| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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GA01PNS150-201 |
GeneSiC Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:20; 产品类型:PIN Diodes; Ir - 反向电流 :20 uA; 恢复时间:230 ns; 商标:GeneSiC Semiconductor; 类型:Silicon Carbide PiN; 配置:Single; 封装:Box; 系列:SiC PiN; 封装 / 箱体:DO-201; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Vf - 正向电压:6.4 V @ 1A; If - 正向电流:1 A; 最大二极管电容:22 pF; Vr - 反向电压 :15000 V; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor; |
PIN 二极管 Silicon Carbide Pin Diode |
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GA01PNS150-220 |
GeneSiC Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10; 产品类型:PIN Diodes; 恢复时间:230 ns; 商标:GeneSiC Semiconductor; 类型:Silicon Carbide PiN; 配置:Single; 封装:Tube; 系列:SiC PiN; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Vf - 正向电压:6.4 V @ 1A; If - 正向电流:1 A; Vr - 反向电压 :15000 V; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor; |
PIN 二极管 15000V 1A Standard |
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GA01PNS80-220 |
GeneSiC Semiconductor |
无线和射频半导体 |
子类别:Diodes & Rectifiers; 标准包装数量:10; 产品类型:PIN Diodes; Ir - 反向电流 :4 uA; 恢复时间:230 ns; 商标:GeneSiC Semiconductor; 宽度:9.14 mm; 类型:Silicon Carbide PiN; 端接类型:Through Hole; 长度:11.18 mm; 高度:6.35 mm; 配置:Single; 封装:Tube; 系列:SiC PiN; 封装 / 箱体:TO-220-2; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Vf - 正向电压:6.1 V @ 2 A; If - 正向电流:1 A; 最大串联电阻（中频最大时）:-; 最大二极管电容:26 pF; Vr - 反向电压 :8000 V; RoHS:Y; 制造商:GeneSiC Semiconductor; |
PIN 二极管 8000V 2A Standard |
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