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 |
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CG2H30070F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3.8 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:50; 产品类型:RF JFET Transistors; 开发套件:CG2H30070F-TB1; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 工作频率:0.5 GHz to 3 GHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:440224; 安装风格:Screw Mount; Pd-功率耗散:-; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:70 W; Id-连续漏极电流:12 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V, 2 V; Vds-漏源极击穿电压:120 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:12.4 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.0GHz, 60 Watt |
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MAAL-011134-TR3000 |
MACOM |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Amplifier; 输入返回损失:7 dB; 开发套件:MAAL-011134-1SMB; 通道数量:1 Channel; 商标:MACOM; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:60 mA; OIP3 - 三阶截点:28 dBm; 测试频率:5.8 GHz; NF—噪声系数:0.85 dB; 工作电源电压:3 V; 增益:15 dB; P1dB - 压缩点:15 dBm; 工作频率:700 MHz to 6 GHz; 技术:Si; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:PDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:MACOM; |
射频放大器 |
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ADRF5731BCCZN |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 最小频率:100 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:3.5 dB; 商标:Analog Devices; 类型:Digital; 系列:ADRF5731; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 衰减器步长:2 dB; 通道数量:1 Channel; 位数:4 bit; 最大频率:40 GHz; 最大衰减:30 dB; 封装 / 箱体:LGA-16; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
衰减器 16 lead LGA |
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ATSAMR21G18A-MUT |
Microchip |
无线和射频半导体 |
商标名:SMART; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:SAMR21G; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 输入/输出端数量:28 I/O; 接口类型:SPI, UART, USB; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Microchip Technology / Atmel; 技术:Si; 系列:ATSAMR21; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-48; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:3.3 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:32 kB; 程序存储器大小:256 kB; 数据总线宽度:32 bit; 核心:ARM Cortex M0+; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
射频微控制器 - MCU SAMR21 48pin 256K T&R |
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MRF1K50NR5 |
NXP |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:1.7 V; Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:50; 产品类型:RF MOSFET Transistors; Pd-功率耗散:2.941 kW; 湿度敏感性:Yes; 通道数量:2 Channel; 正向跨导 - 最小值:33.5 S; 商标:NXP Semiconductors; 类型:RF Power MOSFET; 工作频率:1.8 MHz to 500 MHz; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:OM-1230-4L; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 输出功率:1.5 kW; 增益:23 dB; Vds-漏源极击穿电压:133 V; Id-连续漏极电流:36 A; 技术:Si; 晶体管极性:N-Channel; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V |
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HMC907A |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:5.6 W; 输入返回损失:15 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Gel Pack; 系列:HMC907; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 55 C; 工作电源电流:350 mA; OIP3 - 三阶截点:41 dBm; 测试频率:16 GHz to 22 GHz; NF—噪声系数:4 dB; 工作电源电压:10 V; 增益:14 dB; P1dB - 压缩点:28 dBm; 工作频率:0.2 GHz to 22 GHz; 技术:GaAs; 类型:Linear Power Amplifier; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 Amplifiers |
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HMC392ALC4TR |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; Pd-功率耗散:660 mW; 湿度敏感性:Yes; 输入返回损失:13 dB; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:HMC392AG; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:61 mA; OIP3 - 三阶截点:34.5 dBm; 测试频率:5.5 GHz; NF—噪声系数:1.8 dB; 工作电源电压:5 V; 增益:17 dB; P1dB - 压缩点:19 dBm; 工作频率:3.5 GHz to 8 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Noise Amplifier; 封装 / 箱体:QFN-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 lo Noise amp SMT, 3.5 - 7.0 GHz |
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HMC939ALP4ETR |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:5 V; 湿度敏感性:Yes; 最小频率:0.1 GHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:6.5 dB; 商标:Analog Devices; 类型:Digital Attenuator; 容差:1 dB; 系列:HMC939; 功率额定值:451 mW; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:GaAs; 衰减器步长:1 dB; 通道数量:1 Channel; 位数:5 bit; 最大频率:33 GHz; 最大衰减:31 dB; 封装 / 箱体:QFN-16; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
衰减器 Attenuator |
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ADRF5027BCCZN |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:3.15 V; 电源电压-最大:3.45 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:2 uA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:3.3 V; 开发套件:ADRF5027-EVALZ; 运行时间—最大值:3.6 us; 空闲时间—最大值:3.6 us; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:ADRF5027; 封装 / 箱体:LGA-20; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 105 C; 关闭隔离—典型值:50 dB; 介入损耗:3.8 dB; 工作频率:9 kHz to 44 GHz; 开关配置:SPDT; 开关数量:Dual; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC Low insertion loss, SPDT, 40GHz, Slow |
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SX1301IMLTRT |
Semtech |
无线和射频半导体 |
商标名:LoRaWAN; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Wireless Misc; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Semtech; 类型:Digital Baseband Chip; 技术:Si; 系列:SX1301; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:QFN-64; 工作电源电流:550 mA; 电源电压-最小:1.75 V; 电源电压-最大:1.85 V; 工作频率:868 MHz; RoHS:Y; 制造商:Semtech; |
射频无线杂项 Digital Baseband Chip for outdoor LoRaWAN macro gateways |
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QN9083DUKZ |
NXP |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; 定时器数量:4 Timer; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 最大时钟频率:32 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:16 bit; 输入/输出端数量:28 I/O; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:Serial; 数据 Ram 类型:SRAM; 数据 RAM 大小:128 kB; 商标:NXP Semiconductors; 宽度:3.2 mm; 技术:Si; 系列:QN9083; 程序存储器类型:Flash; 长度:3.28 mm; 高度:0.365 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:WLCSP-47; 程序存储器大小:512 kB; 传输供电电流:3.5 mA; 接收供电电流:5 mA; 工作电源电压:1.62 V to 3.6 V; 灵敏度:- 91.5 dBm; 输出功率:2 dBm; 最大数据速率:2 Mb/s; 工作频率:2483.5 MHz; 核心:ARM Cortex M4F; 类型:Bluetooth; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
RF片上系统 - SoC BLE 5 WLCSP |
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CG2H40025F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3.8 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:250; 产品类型:RF JFET Transistors; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 工作频率:DC to 6 GHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:440166; 安装风格:Screw Mount; Pd-功率耗散:-; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:25 W; Id-连续漏极电流:3 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V, 2 V; Vds-漏源极击穿电压:120 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:15 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt |
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ADGM1004JCPZ-RL7 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:3.1 V; 电源电压-最大:3.3 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:3 mA; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:0 C; 开发套件:EVAL-ADGM1004EBZ; 运行时间—最大值:75 us; 空闲时间—最大值:30 us; 商标:Analog Devices; 技术:Si; 系列:ADGM1004; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LFCSP-24; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 关闭隔离—典型值:19 dB; 介入损耗:0.63 dB; 工作频率:0 Hz to 13 GHz; 开关配置:SP4T; 开关数量:Quad; RoHS:E; 制造商:Analog Devices Inc.; |
RF 开关 IC >1kV HBM ESD MEMS Switch Solution |
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CC1350F128RGZR |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
商标名:SimpleLink; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:3.8 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Microcontrollers - MCU; 处理器系列:CC1350; 定时器数量:4 Timer; ADC通道数量:8 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:CC1350STK; 输入/输出端数量:30 I/O; 接口类型:I2C, I2S, SSI, UART; 数据 Ram 类型:SRAM; 商标:Texas Instruments; 技术:Si; 系列:CC1350; 程序存储器类型:Flash; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:VQFN-48; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电压:1.8 V to 3.8 V; ADC分辨率:12 bit; 最大时钟频率:48 MHz; 数据 RAM 大小:20 kB; 程序存储器大小:128 kB; 数据总线宽度:16 bit; 工作频率:Sub-GHz, 2.4 GHz; 核心:ARM Cortex M3; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
射频微控制器 - MCU |
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IWR1642AQAGABLR |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; ADC通道数量:6 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 105 C; 最大时钟频率:200 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:12 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:CAN, I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:192 kB; 商标:Texas Instruments; 宽度:10.5 mm; 技术:Si; 系列:IWR1642; 长度:10.5 mm; 高度:1.17 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:FCBGA-161; 工作温度范围:- 40 C to + 105 C; 程序存储器大小:256 kB; 工作电源电压:1.2 V, 1.3 V, 1.8 V, 3.3 V; 输出功率:12.5 dBm; 最大数据速率:900 Mb/s; 工作频率:76 GHz to 81 GHz; 核心:ARM Cortex R4F; 类型:Radar; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
RF片上系统 - SoC |
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ADRF5731BCCZN-R7 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 最小频率:100 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:3.5 dB; 商标:Analog Devices; 类型:Digital; 系列:ADRF5731; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 衰减器步长:2 dB; 通道数量:1 Channel; 位数:4 bit; 最大频率:40 GHz; 最大衰减:30 dB; 封装 / 箱体:LGA-16; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
衰减器 16 lead LGA |
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CGHV14800F |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3.8 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:50; 产品类型:RF JFET Transistors; 开发套件:CGHV14800F-TB; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 工作温度范围:- 40 C to + 100 C; 工作频率:1.2 GHz to 1.4 GHz; 封装:Tray; 封装 / 箱体:440117; 安装风格:Screw Mount; Pd-功率耗散:-; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:800 W; Id-连续漏极电流:24 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 V; Vds-漏源极击穿电压:150 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:14 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt |
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CGHV40200PP |
Cree, Inc. |
无线和射频半导体 |
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V; 子类别:Transistors; 标准包装数量:50; 产品类型:RF JFET Transistors; 开发套件:CGHV40200PP-AMP1; 正向跨导 - 最小值:-; 商标:Wolfspeed / Cree; 工作频率:1.7 GHz to 1.9 GHz; 配置:Single; 封装:Tray; 封装 / 箱体:440199; 安装风格:Screw Mount; Pd-功率耗散:166 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大漏极/栅极电压:-; 输出功率:250 W; Id-连续漏极电流:8.7 A; Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V, 2 V; Vds-漏源极击穿电压:150 V; 晶体管极性:N-Channel; 增益:16.1 dB; 技术:GaN; 晶体管类型:HEMT; RoHS:Y; 制造商:Cree, Inc.; |
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt |
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AWR1642ABIGABLRQ1 |
Texas Instruments |
无线和射频半导体 |
商标名:mmWave; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:1000; 产品类型:RF System on a Chip - SoC; ADC通道数量:6 Channel; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 最大时钟频率:40 MHz; 数据总线宽度:32 bit; ADC分辨率:10 bit; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:CAN, I2C, SPI, UART; 数据 Ram 类型:RAM; 数据 RAM 大小:1.5 MB; 商标:Texas Instruments; 宽度:10.5 mm; 技术:Si; 系列:AWR1642; 长度:10.5 mm; 高度:1.17 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 封装 / 箱体:FCBGA-161; 工作温度范围:- 40 C to + 125 C; 工作电源电压:1.2 V, 1.3 V, 1.8 V, 3.3 V; 输出功率:12.5 dBm; 最大数据速率:12.5 Mb/s; 工作频率:76 GHz to 81 GHz; 核心:ARM Cortex R4F, C674x; 类型:Radar; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
RF片上系统 - SoC |
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ADRF5721BCCZN |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 最小频率:9 kHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:3.4 dB; 商标:Analog Devices; 类型:Digital; 系列:ADRF5721; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 衰减器步长:2 dB; 通道数量:1 Channel; 位数:4 bit; 最大频率:40 GHz; 最大衰减:30 dB; 封装 / 箱体:LGA-16; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
衰减器 16 lead LGA |
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HMC292ALC3BTR-R5 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Mixer; Pd-功率耗散:460 mW; P1dB - 压缩点:14 dBm; OIP3 - 三阶截点:21 dBm; 湿度敏感性:Yes; 开发套件:EV1HMC292ALC3B; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC292; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LLC-12; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 55 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 8 GHz; LO频率:14 GHz to 32 GHz; NF—噪声系数:14 dB; 转换损失——最大:12.5 dB; 射频:14 GHz to 32 GHz; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 GaAs MMIC Fundamental mix , 16 - 30 GHz |
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HMC5805ALS6TR |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:100; 产品类型:RF Amplifier; 湿度敏感性:Yes; 通道数量:1 Channel; 商标:Analog Devices; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:HMC5805; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频放大器 01-40GHz DISTRIBUTED AMPLIFIER |
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HMC8191LC4TR-R5 |
Analog Devices Inc. |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:500; 产品类型:RF Mixer; Pd-功率耗散:657 mW; P1dB - 压缩点:15 dBm; OIP3 - 三阶截点:24 dBm; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices; 技术:GaAs; 系列:HMC8191G; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LCC-24; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 中频:DC to 5 GHz; LO频率:6 GHz to 26.5 GHz; NF—噪声系数:9 dB; 转换损失——最大:11.5 dB; 射频:6 GHz to 26.5 GHz; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
射频混合器 6 GHz to 26.5 GHz, Wideband I/Q Mixer |
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SKY66119-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4500; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:- 17 dBm; OIP3 - 三阶截点:- 9 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:EN40-D376-003 B; 增益:15.5 dB; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY66119; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MCM-28; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:740 mA; 工作电源电压:3 V to 3.8 V; NF—噪声系数:1.3 dB; 工作频率:460 MHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频前端 460MHz T/R FEM SP3T NF < 1.3dB |
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MAX14813EWX+ |
Maxim Integrated |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:10; 产品类型:RF Front End; 最小工作温度:0 C; 开发套件:MAX14813EVKIT#; 商标:Maxim Integrated; 技术:Si; 系列:MAX14813; 带宽:25 MHz; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:W1566A6+1; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:5 uA; 工作电源电压:1.7 V to 3.3 V; 工作频率:200 MHz; 类型:Ultrasound; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
射频前端 Octal 3 Level Ultrasound Pulser with Beamforming |
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NT2H1611G0DA8J |
NXP |
无线和射频半导体 |
商标名:g0; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:28000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:NXP Semiconductors; 技术:Si; 系列:NT2H1611; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:NXP; |
RFID应答器 NFC Forum Type 2 Tag compliant IC with 144/504/888 bytes user memory |
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RF2373TR7 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RF Amplifier; 隔离分贝:23 dB; 开发套件:RF2373PCK-414; 通道数量:1 Channel; 商标:Qorvo; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; OIP3 - 三阶截点:25 dBm; NF—噪声系数:1.1 dB; 工作电源电压:2.7 V to 5 V; 增益:21.5 dB; P1dB - 压缩点:14 dBm; 工作频率:0.4 GHz to 4 GHz; 技术:GaAs; 类型:Low Noise; 封装 / 箱体:SOT-5; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
射频放大器 .4-4GHz Iso 23dB 2.7-5.0V |
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ST25DV16K-IER6S3 |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:RFID Transponders; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:ST25DV16K; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:13.56 MHz; 存储容量:16 kbit; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
RFID应答器 MEMORY |
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ST25DV16K-IER6T3 |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RFID Transponders; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:ST25DV16K; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 工作频率:13.56 MHz; 存储容量:16 kbit; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
RFID应答器 MEMORY |
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SKY13586-678LF |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:5 V; 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Switch ICs; 工作电源电流:5 uA; 最小工作温度:- 40 C; 高控制电压:1.6 V to 3.6 V; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY13586; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MLP-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 90 C; 关闭隔离—典型值:35 dB; 介入损耗:0.75 dB; 工作频率:2.4 GHz to 2.5 GHz; 开关配置:SP3T; 开关数量:Single; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
RF 开关 IC SP3T with 1.8V logic |
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SKY66113-11 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Front End; P1dB - 压缩点:- 8 dBm; 湿度敏感性:Yes; 最小工作温度:- 40 C; 开发套件:SKY66113-11EK1; 增益:12 dB; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY66113; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:MCM-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大数据速率:-; 最大工作温度:+ 85 C; 工作电源电流:4 mA; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; NF—噪声系数:2 dB; 工作频率:2.4 GHz; 类型:802.15.4, Zigbee; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频前端 Bluetooth Low Energy BT Smart 802.15.4 |
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QPC3614TR13 |
Qorvo |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:2500; 产品类型:Attenuators; 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 最小频率:5 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 介入损耗:1.2 dB; 商标:Qorvo; 类型:Digital Step Attenuator; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 技术:Si; 衰减器步长:0.5 dB; 最大 VSWR:-; 阻抗:75 Ohms; 通道数量:1 Channel; 位数:6 bit; 最大频率:1500 MHz; 最大衰减:31.5 dB; 封装 / 箱体:QFN-20; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
衰减器 5-1500MHz 75 Ohm .5dB steps 6 Bit |
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ST25DV64K-IER8T3 |
STMicroelectronics |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:4000; 产品类型:RFID Transponders; 开发套件:X-NUCLEO-NFC04A1; 商标:STMicroelectronics; 技术:Si; 系列:ST25DV64K; 功能:Energy Harvesting, Data Protection, Fast Transfer Mode, RF Management; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 工作频率:13.56 MHz; 存储容量:64 kbit; 制造商:STMicroelectronics; |
RFID应答器 MEMORY |
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SKY85303-21 |
Skyworks |
无线和射频半导体 |
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits; 标准包装数量:3000; 产品类型:RF Front End; 增益:27 dB; 商标:Skyworks Solutions, Inc.; 技术:Si; 系列:SKY85303; 封装 / 箱体:QFN-16; 安装风格:SMD/SMT; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 工作频率:2.4 GHz; 类型:RF Front End; RoHS:Y; 制造商:Skyworks; |
射频前端 2.4GHz 256QAM PA+SW+LNA FEM in 2.5mmx2.5 |
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